CZ295984B6 - Anoda elektrolytického kondenzátoru a způsob její výroby a elektrolytický kondenzátor - Google Patents

Anoda elektrolytického kondenzátoru a způsob její výroby a elektrolytický kondenzátor Download PDF

Info

Publication number
CZ295984B6
CZ295984B6 CZ19991628A CZ162899A CZ295984B6 CZ 295984 B6 CZ295984 B6 CZ 295984B6 CZ 19991628 A CZ19991628 A CZ 19991628A CZ 162899 A CZ162899 A CZ 162899A CZ 295984 B6 CZ295984 B6 CZ 295984B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
niobium
powder
anode
niobium powder
pfv
Prior art date
Application number
CZ19991628A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ162899A3 (cs
Inventor
James A. Fife
Jane Jia Liu
Roger W. Steele
Original Assignee
Cabot Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26705079&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ295984(B6) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Cabot Corporation filed Critical Cabot Corporation
Publication of CZ162899A3 publication Critical patent/CZ162899A3/cs
Publication of CZ295984B6 publication Critical patent/CZ295984B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045Alloys based on refractory metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

Anoda elektrolytického kondenzátoru je zhotovená z niobového prášku, jehož měrný povrch BET je alespoň 1,0 m.sup.2.n./g. Anoda vykazuje snížené propouštění stejnosměrného proudu. Způsob výroby této anody zahrnuje stupeň sintrování niobového prášku při teplotě od 1200 do 1750 .degree.C. Elektrolytický kondenzátor obsahuje tuto anodu.

