IT1217323B - Struttura integrata di transistor bipolare di potenza di alta tensione e di transistor mos di potenza di bassa tensione nella configurazione"emitter switching"e relativo processo di fabbricazione - Google Patents

Struttura integrata di transistor bipolare di potenza di alta tensione e di transistor mos di potenza di bassa tensione nella configurazione"emitter switching"e relativo processo di fabbricazione

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DE3855603T DE3855603T2 (de) 1987-12-22 1988-12-16 Integrierter bipolarer Hochspannungsleistungstransistor und Niederspannungs-MOS-Transistorstruktur in Emitterumschaltkonfiguration und Herstellungsverfahren
EP88202899A EP0322041B1 (en) 1987-12-22 1988-12-16 Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
US07/288,405 US5065213A (en) 1987-12-22 1988-12-21 Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage mos power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
KR1019880017103A KR0130774B1 (ko) 1987-12-22 1988-12-21 에미터 스위칭 형태로 집적된 고-전압 바이폴라 파워 트랜지스터 및 저-전압 mos 파워 트랜지스터 구조 및 이의 제조 방법
JP63322215A JP2798401B2 (ja) 1987-12-22 1988-12-22 集積半導体装置及びその製造方法
US07/749,251 US5118635A (en) 1987-12-22 1991-08-23 Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage mos power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
US08/253,151 USRE36311E (en) 1987-12-22 1994-06-02 Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
US08/447,184 USRE35642E (en) 1987-12-22 1995-05-22 Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE35642E (en) * 1987-12-22 1997-10-28 Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process
IT1217323B (it) * 1987-12-22 1990-03-22 Sgs Microelettronica Spa Struttura integrata di transistor bipolare di potenza di alta tensione e di transistor mos di potenza di bassa tensione nella configurazione"emitter switching"e relativo processo di fabbricazione
JPH0810506Y2 (ja) * 1990-03-23 1996-03-29 株式会社小松製作所 工作機械のターンテーブル固定装置
JP2987884B2 (ja) * 1990-06-04 1999-12-06 日産自動車株式会社 半導体装置
IT1246759B (it) * 1990-12-31 1994-11-26 Sgs Thomson Microelectronics Struttura integrata di transistore bipolare di potenza e di transistore bipolare di bassa tensione nelle configurazioni ''emitter switching'' o ''semi-ponte'' e relativi processi di fabbricazione.
DE69126618T2 (de) * 1991-11-25 1998-01-08 Cons Ric Microelettronica Integrierte Brückenanordnung mit optimierten Übertragungsleistungsverlusten
JPH06163907A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Hitachi Ltd 電圧駆動型半導体装置
US5329147A (en) * 1993-01-04 1994-07-12 Xerox Corporation High voltage integrated flyback circuit in 2 μm CMOS
DE69320033T2 (de) * 1993-06-10 1998-12-03 Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania Monolitisch integrierte Struktur eines vertikalen Bipolar- und eines vertikalen MOSFET-Transistors
DE69322963T2 (de) * 1993-09-17 1999-06-24 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania Eine integrierte Vorrichtung mit einem bipolaren Transistor und einem MOSFET Transistor in Emittorschaltungsanordnung
US5591655A (en) * 1995-02-28 1997-01-07 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Process for manufacturing a vertical switched-emitter structure with improved lateral isolation
US5633180A (en) * 1995-06-01 1997-05-27 Harris Corporation Method of forming P-type islands over P-type buried layer
US5910664A (en) * 1996-11-05 1999-06-08 International Rectifier Corporation Emitter-switched transistor structures
US5925910A (en) * 1997-03-28 1999-07-20 Stmicroelectronics, Inc. DMOS transistors with schottky diode body structure
US6365447B1 (en) 1998-01-12 2002-04-02 National Semiconductor Corporation High-voltage complementary bipolar and BiCMOS technology using double expitaxial growth
EP0936674B1 (en) 1998-02-10 2006-04-26 STMicroelectronics S.r.l. Integrated circuit comprising a VDMOS transistor protected against overvoltages between source and gate
EP0981163A1 (en) * 1998-08-14 2000-02-23 STMicroelectronics S.r.l. Semiconductor power device with insulated circuit and process for its manufacture
US6441445B1 (en) * 1998-10-06 2002-08-27 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated device with bipolar transistor and electronic switch in “emitter switching” configuration
US6395593B1 (en) * 1999-05-06 2002-05-28 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing high side and low side guard rings for lowest parasitic performance in an H-bridge configuration
US6759730B2 (en) * 2001-09-18 2004-07-06 Agere Systems Inc. Bipolar junction transistor compatible with vertical replacement gate transistor
US9184097B2 (en) * 2009-03-12 2015-11-10 System General Corporation Semiconductor devices and formation methods thereof
CN104576365B (zh) * 2013-10-25 2017-11-21 无锡华润上华科技有限公司 cluster‑IGBT的制备方法
JP6299254B2 (ja) * 2014-02-10 2018-03-28 富士電機株式会社 半導体装置、スイッチング電源用制御ｉｃおよびスイッチング電源装置
US9871510B1 (en) 2016-08-24 2018-01-16 Power Integrations, Inc. Clamp for a hybrid switch

