TW417190B - Semiconductor chips having a mesa structure provided by sawing - Google Patents

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417190 _案號88104141_g /年卞月1曰_^ 五'發明說明（1) 發明背景 本發明係關於具有一台地型結構之半導體晶片，特別是 指此晶片使用一機械式切割製程之製造方法。 提供半導體晶片特別是用於整流裝置者時，其係概呈一 平坦之半導體基材且具有一台地自基材向上延伸，台地内 之一 p-n接合處戴取台地之斜壁面，致使鄰近於p-n接合處 之電場在台地表面比在台地内具有較低之強度。因此，當 裝置之電壓崩潰狀況出現時，崩潰係發生於台地内而非沿 著台地表面，如所週知，此内部崩潰之破壞性遠低於沿著 表面之崩潰，且由於可避免表面崩潰，裝置可在破壞前承 受較高之能量脈衝。 相關於表面電壓崩潰之理論或者係先由R.L. Davies及 F.E. Gentry闡述及分析於電子裝置IEEE處理1964年7月刊 第313至32 3頁之“P-N接合處表面之電埸控制”，在專家 實驗之裝置中，台地斜壁面係藉由研磨取得，而近年來之 斜台地貝1j由各異向十生敍刻取得，如4, 7 4 0 , 4 7 7 ， 4,891,685，5,010,023及5,399,901號美國專利所示，其 皆頒證於W. G. Einthoven多人（諸件專利之主旨可供在此 參考）。此異向性蝕刻製程包含：提供一矽晶圓，其塗有 一氮化£夕遮蔽層；施加一阻光層於遮蔽層上；及形成一台 地且利用一遮光件以定義圖案於阻光層中。隨後蝕刻穿過 圖案式阻光層，且進入下方之遮光層及晶圓，以定義複數 台地於晶圓表面上。定義出台地後，後續之處理步驟可進 —步定義出含有欲製成晶片之各台地之變數。台地之側 壁面經過氧化以令台地之壁表面鈍化，覆於台地上之遮蔽

第6頁 _案號88I04U1 g?年亏月1日 修正__ 五、發明說明（2) 層予以去除（一般係在用一遮光件之光石版印刷製程中）， 以利曝現的表面於台地頂部處，曝現之表面及晶圓底表面 做金屬電鍍以形成晶片之電極，因此，基本上已完成之晶 片結構在一晶圓細切操作中分離，例如利用機械式切割。 前述製程雖然頗令人滿意且可延伸使用，但是因為製程 較為複雜故而昂貴，例如製程中之遮光件製備與使用以及 所用材料之成本，因此本發明凸顯之問題在於能否使用較 不昂貴之台地成型製程。以往用於細切成品晶圓之機械式 切割曾經考量用於製成台地之初期步驟，如文後所述者， 其亦經採用做為一晶片製程之一部份。 如上所述，用於細切晶圓之機械式切割已屬習知，再 者，此切割動作雖然僅在需要個別晶片完成後之所有製程 後才進行之，但是將晶圓細切成晶片之切割過程亦可用於 令各晶片之側面成型與鈍化。 例如在Shyr之4, 9 0 4, 6 1 0號美國專利中，其（於第4欄第 2 3及2 4行）說明晶圓以切割細切形成“一斜形槽道”（槽道 完全切穿晶圓且因而令各晶片側面成型）“產生一高崩潰 電壓用於一整流器或其他終端產品”。 特別是在Shyr專利所示之製程中，一故大致完成且含有 金屬電極於相對立主表面上之矽半導體晶圊係經由一蠟層 而黏附於一硬質之支承基材，具有斜側表面之複數條直交 槽道隨後整個切割過晶圓厚度，且有部份進入下層之蠟 層。一蝕刻製程用於令槽道之切割表面平滑，及一矽樹脂 積置於晶圓之槽道表面上，以利填入槽道。樹脂固化後即 強力黏著於槽道之壁面，但是僅稍為黏著於晶圓之金屬電

