JP2015019093A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

半導体装置の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015019093A
JP2015019093A JP2014174983A JP2014174983A JP2015019093A JP 2015019093 A JP2015019093 A JP 2015019093A JP 2014174983 A JP2014174983 A JP 2014174983A JP 2014174983 A JP2014174983 A JP 2014174983A JP 2015019093 A JP2015019093 A JP 2015019093A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
electrode
conductive film
insulating film
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014174983A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5890494B2 (ja
Inventor
秋元　健吾
Kengo Akimoto
健吾 秋元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2014174983A priority Critical patent/JP5890494B2/ja
Publication of JP2015019093A publication Critical patent/JP2015019093A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5890494B2 publication Critical patent/JP5890494B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H10D30/6713—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes
    • H10D30/6715—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes characterised by the doping profiles, e.g. having lightly-doped source or drain extensions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • H10D30/6739—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6757—Thin-film transistors [TFT] characterised by the structure of the channel, e.g. transverse or longitudinal shape or doping profile
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
    • H10D64/411—Gate electrodes for field-effect devices for FETs
    • H10D64/511—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6329—Deposition from the gas or vapour phase using physical ablation of a target, e.g. physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H10D86/423—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer comprising semiconductor materials not belonging to the Group IV, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

【課題】酸化亜鉛を含む半導体膜を用いたダイオードを提供する。
【解決手段】基板上の、酸化亜鉛を含み、チャネル形成領域を有する半導体膜と、前記半
導体膜とゲート電極との間のゲート絶縁膜と、前記半導体膜と電気的に接続されるソース
電極及びドレイン電極と、を有し、前記ゲート電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン
電極の一方と電気的に接続される。前記ゲート電極は前記チャネル形成領域の上又は下に
あり、前記ゲート電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上にあってもよい。
【選択図】図１３

Description

本発明は、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ 酸化亜鉛）を用いた半導体装置及びその
作製方法に関する。
液晶表示装置やＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ エレクトロルミネ
ッセンス）表示装置の表示パネルに用いられる半導体装置、例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆ
ｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ 薄膜トランジスタ）、の半導体部分は、通常、ａ−Ｓｉ
（アモルファスシリコン）やｐｏｌｙ−Ｓｉ（多結晶シリコン）で形成されている。
Ｓｉ（シリコン）材料は禁制帯幅（バンドギャップ）が１．１ｅＶであり、可視光を
吸収する。この光の照射によってＳｉ中に電子及び正孔（キャリア）が形成される。Ｓｉ
膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いると、オフ状態にあるときでも、光の照射によって
チャネル形成領域にキャリアが生成され、ソース領域とドレイン領域との間に電流が流れ
る。オフ状態のときに流れる電流は「オフリーク電流」と呼ばれ、この値が大きいと、表
示パネルが正常に動作しない。このため、光がＳｉ膜に照射されないように遮光膜を形成
することが行われている。しかし、遮光膜を形成するには、堆積工程やフォトリソグラフ
ィー工程、エッチング工程が必要になるため、工程が煩雑になる。
このような問題を解決するため、バンドギャップが３．４ｅＶとＳｉよりも大きい半
導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いた透明トランジスタが注目されている。このような
透明トランジスタでは、バンドギャップが可視光帯域の光エネルギーよりも大きく、可視
光を吸収しない。したがって光の照射を受けてもオフリーク電流は増大しないという利点
を有している。
ＺｎＯをチャネル形成領域に用いた半導体装置は、例えば、特許文献１に開示されて
いる。図７（Ａ）を参照しながら、ＺｎＯを用いた半導体装置の構成を説明する。
図７（Ａ）の半導体装置は、ガラス基板等の絶縁性基板１０００上に形成されたソー
ス電極１００１およびドレイン電極１００２と、ソース電極１００１及びドレイン電極１
００２に接触するように配置されたＺｎＯ層１００３と、ＺｎＯ層１００３に積層された
ゲート絶縁層１００４、ゲート電極１００５とを備えている。
ソース電極１００１及びドレイン電極１００２にはＩＩＩ族元素（Ｂ（ホウ素）、Ａ
ｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム））、Ｖ
ＩＩ族元素（Ｆ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｂｒ（臭素）、Ｉ（ヨウ素））、Ｉ族元素（
Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（
セシウム））、Ｖ族元素（Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）
、Ｂｉ（ビスマス））のいずれかをドープした導電性ＺｎＯが用いられている。
特開２０００−１５０９００号公報
本発明者の検討によると、図７（Ａ）に示されるトップゲート型半導体装置のソース
電極１００１及びドレイン電極１００２を形成する際のエッチングによって基板１０００
がエッチングされる場合があることがわかった。基板１０００上に酸化珪素膜や酸化窒化
珪素膜からなる下地膜１００６を形成した場合でも、この下地膜がエッチングされて基板
１０００の表面が露出する場合があることがわかった。また図７（Ｂ）に示されるボトム
ゲート型半導体装置においては、ソース電極１００１及びドレイン電極１００２を形成す
る際のエッチングによって酸化珪素膜や酸化窒化珪素膜からなるゲート絶縁膜１００４が
エッチングされることがわかった。
トップゲート型半導体装置において、ガラス基板１０００や酸化珪素膜や酸化窒化珪
素膜からなる下地膜１００６がエッチングされると、基板１０００からナトリウムなどの
不純物が半導体膜１００３に拡散し、特性を劣化させてしまう。
ボトムゲート型半導体装置（図７（Ｂ））において、ソース電極１００１及びドレイ
ン電極１００２の形成の際のエッチングによりゲート絶縁膜１００４がエッチングされて
しまうと、特性が安定せず、不良の原因となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、チャネ
ル形成領域にＺｎＯ半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にｎ型又はｐ型の不純
物を添加したＺｎＯ膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方
法を提供することにある。
本発明の半導体装置は、酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上のＡｌ膜又はＡｌ合金膜と
、前記Ａｌ膜又はＡｌ合金膜上のｎ型又はｐ型の不純物が添加されたＺｎＯ膜とを有する
ことを特徴とする。なお、本明細書においては、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、Ａｌ膜、
Ａｌ合金膜、ＺｎＯ膜はそれぞれ酸化珪素を含む膜、酸化窒化珪素を含む膜、Ａｌを含む
膜、Ａｌ合金を含む膜、ＺｎＯを含む膜を意味するものとする。
本発明の半導体装置は、ゲート電極上の酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜からなるゲー
ト絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のＡｌ膜又はＡｌ合金膜と、前記Ａｌ膜又はＡｌ合金膜
上のｎ型又はｐ型の不純物が添加されたＺｎＯ膜と、前記ｎ型又はｐ型の不純物が添加さ
れたＺｎＯ膜及び前記ゲート絶縁膜上のＺｎＯ半導体膜とを有することを特徴とする。
本発明の半導体装置は、酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上のＡｌ膜又はＡｌ合金膜と
、前記Ａｌ膜又はＡｌ合金膜上のｎ型又はｐ型の不純物が添加されたＺｎＯ膜と、前記酸
化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上及び前記ｎ型又はｐ型の不純物が添加されたＺｎＯ膜上の
ＺｎＯ半導体膜と、前記ＺｎＯ半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲー
ト電極とを有することを特徴とする。
本発明の半導体装置の作製方法は、酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成し、前記酸
化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上にＡｌ膜又はＡｌ合金膜を形成し、前記Ａｌ膜又はＡｌ合
金膜上にｎ型又はｐ型の不純物が添加されたＺｎＯ膜を形成し、前記ｎ型又はｐ型の不純
物が添加されたＺｎＯ膜を第１のエッチングによって島状にし、前記Ａｌ膜又はＡｌ合金
膜を第２のエッチングによって島状にすることを特徴とする。
本発明の半導体装置の作製方法は、前記第２のエッチングをした後、前記ｎ型又はｐ
型の不純物が添加されたＺｎＯ膜及び前記酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上にＺｎＯ半導
体膜を形成することを特徴とする。
ボトムゲート型の半導体装置の場合にはゲート電極を形成した後、前記ゲート電極上
に前記酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜からなるゲート絶縁膜を形成することを特徴とする
。
トップゲート型の半導体装置の場合には前記ＺｎＯ半導体膜を形成した後、ゲート絶
縁膜を形成し、ゲート電極を形成することを特徴とする。
本発明の第１のエッチングはウエットエッチングでもよい。
本発明の第１のエッチングはバッファードフッ酸を用いたウエットエッチングでもよ
い。
本発明の第１のエッチングはドライエッチングでもよい。
本発明の第１のエッチングはＣＨ４（メタン）ガスを用いたドライエッチングでもよ
い。
本発明の第２のエッチングはウエットエッチングでもよい。
本発明の第２のエッチングはフォトレジスト用の現像液を用いたウエットエッチング
でもよい。
本発明の第２のエッチングは有機アルカリ系水溶液を用いたウエットエッチングでも
よい。
本発明の第２のエッチングはＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｎｍｍｏｎｉｕｍ
ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いたウエットエッ
チングでもよい。
また本発明の半導体装置は、ゲート電極上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の
金属材料を有する第１の膜と、前記第１の膜上のｎ型又はｐ型の不純物が添加された透明
半導体材料を有する第２の膜と、前記第２の膜上及び前記ゲート絶縁膜上の透明半導体を
有する第３の膜とを有することを特徴とする。
また本発明の半導体装置は、絶縁膜上の金属材料を有する第１の膜と、前記第１の膜
上のｎ型又はｐ型の不純物が添加された透明半導体材料を有する第２の膜と、前記第１の
膜上及び前記第２の膜上の透明半導体材料を有する第３の半導体膜と、前記第３の膜上の
ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有することを特徴とする。
また本発明の半導体装置の作製方法は、絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に金属材料を
有する第１の膜を形成し、前記第１の膜上にｎ型又はｐ型の不純物が添加された透明半導
体材料を有する第２の膜を形成し、前記第２の膜を第１のエッチングによって島状にし、
前記第１の膜を第２のエッチングによって島状にすることを特徴とする。
また本発明の半導体装置の作製方法は、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲ
ート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に金属材料を有する第１の膜を形成し、前記１
の膜上にｎ型又はｐ型の不純物が添加された透明半導体材料を有する第２の膜を形成し、
前記第２の膜を第１のエッチングによって島状にし、前記第１の膜を第２のエッチングに
よって島状にすることを特徴とする。
トップゲート型半導体装置においては、ガラス基板や酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜
からなる下地膜がエッチングされず、基板からナトリウムなどの不純物が半導体膜に拡散
し、特性を劣化させることがない。
ボトムゲート型半導体装置においては、ゲート絶縁膜がエッチングされず、特性が不
安定になることがない。
ソース電極及びドレイン電極の一部にＡｌを用いているので配線の低抵抗化を図るこ
とができる。
本発明に係る半導体装置を説明する図。 本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。 本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。 本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。 本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。 本発明に係る半導体装置の作製工程を説明する図。 従来例を説明する図。 液晶表示装置の作製工程を説明する図。 液晶表示装置の作製工程を説明する図。 発光装置の作製工程を説明する図。 発光装置の作製工程を説明する図。 発光装置の等価回路図。 発光装置の等価回路図。 発光装置の画素部の上面図と等価回路図。 本発明が適用される電子機器の例を示す図。 本発明が適用される電子機器の例を示す図。
以下、発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。但し
、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲か
ら逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理
解される。従って、本発明は本実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施形態１）
ここではボトムゲート型の半導体装置について説明する。
図１（Ａ）は、本発明の実施形態の一例を示した断面図である。図１（Ａ）において
、１は基板、３はゲート電極、５はゲート絶縁膜、１０はソース電極、１０ａは第１の導
電膜、１０ｂは第２の導電膜、１１はドレイン電極、１１ａは第１の導電膜、１１ｂは第
２の導電膜、１３は半導体膜を示している。半導体膜１３上にパッシベーション用の絶縁
膜や平坦化用の絶縁膜を形成してもよい。
基板１上にゲート電極３が形成され、ゲート電極３上にゲート絶縁膜５が形成され、
ゲート絶縁膜５上にソース電極１０、ドレイン電極１１が形成されている。ソース電極１
０は第１の導電膜１０ａ及び第２の導電膜１０ｂの積層膜によって形成され、ドレイン電
極１１は第１の導電膜１１ａ及び第２の導電膜１１ｂの積層膜によって形成されている。
第１の導電膜１０ａと第２の導電膜１０ｂとの間や、第１の導電膜１１ａと第２の導電膜
１１ｂとの間に第３の導電膜が形成されていてもよい。ソース電極１０とドレイン電極１
１はそれぞれゲート絶縁膜５を介してゲート電極３と一部重なるように形成されていても
よい。ゲート絶縁膜５上であってソース電極１０とドレイン電極１１上に半導体膜１３が
形成される構成になっている。
以下、各構成について説明する。
（１）基板
ガラス基板、アルミナなど絶縁物質で形成される基板、後工程の処理温度に耐え得る
耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。基板１にプラスチック基板を
用いる場合、ＰＣ（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ ポリカーボネート）、ＰＥＳ（Ｐｏｌ
ｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌ
ｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（
Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ ポリエチレンナフタレート）等を
用いることができる。プラスチック基板の場合は、表面にガスバリア層として無機層また
は有機層を設けてもよい。プラスチック基板の作製時のゴミ等によって基板に突起が発生
している場合は、ＣＭＰなどを用いて基板を研磨し、基板の表面を平坦化させた後に使用
してもよい。基板１の上には酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪
素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）など、基板側
から不純物などの拡散を防止するための絶縁膜を形成しておいてもよい。
（２）ゲート電極
Ａｌ（アルミニウム）膜、Ｗ（タングステン）膜、Ｍｏ（モリブデン）膜、Ｔａ（タ
ンタル）膜、Ｃｕ（銅）膜、Ｔｉ（チタン）膜、または前記元素を主成分とする合金材料
（例えばＡｌ合金膜、ＭｏＷ（モリブデンタングステン）合金膜）などを用いることがで
きる。Ｐ（リン）等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体
膜を用いてもよい。またゲート電極３は単層であっても２層以上積層させたものであって
もよい。
（３）ゲート絶縁膜
ゲート絶縁膜５は珪素を主成分とする絶縁膜、例えば酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜で
形成される。また単層であっても積層膜であってもよい。
（４）ソース電極、ドレイン電極
ソース電極１０は第１の導電膜１０ａ及び第２の導電膜１０ｂの積層膜によって形成
され、ドレイン電極１１は第１の導電膜１１ａ及び第２の導電膜１１ｂの積層膜によって
形成されている。
第１の導電膜としてはＡｌ膜、ＡｌＮｉ（アルミニウムニッケル）膜やＡｌＮｄ（ア
ルミニウムネオジム）膜等のＡｌ合金膜を用いることができる。第２の導電膜としてはＢ