Description

Anoda elektrolytického kondenzátoru a způsob její výroby a elektrolytický kondenzátor
Oblast techniky
Vynález se týká niobové anody elektrolytického kondenzátoru a způsobu její výroby a elektrolytického kondenzátoru s touto anodou.
Dosavadní stav techniky
Po mnoho let bylo cílem řady výzkumných pracovníků vyvinout niobové elektrolytické kondenzátory vzhledem k vysoké dielektrické konstantě jeho oxidu a relativně nízké ceně niobu ve srovnání s řadou jiných kovů. Původně zvažovali pracovníci v této oblasti možnost použití niobu jako náhrady pro tantalové kondenzátory. Proto bylo mnoho studií vedeno na stanovení výhodnosti náhrady tantalu niobem.
V některých z těchto studií však bylo uvedeno, že niob má vážné zásadní nedostatky, které je třeba vyřešit, a vyvozuje se, že niob není vhodnou náhradou za tantal. (viz J. Electrochem. Soc. str. 408 C, prosinec 1977). V jiné studii dospělo k názoru, že použití niobu v pevných elektrolytických kondenzátorech se zdá být nevhodné vzhledem k různým fyzikálním a mechanickým problémům, jako je oblast krystalizace. (Electrocomponent Science and echnology, Vol. 1, str. 27-37 (1974)). Dále, v jiné studii, výzkumní pracovníci zjistili, že anodicky vytvořené pasivní filmy na niobu byly odlišné od elektrických vlastností spojených s tantalem a že použití niobu vede ke komplikacím, které s tantalem nenastávají. (Viz Electrochimica Act., Vol. 40, ě. 16, str. 2623-26 (1995)). Jak je patrné, zatímco byly původně určité naděje, že by mohl být niob náhradou za tantal, prokázalo se, že niob není schopný na trhu nahradit v elektrolytických kondenzátorech tantal.
Kromě tantalových elektrolytických kondenzátorů existuje trh s hliníkovými elektrolytickými kondenzátory. Hliníkové elektrolytické kondenzátory však mají dramaticky rozdílné charakteristiky účinnosti od tantalových elektrolytických kondenzátorů.
Řídicí silou v elektronických obvodech dnes je rostoucí pohyb směrem k nižšímu „ekvivalentnímu sériovému odporu“ (ESR) a „ekvivalentní sériové induktanci“ (ESL). Jak se IC účinnost zvyšuje se submikronovou geometrií, je potřeba nižší napětí proudového zdroje a okrajového šumu. Současně zvyšování IC rychlostí vyžaduje vyšší potřeby energie. Tyto protichůdné požadavky vytvářejí poptávku po lepším energetickém uspořádání. Toho se dosáhne rozdělenými proudovými zdroji, které potřebují větší proudy pro zrušení šumu. Zvýšené IC rychlosti také znamenají nižší doby spínání a vyšší proudové přechody. Elektrický obvod tudíž musí být také určen k redukci přechodové zátěžové charakteristiky. Toto široké rozpětí požadavků může být splněno, pokud má obvod dostatečně velkou kapacitanci ale nízké ESR a ESL.
Hliníkové kondenzátory typicky poskytují největší kapacitanci ze všech typů kondenzátorů. ESR se zvyšuje se snižováním kapacitance. Proto se pro splnění výše uvedených požadavků běžně používají velké skupiny vysokokapacitních hliníkových kondenzátorů. Nicméně hliníkové kondenzátory neuspokojují opravdu požadavky projektantů na nízké ESR a ESL. Jejich mechanická konstrukce s kapalným elektrolytem inherentně produkuje ESR ve stovkách miliohmů spolu s vysokou impedancí.
-1 CZ 295984 B6
Podstata vynálezu
Prvním aspektem předmětu vynálezu v základním provedení je anoda elektrolytického kondenzátoru, jejíž podstata spočívá v tom, že je zhotovena z niobového prášku, jehož měrný povrch BET je alespoň 1,0 m2/g.
Výhodná provedení prvního aspektu vynálezu zahrnují následující subaspekty:
- měrný povrch BET niobového prášku je alespoň 2,0 m2/g a s výhodou je v rozmezí od 1,0 do 5,0 m2/g nebo ještě výhodněji v rozmezí od 2,0 do 5,0 m2/g;
- niobový prášek není hydridován;
- niobový prášek má Scottovu hustotu nižší než 2,13 g/cm3;
- niobový prášek má obsah fosforu nižší než 400 ppm, s výhodou nižší než 100 ppm a ještě výhodněji nižší než 25 ppm;
- niobový prášek je dopován kyslíkem v množství alespoň 2000 ppm, s výhodou v množství 2000 až 10 000 ppm a ještě výhodněji v množství 3000 až 7000 ppm;
- niobový prášek je aglomerován; a
- anoda je formována při napětí od 30 do 50 V, s výhodou při napětí 40 V.
Druhým aspektem předmětu vynálezu v základním provedení je elektrolytický kondenzátor, kde podstata spočívá v tom, že obsahuje anodu podle prvního aspektu předmětu vynálezu.
Výhodná provedení druhého aspektu vynálezu zahrnují následující subaspekty:
- kapacitance kondenzátoru je 30 000 FV/g nebo více;
- kondenzátor vykazuje propouštění stejnosměrného proudu nižší než 5,0 nA/pFV, s výhodou v rozmezí od 5,0 do 0,50 nA/pFV;
- kondenzátor na svém povrchu obsahuje film oxidu niobu, s výhodou oxidu niobičného.
Třetím aspektem předmětu vynálezu v základním provedení je způsob výroby anody elektrolytického kondenzátoru, jehož podstata spočívá v tom, že zahrnuje stupeň sintrování niobového prášku definovaného v popisu prvního aspektu předmětu vynálezu, přičemž stupeň sintrování se provádí při teplotě od 1200 do 1750 °C.
Ve výhodném provedení třetího aspektu předmětu vynálezu je teplota ve stupni sintrování 1200 až 1450 °C, přednostně 1250 až 1350 °C.
Anoda vyrobená z niobového prášku dopovaná dostatečným množstvím kyslku vykazuje snížené propouštění stejnosměrného proudu (DC).
Je zřejmé, že jak předchozí obecný popis tak i následující podrobný popis jsou pouze příkladné a vysvětlující a jsou uvažovány k poskytnutí dalšího vysvětlení předloženého vynálezu, jak je popsán v patentových nárocích.
Přehled obrázků na výkresech:
Obr. 1 je graf znázorňující BET plochy povrchu niobových prášků a jejich konkrétní kapacitanci, když tvoří anody a jsou sintrovány při teplotě 1750 °C.
Obr. 2 je graf znázorňující BET plochy povrchů niobových prášků a jejich konkrétní kapacitanci, když tvoří anody a jsou sintrovány při teplotě 1600 °C.
-2CZ 295984 B6
Obr. 3 je graf znázorňující BET plochy povrchu niobových prášků a jejich konkrétní kapacitanci, když tvoří anody a jsou sintrovány při teplotě 1450 °C.
Obr. 4 je graf znázorňující BET plochy povrchu niobových prášků a jejich konkrétní kapacitanci, když tvoří anody a jsou sintrovány při teplotě 1300 °C.
Obr. 5 je graf znázorňující různé teploty sintrování niobových anod a jejich jednotlivě vypočítané maximální kapací tance.
Obr. 6 je graf znázorňující obsah dopovaného kyslíku v niobových prášcích, stejně jako jednotlivě jejich propouštění DC, když jsou zformovány do anod a sintrovány při různých teplotách a s použitím napětí 50 V.
Obr. 7 je graf znázorňující niobové prášky, které mají různá množství dopovaného kyslíku, stejně jako jednotlivě jejich propouštění DC, když jsou zformovány do anod a sintrovány při různých teplotách a s použitím napětí 30 V.
Obr.8 je graf znázorňující účinky různých hladin dopování fosforem v niobových prášcích a jejich jednotlivé kapacitance, když se formují do anod.
Obr. 9. je graf znázorňující účinky různých hladin dopování fosforem v niobových prášcích a jejich jednotlivé propouštění DC, když jsou formovány do anod.
Podrobný popis vynálezu
Jeden předmět předloženého vynálezu se týká vločkovitého niobového prášku. Vločkovitý niobový prášek lze charakterizovat jako plochý, deskovitý a/nebo jako destičku. Vločkovitý niobový prášek má stranový poměr (poměr průměru ku tloušťce) od asi 3 do asi 300, a přednostně od asi 3 do asi 30. Vločkovitý niobový prášek vykazuje díky své morfologii zvýšenou plochu povrchu. Přednostně je BET plocha povrchu vločkovitého niobového prášku alespoň 0,15 m2/g a ještě výhodněji alespoň asi 1,0 m2/g a dokonce nej výhodněji je alespoň 2,0 m2/g. Preferované rozmezí BET plochy povrchu pro vločkovitý niobový prášek je od asi l,0m2/g do asi 5,0m2/g a ještě výhodněji od asi 2,0 m2/g do asi 5,0 m2/g nebo od asi 2,0 m2/g do asi 4,0 m2/g. BET rozmezí jsou vztažena na předem aglomerované vločkovité niobové prášky.
Vločkovitý niobový prášek může být aglomerován. Vločkovitý niobový prášek může také být hydridován nebo nehydridován. Vločkovitý niobový prášek má přednostně Scott hustotu menší než asi 2,1 g/cm3, a výhodněji menší než asi 0,7, a nejvýhodněji nižší než asi 0,3 g/cm3. Přednostně má aglomerovaný niobový prášek tok vyšší než 80 mg/s, výhodněji od asi 80 mg/s až asi 500 mg/s.
Vločkovitý niobový prášek může být připraven tak, že se vezme niobový ingot a připraví se z něj křehký ingot tím, že se na něj působí plynným vodíkem k hydridaci. Hydridovaný ingot může být rozdrcen na angulární prášek, například použitím čelisťového drtiče. Vodík se potom může odstranit ohřevem ve vakuu a odplyněný angulární prášek potom může být podroben mletí, jako s použitím míchaného kulového mlýnu, kde je prášek dispergován ve fluidním mediu (vodném nebo nevodném), jako je ethanol, za vzniku vločkovitých prášků, nárazy koulí z nerezové oceli pohybujících se působením rotujících tyčí. Křehnutím pomocí vodíku, po němž následuje podrobení vloček nárazovému mletí, například s použitím fluidního lože tryskového mletí, Vortec mletí, nebo jiných vhodných kroků mletí, lze vyrobit různé velikosti vloček.
Vločkovitý niobový prášek má výhodně vysoký obsah kyslíku, jako např. dopováním. Obsah dopovaného kyslíku může být alespoň asi 2000 ppm. Výhodněji má vločkovitý niobový prášek obsah kyslíku od asi 2000 ppm a výhodněji od asi 2750 ppm do asi 10 000 ppm, a nejvýhodněji
-3 CZ 295984 B6 od asi 4000 ppm do asi 9000 ppm. Dopování niobového prášku kyslíkem se může provádět různými postupy, včetně, ale neomezujíc se na ně, opakujícího se ohřevu ve vakuu při 900 °C a chlazení ve vzduchu.
Vločkový niobový prášek může být také dopován samotným fosforem, nebo s kyslíkem. Dopování niobového prášku s fosforem je také optimální. V jednom provedení předloženého vynálezu je množství fosforu dopujícího niobový prášek menší než asi 400 ppm a výhodněji méně než asi 100 ppm, a nejvýhodněji menší než asi 25 ppm.