O:\55\55455.ptc 第7 1 2000. 09.01.007 r 417 t 9j _案號88104141 巧年？月之曰 修正__ 五、發明說明（3) 鍍表面。樹脂再以研磨去除於晶圓之電鍍表面，而不去除 槽道内之樹脂。晶圓隨後分離於支承基材。雖然晶圓已切 割成分隔之晶片，但是晶片仍由其間之固化樹脂相互接 附。以熔接選擇性施加於晶片上之金屬電極表面，晶片最 後可藉由切割過晶片間之樹脂層而分離。晶片之侧表面仍 覆有固化樹脂，以利鈍化晶片侧面。 現在，雖然Shy r製程使晶片具有鈍化之斜側表面做為高 電壓崩潰特徵，但是Shyr製程基本上為習知晶圓細切方式 之一變化型式，其通常在晶月所有基本處理皆完成後進 行，特別是當Shy r細切過程進行時之晶圓製造階段中，晶 片之所有高溫處理已完成，而進一步之高溫處理可避免。 因此，在Shyr製程中，金屬電極（最好在一高溫處理步驟 中產生，即超過400 °C)已存在，而所使用之晶片鈍化材 料，即揭示之矽樹脂，其係在較低溫度下施加及固化，例 如大約2 0 0 °C 。 反之，如上所述，及如文後所述，本發明係關於使用機 械式切割以直接替代先前使用之異向性蝕刻製程，且取代 較前期之晶片製造程序。應注意的是，在Shyr案中所揭示 者並未提及此種直接取代，或其如何達成。 使用“機械式切割”以形成台地係亦揭述於前述 Einthoven(本文之發明人）之4，740，477及4，891，685號美 國專利，惟，以本案發明人之知識所及，諸此專利所製成 之裝置皆利用各向異性蝕刻以製成台地。“機械式切 削”，即切割，並未實際使用或由人深思過，直到本發明 達成為止；再者，此“實際”裝置係利用光石版印刷製

O:\55\55455.ptc 第8頁 2000. 09. 01. 008 417190 _案號 88104141 月 修正 五、發明說明（4) 程，以製成台地及提供金屬電極於台地頂部上，此光石版 印刷製程在實施上十分昂貴。如文後所示，本發明係提供 用於台地之生成、台地側壁面之純化、及台地頂表面之金 屬化，其皆不需使用光石版印刷製程。 發明概述 一種製造半導體晶片之方法，包含提供一習知之半導體 晶圓以製出具有台地型結構之晶片。晶圓包括一 P - η接合 處，係位於一平行於晶圊主表面之表面中，且晶圓半導體 材料之頂表面覆以一遮蔽層，最好為氮化矽。間隔之台地 隨後藉由切割出複數條相交槽道於晶圓内且穿過遮蔽層， 而形成於晶圓之頂部中，切割後之槽道具有斜壁面及具有 一深度（其在一後續蝕刻製程中使晶圓之切割表面平滑後 即可達成），以利相交及曝現接合處之邊緣於台地之側壁 面。一鈍化材料最好為玻璃，其位於槽道内且加熱以將玻 璃包封台地之壁面，在玻璃包封過程中，各台地頂部處之 氮化矽遮蔽層可防止下方之半導體材料不致氧化，且不接 觸到鈍化玻璃》遮蔽層隨後去除（利用蝕刻而不用遮光 件），以曝露出下層之台地半導體材料，曝露出之台地頂 表面及晶圓底部隨後金屬化而大致完成晶圓之處理，其再 利用如機械切割方式以細切成含有晶片之分隔式台地。 圖式說明 圖式係為示意且未依比例。 圖1係本發明之一半導體晶圓侧視圖，所示之晶圓為黏 著於一下層支承帶； 圖2係放大揭示當槽道已切入晶圓後之圖1晶圓之一部