（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐ（リン）、Ａｓ（砒素）など
のｐ型又はｎ型の不純物が添加されたＺｎＯ（酸化亜鉛）を用いることができる。第１の
導電膜と第２の導電膜の間に第３の導電膜としてＴｉ膜などの金属膜を設けてもよい。
（５）半導体膜
半導体膜としてはＺｎＯ膜を用いる。半導体膜と接するソース電極、ドレイン電極が
ｐ型又はｎ型の不純物が添加されたＺｎＯ膜を有しているので半導体膜と容易に電気的に
接続させることができる。
（６）絶縁膜
図示しないが、半導体膜１３上にはパッシベーション膜、平坦化膜などの絶縁膜を形
成してもよい。酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘ
Ｎｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ−ｏｎ
−ｇｌａｓｓ）膜、アクリルなどの有機樹脂膜またはこれらの積層膜を用いることができ
る。
上記のようなボトムゲート型半導体装置はその作製時にゲート絶縁膜がエッチングさ
れず、特性が不安定になることがない。ソース電極及びドレイン電極の一部にＡｌを用い
ているため、配線の低抵抗化を図ることができる。
（実施形態２）
ここではトップゲート型の半導体装置について説明する。
図１（Ｂ）は、本発明の実施形態の一例を示した断面図である。図１（Ｂ）において
、１は基板、２０は絶縁膜、２５はソース電極、２５ａは第１の導電膜、２５ｂは第２の
導電膜、２６はドレイン電極、２６ａは第１の導電膜、２６ｂは第２の導電膜、２７は半
導体膜、２８はゲート絶縁膜、２９はゲート電極を示している。ゲート電極上にパッシベ
ーション用の絶縁膜や平坦化用の絶縁膜を形成してもよい。
基板１上に絶縁膜２０が形成され、絶縁膜２０上にソース電極２５、ドレイン電極２
６が形成されている。ソース電極２５は第１の導電膜２５ａ及び第２の導電膜２５ｂの積
層膜によって形成され、ドレイン電極２６は第１の導電膜２６ａ及び第２の導電膜２６ｂ
の積層膜によって形成されている。第１の導電膜２５ａと第２の導電膜２５ｂとの間、第
１の導電膜２６ａと第２の導電膜２６ｂとの間に第３の導電膜が形成されていてもよい。
絶縁膜２０上であって、ソース電極２５とドレイン電極２６上に半導体膜２７が形成され
、半導体膜２７上にゲート絶縁膜２８が形成され、ゲート絶縁膜２８上にゲート電極２９
が形成されている。ゲート電極２９はゲート絶縁膜２８、半導体膜２７を介してソース電
極２５とドレイン電極２６のそれぞれと一部重なるように形成してもよい。
以下、各構成について説明する。
基板、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜、ゲート電極は実施形態１において説明
したものを用いることができる。
（１）基板上の絶縁膜
基板１の上には基板側から不純物などの拡散を防止するための絶縁膜２０として酸化
珪素膜や酸化窒化珪素膜を形成する。また単層であっても積層膜であってもよい。
（２）ゲート絶縁膜
ゲート絶縁膜２８は珪素を主成分とする絶縁膜、例えば酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜
、窒化酸化珪素膜、窒化珪素膜で形成される。また単層であっても積層膜であってもよい
。
（３）ゲート電極上の絶縁膜
図示しないが、ゲート電極２９上にはパッシベーション膜、平坦化膜などの層間絶縁
膜を形成してもよい。ＳｉＯｘ膜、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＮＯ膜、ＳＯＧ（ｓｐ
ｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）膜、アクリルなどの有機樹脂膜またはこれらの積層膜を用いる
ことができる。
上記のようなトップゲート型半導体装置においては、その作製時に基板や酸化珪素膜
又は酸化窒化珪素膜からなる下地膜がエッチングされず、基板からナトリウムなどの不純
物が半導体膜に拡散し、特性を劣化させることがない。ソース電極及びドレイン電極の一
部にＡｌを用いているため、配線の低抵抗化を図ることができる。
（実施形態３）
ここではボトムゲート型の半導体装置において、ゲート電極上にゲート絶縁膜として
酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成し、第１の導電膜としてＡｌ膜又はＡｌ合金膜を形
成し、第２の導電膜としてｎ型又はｐ型の不純物が添加されたＺｎＯ膜を形成した後に、
前記第２の導電膜を第１のエッチングによって島状にし、前記第１の導電膜を第２のエッ
チングによって島状にしてソース電極及びドレイン電極を形成し、ＺｎＯ半導体膜を形成
する方法について説明する。
図２（Ａ）に示すように、基板１上にゲート電極３を１０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで
形成する。基板１としては実施形態１に示したものを用いる。ここではガラス基板を用い
る。
基板１の上には酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（Ｓｉ
ＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）など、基板側から不純
物などの拡散を防止するための絶縁膜２をＣＶＤ法やスパッタ法により１０ｎｍ〜２００
ｎｍの厚さで形成しておいてもよい（図２（Ｂ））。
絶縁膜２は基板１の表面を高密度プラズマによって処理することによって形成しても
よい。高密度プラズマは例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いることによって生成さ
れ、電子密度が１×１０１１〜１×１０１３／ｃｍ３かつ電子温度が２ｅＶ以下のもので
あればよい。このような高密度プラズマは活性種の運動エネルギーが低く、従来のプラズ
マ処理と比較してプラズマによるダメージが少なく、欠陥の少ない膜を形成することがで
きる。
窒化性雰囲気、例えば窒素と希ガスを含む雰囲気下、または窒素と水素と希ガスを含
む雰囲気下、またはアンモニアと希ガスを含む雰囲気下において、上記高密度プラズマ処
理を行うことによって基板１の表面を窒化することができる。基板１としてガラス基板な
どを用いた場合、上記高密度プラズマによる窒化処理を行った場合、基板１表面に形成さ
れる窒化膜は窒化珪素が主成分である絶縁膜２を形成することができる。この窒化膜の上
に酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により形成して複数層よりなる絶
縁膜２としてもよい。
また絶縁膜２の表面に同様に高密度プラズマによる窒化処理を行うことによって、そ
の表面に窒化膜を形成することができる。
高密度プラズマによる窒化処理によって形成された窒化膜は基板１からの不純物の拡
散を抑制することができる。
ゲート電極３としては実施形態１に示したものを用いることができる。ここではＡｌ
Ｎｄ（アルミニウムネオジム）膜を、ＡｌＮｄターゲットを用いてスパッタ法により成膜
し、島状に加工する。島状に加工するにはフォトリソグラフィー法を用い、ドライエッチ
ングやウエットエッチング方法を用いる。
ゲート電極３の表面及び、基板１又は絶縁膜２の表面を洗浄した後、ゲート電極３上
にゲート絶縁膜５を、公知のＣＶＤ法又はスパッタ法を用いて１０ｎｍ〜２００ｎｍの厚
さで形成する（図２（Ａ）、（Ｂ））。これら表面洗浄工程とゲート絶縁膜５の形成工程
とは、大気にふれさせずに連続的に行ってもよい。ゲート電極３にＡｌ膜を用いた場合に
はゲート絶縁膜５を高温で形成すると、ヒロックが発生することがあるため、５００℃以
下、好ましくは３５０℃以下の低温で形成することが望ましい。
ゲート絶縁膜５は実施形態１に示したものを用いることができる。ここでは酸化珪素
膜を形成する。なお、以下の図面において絶縁膜２は省略する。
ゲート絶縁膜５上にソース電極及びドレイン電極用の第１の導電膜６を膜厚１０ｎｍ
〜２００ｎｍで形成する。第１の導電膜６としては実施形態１に示したものを用いること
ができる。ここではＡｌＮｉ（アルミニウムニッケル）膜又はＡｌＮｄ膜を用いる。第１
の導電膜６はスパッタ法により形成でき、ＡｌＮｉターゲット又はＡｌＮｄターゲットを
用いてスパッタ法により形成することができる。またゲート絶縁膜５を形成した後、大気
にさらすことなく、連続して第１の導電膜６を形成してもよい。
第１の導電膜６上に第２の導電膜７を膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍで形成する（図２（
Ｃ））。第２の導電膜７としては実施形態１に示したものを用いることができる。ここで
はＡｌ又はＧａの不純物が添加されたＺｎＯ（酸化亜鉛）を用いる。これによって後に形
成される半導体層であるＺｎＯ膜と容易にオーミック接続させることができる。第２の導
電膜７はスパッタ法等により形成できる。例えばＡｌやＧａを添加するには、ＡｌやＧａ
が１〜１０重量％添加されたＺｎＯターゲットを用いてスパッタする方法や、ＺｎＯター
ゲットにＡｌやＧａのチップを載せて２００〜３００℃でスパッタする方法によって形成
することができる。
第１の導電膜６を形成した後、大気にさらすことなく、連続して第２の導電膜７を形
成してもよい。したがってゲート絶縁膜５から第２の導電膜７までは大気にさらすことな
く、連続形成してもよい。
第１の導電膜６と第２の導電膜７の間に第３の導電膜８を膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍ
で設けてもよい（図２（Ｄ））。作製工程における熱処理温度によって、第１の導電膜６
と第２の導電膜７との間のコンタクト抵抗が上昇する場合がある。しかし、第３の導電膜
８を形成することによって第１の導電膜６と第２の導電膜７との間のコンタクト抵抗を低
くすることができる。第３の導電膜８はＴｉ膜などの金属膜を用いることができ、スパッ
タ法等により形成することができる。
第２の導電膜７上にレジストマスク９を形成して第２の導電膜７をエッチングする（
図３（Ａ）、（Ｂ））。ウエットエッチング方法を用いる場合には、バッファードフッ酸
（ＨＦ（フッ化水素酸）とＮＨ４Ｆ（フッ化アンモニウム）とを混合したもの）、例えば
ＨＦ：ＮＨ４Ｆ（重量比）＝１：１００〜１：１０の溶液を用いることができる。
ドライエッチング方法を用いる場合には、ＣＨ４ガスによる異方性プラズマエッチン
グを用いることができる。
第２の導電膜７の下には、第１の導電膜６が形成されている。したがって第２の導電
膜７をエッチングする際に、第１の導電膜６がエッチングストッパーとなる。これにより
ゲート絶縁膜５をエッチングしてダメージを与えることなく、ソース電極及びドレイン電
極を形成することができる。
また第２の導電膜７をエッチングするときに第１の導電膜６の一部をエッチングして
もよい。ただし第１の導電膜６をすべてエッチングしてしまうと、ゲート絶縁膜にダメー
ジを与えることになるため注意を要することは言うまでもない。
次にレジストマスク９を用いて第１の導電膜６をエッチングしてソース電極１０及び
ドレイン電極１１を形成する（図３（Ｃ））。本発明ではフォトレジスト用の現像液、Ｔ
ＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｎｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド）に代表される有機アルカリ系水溶液を用いて第１の導電膜
６をエッチングする。
例えば第１の導電膜６にＡｌＮｉ膜を用い、エッチング液にＴＭＡＨを用いた場合、
エッチング速度は３０℃で約３００ｎｍ／ｍｉｎである。一方、上述した材料を用いた第
２の導電膜７やゲート絶縁膜５はＴＭＡＨによってエッチングされることはない。これに
よりゲート絶縁膜５にダメージを与えることなく、ソース電極１０及びドレイン電極１１
を形成することができる。また島状の第２の導電膜１０ｂ、１１ｂのサイズを縮小するこ
ともない。本発明では第１の導電膜６用に特殊なエッチング液を用いずにレジストマスク
を形成する際の現像液を用いてエッチングすることができる。したがって低コスト化、高
効率化につながる。
ソース電極１０及びドレイン電極１１を形成した後、レジストマスク９を除去する。
ソース電極１０、ドレイン電極１１及びゲート絶縁膜５上に半導体膜１２としてＺｎ
Ｏ膜をスパッタ法にて膜厚２０ｎｍ〜２００ｎｍで形成する（図３（Ｄ））。例えばＺｎ
Ｏターゲットを用い、酸素／アルゴンの流量比を３０〜２０にし、２００〜３００℃でス
パッタすることによって形成できる。
半導体膜１２を、フォトリソグラフィー法を用いてエッチングして島状の半導体膜１
３にする（図４（Ａ））。エッチングにはバッファードフッ酸を用いたウエットエッチン
グ方法やＣＨ４ガスを用いた異方性ドライエッチング法を用いることができる。
半導体膜１２と第２の導電膜１０ｂ、１１ｂとはＺｎＯを用いている点で共通してお
り、十分なエッチング選択比を得ることは困難である。しかし第２の導電膜７は半導体膜
１２と接する部分に形成されていればよいため、半導体膜１２と接しない部分、例えば配
線部分については第２の導電膜７がエッチングされてもよい。上記したエッチング方法で
は、第２の導電膜１０ｂ、１１ｂがエッチングされても第１の導電膜１０ａ、１１ａはエ
ッチングされることはない。したがって第１の導電膜１０ａ、１１ａが配線となり、半導
体装置との電気的接続は確保される。
半導体膜１３上に絶縁膜１４をＣＶＤ法やスパッタ法により膜厚５０ｎｍ〜１μｍで
形成する（図４（Ｂ））。絶縁膜１４には珪素を主成分とする絶縁膜を用いることができ
る。珪素を含む絶縁膜の上に有機樹脂膜等を積層してもよい。絶縁膜１４は平坦膜やパッ
シベーション膜として機能する。ソース電極１０、ドレイン電極１１にはＡｌが含まれて
いるため絶縁膜１４を高温で形成すると、ヒロックが発生することがあるため、５００℃
以下、好ましくは３５０℃以下の低温で形成することが望ましい。
絶縁膜１４にコンタクトホール形成して、ゲート電極３、ソース電極１０、ドレイン
電極１１とコンタクトする導電膜を必要に応じて設ける。
このように本発明によって、ゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、半導体装置
を形成することが可能である。第１の導電膜としてＡｌＮｉ膜等のＡｌ合金膜を用いてい
るので、配線の低抵抗化を図ることができる。
（実施形態４）
ここではトップゲート型の半導体装置において、酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に
第１の導電膜としてＡｌ膜又はＡｌ合金膜を形成し、第２の導電膜としてｎ型又はｐ型の
不純物が添加されたＺｎＯ膜を形成した後に、第２の導電膜を第１のエッチングによって
島状にし、第１の導電膜を第２のエッチングによって島状にしてソース電極及びドレイン
電極を形成し、ＺｎＯ半導体膜を形成し、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極を形成する
方法について説明する。なお本実施形態に用いる材料、作製に用いる方法は実施形態１〜
３に記載したものを用いることができることはいうまでもない。
まず図５（Ａ）に示すように、基板１上に絶縁膜２０として酸化珪素膜（ＳｉＯｘ）
をＣＶＤ法やスパッタ法により１０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成する。絶縁膜２０は基
板１側から不純物などの拡散を防止する。
絶縁膜２０上にソース電極及びドレイン電極用の第１の導電膜２１をスパッタ法又は
蒸着法により１０ｎｍ〜２００ｎｍ形成する。第１の導電膜２１としては実施形態１に示
したもの、ＡｌＮｉ（アルミニウムニッケル）膜等のＡｌ合金膜を用いることができる。
また絶縁膜２０を形成した後、大気にさらすことなく、連続して第１の導電膜２１を形成
してもよい。
第１の導電膜２１上に第２の導電膜２２をスパッタ法により膜厚１０ｎｍ〜２００ｎ
ｍで形成する（図５（Ａ））。第２の導電膜２２としてはＢ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニ
ウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐ（リン）、Ａｓ（砒素）などのｐ型又はｎ型の不純物が添
加されたＺｎＯ（酸化亜鉛）を用いることができる。また第１の導電膜２１を形成した後
、大気にさらすことなく、連続して第２の導電膜２２を形成してもよい。したがって絶縁
膜２０から第２の導電膜２２までは大気にさらすことなく、連続形成してもよい。
第１の導電膜２１と第２の導電膜２２との間のコンタクト抵抗を低くするために、第
１の導電膜２１と第２の導電膜２２の間に、第３の導電膜２３としてＴｉ膜などの金属膜
をスパッタ法により１０ｎｍ〜２００ｎｍ設けてもよい（図５（Ｂ））。
第２の導電膜２２上にレジストマスク２４を形成して第２の導電膜２２をエッチング
する（図５（Ｃ））。エッチング方法はバッファードフッ酸を用いたウエットエッチング
又はＣＨ４ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。
第２の導電膜２２の下には、第１の導電膜２１が形成されている。したがって第２の
導電膜２２をエッチングする際に、第１の導電膜２１がエッチングストッパーとなる。こ
れにより、絶縁膜２０をエッチングして基板１を露出させることなく、ソース電極及びド
レイン電極を形成することができる。
また第２の導電膜２２をエッチングするときに第１の導電膜２１の一部をエッチング
してもよい。ただし第１の導電膜２１のすべてエッチングしてしまうと、絶縁膜２０をエ
ッチングして基板１が露出して基板１に含まれる不純物が拡散する可能性があるため注意
を要する。
第１の導電膜２１をエッチングしてソース電極２５及びドレイン電極２６を形成する
（図５（Ｄ））。エッチング方法としてはフォトレジスト用の現像液、ＴＭＡＨを用いた
ウエットエッチングを用いる。これにより絶縁膜２０をエッチングすることなく、ソース
電極２５及びドレイン電極２６を形成することができる。またＺｎＯ膜はＴＭＡＨによっ
てエッチングされないため、島状の第２の導電膜２５ｂ、２６ｂのサイズを縮小すること
もない。本発明では第１の導電膜２１用に特殊なエッチング液を用いずにレジストマスク
を形成する際の現像液を用いてエッチングすることができる。したがって低コスト化、高
効率化につながる。
ソース電極２５及びドレイン電極２６を形成した後、レジストマスク２４を除去する
。
ソース電極２５、ドレイン電極２６、絶縁膜２０上に半導体膜２７としてＺｎＯ膜を
スパッタ法にて膜厚２０ｎｍ〜２００ｎｍで形成する（図６（Ａ））。
半導体膜２７を、フォトリソグラフィー法を用いてエッチングして島状の半導体膜２
７にする。エッチングにはバッファードフッ酸を用いたウエットエッチング方法やＣＨ４
ガスを用いたドライエッチング法を用いることができる。
半導体膜２７と第２の導電膜２５ｂ、２６ｂとはＺｎＯを用いている点で共通してお
り、十分なエッチング選択比を得ることは困難である。しかし第２の導電膜２２はソース
電極及びドレイン電極部に形成されていればよいため、半導体膜２７と接しない部分、特
に配線部分については第２の導電膜がエッチングされてもよいことは実施形態３と同様で
ある。
半導体膜２７上にゲート絶縁膜２８を、ＣＶＤ法やスパッタ法を用いて１０ｎｍ〜２
００ｎｍの厚さで形成する（図６（Ｂ））。半導体膜２７に上記実施形態で記載した高密
度プラズマ処理を行ってゲート絶縁膜を形成してもよい。例えば窒化性雰囲気、例えば窒
素と希ガスを含む雰囲気下、または窒素と水素と希ガスを含む雰囲気下、またはアンモニ
アと希ガスを含む雰囲気下において、上記高密度プラズマ処理を行うことによって半導体
膜２７の表面を窒化することができる。
ゲート絶縁膜２８は珪素を主成分とする絶縁膜、例えば酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜
、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜などで形成してもよい。また単層であっても積層膜であっ
てもよい。
ゲート絶縁膜２８上にゲート電極２９を形成する（図６（Ｂ））。ゲート電極２９と
しては上記実施形態に示した材料を用いることができ、単層であっても２層以上積層させ
たものであってもよい。膜形成方法には公知のＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等を用いる
ことができる。また島状に加工するにはフォトリソグラフィー法を用い、ドライエッチン
グやウエットエッチング方法を用いることができる。
ゲート電極２９及びゲート絶縁膜２８上に絶縁膜３０をＣＶＤ法やスパッタ法により
５０ｎｍ〜１μｍ形成する（図６（Ｃ））。絶縁膜３０は珪素を含む絶縁膜を用いること
ができる。珪素を含む絶縁膜の上に有機樹脂膜等を積層してもよい。絶縁膜３０は平坦化
膜やパッシベーション膜として機能する。ソース電極２５、ドレイン電極２６はＡｌを含
んでいるためゲート絶縁膜２８、ゲート電極２９、絶縁膜３０を高温で形成すると、ヒロ
ックが発生することがあるため、５００℃以下、好ましくは３５０℃以下の低温で形成す
ることが望ましい。
このように本発明によって、基板１が露出することによる不純物の拡散を防止できる
。第１の導電膜としてＡｌＮｉ膜等のＡｌ合金膜を用いているので、配線の低抵抗化を図
ることができる。
（実施形態５）
ここでは実施形態１、３で示したボトムゲート型の半導体装置を用いて液晶表示装置
を作製する形態について図８、９を用いて説明する。なお実施形態２、４で示したトップ
ゲート型の半導体装置を適用できることは言うまでもない。図８（Ａ）、図９（Ａ）は図
８（Ｂ）におけるＸ−Ｙの断面図を示す。
ガラス基板又はプラスチック基板１上にゲート配線４０及び補助容量配線４１を形成
する。スパッタ法にてＡｌＮｄ膜を成膜し、その後公知のフォトリソグラフィー法及びエ
ッチング方法を用いて形成する。
ＣＶＤ法又はスパッタ法にて酸化珪素膜又は酸化窒素珪素膜からなるゲート絶縁膜４
２を形成する。