S ohledem na zde uvedené příklady nemusí být množství dopujícího fosforu důležité vzhledem na propouštění DC (stejnosměrného proudu) a kapacitanci anody vytvořené z niobového prášku majícího různé obsahy fosforu jako dopantu. Proto je v jednom provedení přítomno nízké množství fosforu a dokonce zanedbatelné množství nebo žádný fosfor, neboť fosfor má malé nebo žádné výhody pro propouštění DC a kapacitanci vzhledem ke konkrétním anodám vytvořeným z niobových prášků.
V jiném provedení předloženého vynálezu se předložený vynález týká niobového prášku (tedy vločkového, angulárního, hrudkového, a jejich směsí) s výrazným obsahem kyslíku přítomného v niobovém prášku. Hladiny kyslíku může být dosaženo stejným způsobem, jako je popsáno výše. Výhodně je obsah kyslíku v niobovém prášku alespoň asi 2000 ppm, a výhodněji od asi 2000 ppm do asi 20 000 ppm. Jiná výhodná rozmezí obsahu kyslíku v niobovém prášku jsou od asi 2750 ppm do asi 10 000 ppm a obsahy od asi 4000 ppm do asi 9000 ppm. S ohledem na tyto niobové prášky podobně jako v provedeních týkajících se pouze vločkového niobového prášku, mohou být množství fosforu v niobových prášcích pro některá provedení podstatně nižší, výhodně, v takových provedeních, je obsah fosforu (jako dopantu) menší než asi 400 a výhodněji menší než asi 100 ppm, a nejvýhodněji menší než asi 25 ppm.
V jiném provedení se předložený vynález týká niobových prášků (tedy vločkového, angulárního, hrudkového a jejich směsí) s BET plochou povrchu alespoň 0,5 m2/g a výhodně' alespoň asi 1,0 m2/g, a výhodněji od asi 1,0 do asi 5,0 m2/g a nejvýhodněji od asi 2,0 do asi 5,0 m2/g. Rozmezí BET jsou vztažena na předem aglomerované niobové prášky. Niobový prášek může být hydridován nebo nehydridován. Rovněž může být niobový prášek aglomerován. Niobový prášek v tomto provedení může být dopován dusíkem. Rovněž může mít, pro některá provedení, niobový prášek obsah kyslíku pod asi 2000 ppm.
S ohledem na přípravu vločkového niobového prášku nebo niobového prášku s jakoukoliv morfologií s BET plochou povrchu, příklady ukazují výhodné kroky vzniku niobového prášku, které se potom provádějí postupně při tvorbě vloček nebo jiné morfologie. Obecně je postup následující a příklady poskytují specifické detaily jako výhodná provedení přípravy niobových prášků podle předloženého vynálezu.
Obvykle je při přípravě niobových prášků s BET plochou povrchu alespoň 0,5 m2/g niobový ingot hydridován zahříváním ve vakuu za vzniku křehkého ingotu, který je drcen na prášek. Vodík v prášcích se výhodně odstraní zahříváním částic ve vakuu. Různých BET ploch povrchu lze dosáhnout mletím prášku, výhodně roztíracím mlecím postupem. Vyšší BET plocha povrchu, prášku obvykle vyžaduje delší dobu mletí. Například dobou mletí přibližně 60 minut lze dosáhnout BET plochy povrchu přibližně 1,0 m2/g. K získání dokonce vyšších BET ploch povrchu jsou potřebné delší doby mletí a k získání BET plochy povrchu od asi 4 m2/g nebo vyšších jsou jednou cestou přípravy takových niobových prášků s rozmezími vysokých BET ploch povrchu doby mletí řádově přibližně 24 hodin nebo více v roztíracím mlýnu. Při přípravě takto vysokých ploch povrchu je výhodné použít „30-SL Union process“ roztírací mlýn při použití 454 kg 3/16“ SS media, a přibližně 36,3 kg niobového prášku mlecím setem při rotaci přibližně 130 otáček za minutu, mlýn má také obsahovat dostatečné množství média jako je ethanol v množství 49,4 1 nebo více. Po mletí jsou niobové prášky podrobeny tepelnému zpracování a přednostně mohou mít niobové prášky obsah fosforu, který napomáhá minimalizaci redukce plochy povrchu během
-4CZ 295984 B6 tepelného zpracování. Tepelné zpracování může být při jakékoliv teplotě obecně dostatečné ke vzniku aglomerace a přednostně bez snižování povrchové plochy. Teplota tepelného zpracování, kterou lze použít, je přibližně 1100 °C po 30 min. Nicméně teplota a čas mohou být modifikovány k zajištění toho, aby vysoká BET plocha povrchu nebyla snižována. Různé niobové prášky popsané výše mohou být dále charakterizovány elektrickými vlastnostmi, které vyplývají z vytvoření kondenzátorů použitím niobových prášků podle předloženého vynálezu. Obvykle mohou být niobové prášky podle předloženého vynálezu testovány na elektrické vlastnosti slisováním niobového prášku do anody a sintrováním slisovaného niobového prášku při příslušných teplotách a potom anodickým okysličováním anody za vzniku anody elektrolytického kondenzátoru, u níž potom mohou být postupně testovány elektrické vlastnosti.
Proto se další provedení předloženého vynálezu týká kondenzátorů vytvořených z niobových prášků podle předloženého vynálezu. Anody vyrobené z některých niobových prášků podle předloženého vynálezu mají kapacitanci od 30 000 pFV/g. Při tvorbě anod kondenzátorů podle předloženého vynálezu se používá teplota sintrování, která zajistí vznik kondenzátorové anody s požadovanými vlastnostmi. Přednostně je teplota sintrování od asi 1200 °C do asi 1750 °C, a výhodněji od asi 1200 °C do asi 1400 °C, a nejvýhodněji od < asi 1250 °C do asi 1350 °C.
Anody vyrobené z niobových prášků podle předloženého vynálezu jsou výhodně vyrobeny při napětí menším než asi 60 voltů, a výhodně od asi 39 do asi 50 voltů a ještě výhodněji asi 40 voltech. Přednostně jsou pracovní napětí anod vytvořených z niobových prášků podle předloženého vynálezu od asi 4 do asi 16 voltů a výhodněji od asi 4 do asi 10 voltů. Anody vytvořené z niobových prášků podle předloženého vynálezu mají také propouštění stejnosměrného proudu (DC) menší než asi 5,0 nA/pFV. V provedení podle předloženého vynálezu mají anody vytvořené z některých niobových prášků podle předloženého vynálezu propouštění DC od asi 5,0 nA/pFV do asi 0,50 nA/pFV.
Předložený vynález se také týká kondenzátorů v souladu s předloženým vynálezem, který má film z oxidu niobu na svém Povrchu. Výhodně obsahuje film z oxidu niobu film z oxidu niobičného.
Kondenzátory podle předloženého vynálezu mohou být použity v řadě konečných aplikací, jako je elektronika pro automobily, telefony, počítače, jako monitory, „motherboardy“, a podobné, spotřební elektronika včetně TV a CRT, tiskámy/kopírky, náhradní zdroje, modemy, počítačové notebooky, a diskové cesty.
Předložený vynález bude dále objasněn následujícími příklady, které jsou uvažovány jako dokládající vynález.
Testovací metody
Výroba anody:
velikost - průměr 5 mm
3,5 Dp hmotnost prášku = 341 mg
Sintrování anody:
1300 °C, 10 min
1450 °C, 10 min
1600 °C, 10 min
1750 °C, 10 min
30V Ef Anodižace:
30V Ef; 60 °C/0,l% H3PO4 Elektrolyt 20 mA/g konstantní proud
Propouštění DC/Kapacitance - ESR testování:
Testování propouštění DC —
70% Ef (21 V DC) Test, napětí sekund doba nabíjení
10% H3PO4; 21 °C
Kapacitance - DF testování:
18%H2SO4;21 °C
120Hz
50V Ef Reformní anodižace:
50V Ef; 60 °C /0,1% H3PO4 Elektrolyt mA/g konstantní proud
Propouštění DC/Kapacitance - ESR testování:
Testování propouštění DC —
70% Ef (35 V DC) Test, napětí sekund doba nabíjení
10% H3PO4; 21 °C
Kapacitance -DF testování:
18% H2SO4; 21 °C
120Hz
75V Ef Reformní anodižace:
75V Ef; 60 °C/0,l% H3PO4 Elektrolyt mA/g konstantní proud
Propouštění DC/Kapacitance - ESR testování:
Testování propouštění DC —
70% Ef (52,5 V DC) Test, napětí sekund doba nabíjení
10% H3PO4; 21 °C
Kapacitance -DF testování:
18%H2SO4;21 °C
120Hz
Scott hustota, analýza kyslíku, analýza fosforu, a BET analýzy byly stanoveny postupy uvedenými v patentech US 5 011 742;US 4 960 471 a US 4 964 906, přičemž všechny jsou zde jako celky uvedeny jako odkaz.
-6CZ 295984 B6
Příklady provedení vynálezu:
V následujících příkladech je zkratkou „ppm“ označován počet hmotnostních dílů složky vztažený na milion dílů hmotnostních směsi.
Příklad 1
Tento příklad ilustruje provedení tohoto vynálezu obsahující angulární niobový prášek. Elektronovým paprskem produkovaný niobový ingot byl hydridován zahříváním ingotu ve vakuu 1,33. 10“2 Pa na 850 °C po 120 min. Vakuum bylo nahrazeno proplachem plynným vodíkem při 21 kPa po dobu dostatečnou ke zkřehnutí ingotu. Potom bylo vakuum sníženo a odčerpáno na -94,8 kPa a potom zpět naplněno argonem na-16,9kPa. Tlak byl udržován, až se teplota, měřená pracovním termočlánkem, stabilizovala, postupně se zaváděl při zvýšeném tlaku vzduch tak, že pracovní teplota nestoupala. Křehký ingot byl rozdrcen v čelisťovém drtiči na angulární prášek a roztříděn extrahováním prášku, který prochází sítovým třídičem č. 325 (odpovídá velikosti částic 44 mikrometrů). Vodík byl z částic se sníženou velikostí a obsahujících vodík odstraněn zahříváním částic na 850 °C ve vakuu, až dále nepůsobil tlak vodíku uvolňovaného z částic, za vzniku angulámího prášku s kovem niobem, který má velikost „Fisher Sub Sieve Size“ 10,6 mikrometrů, Scott hustotu 2,67 g/cm3 předem aglomerovanou BET plochu povrchu 0,17 m2/g a 1770 ppm kyslíku; poměr kyslíku k BET ploše povrchu byl 10 400 ppm 0/m2/g, a tok byl 19 mg/s. Kolem 0,34 g vzorků neaglomerovaného angulámého niobového prášku bylo slisováno do anodové formy 5 mm v průměru, okolo olověného drátu 0,6 mm niobu v průměru na hustotu 3,5 g/cm3. Vzorky slisovaného niobového prášku byly sintrovány ve vakuu (méně než 10“3Pa) při čtyřech různých teplotách, a to 1300, 1450, 1600 a 1750 °C po 10 minut, potom anodizovány aplikací stejnosměrného proudu 20 mA/g při 50 V na anodu ponořenou do hmotnostně 0,1% kyseliny fosforečné k produkci anod elektrolytického kondenzátoru, které byly promyty a sušeny. Charakteristiky kondenzátoru, zjištěné měřeními na anodách ponořených do hmotnostně 18% kyseliny sírové, jsou uvedeny v tabulce 1. Kapacitance, stanovená při frekvenci 120 Hz je uvedena v jednotkách mikrofarad.volty na gram (pFV/g) a mikrofarad.volty na centimetr krychlový objemu anody (μΕν/cm3); propouštění DC (stejnosměrného proudu), měřeno po 1 minutě nabíjení 35 voltů, je uvedeno v jednotkách nanoamperů na mikrofarad-volt (nA/pFV).
Příklad 2