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL149640B (nl) * 1965-06-05 1976-05-17 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met meer dan een schakelelement in een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
US3544863A (en) * 1968-10-29 1970-12-01 Motorola Inc Monolithic integrated circuit substructure with epitaxial decoupling capacitance
UST892019I4 (en) * 1969-01-27 1971-11-30 Semiconductor integrated circuit with isolated elements and power transistor utilizing substrate "for low collector resistance
US4032956A (en) * 1972-12-29 1977-06-28 Sony Corporation Transistor circuit
US3880676A (en) * 1973-10-29 1975-04-29 Rca Corp Method of making a semiconductor device
NL7604445A (nl) * 1976-04-27 1977-10-31 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
FR2373163A1 (fr) * 1976-12-03 1978-06-30 Thomson Csf Structure pour circuits logiques
US4120707A (en) * 1977-03-30 1978-10-17 Harris Corporation Process of fabricating junction isolated IGFET and bipolar transistor integrated circuit by diffusion
US4210925A (en) * 1978-02-07 1980-07-01 Harris Corporation I2 L Integrated circuit and process of fabrication
GB2023340B (en) * 1978-06-01 1982-09-02 Mitsubishi Electric Corp Integrated circuits
JPS568874A (en) * 1979-07-04 1981-01-29 Pioneer Electronic Corp Bipolar transistor device
US4311532A (en) * 1979-07-27 1982-01-19 Harris Corporation Method of making junction isolated bipolar device in unisolated IGFET IC
JPS56103460A (en) * 1980-01-21 1981-08-18 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US4344081A (en) * 1980-04-14 1982-08-10 Supertex, Inc. Combined DMOS and a vertical bipolar transistor device and fabrication method therefor
US4315781A (en) * 1980-04-23 1982-02-16 Hughes Aircraft Company Method of controlling MOSFET threshold voltage with self-aligned channel stop
US4425516A (en) * 1981-05-01 1984-01-10 Zytrex Corporation Buffer circuit and integrated semiconductor circuit structure formed of bipolar and CMOS transistor elements
US4441117A (en) * 1981-07-27 1984-04-03 Intersil, Inc. Monolithically merged field effect transistor and bipolar junction transistor
US4458408A (en) * 1981-07-31 1984-07-10 Motorola, Inc. Method for making a light-activated line-operable zero-crossing switch
JPS5896762A (ja) * 1981-12-03 1983-06-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子
EP0116654B1 (de) * 1983-02-12 1986-12-10 Deutsche ITT Industries GmbH Verfahren zum Herstellen von bipolaren Planartransistoren
IT1214805B (it) * 1984-08-21 1990-01-18 Ates Componenti Elettron Spositivi a semiconduttore con giunprocesso per la fabbricazione di dizioni planari a concentrazione di carica variabile e ad altissima tensione di breakdown
GB2164790A (en) * 1984-09-19 1986-03-26 Philips Electronic Associated Merged bipolar and field effect transistors
IT1213231B (it) * 1984-10-25 1989-12-14 Ates Componenti Elettron Dispositivo elettronico integrato a tensione costante stabilizzata, eprocedimento per la sua fabbricazione.