ゲート絶縁膜４２上に第１の導電膜としてスパッタ法にてＡｌＮｉ膜を成膜する。第
１の導電膜は後にソース電極４５ａ、ドレイン電極４６ａ及びソース配線４７を形成する
。
第１の導電膜上に第２の導電膜としてＡｌが添加されたＺｎＯ（酸化亜鉛）をスパッ
タ法にて成膜する。第２の導電膜は後にソース電極４５ｂ、ドレイン電極４６ｂ及びソー
ス配線４７を形成する。
第２の導電膜上であって、後にソース電極部、ドレイン電極部、ソース配線部となる
領域にレジストマスクを形成する（図示しない）。そして第２の導電膜をエッチングして
ソース電極４５ｂ、ドレイン電極４６ｂ及びソース配線４７を形成する。ここではバッフ
ァードフッ酸、ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝１：１００（重量比）の溶液を用いてエッチングする。
次に第１の導電膜を、ＴＭＡＨ溶液を用いてエッチングしてソース電極４５ａ、ドレ
イン電極４６ａ、ソース配線４７を形成する。その後レジストマスクを除去する。これに
よりゲート絶縁膜４２にダメージを与えることなく、ソース電極４５、ドレイン電極４６
及びソース配線４７を形成することができる。またＺｎＯ膜はＴＭＡＨによってエッチン
グされないため、島状の第２の導電膜のサイズを縮小することもない。また第１の導電膜
にＡｌＮｉ膜を用いているのでソース配線の低抵抗化を図ることができる。
次に半導体膜４８を形成する。スパッタ法にてＺｎＯ膜を成膜し、その後フォトリソ
グラフィー法及びエッチング方法を用いてＺｎＯ膜から成る半導体膜４８を形成する。エ
ッチングにはバッファードフッ酸を用いたウエットエッチングを用いる。このとき半導体
膜４８と接しない部分の第２の導電膜は一部除去されてもよい。配線となる部分には第１
の導電膜が形成されているからである。
半導体膜４８上に絶縁膜４９をＣＶＤ法、スパッタ法、塗布法等により形成する。絶
縁膜４９は珪素を含む絶縁膜及び有機樹脂膜等の積層膜を用いることができる。絶縁膜４
９は表面の凹凸を平坦化する膜であればよい。
絶縁膜４９にフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてドレイン電極４６へ
のコンタクトホール及び補助容量用のコンタクトホールを形成する。
透明導電膜をスパッタ法にて成膜し、その後フォトリソグラフィー法及びエッチング
方法を用いて画素電極５０を形成する。例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ、インジウム錫酸化物）、ＩＴＳＯ（酸化珪素を含むインジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ 酸化インジウム酸化亜鉛）を用いればよい。
反射型液晶表示装置の場合には透明電極でなく、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅
）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の光反射性を有する金属材料を形成す
る。
画素電極５０と補助容量配線４１との重なった部分は、画素電極５０、ゲート絶縁膜
４２及び補助容量配線４１によって補助容量１００を形成する（図８（Ａ）（Ｂ））。
配線や電極において、屈曲部や配線幅が変化する部位の角部をなめらかにして、丸み
を付けてもよい。フォトマスクのパターンを用いてマスクパターンを作製し、当該マスク
パターンを用いて形成することにより、角部を面取した形状にすることができる。これに
より以下の効果がある。凸部を面取りすることによって、プラズマを用いたドライエッチ
ングを行う際、異常放電による微粉の発生を抑えることができる。また、凹部を面取りす
ることによって、微粉が発生した場合でも、洗浄のときに当該微粉が角に集まるのを防止
し、当該微粉を洗い流すことができる。こうして、製造工程における塵や微粉の問題を解
消し、歩留まりを向上させることができる。
画素電極５０を覆うように配向膜５１を形成する。配向膜は液滴吐出法や印刷法等に
よって形成する。配向膜を形成した後、ラビング処理を行う。
対向基板５６には、着色層及び遮光層（ブラックマトリクス）によってカラーフィル
ター５５を形成し、保護絶縁膜５４を形成する。保護絶縁膜５４上に透明電極５７を形成
し、配向膜５３を形成する（図９（Ａ））。配向膜にはラビング処理を行う。
次いでシール材の閉パターン７５を形成する（図９（Ｂ））。液滴吐出法等により形
成することができる。このシール材で囲まれた領域に液晶組成物５２が充填される（図９
（Ａ））。
この閉パターン７５内に液晶組成物５２を滴下してから、対向基板５６と半導体装置
が形成された基板１を貼り合わせる。液晶組成物５２を充填する際には開口部を有するシ
ールパターンを基板１に設け、対向基板５６と基板１とを貼り合わせた後に毛細管現象を
用いて液晶を注入してもよい。
液晶組成物５２の配向モードとしては、液晶分子の配列が光の入射側から射出側に向
かって９０°ツイスト配向したＴＮモード、ＦＬＣモード、ＩＰＳモード、ＶＡモードな
どを用いることができる。ただしＩＰＳモードの場合には電極パターンが図８（Ｂ）に示
したものと異なり、櫛歯状になる。
偏光板は半導体装置が形成されている基板１と対向基板５６の両方に貼り付ける。ま
た必要に応じて光学フィルムを貼り付けることができる。
半導体装置が形成されている基板１と対向基板５６との基板間隔は、球状のスペーサ
を散布する、樹脂からなる柱状のスペーサを形成する、シール材にフィラーを含ませるこ
となどによって維持すればよい。上記柱状のスペーサは、アクリル、ポリイミド、ポリイ
ミドアミド、エポキシの少なくとも１つを主成分とする有機樹脂材料、もしくは酸化珪素
、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素のいずれか一種の材料、或いはこれらの積層膜からなる
無機材料を用いることができる。
そして、異方性導電体層を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐ
ｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を貼りつける。
周辺駆動回路を基板上に形成してもよい。平面模式図を図９（Ｂ）に示す。
ガラス等の基板６１上にゲート配線駆動回路６２、ソース配線駆動回路６３、アクテ
ィブマトリクス部６４が形成されている。ゲート配線駆動回路６２は、少なくともシフト
レジスタ６２ａ及びバッファ６２ｂから構成される。ソース配線駆動回路６３は、少なく
ともシフトレジスタ６３ａと、バッファ６３ｂと、ビデオライン６８を通じて送られる信
号のサンプリングを行うアナログスイッチ６９とから構成される。アクティブマトリクス
部６４には、ゲート配線駆動回路６２から延びる複数の平行するゲート配線７２が配され
ている。ソース配線駆動回路６３からは複数のソース配線７１がゲート配線７２に直交し
て配設されている。また、ゲート配線７２に平行して補助容量配線７３が配設されている
。そして、ゲート配線７２、ソース配線７１及び補助容量配線７３に囲まれた領域には、
半導体装置６５、液晶部６６、及び補助容量６７が設けられている。
ゲート配線駆動回路６２、ソース配線駆動回路６３、アナログスイッチ６９にはそれ
ぞれ半導体装置６５と同じ作製方法によって同様の構造の半導体装置が形成されている。
半導体装置６５のゲート電極は、ゲート配線７２に接続され、ソース電極はソース配
線７１に接続されている。半導体装置６５のドレイン電極に接続された画素電極と、対向
基板上の対向電極との間に液晶が封入され、液晶部６６が構成されている。また補助容量
配線７３は対向電極と同じ電位の電極に接続されている。
上記した液晶表示装置はゲート絶縁膜がエッチングされず、特性が不安定になること
がなく信頼性が高い。またトップゲート型半導体装置を用いた場合にはガラス基板や酸化
珪素膜や酸化窒化珪素膜からなる下地膜がエッチングされないため、基板からナトリウム
などの不純物が半導体膜に拡散し、特性を劣化させることがなく信頼性が高い。
ソース電極及びドレイン電極の一部にＡｌを用いているため、配線の低抵抗化を図る
ことができる。
（実施形態６）
ここでは実施形態１、３で示したボトムゲート型の半導体装置を用いて発光装置を作
製する形態について図１０、１１を用いて説明する。なお実施形態２、４の半導体装置を
適用できることは言うまでもない。
上記実施形態の記載に基づいて半導体装置を作製し、図１０（Ａ）の形成までを行う
。上記実施形態と同じものは同じ符号で表す。
画素電極５０はＥＬ表示装置において、陽極又は陰極として機能する。画素電極５０
の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、
コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃ
ｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、チタン（
Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はアルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミ
ニウム−チタン（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等の
合金、または窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属材料の窒化物、ＩＴＯ、ケイ素を含有するＩ
ＴＯ、ＩＺＯ等の金属化合物などを形成することができる。
ＥＬ層からの発光を取り出す方の電極は透明性を有する導電膜により形成すれば良く
、ＩＴＯ、ケイ素を含有するＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属化合物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の
極薄膜を用いても良い。
画素電極５０と対向する電極の方から発光を取り出す場合、画素電極５０は反射率の
高い材料（Ａｌ、Ａｇ等）を用いることができる。本実施形態ではＩＴＳＯ（ケイ素を含
むＩＴＯ）を画素電極５０として用いる（図１０（Ａ））。
次に絶縁膜４９及び画素電極５０を覆って有機材料もしくは無機材料からなる絶縁膜
を形成する。続いて当該絶縁膜を画素電極５０の一部が露出するように加工し、隔壁８１
を形成する。隔壁８１の材料としては、感光性を有する有機材料（アクリル、ポリイミド
など）が好適に用いられるが、感光性を有さない有機材料や無機材料で形成してもかまわ
ない。また、隔壁８１の材料にチタンブラックやカーボンナイトライドなどの黒色顔料や
染料を分散剤などを用いて分散し、隔壁８１を黒くすることでブラックマトリクスとして
用いても良い。隔壁８１は、テーパー形状を示し、画素電極に向かう隔壁８１の端面８１
ａは曲率を有し、当該曲率が連続的に変化していることが望ましい（図１０（Ｂ））。
次に、発光物質を含む層８２を形成し、続いて発光物質を含む層８２を覆う対向電極
８３を形成する。これによって画素電極５０と対向電極８３との間に発光物質を含む層８
２を挟んでなる発光素子を作製することができ、画素電極５０と対向電極８３の間に電圧
を印加することによって発光を得ることができる。
対向電極８３の形成に用いられる電極材料としては画素電極に用いることのできる材
料と同様の材料を用いることができる。本実施形態ではアルミニウムを第２の電極として
用いる。
発光物質を含む層８２は、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、ディップコ
ート法、ロールツーロール法、スパッタ法などによって形成される。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合、発光物質を含む層８２は正孔輸送、
正孔注入、電子輸送、電子注入、発光など各機能を有する層の積層であっても良いし、発
光層単層であっても良い。発光物質を含む層としては、単層の有機化合物層もしくは積層
の有機化合物層を用いることができる。
正孔注入層は陽極と正孔輸送層の間に設けられる。正孔注入層としては有機化合物と
金属酸化物の混合層を用いることができる。これによって画素電極５０の表面に形成され
た凹凸や電極表面に残った異物の影響で画素電極５０と対向電極８３がショート（短絡）
することを防ぐことができる。混合層の膜厚は６０ｎｍ以上あることが望ましい。また、
１２０ｎｍ以上であるとなお良い。厚膜化しても発光素子の駆動電圧の上昇を招かないた
め、凹凸や異物の影響を充分にカバーできる膜厚を選ぶことができる。したがって本発明
によって作製された発光装置は暗点を発生させることがない。また駆動電圧や消費電力の
増加を招くことがない。
金属酸化物としては、遷移金属の酸化物や窒化物が望ましく、具体的には、酸化ジル
コニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、
酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化チタン、酸化マンガン、酸化レニウムが好適で
ある。
有機化合物としては４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］
ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェ
ニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ
−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡ
ＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ
−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ
（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス
（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）等のアリールアミノ基を有
する有機材料や、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰ
ｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等も用いることができる。
正孔輸送層は陽極と発光層との間、正孔注入層が設けられる場合には正孔注入層と発
光層との間に設けられる。正孔輸送層はホールを輸送する機能に優れた層、例えばＮＰＢ
やＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン（即ち、ベンゼン環
−窒素の結合を有する）の化合物からなる層である。ここに述べた物質は、主に１×１０
−６〜１０ｃｍ２／Ｖｓの正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送
性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送層は、単層の
ものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものであってもよい。
発光層は陽極と陰極の間、正孔輸送層や電子輸送層が設けられる場合には、正孔輸送
層と電子輸送層との間に設けられる。発光層について特に限定は無いが、発光層として機
能する層には大きく分けて２つの態様ある。一つは発光中心となる発光材料（ドーパント
材料）の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料（ホス
ト材料）からなる層に発光材料を分散するホストーゲスト型の層と、もう一つは発光材料
のみで発光層を構成する層である。前者は濃度消光が起こりにくく、好ましい構成である
。発光中心となる発光物質としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１
，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）
、４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロ
リジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビ
ス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エ
テニル］ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、
クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、９，
９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−
ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−
ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃ
ａｃ）、ＦＩｒｐｉｃ等が挙げられる。また、上記発光材料を分散してなる層を形成する
場合に母体となるホスト材料としては、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−
ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス
（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノ
ラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノ
リナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４
−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシ
フェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることがで
きる。また、発光物質のみで発光層を構成することのできる材料としては、トリス（８−
キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アン
トラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェ
ノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などがある。
電子輸送層は発光層と陰極との間、電子注入層が設けられる場合には、発光層と電子
注入層との間に設けられる。電子輸送層は、電子を輸送する機能に優れた層、例えばトリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（５−メチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト
）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格また
はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（
２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビ
ス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）
２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることがで
きる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５
−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベン
ゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５
−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１
，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰ
ｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた
物質は、主に１×１０−６〜１０ｃｍ２／Ｖｓの電子移動度を有する物質である。なお、
正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いて
も構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以
上積層したものとしてもよい。
電子注入層は陰極と電子輸送層との間に設けられる。電子注入層としては、フッ化リ
チウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のよう
なアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、この他、電
子輸送性を有する物質にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたもの、例えばＡ
ｌｑ３中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。
無機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合、発光物質を含む層８２には蛍光体粒
子を分散剤に分散したものを用いることができる。
ＺｎＳにＣｕ（銅）とともにＣｌ（塩素）、Ｉ（ヨウ素）、Ａｌ（アルミニウム）な
どのドナー性不純物を添加した蛍光体を用いることができる。
分散剤としては、シアノエチルセルロース系樹脂のように比較的誘電率の高いポリマ