O:\55\55455.ptc 第9頁 2000. 09.01.009 案號 88104141 0年cl月 2- 曰 修正 五、發明說明（5) 份，且圖1中之膠帶已去除及晶圓以化學蝕刻而令槽道壁 面平滑； 圖3係圖2所示晶圓部份之平面圖； 圖4係用於切割圖2、3所示槽道之一刀刃緣前視圖；及 圖5 - 8類似於圖2，惟其揭示本發明不同内容之連續處理 步驟中之晶圓部份（圖5揭示且僅有圖5，為一熱式選擇生 長鈍化層例子；及圖6揭示且僅有圊6，為一非選擇性積置 於一晶圓完整表面上之鈍化層例子）。 發明較佳實例說明 一半導體晶圓10最好為圖1所示之矽製成，其安裝於一 支承結構上，例如一片黏膠帶1 2 (或者晶圓可安裝於一已 知之真空夾頭上），當晶圓切出槽形時，膠帶1 2即可用於 支承晶圓，如前所述。晶圓之鋸切（通常用於將之切成小 片）以及膠帶在鋸切過程中之使用情況已屬習知。 除非如下所述者，晶圓1 0可相同於習知用於製成晶片以 用於半導體裝置中，例如非連續式整流器、TVSs(瞬間電 壓抑制器）、電晶體、特定型式之閘流體及類此物。 舉例而言，此實例中之晶圓1 0可包括一底P +層1 4，其以 一疊覆之n_層18疊於其上而形成一平面式p-ri接合處16， 因而亦有一 Π +層20(平面式接合處係簡示一接合處位於一 平面中，平面一詞並非指習稱之平面式接合製程）。 底層14可製成為一非連續之基材，且層18' 20依序在其 上向外延展生長，或者頂層2 0可藉由η型摻雜劑熔入外延 生長之γγ層18而製成，又或者一 ir非連續層18基材可呈η摻 雜通過一側以形成頂η +層2 0，及ρ摻雜通過另一側以形成

第10頁 r 417190 -mjmm-月工日 也__ 五、發明說明（6) 底〆層1 4。 房20之頂表面24(形成石夕晶圓1〇之頂表面者）係覆以一遮 蔽層22，文後所述之遮蔽層係用於容許晶圓做當處蝕刻及 两溫處理，並且防止層20之頂表面在所生成之台地中受到 污染。用於層2 2之一較佳材料為氮化矽，至少有部份係因 為氮化石夕相對於隨後提供之坡填純化層而可做選擇性钱 刻。氮化矽遮蔽層使用於半導體裝置製程中係屬習知。 如圖2、3所示（揭示圖1晶圓之一小部份），複數之直 交式槽道28係提供於晶圊之頂部中，槽道28並非完全延伸 過晶園10，但是將晶圓分割成複數相同之台地34(圖2、3 中，僅示一枚完整之台地），其係自一共同之下層基材14 向上延伸β 台地34具有一方形截面形狀，係在各台地頂部處自氮化 矽層22之頂表面向下擴大面積至基材14處，在此實例中， 台地側壁面36呈筆直且均勻之傾斜面，各台地包括原先存 在於晶圓1 0中之一邹份平面式ρ _ η接合處丨6，且各台地接 合處之邊緣16a曝露於台地側壁面36。如所週知及前述 Davies與Gentry案所示者，台地p一 η接合處與台地斜壁面 之相交處可提供一所需之半導體電壓崩潰特徵。 依本發明所示’晶圓10中之直交式槽道28係利用鋸切而 提供’例如一具有金剛石刀刃之碟形鋸38(如圖4)，刀刃 之切削刃緣係呈一預先選定之傾斜角0 ，且刀刃之斜側4 〇 由一平坦侧4 2銜接β槽道2 8 (如圖2 )切入晶圓丨〇而對應於 刀刃緣之形狀’碎晶圓之鋸切（如前所述，用於細割晶圓 者）已属習知’且具有選定形狀與尺寸之金剛石刀刃亦屬

