JPH01186629A - メサ型半導体素子の製造方法 - Google Patents
メサ型半導体素子の製造方法Info
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- JPH01186629A JPH01186629A JP624688A JP624688A JPH01186629A JP H01186629 A JPH01186629 A JP H01186629A JP 624688 A JP624688 A JP 624688A JP 624688 A JP624688 A JP 624688A JP H01186629 A JPH01186629 A JP H01186629A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、メサ型半導体素子の製造方法に関する。
（従来の技術）
高耐圧型半導体素子に多用されるメサ型半導体素子はＰ
Ｎ接合部が露出したメサ溝の内周面にパシベーション膜
（絶縁保護膜）を形成されている。
Ｎ接合部が露出したメサ溝の内周面にパシベーション膜
（絶縁保護膜）を形成されている。
このパシベーション膜は次のようにして形成される。Ｎ
型シリコン基板２とＰ型拡散層４とによるＰＮ接合部が
その内周面に露出したメサＷＩＩ６を有する第２図（ａ
）のウェハ８に、電気泳動法で負の電荷を帯びたガラス
パウダーＩＯを第２図（ｂ）のように正の電極側である
メサ溝６の内周面に付着させ、次いでそのガラスパウダ
ーＩＯを焼成して第２図（Ｃ）のようにガラスのパシベ
ーション膜１２をメサ溝６の内周面に形成する。
型シリコン基板２とＰ型拡散層４とによるＰＮ接合部が
その内周面に露出したメサＷＩＩ６を有する第２図（ａ
）のウェハ８に、電気泳動法で負の電荷を帯びたガラス
パウダーＩＯを第２図（ｂ）のように正の電極側である
メサ溝６の内周面に付着させ、次いでそのガラスパウダ
ーＩＯを焼成して第２図（Ｃ）のようにガラスのパシベ
ーション膜１２をメサ溝６の内周面に形成する。
（発明が解決しようとする問題点）−
このような製造方法によれば、第２図（ｂ）のガラスパ
ウダーｌＯが大きさが様々なコロイド状の粒子の集合で
あるために電気泳動法でメサＷＩＩ６内周面に付着させ
たとき溝底部に厚めに堆積し、その付着厚みが特にＰＮ
接合部のところで不均一に形成され易く、したがって、
各メサ溝６のパシベーション膜１２の厚みが不均一に作
られることになる。このようにフくシベーション膜１２
の厚みが不均一であるときは高耐圧の半導体素子ではそ
の絶縁強度の信頼性が著しく低下するという問題がある
。
ウダーｌＯが大きさが様々なコロイド状の粒子の集合で
あるために電気泳動法でメサＷＩＩ６内周面に付着させ
たとき溝底部に厚めに堆積し、その付着厚みが特にＰＮ
接合部のところで不均一に形成され易く、したがって、
各メサ溝６のパシベーション膜１２の厚みが不均一に作
られることになる。このようにフくシベーション膜１２
の厚みが不均一であるときは高耐圧の半導体素子ではそ
の絶縁強度の信頼性が著しく低下するという問題がある
。
また、メサ溝６の内周面はシリコンであるが、このシリ
コンとパシベーション膜１２とは密着性が悪く、そのた
め、ミクロ的には隙間が存在することになる。このよう
な隙間があるとそこからシリコン表面が汚染されて、例
えば高耐圧ダイオードであれば、そのＰＮ接合の空乏層
が十分に広がることができなくなって、その整流作用が
悪化して製品としての信頼性が著しく低下するという問
題もある。
コンとパシベーション膜１２とは密着性が悪く、そのた
め、ミクロ的には隙間が存在することになる。このよう
な隙間があるとそこからシリコン表面が汚染されて、例
えば高耐圧ダイオードであれば、そのＰＮ接合の空乏層
が十分に広がることができなくなって、その整流作用が
悪化して製品としての信頼性が著しく低下するという問
題もある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、
パシベーション膜をメサ溝の内周面に均一な厚みに形成
させて所定の絶縁強度を得られるようにし、かつパシベ
ーション膜とメサ溝の内周面との密着性を良好にして隙
間をなくし、製品としての信頼性の高いメサ型半導体素
子を製造する方法を提供することを目的としている。
パシベーション膜をメサ溝の内周面に均一な厚みに形成
させて所定の絶縁強度を得られるようにし、かつパシベ
ーション膜とメサ溝の内周面との密着性を良好にして隙
間をなくし、製品としての信頼性の高いメサ型半導体素
子を製造する方法を提供することを目的としている。
（問題点を解決するための手段）
本発明は前記目的を達成するために、ＰＮ接合部を露出
されたメサ溝を有するウェハにおける該メサ溝の内周面
に熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜を形成した
メサ溝に対してその熱酸化膜の上からガラスペーストを
スピン塗布して焼成する工程とを含むことを特徴として
いる。
されたメサ溝を有するウェハにおける該メサ溝の内周面
に熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜を形成した
メサ溝に対してその熱酸化膜の上からガラスペーストを
スピン塗布して焼成する工程とを含むことを特徴として
いる。
（作用）
上記の製造方法によれば、メサ溝の内周面に熱酸化法で