ーや、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ
樹脂、フッ化ビニリデンなどの樹脂を用いることができる。これらの樹脂に、ＢａＴｉＯ
３（チタン酸バリウム）やＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム）などの高誘電率の微
粒子を適度に混合して誘電率を調整することもできる。分散手段としては、超音波分散機
などを用いることができる。
発光物質を含む層８２と電極との間には誘電体層を隣接してもよい。誘電体層は、誘
電率と絶縁性が高く、且つ高い誘電破壊電圧を有する材料であれば任意のものが用いられ
る。これらは金属酸化物、窒化物から選択され、例えばＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴ
ｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、ＰｂＮｂＯ３、Ｔａ２Ｏ３、ＢａＴａ２Ｏ６、Ｌｉ
ＴａＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＡｌＯＮ、ＺｎＳなどが用いられる。これ
らは均一な膜として設置されても良いし、また粒子構造を有する膜として用いても良い。
無機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合、発光層を絶縁層で挟んだ二重絶縁構
造としてもよい。発光層にはＭｎ（マンガン）や希土類元素を含んだＺｎＳ（硫化亜鉛）
などの２−６族化合物、絶縁層にはＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの
酸化物、窒化物を用いることができる。
対向電極８３上にプラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化ケイ素膜をパッシベーショ
ン膜として形成する（図示しない）。窒素を含む酸化ケイ素膜を用いる場合には、プラズ
マＣＶＤ法でＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ
４、Ｎ２Ｏから作製される酸化窒化ケイ素膜、あるいはＳｉＨ４、Ｎ２ＯをＡｒで希釈し
たガスから形成される酸化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。
また、パッシベーション膜としてＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２から作製される酸化窒化水
素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろんパッシベーション膜は上記したものに限定され
るものではない。他のケイ素を主成分とする絶縁層を用いることもできる。また単層構造
ではなく積層構造でもよい。また窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマー
の多層膜を用いてもよい。窒化ケイ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を形成してもよ
い。
発光素子を水などの劣化を促進する物質から保護するために、表示部の封止を行う。
対向基板そのものを封止に用いる場合は、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出す
るように貼り合わせる。対向基板と素子基板との間の空間には乾燥した窒素などの不活性
気体を充填しても良いし、シール材を画素部全面に形成し、そのシール材によって対向基
板を貼り合わせても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シー
ル材には乾燥剤や基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続
いて外部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付けることによって、発光装置が完成する
。
以上のように作製した発光装置の構成の１例について図１１を参照しながら説明する
。なお、形が異なっていても同様の機能を示す部分には同じ符号を付し、その説明を省略
する部分もある。
図１１（Ａ）は画素電極５０が透光性を有する導電膜により形成されており、基板１
側に発光物質を含む層８２より発せられた光が取り出される構造である。なお８６は対向
基板であり、発光素子が形成された後、シール材などを用い、基板１に固着される。対向
基板８６と素子との間に透光性を有する樹脂８５等を充填し、封止する。これによって発
光素子が水分により劣化することを防ぐ事ができる。また、樹脂８５が吸湿性を有してい
ることが望ましい。さらに樹脂８５中に透光性の高い乾燥剤８４を分散させるとさらに水
分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形態である。
図１１（Ｂ）は画素電極５０と対向電極８３の両方が透光性を有する導電膜により形
成されている。よって基板１側及び対向基板８６側の両方に点線の矢印で示すように光を
取り出すことが可能な構成となっている。この構成では基板１と対向基板８６の外側に偏
光板８８を設けることによって画面が透けてしまうことを防ぐことができ、視認性が向上
する。偏光板８８の外側には保護フィルム８７を設けると良い。
なお、表示機能を有する本発明の発光装置には、アナログのビデオ信号、デジタルの
ビデオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信
号が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。
発光素子の発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電
流のものがある。ビデオ信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のも
のと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。
またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発
光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加される電圧が一定のもの
は定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。定電流駆
動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発明を用いて作製された発
光装置及びその駆動方法には、上記したどの駆動方法を用いてもよい。
上記した発光装置はゲート絶縁膜がエッチングされず、特性が不安定になることがな
く信頼性が高い。またトップゲート型半導体装置を用いた場合にはガラス基板や酸化珪素
膜や酸化窒化珪素膜からなる下地膜がエッチングされないため、基板からナトリウムなど
の不純物が半導体膜に拡散し、特性を劣化させることがなく信頼性が高い。
ソース電極及びドレイン電極の一部にＡｌを用いているため、配線の低抵抗化を図る
ことができる。
パネル、モジュールが有する画素回路、保護回路及びそれらの動作について図１２、
図１３等を用いて説明する。図１０、１１に示した半導体装置は駆動用ＴＦＴ１４０３の
断面図となっている。スイッチング用ＴＦＴ１４０１、電流制御用ＴＦＴ１４０４、消去
用ＴＦＴ１４０６はすべて駆動用ＴＦＴ１４０３と同時に作製され、駆動用ＴＦＴ１４０
３と同様の構成をしていても良い。
図１２（Ａ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０及び電源線１４１１、１４１２
、行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用
ＴＦＴ１４０３、電流制御用ＴＦＴ１４０４、補助容量１４０２及び発光素子１４０５を
有する。
図１２（Ｃ）に示す画素は、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が、行方向に配置さ
れた電源線１４１２に接続される点が異なっており、それ以外は図１２（Ａ）に示す画素
と同じ構成である。つまり、図１２（Ａ）、（Ｃ）に示す両画素は、同じ等価回路図を示
す。しかしながら、列方向に電源線１４１２が配置される場合（図１２（Ａ））と、行方
向に電源線１４１２が配置される場合（図１２（Ｃ））とでは、各電源線は異なるレイヤ
ーの導電膜で形成される。ここでは、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が接続される配
線に注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図１２（Ａ）、（Ｃ
）として分けて記載する。
図１２（Ａ）、（Ｃ）に示す画素の特徴として、画素内に駆動用ＴＦＴ１４０３と電
流制御用ＴＦＴ１４０４が直列に接続されている。駆動用ＴＦＴ１４０３のチャネル長Ｌ
（１４０３）、チャネル幅Ｗ（１４０３）、電流制御用ＴＦＴ１４０４のチャネル長Ｌ（
１４０４）、チャネル幅Ｗ（１４０４）は、Ｌ（１４０３）／Ｗ（１４０３）：Ｌ（１４
０４）／Ｗ（１４０４）＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。
なお、駆動用ＴＦＴ１４０３は、飽和領域で動作し発光素子１４０５に流れる電流値
を制御する役目を有する。電流制御用ＴＦＴ１４０４は線形領域で動作し発光素子１４０
５に対する電流の供給を制御する役目を有する。両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作
製工程上好ましく、本実施形態ではｎチャネル型ＴＦＴとして形成する。また駆動用ＴＦ
Ｔ１４０３には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いて
もよい。上記構成を有する発光装置は、電流制御用ＴＦＴ１４０４が線形領域で動作する
ために、電流制御用ＴＦＴ１４０４のＶｇｓの僅かな変動は、発光素子１４０５の電流値
に影響を及ぼさない。つまり、発光素子１４０５の電流値は、飽和領域で動作する駆動用
ＴＦＴ１４０３により決定することができる。上記構成により、ＴＦＴの特性バラツキに
起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた発光装置を提供することがで
きる。
図１２（Ａ）〜（Ｄ）に示す画素において、スイッチング用ＴＦＴ１４０１は、画素
に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用ＴＦＴ１４０１がオン
となると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、補助容量１４０２にそのビデオ信
号の電圧が保持される。なお図１２（Ａ）、（Ｃ）には、補助容量１４０２を設けた構成
を示したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などで
可能な場合には、補助容量１４０２を設けなくてもよい。
図１２（Ｂ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は
、図１２（Ａ）に示す画素構成と同じである。同様に、図１２（Ｄ）に示す画素は、ＴＦ
Ｔ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１２（Ｃ）に示す画素構成と同じ
である。
ＴＦＴ１４０６は、新たに配置された走査線１４１５によりオン又はオフが制御され
る。ＴＦＴ１４０６がオンとなると、補助容量１４０２に保持された電荷は放電し、電流
制御用ＴＦＴ１４０４がオフとなる。つまり、ＴＦＴ１４０６の配置により、強制的に発
光素子１４０５に電流が流れない状態を作ることができる。そのためＴＦＴ１４０６を消
去用ＴＦＴと呼ぶことができる。従って、図１２（Ｂ）、（Ｄ）の構成は、全ての画素に
対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を
開始することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。
図１２（Ｅ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０、電源線１４１１、行方向に走
査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０
３、補助容量１４０２及び発光素子１４０５を有する。図１２（Ｆ）に示す画素は、ＴＦ
Ｔ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１２（Ｅ）に示す画素構成と同じ
である。なお、図１２（Ｆ）の構成も、ＴＦＴ１４０６の配置により、デューティ比を向
上することが可能となる。
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、画素密度が増えた場合、各画素に
ＴＦＴが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられる。
本実施形態では、一画素にＴＦＴが設けられるアクティブマトリクス型の発光装置に
ついて説明したが、パッシブマトリクス型の発光装置を形成することもできる。パッシブ
マトリクス型の発光装置は、各画素にＴＦＴが設けられていないため、高開口率となる。
発光が発光積層体の両側へ射出する発光装置の場合、パッシブマトリクス型の発光装置を
用いると透過率が高まる。
続いて、図１２（Ｅ）に示す等価回路を用い、走査線及び信号線に保護回路としてダ
イオードを設ける場合について説明する。
図１３には、画素部１５００にスイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０
３、補助容量１４０２、発光素子１４０５が設けられている。信号線１４１０には、ダイ
オード１５６１と１５６２が設けられている。ダイオード１５６１と１５６２は、スイッ
チング用ＴＦＴ１４０１又は駆動用ＴＦＴ１４０３と同様に、上記実施形態に基づき作製
され、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード１５
６１と１５６２は、ゲート電極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することにより
ダイオードとして動作させている。
ダイオード１５６１、１５６２と接続する共通電位線１５５４、１５５５はゲート電
極と同じレイヤーで形成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と
接続するには、ゲート絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。
走査線１４１４に設けられるダイオード１５６３、１５６４も同様な構成である。ま
た共通電位線１５６５、１５６６も同様な構成である。
このように、本発明によれば、入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成する
ことができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、これに限定されず、駆動回路と
画素との間に設けることもできる。
図１２（Ｅ）に示す等価回路を用いた場合の画素部分の上面図を図１４（Ａ）に示す
。また図１４（Ｂ）には図１２（Ｅ）と同じ等価回路を示す。図１０、１１に示した半導
体装置は駆動用ＴＦＴ１４０３に対応する。図１０、１１は図１４におけるＸ−Ｙの断面
図を示している。電源線１４１１、信号線１４１０、スイッチング用ＴＦＴ１４０１のソ
ース電極、ドレイン電極、駆動用ＴＦＴ１４０３のソース電極、ドレイン電極とは同じ導
電膜、すなわち第１の導電膜及び第２の導電膜によって形成されている。
スイッチング用ＴＦＴ１４０１は駆動用ＴＦＴ１４０３と同じ方法によって作製され
る。スイッチング用ＴＦＴ１４０１のドレイン電極と駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極
４０はゲート絶縁膜４２と同じ層の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的
に接続されている。
補助容量１４０２は駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が延長した部分と、電源線１
４１１と、ゲート絶縁膜４２と同じ層の絶縁膜によって形成されている。
発光領域１４２０は隔壁８１の開口部に形成される。図示しないが発光領域１４２０
の周辺には隔壁８１が形成されている。発光領域１４２０は角部が丸みを帯びていてもよ
い。隔壁８１の開口部の角部に丸みを与えることによって発光領域１４２０の角部に丸み
を与えることができる。角部に丸みを与えることによって、隔壁８１の加工にプラズマを
用いたドライエッチングを行う際、異常放電による微粉の発生を抑えることができる。
本実施形態は上記実施形態の適当な構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施形態７）
上記実施形態にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の半導体装置を
有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッ
ドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコ
ンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話
、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉ
ｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像
を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例
を図１５、図１６に示す。
図１５（Ａ）はテレビ受像器やパーソナルコンピュータのモニターなどである。筐体
３００１、表示部３００３、スピーカー部３００４等を含む。表示部３００３にはアクテ
ィブマトリクス表示装置が設けられている。表示部３００３は画素ごとに本発明の半導体
装置を有している。これにより特性劣化が少ないテレビを得ることができる。
図１５（Ｂ）は携帯電話であり、本体３１０１、筐体３１０２、表示部３１０３、音
声入力部３１０４、音声出力部３１０５、操作キー３１０６、アンテナ３１０８等を含む
。表示部３１０３にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部３１０３
は画素ごとに本発明の半導体装置を有している。これにより特性劣化が少ない携帯電話を
得ることができる。
図１５（Ｃ）はコンピュータであり、本体３２０１、筐体３２０２、表示部３２０３
、キーボード３２０４、外部接続ポート３２０５、ポインティングマウス３２０６等を含
む。表示部３２０３にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部３２０
３は画素ごとに本発明の半導体装置を有している。これにより特性劣化が少ないコンピュ
ータを得ることができる。
図１５（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体３３０１、表示部３３０２、スイ
ッチ３３０３、操作キー３３０４、赤外線ポート３３０５等を含む。表示部３３０２には
アクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部３３０２は画素ごとに本発明の
半導体装置を有している。これにより特性劣化が少ないモバイルコンピュータを得ること
ができる。
図１５（Ｅ）は携帯型のゲーム機であり、筐体３４０１、表示部３４０２、スピーカ
ー部３４０３、操作キー３４０４、記録媒体挿入部３４０５等を含む。表示部３４０２に
はアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部３４０２は画素ごとに本発明
の半導体装置を有している。これにより特性劣化が少ない携帯型ゲーム機を得ることがで
きる。
図１６はフレキシブルディスプレイであり、本体３１１０、画素部３１１１、ドライ
バＩＣ３１１２、受信装置３１１３、フィルムバッテリー３１１４等を含む。受信装置で
は上記携帯電話の赤外線通信ポート３１０７からの信号を受信することができる。画素部
３１１１にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。画素部３１１１は画素ご
とに本発明の半導体装置を有している。これにより特性劣化が少ないフレキシブルディス
プレイを得ることができる。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いること
が可能である。
１ 基板
２ 絶縁膜
３ ゲート電極
５ ゲート絶縁膜
６ 第１の導電膜
７ 第２の導電膜
８ 第３の導電膜
９ レジストマスク
１０ ソース電極
１０ａ ソース電極、第１の導電膜
１０ｂ ソース電極、第２の導電膜
１１ ドレイン電極
１１ａ ドレイン電極、第１の導電膜
１１ｂ ドレイン電極、第２の導電膜
１２ 半導体膜
１３ 島状の半導体膜
１４ 絶縁膜
２０ 絶縁膜
２１ 第１の導電膜
２２ 第２の導電膜
２３ 第３の導電膜
２４ レジストマスク
２５ ソース電極
２５ａ ソース電極、第１の導電膜
２５ｂ ソース電極、第２の導電膜
２６ ドレイン電極
２６ａ ドレイン電極、第１の導電膜
２６ｂ ドレイン電極、第２の導電膜
２７ 半導体膜
２８ ゲート絶縁膜
２９ ゲート電極
３０ 絶縁膜
４０ ゲート電極、ゲート配線
４１ 補助容量配線
４２ ゲート絶縁膜
４５ ソース電極
４５ａ ソース電極