_案號 88104141_年’月 & B___ 五、發明說明（7) 一般可得，通常刀刀之斜角以及對應之槽道壁斜角0) 在3 0 - 7 5度之間，再者，具有弧形側壁之刀刃亦可用於產 生具有弧形壁面之槽道。 所需槽道壁面斜度與形狀之選擇係依據習知技術’且取 決於用以鈍化之材料及稍後結合於本發明晶片之特定半導 體裝置比率。 雖然有較大量槽道28切成各晶圓1 0 (例如在一 1 0 0毫米直 徑晶圓中有4 0 X 4 0條槽道），但是經發現較佳為一次以單一 刀刃形成一道切口，此道切口雖可用群集之刀刃同時達 成，但是其通常會造成過大之尺寸變化。 如上所述，各台地34内之平面式ρ-η接合處16需相交於 台地壁面3 6，因此，形成槽道2 8之台地需相當地深，以利 相交於初始晶圓10中之平面式ρ-η接合處16，且需略為延 伸至曝露之ρ-η接合處邊緣16a下方。（由前述引證案）可知 的是在ρ-η接合處16以外之槽道深度需在電壓崩潰狀態 下，至少可比較於自ρ-η接合處1 6向下展開之空乏區域最 大寬度。由於Ρ+層14之較高導電率，因此僅有小量之空乏 區域擴展發生於層14内，因此大體上槽道28之深度僅需略 大於各台地内之ρ-η接合處16深度即可，此深度為欲製成 之特定半導體裝置之函數。 舉例而言，ρ -η接合處1 6 (圊1所示晶圓者）係來自晶圓頂 表面3 0下方4至7密爾處，且初期切割形成之槽道深度則大 致等於ρ-η接合處16之深度。槽道之最終深度（如圖2所示） 係由一蝕刻過程所決定，其係隨後進行，以將切割過程中 形成之槽道壁面予以平滑。

OA55\55455,ptc 第12頁 2000.09.01.012 丨.417190 _案號88104141 没？年？月 > 日___ 五、發明說明（8) 矽表面之蝕刻平滑已屬習知且在先前引證Shy r專利中已 說明，理想之蝕刻溶液包含硝酸、醋酸及氩氟酸，其比例 為3 : 1 : 1 ，蝕刻則在8 - 1 2 °C溫度進行，浸漬時間大約3 0 至6 0秒。藉由特定範例可知，以一 4密爾深度之p-n接合處 1 6可知，槽道2 8切成4. 5密爾深度且在蝕刻後達到5密爾最 終深度（圖2揭示蝕刻步驟後之晶圓，圖1所示之膠帶1 2係 存在於晶圓鋸切期間，但是在蝕刻前即已去除）。 顯然，切割過程或蝕平過程皆不影響各台地上呈現之化 氮化矽層2 2之剩餘部份，氮化矽層2 2係相容於欲進行之高 溫製程，其中一高溫製程即說明如下。 如上所述，各台地34中之p-n接合處16邊緣16a曝露於台 地之側壁面3 6，且台地側壁面3 6需包封於一適當之“鈍化 材料”内，鈍化材料層使用於半導體裝置中已屬習知，通 常二氧化矽鈍化層即熱生長於台地壁面上。惟，依本發明 所示，一鈍化材料之選用目的係為了避免在後續進行之製 程中使用遮光件=所用之鈍化材料最好為一般用於半導體 裝置封裝目的中之較厚玻璃層（如文後所述），例如鋅（或 鉛）-硼-石夕酸鹽玻璃，最方便的是一選定玻璃粒子之漿液 4 6 (如圖5 )積置於晶圓之槽形表面3 0上，隨後以刮刀（例如 利用一擠壓器47)通過表面而迫使漿液進入槽道，同時將 槽道之間之晶圓表面平坦部份30上大致所有漿液掃除。 施加玻璃層於工件之其他方法包含電泳及網印，使用電 泳時，玻璃僅選擇性積置於導電表面上，即僅有在矽台地 側表面3 6上，而不在覆蓋於台地頂部之氮化矽層2 2上。 如圖6所示，當玻璃漿初期擴散開（且自台地頂表面移