熱酸化膜を形成し、その熱酸化膜の上からガラスペース
トをスピン塗布して焼成するから、まず、メサ溝の内周
面に露出のシリコン表面と熱酸化膜とは密着性が良好で
ある。また、ガラスペーストをスピン塗布するから、そ
のガラスペーストを均一な厚みに形成することが可能で
ある。
熱酸化膜を形成し、その熱酸化膜の上からガラスペース
トをスピン塗布して焼成するから、まず、メサ溝の内周
面に露出のシリコン表面と熱酸化膜とは密着性が良好で
ある。また、ガラスペーストをスピン塗布するから、そ
のガラスペーストを均一な厚みに形成することが可能で
ある。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の実施例に係るメ
サ型半導体素子の製造方法の説明に供する各工程図であ
り、第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）とそれぞれ対応する部分
には同一の符号を付している。以下、その製造方法につ
いて説明する。
。第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の実施例に係るメ
サ型半導体素子の製造方法の説明に供する各工程図であ
り、第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）とそれぞれ対応する部分
には同一の符号を付している。以下、その製造方法につ
いて説明する。
第１ｒｇＪ（ａ’）は第２図（ａ）の製造工程と同一で
あって、Ｎ型シリコン基板２とＰ型拡散、５４とによる
ＰＮ接合部を有するウェハ８にメサ溝６を形成する工程
である。このようにして、メサ溝６を形成した第１図（
ａ）のウェハ８において、第１図（ｂ）に示すように、
そのメサ溝６の内周面に熱酸化膜１４を形成する。この
熱酸化膜１４は、好ましくは３００八〜１０００人の厚
みで、７００℃〜８００℃の低温状態でかつ純粋のスチ
ーム雰囲気中における酸素のウェット酸化で形成する。
あって、Ｎ型シリコン基板２とＰ型拡散、５４とによる
ＰＮ接合部を有するウェハ８にメサ溝６を形成する工程
である。このようにして、メサ溝６を形成した第１図（
ａ）のウェハ８において、第１図（ｂ）に示すように、
そのメサ溝６の内周面に熱酸化膜１４を形成する。この
熱酸化膜１４は、好ましくは３００八〜１０００人の厚
みで、７００℃〜８００℃の低温状態でかつ純粋のスチ
ーム雰囲気中における酸素のウェット酸化で形成する。
次に、熱酸化膜１４をそめ内周面に形成したメサ溝６に
対してその熱酸化膜１４の上から第１図（ｂ）に示すよ
うにガラスペースト１６をスピンコーターを用いてその
厚みが２０μｍ程度でスピン塗布して後、７００℃前後
の温度で焼成する。′（効果） 以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
メサ溝の内周面に熱酸化法で熱酸化膜を形成し、その熱
酸化膜の上からガラスペーストをスピン塗布して焼成す
るから、まず、メサ溝の内周面に露出のシリコン表面と
熱酸化膜とは密着性が良好である。また、ガラスペース
トをスピン塗布するから、そのガラスペーストをＰＮ接
合部にわたって均一な厚みに形成することが可能である
。
対してその熱酸化膜１４の上から第１図（ｂ）に示すよ
うにガラスペースト１６をスピンコーターを用いてその
厚みが２０μｍ程度でスピン塗布して後、７００℃前後
の温度で焼成する。′（効果） 以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
メサ溝の内周面に熱酸化法で熱酸化膜を形成し、その熱
酸化膜の上からガラスペーストをスピン塗布して焼成す
るから、まず、メサ溝の内周面に露出のシリコン表面と
熱酸化膜とは密着性が良好である。また、ガラスペース
トをスピン塗布するから、そのガラスペーストをＰＮ接
合部にわたって均一な厚みに形成することが可能である
。
したがって、本発明によれば、パシベーション膜をメサ
溝の内周面に均一な厚み１こ形成させて所定の絶縁強度
を得られ、かつパシベーション膜とメサ溝の内周面との
密着性を良好にして隙間をなくし、製品としての信頼性
の高い、したがって、高い歩留まりでメサ型半導体素子
を製造することができる。
溝の内周面に均一な厚み１こ形成させて所定の絶縁強度
を得られ、かつパシベーション膜とメサ溝の内周面との
密着性を良好にして隙間をなくし、製品としての信頼性
の高い、したがって、高い歩留まりでメサ型半導体素子
を製造することができる。
なお、従来例ではウェハを電解溶液中に１枚ずつセット
して電気泳動法でガラスパウダーをそのメサ溝の内周面
に電着するからその作業性が低いが、本発明では自動ス
ピンコーターでガラスペーストを塗布するからその作業
性グ大きく向上するという効果がある。
して電気泳動法でガラスパウダーをそのメサ溝の内周面
に電着するからその作業性が低いが、本発明では自動ス
ピンコーターでガラスペーストを塗布するからその作業
性グ大きく向上するという効果がある。
第１図（ａ）ないし第１図（Ｃ）は本発明の実施例にが
かるメサ型半導体素子の製造方法の説明に供する各工程
図、第２図（ａ）ないし第２図（Ｃ）は従来例の製造方
法の説明に供する各工程図である。 ２・・・Ｎ型シリコン基板、４・・・Ｐ型拡散層、６・
・・メサ溝、８・・・ウエノ１．１４・・・熱酸化膜、
１６・・・ガラスペースト。
かるメサ型半導体素子の製造方法の説明に供する各工程