４５ｂ ソース電極
４６ ドレイン電極
４６ａ ドレイン電極
４６ｂ ドレイン電極
４７ ソース配線
４８ 半導体膜
４９ 絶縁膜
５０ 画素電極
５１ 配向膜
５２ 液晶組成物
５３ 配向膜
５４ 保護絶縁膜
５５ カラーフィルター
５６ 対向基板
６１ 基板
６２ ゲート配線駆動回路
６２ａ シフトレジスタ
６２ｂ バッファ
６３ ソース配線駆動回路
６３ａ シフトレジスタ
６３ｂ バッファ
６４ アクティブマトリクス部
６５ 半導体装置
６６ 液晶部
６７ 補助容量
６８ ビデオライン
６９ アナログスイッチ
７１ ソース配線
７２ ゲート配線
７３ 補助容量配線
７５ シール材
８１ 隔壁
８１ａ 端面
８２ 発光物質を含む層
８３ 対向電極
８４ 乾燥剤
８５ 樹脂
８６ 対向基板
８７ 保護フィルム
８８ 偏光板
１００ 補助容量
１０００ 基板
１００１ ソース電極
１００２ ドレイン電極
１００３ 半導体膜
１００４ ゲート絶縁膜
１００５ ゲート電極
１００６ 下地膜
１４０１ スイッチング用ＴＦＴ
１４０２ 補助容量
１４０３ 駆動用ＴＦＴ
１４０４ 電流制御用ＴＦＴ
１４０５ 発光素子
１４０６ ＴＦＴ
１４１０ 信号線
１４１１ 電源線
１４１２ 電源線
１４１４ 走査線
１４１５ 走査線
１４２０ 発光領域
１５００ 画素部
１５５４ 共通電位線
１５５５ 共通電位線
１５６１ ダイオード
１５６２ ダイオード
１５６３ ダイオード
１５６４ ダイオード
１５６５ 共通電位線
１５６６ 共通電位線
３００１ 筐体
３００３ 表示部
３００４ スピーカー部
３１０１ 本体
３１０２ 筐体
３１０３ 表示部
３１０４ 音声入力部
３１０５ 音声出力部
３１０６ 操作キー
３１０７ 赤外線通信ポート
３１０８ アンテナ
３１１０ 本体
３１１１ 画素部
３１１２ ドライバＩＣ
３１１３ 受信装置
３１１４ フィルムバッテリー
３２０１ 本体
３２０２ 筐体
３２０３ 表示部
３２０４ キーボード
３２０５ 外部接続ポート
３２０６ ポインティングマウス
３３０１ 本体
３３０２ 表示部
３３０３ スイッチ
３３０４ 操作キー
３３０５ 赤外線ポート
３４０１ 筐体
３４０２ 表示部
３４０３ スピーカー部
３４０４ 操作キー
３４０５ 記録媒体挿入部

Claims (1)

  1. 第１の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜上に、第１の導電膜を形成し、
    前記第１の導電膜上に、亜鉛と酸素とを含む第２の導電膜を形成し、
    前記第１の導電膜をエッチングストッパーとして機能させて、前記第２の導電膜をエッチングし、
    前記第１の絶縁膜をエッチングストッパーとして機能させて、前記第１の導電膜をエッチングした後、
    前記第２の導電膜及び前記第１の絶縁膜上に、亜鉛と酸素とを含む半導体膜を形成し、
    前記半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜上に、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
JP2014174983A 2005-11-15 2014-08-29 半導体装置の作製方法 Active JP5890494B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014174983A JP5890494B2 (ja) 2005-11-15 2014-08-29 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005329806 2005-11-15
JP2005329806 2005-11-15
JP2014174983A JP5890494B2 (ja) 2005-11-15 2014-08-29 半導体装置の作製方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012258196A Division JP2013058797A (ja) 2005-11-15 2012-11-27 半導体装置、及びダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015019093A true JP2015019093A (ja) 2015-01-29
JP5890494B2 JP5890494B2 (ja) 2016-03-22

Family

ID=38039819

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009076053A Active JP5089636B2 (ja) 2005-11-15 2009-03-26 半導体装置の作製方法及び液晶表示装置の作製方法
JP2009236821A Withdrawn JP2010010721A (ja) 2005-11-15 2009-10-14 ダイオード及びアクティブマトリクス表示装置
JP2011002880A Active JP5178850B2 (ja) 2005-11-15 2011-01-11 半導体装置の作製方法
JP2012258196A Withdrawn JP2013058797A (ja) 2005-11-15 2012-11-27 半導体装置、及びダイオード
JP2014174983A Active JP5890494B2 (ja) 2005-11-15 2014-08-29 半導体装置の作製方法

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009076053A Active JP5089636B2 (ja) 2005-11-15 2009-03-26 半導体装置の作製方法及び液晶表示装置の作製方法
JP2009236821A Withdrawn JP2010010721A (ja) 2005-11-15 2009-10-14 ダイオード及びアクティブマトリクス表示装置
JP2011002880A Active JP5178850B2 (ja) 2005-11-15 2011-01-11 半導体装置の作製方法
JP2012258196A Withdrawn JP2013058797A (ja) 2005-11-15 2012-11-27 半導体装置、及びダイオード

Country Status (6)

Country Link
US (7) US8134156B2 (ja)
JP (5) JP5089636B2 (ja)
KR (9) KR101112652B1 (ja)
CN (8) CN101577231B (ja)
TW (8) TWI423447B (ja)
WO (1) WO2007058329A1 (ja)

Families Citing this family (1915)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI481024B (zh) 2005-01-28 2015-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI467702B (zh) * 2005-03-28 2015-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶裝置和其製造方法
US7928938B2 (en) * 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
CN102394049B (zh) 2005-05-02 2015-04-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
EP1724751B1 (en) * 2005-05-20 2013-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic apparatus
US8059109B2 (en) 2005-05-20 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP1998373A3 (en) * 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
CN101577231B (zh) * 2005-11-15 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US8008670B2 (en) * 2006-02-21 2011-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
CN101395617B (zh) * 2006-03-10 2012-05-30 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其操作方法
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
TWI545380B (zh) 2006-05-16 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置和半導體裝置
US7847904B2 (en) 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JP5332091B2 (ja) * 2006-08-29 2013-11-06 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JP5412034B2 (ja) * 2006-12-26 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101340514B1 (ko) * 2007-01-24 2013-12-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
JP4727684B2 (ja) * 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
KR100863909B1 (ko) 2007-04-06 2008-10-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법
KR100858617B1 (ko) * 2007-05-10 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8513678B2 (en) 2007-05-18 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8193045B2 (en) * 2007-05-31 2012-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method of thin film transistor using oxide semiconductor
US7897482B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20090001881A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Masaya Nakayama Organic el display and manufacturing method thereof
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
US7633089B2 (en) * 2007-07-26 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device provided with the same
JP5393058B2 (ja) * 2007-09-05 2014-01-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
KR101392276B1 (ko) * 2007-10-31 2014-05-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
TW200921226A (en) * 2007-11-06 2009-05-16 Wintek Corp Panel structure and manufacture method thereof
US20100237355A1 (en) * 2007-11-15 2010-09-23 Masao Moriguchi Thin film transistor, method for manufacturing thin film transistor, and display device
KR100963003B1 (ko) * 2008-02-05 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR100922759B1 (ko) * 2008-02-26 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100922760B1 (ko) * 2008-03-03 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP4555358B2 (ja) * 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
JP5182993B2 (ja) 2008-03-31 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8465795B2 (en) * 2008-05-20 2013-06-18 Palo Alto Research Center Incorporated Annealing a buffer layer for fabricating electronic devices on compliant substrates
KR20090126766A (ko) * 2008-06-05 2009-12-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR100958006B1 (ko) * 2008-06-18 2010-05-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR102383642B1 (ko) 2008-07-10 2022-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
TWI622175B (zh) 2008-07-31 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5616038B2 (ja) 2008-07-31 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI491048B (zh) 2008-07-31 2015-07-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
JP2010056541A (ja) 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI770659B (zh) 2008-07-31 2022-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI500160B (zh) * 2008-08-08 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI424506B (zh) 2008-08-08 2014-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5525778B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI508282B (zh) * 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI606592B (zh) 2008-09-01 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
KR20100030975A (ko) * 2008-09-11 2010-03-19 삼성전자주식회사 비정질실리콘의 결정화방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
KR101681483B1 (ko) 2008-09-12 2016-12-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
WO2010029859A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2010029885A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101657957B1 (ko) * 2008-09-12 2016-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101722913B1 (ko) 2008-09-12 2017-04-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP4623179B2 (ja) * 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
KR102113024B1 (ko) * 2008-09-19 2020-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101762112B1 (ko) 2008-09-19 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정표시장치
CN102160103B (zh) 2008-09-19 2013-09-11 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR101563527B1 (ko) 2008-09-19 2015-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101681882B1 (ko) * 2008-09-19 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
WO2010032603A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and wireless tag using the same
WO2010038599A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101435501B1 (ko) 2008-10-03 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101714546B (zh) * 2008-10-03 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
WO2010038596A1 (en) 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Modulation circuit and semiconductor device including the same
EP2172804B1 (en) * 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
KR101652693B1 (ko) * 2008-10-03 2016-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8187919B2 (en) * 2008-10-08 2012-05-29 Lg Display Co. Ltd. Oxide thin film transistor and method of fabricating the same
KR101298611B1 (ko) * 2008-10-08 2013-08-26 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5430113B2 (ja) * 2008-10-08 2014-02-26 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5484853B2 (ja) * 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010044478A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
JP5361651B2 (ja) * 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5616012B2 (ja) * 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101667909B1 (ko) * 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
KR101259727B1 (ko) 2008-10-24 2013-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US8741702B2 (en) * 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8106400B2 (en) * 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2010047288A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