O:\55\55455.ptc 第13頁 2000.09.01.013 _____案號88104141 友？年？月二日 修正 _ 五、發明說明（9) 除），玻璃漿46大致填入槽道28，隨後玻璃以習知之點火 過程而玻璃化，形成一平滑之封裝層’例如緩緩加熱工件 至發生熔流之溫度，大約8 3 0 °C，接著缓缓冷卻玻璃層以 令玻璃退火。 玻璃化之玻璃層46a係揭示於圖7中，玻璃化之玻填則精 實且密封台地之側壁面36，如圖所示，玻璃層46a之厚度 會變化，但是層46a之最小厚度（不包括接近於台地頂表面 24之邊緣區域）係大約50, 000埃，其明顯大於各台地上之 氮化梦層22厚度’大約2，〇〇〇埃（而最小之玻璃層厚度亦明 顯大於非選擇性積置於晶圓上之鈍化材料（容後詳述）之任 意層者）。 重要的是玻璃為一較佳之鈍化材料（例如其較優於前述 Shy r專利所示製程中使用之矽樹脂鈍化材料），且玻璃之 正確施加包括加熱工件至前述之83〇〇c，此項工件加熱係 在氮化矽層2 2存在情況下實施，其在玻璃點火期間可防止 由氮化矽層2 2覆蓋之r/矽層2 0頂表面污染或氡化。 由於氮化石夕層22存在，其他高溫製程可依欲製造之特定 晶片而實施，例如槽道壁面之選擇性氧化可在玻璃化之前 進行’例如在1 1 0 0 t之蒸汽環境下，以利改善鈍化，鈍化 材料因而包含由一層玻璃覆蓋之氮化矽（具有一厚度但是 並非十分重要，其大約5, 〇〇〇至2〇, 〇〇〇埃）層25(如圖5所 示’其他圖中則未示），再者，玻璃化之前可添加入摻雜 劑且在台地内擴散。 如前所述，其中一層二氧化矽在矽台地側壁面上做熱生 長’利用電泳做玻璃積置已不可行，而理想之製程為前述

417190 案號 88104141 月&曰 修正 五'發明說明（10) 之漿液積置-刮刀除過除。 除了在槽道壁面36上提供一熱生長之氧化層外，其他材 料亦可做單獨或不同組合使用，因此在玻璃化製程之前， 二氧化矽層2 5 a (如圖6所示，而其他圖中則未示）可利用習 知之“低溫氧化”製程而直接積置於晶圓之整個槽道表面 上，或者在類似之習知積置製程中積置於較高溫度下。所 積置之氧化層用於直接鈍化台地之矽側壁面3 6，或併合於 一先前提供之鈍化材料，例如前述之熱生長氧化物。 積置之氧化物亦覆蓋於台地頂部上之氮化矽層22，但是 層22可防止積置之氧化物層接觸於氮化物層22下方之台地 矽表面24。 其他鈍化材料為多晶矽與氮化矽，用於將諸材料積置於 一基材上之技術亦屬習知。 如上所述，玻璃層46a(如圖7)隨後提供於一製程中，留 下台地頂部未由玻璃層覆蓋，因此當一鈍化材料層已積置 於整個晶圓上（例如積置材料為二氧化矽、多晶矽及/或氮 化矽），則此積置之鈍化材料仍會曝現於氮化矽層2 2之頂 部上。由於諸材料稍後才去移，因此沿著氮化矽層2 2 (即 將說明），最好任意此積置層皆為較薄，例如大約3 0 0至 500埃，以相較於極厚之玻璃層46a(例如具有前述大約 5 0 , 0 0 0埃之最小厚度）。 當前述之一或多個處理步驟結束時，且在玻璃化過程之 後，氮化矽層2 2及任意之覆蓋層皆去除，若氮化矽層2 2並 未覆蓋，則層2 2可在一氮化矽選擇性蝕刻劑中去除，例如 磷酸，其僅略為蝕除二氧化矽及玻璃。