図、第２図（ａ）ないし第２図（Ｃ）は従来例の製造方
法の説明に供する各工程図である。 ２・・・Ｎ型シリコン基板、４・・・Ｐ型拡散層、６・
・・メサ溝、８・・・ウエノ１．１４・・・熱酸化膜、
１６・・・ガラスペースト。
Claims (1)
- （１）ＰＮ接合部を露出されたメサ溝を有するウェハに
おける該メサ溝の内周面に熱酸化膜を形成する工程と、 前記熱酸化膜を形成したメサ溝に対してその熱酸化膜の
上からガラスペーストをスピン塗布して焼成する工程と を含むことを特徴とするメサ型半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP624688A JPH01186629A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | メサ型半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP624688A JPH01186629A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | メサ型半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01186629A true JPH01186629A (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=11633141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP624688A Pending JPH01186629A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | メサ型半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01186629A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136444A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPH11297980A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-29 | General Semiconductor Inc | のこ引きにより切り離されるメサ構造の半導体チップ |
| WO2012160961A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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| WO2013168521A1 (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
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| US9698069B2 (en) | 2012-05-08 | 2017-07-04 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Glass composition for protecting semiconductor junction, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5393783A (en) * | 1977-01-26 | 1978-08-17 | Nec Home Electronics Ltd | Mesa type semiconductor device |
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-
1988
- 1988-01-14 JP JP624688A patent/JPH01186629A/ja active Pending
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| WO2013168314A1 (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2013168521A1 (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| FR2990561A1 (fr) * | 2012-05-08 | 2013-11-15 | Shindengen Electric Mfg | Procede de fabrication de dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur; |
| US9698069B2 (en) | 2012-05-08 | 2017-07-04 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Glass composition for protecting semiconductor junction, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
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