KR101634411B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치
KR101631454B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
TWI567829B (zh) 2008-10-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
KR101659703B1 (ko) * 2008-11-07 2016-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI467663B (zh) 2008-11-07 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法
EP2184783B1 (en) 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI535037B (zh) 2008-11-07 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
TWI574423B (zh) 2008-11-07 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101432764B1 (ko) 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
TWI656645B (zh) 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101291384B1 (ko) 2008-11-21 2013-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI508304B (zh) 2008-11-28 2015-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI616707B (zh) * 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR101472771B1 (ko) * 2008-12-01 2014-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI633371B (zh) 2008-12-03 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5615540B2 (ja) * 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101642384B1 (ko) 2008-12-19 2016-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터의 제작 방법
EP2515337B1 (en) 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8383470B2 (en) * 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI540647B (zh) * 2008-12-26 2016-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8330156B2 (en) 2008-12-26 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with a plurality of oxide clusters over the gate insulating layer
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
CN101840936B (zh) * 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8247812B2 (en) 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8278657B2 (en) * 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010205987A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに表示装置
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5504008B2 (ja) 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5202395B2 (ja) * 2009-03-09 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル、電子機器
TW201106069A (en) * 2009-03-11 2011-02-16 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
CN102349158B (zh) 2009-03-12 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
TWI556323B (zh) * 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TWI617029B (zh) * 2009-03-27 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8927981B2 (en) * 2009-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
US8338226B2 (en) 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI476917B (zh) 2009-04-16 2015-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5669426B2 (ja) * 2009-05-01 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101860692B1 (ko) 2009-05-02 2018-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널
CN104597651B (zh) 2009-05-02 2017-12-05 株式会社半导体能源研究所 显示设备
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101640812B1 (ko) * 2009-05-26 2016-08-01 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
JP5396335B2 (ja) 2009-05-28 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2256814B1 (en) * 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2256795B1 (en) * 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
KR20120031026A (ko) 2009-06-30 2012-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
CN111081550A (zh) 2009-06-30 2020-04-28 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体器件的方法及半导体器件
WO2011001880A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101457837B1 (ko) 2009-06-30 2014-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
EP2449593B1 (en) 2009-07-03 2019-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101460868B1 (ko) 2009-07-10 2014-11-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101422362B1 (ko) 2009-07-10 2014-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 패널 및 전자 기기
SG10201403913PA (en) 2009-07-10 2014-10-30 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011007682A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2011007675A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101768786B1 (ko) 2009-07-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101782176B1 (ko) 2009-07-18 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011010545A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102181301B1 (ko) 2009-07-18 2020-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
WO2011010542A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010546A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102473732B (zh) * 2009-07-27 2015-09-16 株式会社神户制钢所 布线结构以及具备布线结构的显示装置
WO2011013502A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102473734B (zh) * 2009-07-31 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120051727A (ko) 2009-07-31 2012-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR102490468B1 (ko) 2009-07-31 2023-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI582951B (zh) 2009-08-07 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
EP2284891B1 (en) * 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI596741B (zh) * 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI830077B (zh) 2009-08-07 2024-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5663231B2 (ja) * 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
WO2011021425A1 (ja) * 2009-08-20 2011-02-24 シャープ株式会社 アレイ基板、その製造方法及び表示装置
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
DE102009039777A1 (de) * 2009-09-02 2011-03-03 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Herstellung und Strukturierung einer Zinkoxidschicht und Zinkoxidschicht
WO2011027649A1 (en) 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
KR101791812B1 (ko) 2009-09-04 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP5700626B2 (ja) * 2009-09-04 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN103151387A (zh) 2009-09-04 2013-06-12 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101374816B1 (ko) * 2009-09-04 2014-03-17 주식회사 엘지화학 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR101988341B1 (ko) 2009-09-04 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
EP3540772A1 (en) 2009-09-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
KR101979327B1 (ko) * 2009-09-16 2019-05-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101470811B1 (ko) * 2009-09-16 2014-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101700470B1 (ko) * 2009-09-16 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
CN102511082B (zh) * 2009-09-16 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011034012A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
KR101914026B1 (ko) 2009-09-24 2018-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
KR101342179B1 (ko) 2009-09-24 2013-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2011037008A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
CN105513644B (zh) * 2009-09-24 2019-10-15 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器
KR101740943B1 (ko) * 2009-09-24 2017-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011036981A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011037050A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20130026404A (ko) 2009-09-24 2013-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
CN102576608B (zh) * 2009-09-30 2015-06-03 株式会社半导体能源研究所 氧化还原电容器以及其制造方法
WO2011040213A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR20120084751A (ko) * 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101376461B1 (ko) * 2009-10-08 2014-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체층 및 반도체 장치
WO2011043203A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
KR101778513B1 (ko) 2009-10-09 2017-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
WO2011043170A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011043451A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
CN107195328B (zh) 2009-10-09 2020-11-10 株式会社半导体能源研究所 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR102329380B1 (ko) 2009-10-09 2021-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011043217A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
KR102295450B1 (ko) * 2009-10-09 2021-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101820973B1 (ko) 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
KR101680047B1 (ko) * 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011046025A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
KR102577885B1 (ko) 2009-10-16 2023-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101426723B1 (ko) * 2009-10-16 2014-08-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN106200185A (zh) 2009-10-16 2016-12-07 株式会社半导体能源研究所 显示设备
KR20130130879A (ko) 2009-10-21 2013-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
WO2011049230A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
CN104485336B (zh) 2009-10-21 2018-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR102223581B1 (ko) 2009-10-21 2021-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
WO2011048945A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
CN104681568B (zh) 2009-10-21 2017-11-21 株式会社半导体能源研究所 显示装置和包括显示装置的电子设备
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
WO2011048959A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI467770B (zh) * 2009-10-26 2015-01-01 Prime View Int Co Ltd 顯示器及其薄膜電晶體陣列基板與薄膜電晶體
KR20190006091A (ko) 2009-10-29 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101829074B1 (ko) 2009-10-29 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101740684B1 (ko) 2009-10-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 다이오드, 정류기 및 그것을 가지는 반도체 장치
WO2011052413A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device, and electronic device