O:\55\55455.ptc 2000. 09.01.015 _案號88104141 g?年？月工日 修正 五、發明說明（11) 一種用於去除含有任意層物於其上之氮化矽層22的較佳 製程為電漿蝕刻製程，其可有效去除所有曝現之表面材料 (即玻璃層4 6 a '氮化矽層2 2及/或任意之積置二氧化矽、 多晶矽及氮之矽鈍化層），但是需要小心控制速率。因 此，在電漿蝕刻過程中，當台地覆蓋氮化矽層2 2沿著一相 等厚度玻璃層46a去除時（即沿著任意之覆蓋積置層），製 程即立刻停止（使用習知之電漿成份監控技術）。由於玻璃 層之最小厚度係明顯大於已去除之氮化矽層厚度（加上任 意之覆蓋積置鈍化層），因此玻璃層46a之剩餘厚度（加上 任意之底下鈍化層）仍適合於台地斜壁面之有效鈍化（圖8 揭示之晶圓1 0並無氮化矽層2 2 )。 去除氮化矽層2 2係有必要的，以容許電極稍後做金屬電 鍵（如圖8之層50所示）至台地之n+層20上，惟，重要的是 一玻璃鈍化層46a與台地覆蓋氮化矽層之組合（及任意之積 置鈍化層）可容許覆蓋於台地之諸層做選擇性之蝕除，但 是不需要光石版印刷蝕刻製程，亦即如前所述，選擇性係 藉由材料之選用及鈍化與遮光層之相對厚度而自動取得， 由於避免採用光石版印刷製程，因此可節省比先前技藝更 為顯著之成本。 由於氮化矽層22之去除及目前構成台地頂部之n+層20曝 現，晶圓基本上已備便做金屬化，亦即因為氮化矽層2 2防 止氧化或防止矽層20頂表面24之其他污染，一旦氮化矽層 22如前述般去除時，未受覆蓋之矽表面24即相當清潔（在 短暫浸泡於一弱氫氟酸蝕刻劑後，以去除表面2 4上之任意 “天然氧化物”），以利進行金屬化製程。槽道2 8内之玻

O:\55\55455.ptc 第16頁 2000.09.01.016 '417 I 90 _案號88104141 没？年？月l曰_^_ 五'發明說明（12) 璃層4 6 a為非導電性，且利用習知之無電鍍製程，則多種 金屬層5 0 (如囷8 )，例如鎳或金，皆可選擇性地電鍍於晶 圓之台地矽表面24及底表面14a上。通常一鎳層係無電式 地電鍍於矽表面上，隨結燒結以形成一矽化鎳’矽化物之 表面加以清潔再添加另一層鎳，隨後為塗金。 成品晶圓之一部份揭示於圖8，各包含於一非連續式半 導體裝置中之個別晶片1 〇a係藉由切碎晶圓而得，其可沿 著圖8所示之虛線52而垂直地切過槽道28。雖然環境繞於 各台地34之玻璃層46a會因此而切穿，但是玻璃層不致破 裂且仍穩固地接附於台地側壁。 在此製造階段，分隔之晶ϋ 1 0 a大致相同於以習知蝕刻 製程所製成具有台地之晶片，因此半導體裝置最終製造所 需之晶片進一步處理可依照本文未提及之習知製程。 總之，本發明之一重要優點在於半導體晶圓可整個處理 成裝置，不需要光石版印刷製程，即不需要阻光層與對應 之遮光件而可令第一阻光層製出圖案，隨後並蝕刻穿過圖 案層。不同之台地係由機械式鋸切形成（隨後以一蝕刻製 程做平滑及深化功能，且因氮化矽之覆蓋層2 2而不致侵襲 台地矽頂表面24)，且備便台地之矽表面及以金屬電鍍台 地矽表面之步驟同樣利用“選擇性”製程而進行，不需要 光石版印刷過程。 當然，若本發明用於製造較複雜之裝置包括晶圓選定部 份之摻雜時，則可能需要光石版印刷製程，再者，如文内 所述，台地之製程、台地之鈍化、及台地之金屬電鍍皆可 在無光石版印刷製程時完成。