Tento příklad dokládá provedení z prášku podle předloženého vynálezu obsahující aglomerovanou směs z angulárního a vločkového prášku. 1,135 kg angulámího prášku zbaveného plynu připraveného v podstatě způsobem v příkladu 1, bylo zpracováno v míchaném roztíracím kulovém mlýnu 1-S Union Process (285 otáček za min. po 90 min), kdy byl prášek, dispergovaný ve 2400 ml prostředí ethanolu a 18,2 kg 3/1 440SS prostředí, formován na vločkový prášek nárazy koulí z nerezové oceli pohybujícími se působením rotujících tyčí. Po požadované deformaci na vločky byl niobový prášek odebrán a promyt, aby se odstranil všechen přítomný alkohol. Potom byl niobový prášek promyt směsí deionizované vody, kyseliny fluorovodíkové a kyseliny chlorovodíkové v množstvích IlOOml/kg, 8,8 ml/kg a 550ml/kg niobu (18,6%HC1 obsahující 22 ml/kg HF) k odstranění kovových kontaminantů (jako železa, niklu, chrómu a podobných vnesených díky kontaktu s koulemi z nerezové oceli). Potom byl niobový prášek opět promyt deionizovanou vodou a potom sušen. Kyselinou promytý vločkový prášek byl sušen ve vzduchu při 85 °F (30 °C) a měl poměr stran (stanovený pozorováním mikrografů) v rozmezí 50 až 70. Vločkový prášek byl smí sen s výchozím angulámím práškem (v hmotnostním poměru 30:70) a práškem obsahujícím fosfor, např. NH4PF6, v množství, které poskytne 60 ppm fosforu, který slouží jako retardační činidlo pro tvorbu zrna, tedy k minimalizaci redukce povrchové plochy během následného tepelného zpracování pro aglomeraci. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 0,31 m2/g. Smíšené prášky byly aglomerovány ohřevem ve vakuu při 1100 °C po
-7CZ 295984 B6 minut za vzniku aglomerované hmoty. Aglomerační postup byl prováděn takovým postupem, že materiál byl „odpumpován“ na vysoké vakuum a ohříván rostoucí rychlostí 3 °C/minutu na 700 °C a udržován pro odplynění, dokud nebylo dosaženo vysokého tlaku. Zahřívání pokračovalo v peci rostoucí rychlostí 8 °C/ minutu na 1100 °C pod vysokým tlakem a udržováno po 30 minut. Potom byl materiál ponechán v peci ochladit se a manuálně byl materiál pasivován vystavením působení vzduchu. Potom byl materiál rozmělněn na menší aglomerované částice v čelisťovém drtiči; rozdrcené částice procházející velikostí síta č. 50 (odpovídá maximální velikosti aglomerovaných částic 300 mikrometrů) vykazovaly Scott hustotu 1,3 g/cm3, BET plochu povrchu 0,26 m2/g, obsah kyslíku 3 693 ppm a obsah fosforu 25 ppm; poměr kyslíku ku BET ploše povrchu byl 14 000 ppm 0/m2/g a průtok 22 mg/s. Aglomerovaný prášek byl zpracován na anodu a byly testovány její elektrické vlastnosti podobně jako v příkladu 1, které jsou uvedeny v tabulce 1.
Příklad 3
Tento příklad ilustruje provedení prášku podle tohoto vynálezu, obsahujícího aglomerovaný vločkový prášek. Kyselinou loužený vločkový prášek, mající poměr stran asi 50 ku 70 byl připraven v podstatě tak, jak je uvedeno v příkladu 2 (doba cyklu 60 minut) s tím rozdílem, že niobový prášek byl hydridován druhým časem exponováním vodíku při 20,7 kPa a 850 °C k poskytnutí křehkých vloček, které byly ochlazeny a jejich velikost redukována vložením do fluidního lože Jet mlýnu (získaného od Hosokawa Micron Powder systems, Summit, NJ), a byl vyroben vločkový prášek se střední velikostí částic 6 mikrometrů (jak je stanoveno laserovým skenováním velikosti částic). Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 0,62 m2/g. Vločkový prášek s redukovanou velikostí byl aglomerován ohřevem v atmosféře vodíku ohříváním pece rychlostí 10 °C/minutu na 1050 °C ve vakuové peci a udržováním této teploty, dokud se tlak v peci nesnížil pod 100 mikrobů. Jako kyslíkový getr byly použity surové plátky tantalu (850 až 2000 m) v hmotnostním poměru 1 Nb ku 1-1,5 Ta. Potom byla pec opětovně naplněna vodíkem k získání tlaku 48 kPa a potom byla teplota peci zvýšena na 1200 °C a udržována po 1 hodinu. Potom byl vodík evakuován, až do snížení tlaku v peci na méně než 1 mikron, a pec byla ponechána ochladit se na teplotu místnosti. Prášek niobu by potom pasivován na vzduchu po 30 cyklů, přičemž operační tlak byl zvýšen o 2,7 kPa v každém cyklu a udržován 2 minuty před začátkem dalšího doplňování vzduchu. Aglomerovaný niobový prášek byl rozmělněn na velikost aglomerovaných částic v čelisťovém drtiči; rozdrcený aglomerovaný vločkový niobový prášek byl rozdělen prosíváním přes síto o velikosti ok č. 50 (odpovídá maximální velikosti aglomerovaných vločkových částic 300 mikrometrů) a vykazoval Scott hustotu 1,21 g/cm3, BET plochu povrchu 0,46 m2/g, obsah kyslíku 8 760 ppm, poměr kyslíku k BET ploše povrchu byl 19 000 ppm O/M2/g, a průtok menší než 1 mg/sekundu. Aglomerovaný prášek byl zpracován na anody a byly testovány jeho elektrické vlastnosti způsobem uvedeným v příkladu las výsledky uvedenými v tabulce 1
Příklad 4
Tento příklad ilustruje další provedení prášku podle předloženého vynálezu: s velkou povrchovou plochou a nízkým obsahem kyslíku aglomerovaný vločkový niobový prášek. Niobový prášek byl připraven stejným způsobem, jako v příkladu 3, s tím rozdílem, že niobový prášek byl mlet roztíráním 90 minut, a zpracování teplem probíhalo ve vakuu při 1150°C po 30 minut. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 0,85 m2/g. Obsah kyslíku v množstvích vločkového niobového prášku, připraveného v podstatě způsobem z příkladu 3, byl snížen zahřátím niobového prášku z smíšeného se 4 až 5 % hmotnostními magnéziového prášku pod argonem při teplotě v rozmezí 750 až 850 °C po 2 hodiny. Obsah hořčíku byl stanoven jako hodnota v rozmezí 2 až 3násobku stechiometrického množství kyslíku v niobovém prášku. Po ochlazení byly zbytkový hořčík a oxidy z aglomerovaného vločkového niobu odstraněny loužením kyselinou dusičnou. Deoxidovaný vločkový niob byl promyt vodou, sušen a rozdělen prosíváním přes síto s veli
-8CZ 295984 B6 kostí částic č. 50. Prošité niobové vločky vykazovaly Scott hustotu 1,47 g/cm3, BET plochu povrchu 0,96 m2/g, obsah kyslíku 3130 ppm, poměr kyslíku k BET ploše povrchu byl 3260 ppm O/m2/g, průtok 76 mg/sekundu. Aglomerovaný prášek byl zpracován na anody a byly testovány jeho elektrické vlastnosti způsobem jako v příkladu las výsledky v tabulce 1.
Tabulka 1
Teplota sintrování
1300 °C 1450 °C 1600 °C 1750 °C
příklad 1 Kapacitance (pFV/g) 8400 7500 6400 5550
(pFV/cm3) 40 900 37 000 33 400 30 000
Propouštění DC (ηΑ/μΡν) 53 2,8 2,3 2,4
Hustota sintrování (g/cm3) 4,9 5,0 5,2 5,5
Příklad 2 Kapacitance (pFV/g) 13 600 11 900 10 000 8200
fyFV/cm3) 46 000 41 600 36 900 33 400
Propouštění DC (ηΑ/μΕν) 25 1,7 2,1 2,5
Hustota sintrování (g/cm3) 3,4 3,5 3,7 4,1
příklad 3 Kapacitance (pFV/g) 32 500 21 400 13 400 7100
(pFV/cm3) 114 100 94 300 73 600 45 800
Propouštění DC (nA^FV) 5,8 4,1 2,4 2,0
Hustota sintrování (g/cm3) 3,5 4,4 5,5 6,4
příklad 4 Kapacitance (pFV/g) 31 589 21 059 12 956 7254
^FV/cm3) 110 562 88 448 64 780 42 799
Propouštění DC (ηΑ/μΕν) 5,8 5,3 2,6 1,4
Hustota sintrování (g/cm3) 3,5 4,2 5,0 5,9
Příklad 5
Niobový prášek byl připraven stejným způsobem jako v příkladu 4 s tou výjimkou, že tepelné zpracování probíhá ve vakuu při 1 250 °C po 30 minut. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 0,78 m2/g. Prášek byl formován do anody jako v příkladu 1 a měl následující charakteristiky postupu:
FV/g; 50 Vf
Hustota sintr., /cm3
Propouštění DC, nA/pFV
BET, m2/g
Kyslík, ppm
Scott hustota, g/cm3
Tok, mg/s
600 (1 450 °C)
4,8 (1 450 °C)
2,33 (1 450 °C)
0,80
2,815
1,46
040(1 300 °C)
-9CZ 295984 B6
Příklad 6
Niobový prášek byl připraven stejným postupem jako v příkladu 4 s tím rozdílem, že niobový prášek byl mlet roztíráním po 150 minut a zpracování teplem bylo ve vakuové peci, kde byl tlak odčerpán na 1 mikrometr a potom byla teplota zvýšena po 50 °C/minutu na 950 °C a udržována, až bylo dosaženo vysokého vakua. Potom byla zvyšována teplota v krocích po 15 °C, až bylo dosaženo teploty 1250 °C, a tato teplota byla potom udržována po 30 minut. Potom byl materiál ponechán ochladit se na teplotu místnosti za vakua a pasivován 30 cyklů, přičemž tlak byl zvyšován o 20 torrů, 2666,44 Pa, po každém cyklu a udržován 2 minuty před začátkem dalšího plnění vzduchem. Potom byl prášek rozemlet v čelisťovém drtiči (pod 300 pm), a deoxidován smísením prášku se 4 % hmotn./hmotn. kovu hořčíku a vložením materiálu do retortové pece a odčerpáním na 100 mikrometrů. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 1,05 m2/g. Potom byla pec opět naplněna argonem na tlak 800 tj. 106 657,6 Pa torrů a teplota zvýšena na 800 °C a udržována po 2 hodiny. Potom byl materiál ponechán ochladit se na teplotu místnosti a pasivován na vzduchu po 30 cyklů stejným způsobem, jak bylo uvedeno výše v příkladu 3. Potom byl materál promyt směsí deionizované vody (1100 ml/kg), kyseliny fluorovodíkové (8,8 ml/kg) a kyseliny dusičné (550 ml/kg). Potom byl prášek zkropen deionizovanou vodou a sušen. Potom byl niobový prášek zpracován na anodu jako v příkladu 1 a měl následující prováděcí charakteristiky:
FV/g; 50 Vf(Teplota sintr.) Hustota sintr., g/cm3 Propouštění DC, nA/pFV BET, m2/g
Kyslík, ppm
Scott hustota, g/cm3
Tok, mg/s
300 (1 450 °C)
4,0 (1 450 °C)
1,5 (1 450 °C)
1,11
3,738
700 (1 300 °C)
1,49
112
Příklad 7
Niobový prášek byl připraven stejným postupem jako v příkladu 6 s tím rozdílem, že niobový prášek byl smíchán před tepelným zpracováním s fosforem a byl získán obsah fosforu 56 ppm. Předem aglomerovaná BET plocha povrchu byla 1,05 m2/g. Materiál byl hydridován jako v příkladu 3 a rozemlet, tepelně zpracován a deoxidován jako v příkladu 6. Potom byl niobový prášek zpracován do formy anody jako v příkladu 1 a měl následující prováděcí charakteristiky:
pFV/g; 50 Vf (Teplota sintr.) Hustota sintr., g/cm3 Propouštění DC, nA/pFV BET, m2/g
Kyslík, ppm
Scott hustota, g/cm3
Tok, mg/s
900 (1450 °C)
3,7 (1450 °C)
1,3 (1 450 °C)
1,07
3,690
1,41
400 (1300 °C)
Příklad 8