CN106057819B (zh) * 2009-10-30 2019-03-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
EP2494597A4 (en) * 2009-10-30 2015-03-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
WO2011052344A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
KR102142450B1 (ko) 2009-10-30 2020-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011052382A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011052366A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
KR20120091243A (ko) * 2009-10-30 2012-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052409A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052488A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101712340B1 (ko) * 2009-10-30 2017-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
CN102054873B (zh) * 2009-11-05 2014-03-05 元太科技工业股份有限公司 显示器及其薄膜晶体管阵列基板与薄膜晶体管
CN102598279B (zh) * 2009-11-06 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20120093952A (ko) * 2009-11-06 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자 및 반도체 장치 제조 방법과, 성막 장치
CN104681079B (zh) 2009-11-06 2018-02-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及用于驱动半导体装置的方法
CN102612741B (zh) 2009-11-06 2014-11-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011055631A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101605984B1 (ko) * 2009-11-06 2016-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20190066086A (ko) 2009-11-06 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102066532B1 (ko) * 2009-11-06 2020-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011055638A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
WO2011055644A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN104393007A (zh) 2009-11-06 2015-03-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20120094013A (ko) 2009-11-13 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
WO2011058885A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
KR20170076818A (ko) * 2009-11-13 2017-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제작 방법 및 트랜지스터
WO2011058934A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101721850B1 (ko) 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011058864A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device including nonvolatile memory element
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
KR102393447B1 (ko) 2009-11-13 2022-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011058913A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011058865A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devi ce
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
TWI507934B (zh) * 2009-11-20 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
KR20190124813A (ko) * 2009-11-20 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062067A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
WO2011062057A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101800854B1 (ko) * 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR101829176B1 (ko) 2009-11-20 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062043A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20200124769A (ko) 2009-11-20 2020-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
EP2887395B1 (en) 2009-11-20 2019-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
KR101790365B1 (ko) * 2009-11-20 2017-10-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5866089B2 (ja) * 2009-11-20 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
WO2011065183A1 (en) * 2009-11-24 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory cell
KR101506304B1 (ko) 2009-11-27 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011065209A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101803254B1 (ko) * 2009-11-27 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120099450A (ko) 2009-11-27 2012-09-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR102089200B1 (ko) * 2009-11-28 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN105206514B (zh) 2009-11-28 2018-04-10 株式会社半导体能源研究所 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法
WO2011065244A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2507787A4 (en) 2009-11-30 2013-07-17 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, control method therefor and electronic device therefor
JP5584103B2 (ja) * 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068028A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
WO2011068021A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101291485B1 (ko) 2009-12-04 2013-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR102450889B1 (ko) 2009-12-04 2022-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN103746001B (zh) 2009-12-04 2017-05-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2011068106A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
KR20120103676A (ko) * 2009-12-04 2012-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101943109B1 (ko) 2009-12-04 2019-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011068022A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102719739B1 (ko) 2009-12-04 2024-10-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011139052A (ja) * 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
WO2011070892A1 (en) 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070900A1 (en) 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102763154B (zh) 2009-12-10 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其驱动方法
KR101048987B1 (ko) * 2009-12-10 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101804589B1 (ko) 2009-12-11 2018-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN102656683B (zh) 2009-12-11 2015-02-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR20170116239A (ko) * 2009-12-11 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
IN2012DN04871A (ja) 2009-12-11 2015-09-25 Semiconductor Energy Laoboratory Co Ltd
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5185357B2 (ja) 2009-12-17 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2513893A4 (en) 2009-12-18 2016-09-07 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device and electronic device
KR101768433B1 (ko) 2009-12-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
KR101871654B1 (ko) 2009-12-18 2018-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
CN107886916B (zh) * 2009-12-18 2021-09-21 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及其驱动方法
CN102668377B (zh) * 2009-12-18 2015-04-08 株式会社半导体能源研究所 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件
KR101887837B1 (ko) 2009-12-18 2018-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101813460B1 (ko) 2009-12-18 2017-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120115318A (ko) * 2009-12-23 2012-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077926A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN105590646B (zh) * 2009-12-25 2019-01-08 株式会社半导体能源研究所 存储器装置、半导体器件和电子装置
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
EP3550604A1 (en) 2009-12-25 2019-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101541474B1 (ko) 2009-12-25 2015-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR101870119B1 (ko) 2009-12-25 2018-06-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102111309B1 (ko) 2009-12-25 2020-05-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR101842865B1 (ko) * 2009-12-28 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101760537B1 (ko) * 2009-12-28 2017-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011081009A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011081010A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011081000A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011081011A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
WO2011080998A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8119473B2 (en) * 2009-12-31 2012-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High temperature anneal for aluminum surface protection
US8759917B2 (en) 2010-01-04 2014-06-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin-film transistor having etch stop multi-layer and method of manufacturing the same
CN102742003B (zh) 2010-01-15 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
US8780629B2 (en) * 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102114011B1 (ko) 2010-01-15 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
WO2011086812A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101798367B1 (ko) 2010-01-15 2017-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011086837A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR101791279B1 (ko) * 2010-01-15 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102031848B1 (ko) 2010-01-20 2019-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 전자 시스템
US8415731B2 (en) 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
WO2011090087A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display method of display device
CN102714023B (zh) 2010-01-20 2016-05-04 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备的驱动方法
EP2526619B1 (en) 2010-01-20 2016-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Signal processing circuit and method for driving the same
MY187143A (en) * 2010-01-20 2021-09-03 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
WO2011089832A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device and liquid crystal display device
KR101791829B1 (ko) 2010-01-20 2017-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 휴대 전자 기기
KR101803987B1 (ko) 2010-01-20 2017-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101842860B1 (ko) 2010-01-20 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
WO2011089835A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011089852A1 (en) 2010-01-22 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and driving method thereof