O:\55\55455.ptc 第 17 頁 2000.09.01.017

Claims (1)

1. 41 7 1 90 _案號88104141 g?年？月1日 修正_ 六、申請專利範圍 1. 一種製造一具有一台地型結構的半導體晶片之方法’ 其包含以下步驟：提供一矽晶圓，且其内部具有—平面式 p-n接合處平行於晶圓之第一、二表面；以一氮化石夕遮蔽 層覆蓋該第一表面；形成一台地，台地具有斜壁面，可利 用切割入槽道而相交於該p-n接合處，且僅有局部穿過該 晶圓；包封該台地之斜壁面*且由諸該壁面以一第一鈍化 材料玻璃層戴取部份之p-n接合處；隨後去除該遮蔽層以 曝現出該晶圓第一表面，做為該台地之一頂表面，面留下 至少部份之該玻璃層於當處；及隨後以金屬電鍍該台地頂 表面及該晶圓第二表面。 2. 如申請專利範園第1項之方法，其中該去除步驟係由 選擇性蝕刻該氮化矽層實施之，且利用一對於該玻璃層與 該矽晶圓較無效果之蝕刻劑。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，包括提供該玻璃層以 一厚度，至少係沿著該部份，該厚度大致上大於該氮化矽 層者，及其中該去除步驟包含同時以電漿蝕刻該二層，以 利去除該氮化矽層之整個厚度，而僅去除該玻璃層部份之 部份厚度。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，包括在該切割步驟之 後且在該包封步驟之前蝕刻該槽道表面，以令該槽道表面 平滑及增加該槽道之切割深度。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該平面式p-n接合 處係在相隔於該晶圓第一表面呈一第一距離處，該槽道則 切割至一大致相等於自該第一表面之該第一距離的深度，

   O:\55\55455.ptc 第18頁 2000.09.01.018 417190 . _案號88104141_g?年？月L曰 修正_ 六、申請專利範圍 及其中該槽道蝕刻步驟可延伸該槽道之深度至該ρ-η接合 處以外之一距離，其至少等於該晶片在一半導體裝置内做 電氣式操作而導致該Ρ- η接合處發生一電壓崩潰狀況期間 自該ρ-η接合處擴展開來之一耗用層最大寬度。 6 .如申請專利範圍第4項之方法，包括提供由該晶圓切 割步驟形成之複數相同台地於該晶圓上，以同樣方式處理 所有該台地，且沿著垂直於該晶圓第一、二表面之平面以 細切該晶圓，以及切過該槽道之底表面而提供個別之半導 體晶片。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，包括在該包封步驟前 以熱生長一層二氧化破於該台地之斜壁面上= 8. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該包封步驟包含 在該槽道切割步驟後施配一玻璃漿液至該遮蔽層上’及以 刮刀將該漿液刮過該遮蔽層之表面，迫使漿液進入該槽 道，而同時大致完全將漿液去除於該遮蔽層。 9 ·如申請專利範圍第4項之方法，包括在該包封步驟前 積置一第二鈍化材料層至該晶圓之槽道式表面上，而用該 第二鈍化層覆蓋該台地斜壁面及該遮蔽層，及其中該包封 步驟包含選擇性覆蓋於以該玻璃層覆蓋該台地斜壁面處之 該第二鈍化層，該玻璃層包括若干部份，係具有一厚度且 大於該遮蔽層與該覆蓋第二鈍化材料層之併合厚度，及其 中該去除步驟包含以電漿蝕刻晶圓之槽道式表面，以利去 除該遮蔽層與遮蔽第二鈍化材料層之併合厚度，而僅去除 該玻璃層部份之部份厚度。

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