Niobový prášek byl připraven stejným způsobem, jako v příkladu 4 s tím rozdílem, že niobový prášek byl mlet v 30 S roztíracím mlýnu (130 otáček za minutu) po 8 hodin použitím 454 kg 3/16 SS média, 36,3 kg niobového prášku, a 49,41 ethanolu. Rozemletý prášek byl loužen kyselinou a promyt stejným způsobem jako je popsáno výše, a materiál měl následující charakteristiky:
-10CZ 295984 B6
BET, m2/g
Kyslík, ppm
Hustota Scott, g/cm3
1,39
8,124
0,18
Příklad 9
Obr. 1, 2, 3 a 4 ukazují pFV/g proti BET pro různé Nb prášky s rozmezím BET. Každý obrázek znázorňuje měření pFV/g u prášků vymezených specifickou teplotou sintrování. Jak znázorňují obrázky, čím vyšší je teplota sintrování, tím vyšší je ztráta plochy povrchu anody a také dochází k obecnému snížení pFV/g u zvláštních práškových vzorků při testování vzorků při vyšší teplotě sintrování (pFV/g je úměrné zbytkové specifické ploše povrchu anody po sintrování). Jak dokládají obr. 1 až 4 pro danou teplotu sintrování, má dosažený pFV/g vztah k výchozímu BET vzorku. Jak je uvedeno, nízký BET produkuje nízkou čistotu pFV/g, a jak se zvyšuje BET, stoupá pFV/g. U materiálů, které mají vysoké BET je stupeň ztrát plochy povrchu během sintrování tak vysoký, že „vymaže“ tolik plochy povrchu, že zůstane pouze malá frakce původního vysokého BET, vyjádřená jako pFV/g po sintrování jako pFV/g kapky s nejvyššími BET. Z tohoto důvodu ukazuje křivka pFV/g proti BET maximum při hodnotě BET, která chrání nejčistší specifickou plochu povrchu po sintrování. Obecně, jak je znázorněno na obrázcích, nižší teplota sintrování dosáhne optimum pFV/g s vyšším BET materiálem, zatímco vyšší teploty sintrování, které jsou velice destruktivní k malým, vysoce BET částicím, dosáhnou optima pFV/g práškem s nižším BET.
Obecně existuje optimální BET pro použití při dané teplotě a řada optimálních BET tvoří odpovídající povrch ve vztahu k teplotám sintrování. Jak je znázorněno na obrázcích, pFV/g je obvykle úměrné BET a pFV/g vykazuje vztah k teplotám sintrování. Obr. 5 tedy znázorňuje pFV/g pro každou teplotu sintrování z obr. 1 až 3 vynesených proti teplotě sintrování. Obr. 5 ukazuje pFV/g, kterého lze dosáhnout při 1300 °C sintrování, které je řádově asi 61 000.
Příprava z obr. 5 je založena na objektivně i matematicky správném postupu stanovení maxima pFV/g z každého z obr. 1 až 3. Jelikož je pozorováno, že odezva pFV/g proti BET na všech obr. 1 až 3 vykazuje maximum, byl požadavek vyřešen nalezením maxima nejlepšího proložení funkcí dat pro každý obrázek. Skutečná odezva pFV/g na BET je komplexní funkce proměnných, nicméně Taylorova řada expanze funkcí uvádí, že všechny funkce mohou být aproximovány prvními třemi členy Taylorovy řady s limitovanou hlavní nezávislou proměnnou (v tomto případě BET). To znamená aproximaci funkce jako kvadratické (F(x)=ax2+bx+c) platné v omezení na nejbližší vybrané hodnoty pro x. Tento výpočet je platný potud, pokud jsou hodnoty x v nejbližším okolí. Optimum BET bylo použito v každém případě jako střed nejbližšího okolí BET domény, takže aproximace je nej správnější pro BET nejblíže této hodnotě, a tudíž vybere maximum kvadratické rovnice z dat, když je nejlepší stanovení píku pFV/g, z dat na obr. 1 až 3. Z tohoto důvodu byla nej lepší funkce dat provedena na obr. 1 až 3 do kvadratické rovnice s použitím křivky z vhodného vybavení v Microsoft Excelu 5,0, které vytváří parabolické křivky založené na naměřených datech na obr. 1 až 3. Maxima proložené paraboly na obr. 1 až 3 byla použita jako vstupní data pro přípravu obr. 5.
Na obr. 5 byla řada dat maxim pFV/g proti teplotě sintrování proložena exponenciální rozpadovou funkcí použitím souboru pro proložení křivky na Microsoft Excelu 5,0. Důvodem pro provádění výběru exponenciální rozpadové funkce jako nejlepší aproximace odezvy maxima pFV/g na teplotě sintrování je, jak je znázorněno na obrázcích, že pFV/g se bude snižovat s rostoucí teplotu sintrování, ale pFV/g nemůže být z principu nikdy nižší než 0,0 jelikož specifická plocha povrchu nemůže být vyrobena menší než nula (nemůže být negativní). Exponenciální funkce, která asymptoticky klesá k nule, je nejprostší formou funkce, kterou lze použít s hodnotami na obr. 5,
-11 CZ 295984 B6 která nepředpovídá negativní pFV/g. Nejlepší průběh exponenciální křivky, jak je stanoven Microsoftem Excel v.5,0, byl vložen do dat na obr. 5, a to umožnilo výpočet maxima pFV/g, kterého lze dosáhnout při teplotě sintrování 1300 °C na základě všech dat z obr. 1 až 3, jak bylo vysvětleno výše.
Obr. 4 uvádí reálné hodnoty dostupných Nb vzorků, testovaných při sintrování při 1300 °C, nicméně, jak je zřejmé z obr. 4, data nevykazují pík, protože žádný ze vzorků neměl optimum BET při sintrování 1300 °C. Data byla vložena do kvadratické funkce, jak bylo použito na obr. 1 až 3, a superponovaný výsledek znázorněný na obr. 4 vykazuje pík, který by měl podle zjištění píků na obr. 1 až 3 existovat; a je ukázáno, že pík má pFV/g > 55 000, BET > 1,7. Je dobře viditelné, že v případě obr. 4 pík pFV/g předpověděný použitím stejné analýzy použité při přípravě dat na obr. 5 popisuje maximum pFV/g velice blízko k nezávisle odvozenému maximu stanovenému obr. 5. Shoda mezi dvěma samostatnými stanoveními maxima pFV/g při sintrování 1 300 °C souhlasí, a činí zřejmým, že materiály, vyrobené sBET> 1,7 (BRT v řadě 2 nebo více), pokud se budou testovat při podmínkách sintrování 1300 °C, budou vykazovat pFV/g > 55 000 (pFV/g v řadě 60 000).
Tabulka 2
Exemplární data použitá pro obr. 1 až 4
1300 1300 1450 1450 1600 1600 1750 1750
BET pFV/g BET pFV/g BET pFV/g BET pFV/g
0,8 30 302 0,8 22 757 0,8 14 433 0,8 7 972
0,8 30 423 0,8 22 982 0,8 14 754 0,8 8,517
1,16 45 440 1,16 29 916 1,16 16 495 1,16 7 785
0,96 40 797 0,96 29 868 0,96 18 480 0,96 9 958
0,96 35 350 0,96 27 959 0,96 17 742 0,96 9611
0,96 40 235 0,96 30 147 0,96 18 707 0,96 9 989
0,96 35 481 0,96 27 667 0,96 17 977 0,96 9611
Příklad 10
Byly studovány účinky kyslíku na niobový prášek. Bylo testováno pět vzorků vločkového niobového prášku (připraveného jako v příkladu 5), každý vážící 454 g. Jeden ze vzorků byl kontrolní a čtyři zbývající vzorky byly zpracovány takovým způsobem, aby se zvyšoval obsah kyslíku v niobovém prášku. Konkrétně, čtyři vzorky byly tepelně zpracovány v peci při 900 °C po dobu 30 minut. Potom byly prášky pasivovány na vzduchu postupem, podobným vzdušné pasivaci, diskutovaným v předchozích příkladech. Potom byl jeden ze čtyř vzorků odebrán a tři zbývající vzorky byly tepelně zpracovány a pasivovány opět stejným způsobem, jak byl popsán výše, stejně jako dříve, jeden ze tří vzorků byl opět odebrán a postup se opakoval opět se dvěma zbývajícími vzorky. Potom byl opět jeden vzorek odebrán a konečný zbývající vzorek byl opět tepelně zpracován a pasivován, jako předtím. Takto bylo získáno 5 vzorků připravených buď 0, 1,2,3 nebo 4 cykly tepelného zpracování. Před testováním na obsah kyslíku v každém z těchto vzorků, byly vzorky jednotlivě prošity přes síto s otvory o průměru 425 pm.
Potom byly prášky aglomerovány a sintrovány při různých teplotách a formovány do anod na bázi třech rozdílných napětí, jak je znázorněno v tabulce 3. Výsledky propouštění DC jsou také uvedeny v tabulce 3. Jak je z výsledků v tabulce 3 a na obr. 6 a 7 zřejmé, propouštění DC se postupně snižuje tak, jak se snižuje obsah kyslíku v niobu. Snižování propouštění DC je zejména zřejmé při vytvořených nižších napětích, jako je 30 a 50 voltů.
- 12CZ 295984 B6
Tabulka 3
Údaje dokládající účinek O2 na nA/pFV při 30, 50 a 60 voltech
Vf
1300 1450 1600 1750
kyslík nA/pFV nA/pFV nA/pFV nA/pFV
2725 4,47 1,86 0,89 0,47
4074 3,96 1,41 0,62 0,47
4870 3,49 1,29 0,58 0,45
5539 2,7 1,04 0,55 0,45
6499 2,38 0,95 0,54 0,45
8909 2,25 0,88 0,57 0,54
50 Vf
1 600 1 750
kyslík nA/pFV nA/pFV nA/pFV nA/pFV
2725 4,31 3,07 1,84 1,08
4074 4,47 2,55 1,46 1,01
4870 3,96 2,51 1,42 0,99
5539 3,26 2,21 1,29 0,97
6499 3,5 2,09 1,23 0,97
8909 3,85 2,02 1,26 0,97
60 Vf
1600 1750
kyslík nA/pFV nA/pFV nA/pFV nA/pFV
2725 22,16 25,06 28,64 27,08
4074 19,78 24,07 28,51 28,78
4870 19,11 24,71 28,51 27,67
5539 17,84 21,75 26,62 27,37
6499 17,88 22,37 24,88 25,69
8909 25,2 29,67 33,2 28,99
Příklad 11
Potom byl testován vliv fosforu na niobový prášek. Bylo testováno šest vzorků niobového prášku připraveného postupem jako v příkladu 5. Jeden vzorek byl použit jako kontrolní a zbývajících pět vzorků obsahovalo vhodné množství kyseliny fosforečné, přidané k dosažení hladin fosforu 5 ppm, 10 ppm, 30 ppm, 100 ppm a 500 ppm. Kyselina fosforečná byla přidána jako zředěný roztok 150 ml deionizované vody. Roztok kyseliny fosforečné a prášek byly smíseny a vzorky 15 byly sušeny ve vakuové peci. Po usušení byly vzorky individuálně smí seny a testovány na obsah kyseliny fosforečné. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 4. Jak je z tabulky 4 a obr. 8 a 9 zřejmé, vykazuje se malý vliv dopování fosforu a bylo zaznamenáno, že vyšší množství dopovaného fosforu nezvyšuje nezbytně vlastnosti propouštění DC.
-13 CZ 295984 B6
Tabulka 4
Hodnoty vzorků niobu dopovaných fosforem
dopovaný P (ppm) anoda P (ppm) pFV/g (1300 °C) nA/pFV (1300 °C)
16 13 33 009 22,96
26 13 33 614 21,27
69 100 33 676 19,53
200 58 33 915 21,83
400 204 34 213 20,65
μΡν/g (1 450 °C) ηΑ/μΡν (1 420 °C)
16 0 24 095 25,06
26 20 24 375 23,4
62 72 24 459 24,33
200 50 25 348 26,09
400 339 25 664 24,69
pFV/g (1 600 °C) ηΑ/μΕν (1 600 °C)
16 0 15 757 25,51
26 0 15 974 24,82
62 0 16 131 24,57
200 56 16 736 25,83
400 415 17 011 27,18
μΡν/g (1 750 °C) ηΑ/μΕν (1 750 °C)
16 8575 16,39
26 9176 16,69
62 9315 17,35
200 9551 16,54
400 9670 18,74
Další provedení předloženého vynálezu budou odborníkovi ze stavu techniky zřejmá na základě popisu a uskutečnění vynálezu, jak je zde popsán. Předpokládá se, že popis a příklady budou považovány pouze jako ilustrativní, přičemž skutečný rozsah a podstata vynálezu jsou dány následujícími patentovými nároky.