IT1214808B (it) * 1984-12-20 1990-01-18 Ates Componenti Elettron Tico e semiconduttore processo per la formazione di uno strato sepolto e di una regione di collettore in un dispositivo monoli
IT1188465B (it) * 1986-03-27 1988-01-14 Sgs Microelettronica Spa Rpocedimento per la fabbricazione di circuiti integrati a semiconduttore includenti dispositiv cmos e dispositivi elettronici ad alta tensione
GB2190539A (en) * 1986-05-16 1987-11-18 Philips Electronic Associated Semiconductor devices
JP2515745B2 (ja) * 1986-07-14 1996-07-10 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH0654796B2 (ja) * 1986-07-14 1994-07-20 株式会社日立製作所 複合半導体装置
IT1215024B (it) * 1986-10-01 1990-01-31 Sgs Microelettronica Spa Processo per la formazione di un dispositivo monolitico a semiconduttore di alta tensione
JPS63198367A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Toshiba Corp 半導体装置
IT1218128B (it) * 1987-03-05 1990-04-12 Sgs Microelettronica Spa Struttura integrata per rete di trasferimento di segnali,particolarmente per circuito di pilotaggio per transistori mos di potenza
IT1232930B (it) * 1987-10-30 1992-03-10 Sgs Microelettronica Spa Struttura integrata a componenti attivi e passivi inclusi in sacche di isolamento operante a tensione maggiore della tensione di rottura tra ciascun componente e la sacca che lo contiene
IT1217323B (it) * 1987-12-22 1990-03-22 Sgs Microelettronica Spa Struttura integrata di transistor bipolare di potenza di alta tensione e di transistor mos di potenza di bassa tensione nella configurazione"emitter switching"e relativo processo di fabbricazione
IT1217322B (it) * 1987-12-22 1990-03-22 Sgs Microelettronica Spa Procedimento di fabbricazione di un dispositivo nonolitico a semiconduttope comprendente almeno un transistor di un circuito integrato di comando e un transistor di rotenza in tegrato nella stessa piastrina
IT1218230B (it) * 1988-04-28 1990-04-12 Sgs Thomson Microelectronics Procedimento per la formazione di un circuito integrato su un substrato di tipo n,comprendente transistori pnp e npn verticali e isolati fra loro
EP0347550A3 (en) * 1988-06-21 1991-08-28 Texas Instruments Incorporated Process for fabricating isolated vertical and super beta bipolar transistors
IT1234252B (it) * 1989-06-16 1992-05-14 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo a semiconduttore comprendente un circuito di comando e uno stadio di potenza a flusso di corrente verticale integrati in modo monolitico nella stessa piastrina e relativo processo di fabbricazione

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Publication number Publication date
US5065213A (en) 1991-11-12
US5118635A (en) 1992-06-02
EP0322041A3 (en) 1993-04-21
IT8706631A0 (it) 1987-12-22
KR0130774B1 (ko) 1998-04-06
DE3855603D1 (de) 1996-11-14
DE3855603T2 (de) 1997-03-13
EP0322041A2 (en) 1989-06-28
USRE36311E (en) 1999-09-21
KR890011106A (ko) 1989-08-12
JPH022665A (ja) 1990-01-08
JP2798401B2 (ja) 1998-09-17
EP0322041B1 (en) 1996-10-09

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