Claims (5)

PATENTOVÉ NÁROKY
1. Anoda elektrolytického kondenzátoru, vyznačující se tím, že je zhotovená z niobového prášku, jehož měrný povrch BET je alespoň 1,0 m2/g.
2. Anoda podle nároku 1, vyznačující se tím, že měrný povrch BET niobového práškuje alespoň 2,0 m2/g.
3. Anoda podle nároku 1, vyznačující se tím, že měrný povrch BET niobového práškuje v rozmezí od 1,0 do 5,0 m2/g.
4. Anoda podle nároku 1 nebo 2, vyznačující se tím, že měrný povrch BET niobového práškuje v rozmezí od 2,0 do 5,0 m2/g.
-14CZ 295984 B6
5. Anoda podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vy z n a č uj í c í se tím, že niobový prášek není hydridován.
6. Anoda podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vy zn a č uj í c í se tím, že niobový prášek má Scottovu hustotu nižší než 2,13 g/cm3.
7. Anoda podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vyznačuj ící se tím, že niobový prášek má obsah fosforu nižší než 400 ppm.
8. Anoda podle nároku 7, vyznačující se tím, že niobový prášek má obsah fosforu nižší než 100 ppm.
9. Anoda podle nároku 8, vyznačující se tím, že niobový prášek má obsah fosforu nižší než 25 ppm.
10. Anoda podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že niobový prášek je dopován kyslíkem v množství alespoň 2000 ppm.
11. Anoda podle nároku 10, vy z n a č uj í c í se t í m , že niobový prášek je dopován kyslíkem v množství 2000 až 10 000 ppm.
12. Anoda podle nároku 11, vy z n a č uj í c í se t í m , že niobový prášek je dopován kyslíkem v množství 3000 až 7000 ppm.
13. Anoda podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že niobový prášek je aglomerován.
14. Anoda podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že je formovaná při napětí od 30 do 50 V.
15. Anoda podle nároku 14, vyznačuj ící se tí m , že je formovaná při napětí 40 V.
16. Elektrolytickýkondenzátor, vy zn a č u j í cí se tí m , že obsahuje anodu podle kteréhokoliv z nároků 1 až 15.
17. Kondenzátor podle nároku 16, vyznačující se tím, že jeho kapacitance je 30 000 pFV/g nebo více.
18. Kondenzátor podle nároku 16 nebo 17, vyznačující se tím, že vykazuje propouštění stejnosměrného proudu nižší než 5,0 nA/pFV.
19. Kondenzátor podle nároku 18, vyznačující se tím, že vykazuje propouštění stejnosměrného proudu v rozmezí od 5,0 do 0,50nA/pFV.
20. Kondenzátor podle kteréhokoliv z nároků 16 až 19, vyznačující se tím, že na svém povrchu obsahuje film oxidu niobu.
21. Kondenzátor podle nároku 20, vyznačující se tím, že oxidem niobu je oxid niobičný.
22. Způsob výroby anody elektrolytického kondenzátoru, podle kteréhokoliv z nároků 1 až 15, vyznačující se tím, že zahrnuje stupeň sintrování niobového prášku definovaného v kterémkoliv z nároků 1 až 13, přičemž stupeň sintrování se provádí při teplotě od 1200 do 1750 °C.
-15CZ 295984 B6
23. Způsob podle nároku 22, vyznačující se tím, že teplota ve stupni sintrování je 1200 až 1450 °C.
5 24. Způsob podle nároku 23, v y z n a č u j í c í se tí m , že teplota ve stupni sintrování je
1250 až 1350 °C.
CZ19991628A 1996-11-07 1997-11-05 Anoda elektrolytického kondenzátoru a způsob její výroby a elektrolytický kondenzátor CZ295984B6 (cs)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2956196P 1996-11-07 1996-11-07
US08/962,830 US6165623A (en) 1996-11-07 1997-11-03 Niobium powders and niobium electrolytic capacitors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ162899A3 CZ162899A3 (cs) 2000-05-17
CZ295984B6 true CZ295984B6 (cs) 2005-12-14

Family

ID=26705079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ19991628A CZ295984B6 (cs) 1996-11-07 1997-11-05 Anoda elektrolytického kondenzátoru a způsob její výroby a elektrolytický kondenzátor

Country Status (12)

Country Link
US (2) US6165623A (cs)
EP (1) EP0946323B2 (cs)
JP (1) JP4213222B2 (cs)
AU (1) AU5162798A (cs)
BR (1) BR9712906A (cs)
CA (1) CA2271780A1 (cs)
CZ (1) CZ295984B6 (cs)
DE (1) DE69725880T3 (cs)
EE (1) EE9900189A (cs)
IL (1) IL129832A0 (cs)
PT (1) PT946323E (cs)
WO (1) WO1998019811A1 (cs)

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6338832B1 (en) * 1995-10-12 2002-01-15 Cabot Corporation Process for producing niobium and tantalum compounds
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US6444008B1 (en) 1998-03-19 2002-09-03 Cabot Corporation Paint and coating compositions containing tantalum and/or niobium powders
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
CZ303685B6 (cs) 1998-05-06 2013-03-06 H. C. Starck Inc. Práskový niob ve forme aglomerovaných primárních cástic, anoda kondenzátoru z tohoto práskového niobu a kondenzátor
BRPI9917635B1 (pt) 1998-05-06 2017-06-06 Starck H C Gmbh Co Kg pó de nióbio na forma de partículas aglomeradas primárias e método para a obtenção de um anodo de capacitor
US6576038B1 (en) 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
TW430833B (en) 1998-08-05 2001-04-21 Showa Denko Kk Niobium sintered body for capacitor and process for producing same
DE19983543T1 (de) * 1998-08-28 2001-10-18 Kemet Electronics Corp Phosphateloxierelektrolyt und dessen Verwendung zur Herstellung von Kondensatoren aus aus sehr feinen Metallpulvern hergestellten Ventilmetallanoden
DE59913063D1 (de) * 1998-09-10 2006-04-06 Starck H C Gmbh Paste zur herstellung von gesinterten refraktärmetallschichten, insbesondere erdsäuremetall-elektrolytkondensatoren oder -anoden
US6322912B1 (en) 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
US6529367B1 (en) 1998-12-15 2003-03-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium capacitor and method of manufacture thereof
AU2571200A (en) * 1999-02-16 2000-09-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body,and method for manufacturing the capacitor
TW460883B (en) * 1999-02-16 2001-10-21 Showa Denko Kk Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body, and method for manufacturing the capacitor
MXPA01009477A (es) 1999-03-19 2002-06-04 Cabot Corp Elaboracion de polvo de niobio y de otros metales mediante molienda.
US6558447B1 (en) 1999-05-05 2003-05-06 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
TW479262B (en) 1999-06-09 2002-03-11 Showa Denko Kk Electrode material for capacitor and capacitor using the same
US6600646B1 (en) * 1999-08-11 2003-07-29 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using same
US6960237B2 (en) 1999-07-15 2005-11-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same
US6660057B1 (en) 1999-10-01 2003-12-09 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor, sintered body using the composition and capacitor using the sintered body
US6358625B1 (en) * 1999-10-11 2002-03-19 H. C. Starck, Inc. Refractory metals with improved adhesion strength
DE19953946A1 (de) 1999-11-09 2001-05-10 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US6563695B1 (en) * 1999-11-16 2003-05-13 Cabot Supermetals K.K. Powdered tantalum, niobium, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the powdered tantalum or niobium
US6423110B1 (en) 1999-12-08 2002-07-23 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor and sintered body using the composition, and capacitor using the sintered body
US6480371B1 (en) 2000-02-01 2002-11-12 Kemet Electronics Corporation Alkanolamine-phosphoric acid anodizing electrolyte
WO2001071738A2 (en) * 2000-03-23 2001-09-27 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
US6540810B2 (en) 2000-04-21 2003-04-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
AU2001248826A1 (en) 2000-04-24 2001-11-07 Showa Denko K K Niobium powder, sintered compact thereof and capacitor
US6643120B2 (en) * 2000-04-28 2003-11-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
US6436268B1 (en) 2000-08-02 2002-08-20 Kemet Electronics Corporation Non-aqueous electrolytes for anodizing
US6652619B2 (en) 2000-08-10 2003-11-25 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same
AU7773401A (en) * 2000-08-10 2002-02-25 Showa Denko Kk Niobium powder, sinter thereof, and capacitor employing the same
DE10041901A1 (de) * 2000-08-25 2002-03-07 Starck H C Gmbh Kondensatoranode auf Basis Niob
JP2002093666A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Showa Denko Kk ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
KR20030046520A (ko) 2000-11-06 2003-06-12 캐보트 코포레이션 개질된 산소 환원된 밸브 금속 산화물
AU2002224129A1 (en) * 2000-11-30 2002-06-11 Showa Denko K K Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
DE10063695B4 (de) 2000-12-20 2005-09-01 Siemens Ag Verfahren zur Kompensation von Offsetwerten
US7149074B2 (en) 2001-04-19 2006-12-12 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide
AU2008200187B2 (en) * 2001-05-15 2010-02-18 Showa Denko K.K. Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body
KR100524166B1 (ko) * 2001-05-15 2005-10-25 쇼와 덴코 가부시키가이샤 일산화 니오브분말, 일산화 니오브 소결체 및 일산화니오브 소결체를 사용한 콘덴서
US7737066B2 (en) * 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
US6780218B2 (en) * 2001-06-20 2004-08-24 Showa Denko Kabushiki Kaisha Production process for niobium powder
JP4187953B2 (ja) 2001-08-15 2008-11-26 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
KR100422594B1 (ko) * 2001-09-12 2004-03-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 커패시터 및 제조방법
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
DE10304756B4 (de) * 2003-02-05 2005-04-07 W.C. Heraeus Gmbh Sauerstoffangereicherter Niob-Draht
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
US7235118B2 (en) * 2003-04-16 2007-06-26 National Research Council Of Canada Process for agglomeration and densification of nanometer sized particles
US7445679B2 (en) 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
EP2455340A1 (en) 2003-05-19 2012-05-23 Cabot Corporation Valve metal sub-oxide powders and capacitors and sintered anode bodies made therefrom
US7142409B2 (en) * 2003-07-28 2006-11-28 Cabot Corporation Nitrided valve metal material and method of making same
DE102004032128B4 (de) * 2003-10-17 2010-10-14 W.C. Heraeus Gmbh Metallischer Werkstoff, Herstellverfahren und Verwendung
US6965510B1 (en) * 2003-12-11 2005-11-15 Wilson Greatbatch Technologies, Inc. Sintered valve metal powders for implantable capacitors
DE102004011214A1 (de) * 2004-03-04 2005-10-06 W.C. Heraeus Gmbh Hochtemperaturbeständiger Niob-Draht
US20050202966A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 W.C. Heraeus Gmbh Catalyst for the decomposition of N2O in the Ostwald process
DE102004024026A1 (de) 2004-03-11 2005-09-29 W.C. Heraeus Gmbh Katalysator zur N2O-Zersetzung beim Ostwaldprozess
US20050225927A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Tagusagawa Solon Y Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
WO2006057455A1 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Showa Denko K.K. Porous anode body for solid electrolytic capacitor, production mehtod thereof and solid electrolytic capacitor
JP2006206428A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ニオブ酸化物及びその製造方法
US7099143B1 (en) 2005-05-24 2006-08-29 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
JP2009505412A (ja) 2005-08-19 2009-02-05 エイブイエックス リミテッド ポリマーベースの固体コンデンサおよびその製造方法
GB0517952D0 (en) * 2005-09-02 2005-10-12 Avx Ltd Method of forming anode bodies for solid state capacitors
US8257463B2 (en) * 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
US7480130B2 (en) 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
US7511943B2 (en) 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
WO2007130483A2 (en) * 2006-05-05 2007-11-15 Cabot Corporation Tantalum powder with smooth surface and methods of manufacturing same
JPWO2008001774A1 (ja) * 2006-06-26 2009-11-26 三井金属鉱業株式会社 ニオブ酸化物の製造方法及び一酸化ニオブ
JP4884108B2 (ja) * 2006-06-30 2012-02-29 三洋電機株式会社 電解コンデンサ
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7649730B2 (en) 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
US7554792B2 (en) 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7760487B2 (en) * 2007-10-22 2010-07-20 Avx Corporation Doped ceramic powder for use in forming capacitor anodes
US7760488B2 (en) * 2008-01-22 2010-07-20 Avx Corporation Sintered anode pellet treated with a surfactant for use in an electrolytic capacitor
US7852615B2 (en) * 2008-01-22 2010-12-14 Avx Corporation Electrolytic capacitor anode treated with an organometallic compound
US7768773B2 (en) * 2008-01-22 2010-08-03 Avx Corporation Sintered anode pellet etched with an organic acid for use in an electrolytic capacitor
JP5411156B2 (ja) 2008-10-29 2014-02-12 昭和電工株式会社 コンデンサ素子の製造方法
US8430944B2 (en) * 2008-12-22 2013-04-30 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Fine particle recovery methods for valve metal powders
US8203827B2 (en) * 2009-02-20 2012-06-19 Avx Corporation Anode for a solid electrolytic capacitor containing a non-metallic surface treatment
JP2010261106A (ja) * 2010-06-11 2010-11-18 Showa Denko Kk コンデンサ用ニオブ焼結体の製造方法
US9548163B2 (en) 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
JP6353912B2 (ja) 2014-09-11 2018-07-04 石原ケミカル株式会社 Ta−Nb合金粉末および固体電解コンデンサ用陽極素子
US20180144874A1 (en) 2016-10-21 2018-05-24 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof
WO2019236160A2 (en) 2018-03-05 2019-12-12 Global Advanced Metals Usa, Inc. Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
IL318772A (en) 2018-03-05 2025-04-01 Global Advanced Metals Usa Inc Anodes containing spherical powder and capacitors
CA3227568A1 (en) 2018-03-05 2020-02-06 Global Advanced Metals Usa, Inc. Spherical tantalum powder, products containing the same, and methods of making the same
CN113165066A (zh) 2018-12-12 2021-07-23 全球先进金属美国股份有限公司 球形铌合金粉末、包含其的产品、和其生产方法

Family Cites Families (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1415516A (en) * 1919-05-29 1922-05-09 Bridge Arthur Method of and apparatus for reducing metals, etc.
US2242759A (en) * 1938-03-02 1941-05-20 Walter H Duisberg Reduction of difficultly reducible oxides
CH396213A (de) 1961-01-10 1965-07-31 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung von Anoden für Elektrolytkondensatoren
GB1123015A (en) * 1964-08-07 1968-08-07 Union Carbide Corp A process for producing sintered anodes
US3417106A (en) * 1964-11-16 1968-12-17 Syntex Corp 4-oxa-19-nor-delta1,5(10)-pregnadiene-3,20-dione steroids and their preparation
US3630718A (en) * 1965-06-25 1971-12-28 Starck Hermann C Fa NONPYROPHORIC METAL POWDER OF A METAL FROM THE GROUP IVb, Vb AND VIb OR THE ACTINIUM SERIES OF THE PERIODIC TABLE
US3496076A (en) * 1968-03-28 1970-02-17 Sprague Electric Co Niobium anodizing electrolyte and anodizing process
CH515996A (de) * 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3635693A (en) * 1969-01-27 1972-01-18 Starck Hermann C Fa Method of producing tantalum or niobium powder from compact bodies
US3849124A (en) 1969-12-05 1974-11-19 Norton Co Capacitor powder
DE2517180C3 (de) * 1975-04-18 1979-04-19 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren
US4009007A (en) * 1975-07-14 1977-02-22 Fansteel Inc. Tantalum powder and method of making the same
US4017302A (en) * 1976-02-04 1977-04-12 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US4164455A (en) 1976-04-05 1979-08-14 Corning Glass Works Process of forming a solid tantalum capacitor
GB1549702A (en) * 1976-07-08 1979-08-08 Ncr Inc Metal powder production
JPS5345660A (en) * 1976-10-05 1978-04-24 Starck Hermann C Fa Tantalum and niobium powder manufacture
US4084965A (en) * 1977-01-05 1978-04-18 Fansteel Inc. Columbium powder and method of making the same
US4141720A (en) * 1978-05-16 1979-02-27 Nrc, Inc. Tantalum powder reclaiming
US4149876A (en) * 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
JPS5739043A (en) * 1980-08-19 1982-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Changeover metallic mold
US4406699A (en) * 1981-06-09 1983-09-27 Beck David E High-temperature electrically conductive ceramic composite and method for making same
DE3130392C2 (de) * 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
US4356028A (en) * 1981-08-24 1982-10-26 Fansteel Inc. In situ phosphorus addition to tantalum
DE3140248C2 (de) * 1981-10-09 1986-06-19 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden
SU1057995A1 (ru) * 1981-12-05 1983-11-30 Предприятие П/Я А-3529 Способ изготовлени объемно-пористого анода электролитического конденсатора
JPS58154221A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 株式会社東芝 ニオブ電解コンデンサの製造方法
DE3232245A1 (de) * 1982-08-30 1984-03-01 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verbesserung der fliessfaehigkeit und erhoehung der schuettdichte von hochkapazitiven ventilmetallpulvern
US4441927A (en) * 1982-11-16 1984-04-10 Cabot Corporation Tantalum powder composition
DE3309891A1 (de) * 1983-03-18 1984-10-31 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren
DE3336453C2 (de) * 1983-10-06 1985-11-28 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Oberflächenvergrößerung von Niob und Tantal in Form von agglomerierten oder nicht agglomerierten Pulvern
JPS60121207A (ja) 1983-12-01 1985-06-28 Toyo Soda Mfg Co Ltd 超微粒子の製造方法
US4544403A (en) * 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
US4555268A (en) * 1984-12-18 1985-11-26 Cabot Corporation Method for improving handling properties of a flaked tantalum powder composition
US4748737A (en) * 1985-11-27 1988-06-07 Westinghouse Electric Corp. Method of removing surface oxidation from particulates
US4684399A (en) * 1986-03-04 1987-08-04 Cabot Corporation Tantalum powder process
EP0267762B1 (en) * 1986-11-08 1992-06-17 Showa Denko Kabushiki Kaisha Solid electrolyte capacitor and process for preparation thereof
US4722756A (en) * 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US4740238A (en) * 1987-03-26 1988-04-26 Fansteel Inc. Platelet-containing tantalum powders
JPH0770438B2 (ja) 1987-07-08 1995-07-31 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0727851B2 (ja) 1987-07-08 1995-03-29 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0640538B2 (ja) 1987-07-15 1994-05-25 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0777180B2 (ja) 1987-08-20 1995-08-16 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPS6484656A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Toshiba Corp Semiconductor device capacitor
JPH063786B2 (ja) 1987-10-21 1994-01-12 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JPH01124214A (ja) 1987-11-10 1989-05-17 Showa Denko Kk 固体電解コンデンサの製造方法
US4940490A (en) * 1987-11-30 1990-07-10 Cabot Corporation Tantalum powder
US5580367A (en) * 1987-11-30 1996-12-03 Cabot Corporation Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder
US5261942A (en) * 1987-11-30 1993-11-16 Cabot Corporation Tantalum powder and method of making same
US5211741A (en) * 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
JPH01241813A (ja) 1988-03-23 1989-09-26 Nec Corp オープン機構付き固体電解コンデンサ
JPH01241110A (ja) 1988-03-23 1989-09-26 Asahi Glass Co Ltd 電気二重層コンデンサ
JPH01319921A (ja) 1988-06-21 1989-12-26 Seiko Electronic Components Ltd 電気二重層コンデンサ
DE3820960A1 (de) * 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
JPH02123724A (ja) 1988-11-02 1990-05-11 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JPH02298013A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ
US5242481A (en) * 1989-06-26 1993-09-07 Cabot Corporation Method of making powders and products of tantalum and niobium
US4964906A (en) 1989-09-26 1990-10-23 Fife James A Method for controlling the oxygen content of tantalum material
US5011742A (en) 1989-09-26 1991-04-30 Fife James A Article for controlling the oxygen content in tantalum material
US4960471A (en) 1989-09-26 1990-10-02 Cabot Corporation Controlling the oxygen content in tantalum material
US5050034A (en) 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
US5234491A (en) * 1990-05-17 1993-08-10 Cabot Corporation Method of producing high surface area, low metal impurity
JPH04271106A (ja) 1990-12-26 1992-09-28 Tama Electric Co Ltd コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワーク
JPH05129160A (ja) 1991-10-30 1993-05-25 Ryuichi Yamamoto 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US5245514A (en) * 1992-05-27 1993-09-14 Cabot Corporation Extruded capacitor electrode and method of making the same
JP2923391B2 (ja) 1992-06-03 1999-07-26 富士通東和エレクトロン株式会社 電解コンデンサの製造方法
US5284531A (en) * 1992-07-31 1994-02-08 Cabot Corporation Cylindrical metal fibers made from tantalum, columbium, and alloys thereof
JP3281658B2 (ja) 1992-11-30 2002-05-13 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサとその製造方法
US5448447A (en) * 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5412533A (en) * 1993-06-22 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
JPH07153650A (ja) 1993-11-26 1995-06-16 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JPH07220982A (ja) 1994-01-31 1995-08-18 Elna Co Ltd 固体電解コンデンサの製造方法
JP3199096B2 (ja) 1994-02-15 2001-08-13 エルナー株式会社 固体電解コンデンサ
JPH0897096A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
JP3504058B2 (ja) 1996-03-19 2004-03-08 株式会社東芝 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置
JPH10135080A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6165623A (en) * 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US6007597A (en) * 1997-02-28 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Electron-beam melt refining of ferroniobium
JPH11312628A (ja) 1998-04-30 1999-11-09 Nec Corp 固体電解コンデンサ及び製造方法
US6051044A (en) * 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
JP3196832B2 (ja) 1998-05-15 2001-08-06 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP3973299B2 (ja) 1998-08-26 2007-09-12 昭和電工株式会社 コンデンサ
JP4263795B2 (ja) 1998-12-22 2009-05-13 昭和電工株式会社 コンデンサ
JP2000188241A (ja) 1998-12-22 2000-07-04 Nec Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2000269091A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用金属粉末ならびにこれを用いた電解コンデンサ用陽極体および電解コンデンサ
JP3907358B2 (ja) 1999-11-04 2007-04-18 日本ケミコン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP2001172701A (ja) 1999-12-14 2001-06-26 Showa Kyabotto Super Metal Kk ニオブ粉末およびその製造方法と、このニオブ粉末を用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー
JP4422258B2 (ja) 1999-11-30 2010-02-24 昭和電工株式会社 コンデンサ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0946323A1 (en) 1999-10-06
JP2002507247A (ja) 2002-03-05
CA2271780A1 (en) 1998-05-14
US6165623A (en) 2000-12-26
AU5162798A (en) 1998-05-29
DE69725880T2 (de) 2004-05-13
EP0946323B1 (en) 2003-10-29
DE69725880T3 (de) 2012-01-19
IL129832A0 (en) 2000-02-29
JP4213222B2 (ja) 2009-01-21
PT946323E (pt) 2004-03-31
WO1998019811A1 (en) 1998-05-14
EE9900189A (et) 1999-12-15
CZ162899A3 (cs) 2000-05-17
DE69725880D1 (de) 2003-12-04
BR9712906A (pt) 2002-01-02
US6420043B1 (en) 2002-07-16
EP0946323B2 (en) 2011-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ295984B6 (cs) Anoda elektrolytického kondenzátoru a způsob její výroby a elektrolytický kondenzátor
US6051044A (en) Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
CZ20014024A3 (cs) Niobové práąky s vysokou kapacitou a anody elektrolytických kondenzátorů
CZ20013359A3 (cs) Způsob výroby niobu a jiných kovových práąků mletím
EP1075884A2 (en) Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
HK1037897B (en) Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
MXPA99004261A (en) Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
MXPA00010826A (es) Polvos de niobio nitrurado y capacitores electroliticos de niobio

Legal Events

Date Code Title Description
PD00 Pending as of 2000-06-30 in czech republic
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20131105