KR101829309B1 (ko) 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102174859B1 (ko) * 2010-01-22 2020-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101873730B1 (ko) 2010-01-24 2018-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011089844A1 (en) 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8879010B2 (en) * 2010-01-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101299256B1 (ko) * 2010-01-29 2013-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
KR20120120330A (ko) 2010-01-29 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN109560140A (zh) * 2010-02-05 2019-04-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011096262A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011096286A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and semiconductor device
WO2011096277A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011096264A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR20120130763A (ko) 2010-02-05 2012-12-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101399609B1 (ko) 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
KR101822962B1 (ko) 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101810261B1 (ko) * 2010-02-10 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
US8947337B2 (en) * 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101817054B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치
KR101814222B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
KR101811204B1 (ko) 2010-02-12 2017-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
WO2011099343A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101838130B1 (ko) 2010-02-12 2018-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작방법
CN102754209B (zh) 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
KR101775180B1 (ko) 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR20130023203A (ko) 2010-02-12 2013-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
US8617920B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101774470B1 (ko) 2010-02-18 2017-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
CN102763214B (zh) 2010-02-19 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
WO2011102183A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011102248A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR101906151B1 (ko) 2010-02-19 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
WO2011102233A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20180031075A (ko) * 2010-02-19 2018-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
KR101780748B1 (ko) 2010-02-19 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복조회로 및 복조회로를 이용한 ｒｆｉｄ 태그
CN102754162B (zh) * 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
CN105786268B (zh) * 2010-02-19 2019-03-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
KR101889285B1 (ko) * 2010-02-19 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
KR101772246B1 (ko) 2010-02-23 2017-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 반도체 장치, 및 그 구동 방법
CN102782859B (zh) * 2010-02-26 2015-07-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101733765B1 (ko) * 2010-02-26 2017-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 구동 방법
US9000438B2 (en) * 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20130009978A (ko) 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
WO2011105198A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102357474B1 (ko) 2010-02-26 2022-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102754022B (zh) 2010-02-26 2016-11-09 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
KR101803552B1 (ko) * 2010-02-26 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비하는 전자 서적
KR101838628B1 (ko) 2010-03-02 2018-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101817926B1 (ko) 2010-03-02 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 ｒｆｉｄ 태그
KR101570853B1 (ko) 2010-03-02 2015-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
CN105245218B (zh) 2010-03-02 2019-01-22 株式会社半导体能源研究所 脉冲信号输出电路和移位寄存器
WO2011108475A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
WO2011108346A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor film and manufacturing method of transistor
KR101867272B1 (ko) 2010-03-05 2018-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그의 제작 방법
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
EP2365417A3 (en) * 2010-03-08 2015-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Electronic device and electronic system
DE112011100842T5 (de) 2010-03-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2011111522A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112011100840T5 (de) * 2010-03-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR101791253B1 (ko) 2010-03-08 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자기기 및 전자 시스템
KR102220018B1 (ko) 2010-03-08 2021-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
KR102192753B1 (ko) 2010-03-08 2020-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011111490A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101761558B1 (ko) * 2010-03-12 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 회로를 구동하는 방법 및 입출력 장치를 구동하는 방법
CN102804380B (zh) * 2010-03-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
CN102782622B (zh) * 2010-03-12 2016-11-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
CN102822978B (zh) * 2010-03-12 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR101891065B1 (ko) * 2010-03-19 2018-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114905A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US20110227082A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114919A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118351A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118741A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011118364A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112011101069B4 (de) * 2010-03-26 2018-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101921047B1 (ko) * 2010-03-26 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
WO2011122312A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for driving the same
KR101761966B1 (ko) 2010-03-31 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전력 공급 장치와 그 구동 방법
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
WO2011122280A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
KR101977152B1 (ko) 2010-04-02 2019-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
KR102276768B1 (ko) 2010-04-02 2021-07-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102918650B (zh) 2010-04-07 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管
KR101884031B1 (ko) 2010-04-07 2018-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR101748901B1 (ko) 2010-04-09 2017-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101321833B1 (ko) 2010-04-09 2013-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
KR101465192B1 (ko) 2010-04-09 2014-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN102213854B (zh) 2010-04-09 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及电子设备
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
WO2011129233A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101881729B1 (ko) 2010-04-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
US8552712B2 (en) 2010-04-16 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Current measurement method, inspection method of semiconductor device, semiconductor device, and test element group
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011132548A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN111326435B (zh) 2010-04-23 2023-12-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101877377B1 (ko) 2010-04-23 2018-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
US8836906B2 (en) 2010-04-23 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with light receiving element under transparent spacer and manufacturing method therefor
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101689378B1 (ko) * 2010-04-23 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN102870151B (zh) 2010-04-23 2016-03-30 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及其驱动方法
WO2011132556A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR101831147B1 (ko) 2010-04-28 2018-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 표시 장치 및 그 구동 방법
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
TWI406415B (zh) * 2010-05-12 2013-08-21 Prime View Int Co Ltd 薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
KR101806271B1 (ko) 2010-05-14 2017-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20110287593A1 (en) * 2010-05-20 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8588000B2 (en) 2010-05-20 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device having a reading transistor with a back-gate electrode
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
CN105957802A (zh) 2010-05-21 2016-09-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101872927B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101808198B1 (ko) 2010-05-21 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145468A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102906882B (zh) 2010-05-21 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102906980B (zh) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及显示装置
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
CN102939659B (zh) * 2010-06-11 2016-08-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的制造方法
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101862808B1 (ko) 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8912016B2 (en) 2010-06-25 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method and test method of semiconductor device
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
US9437454B2 (en) 2010-06-29 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101350751B1 (ko) 2010-07-01 2014-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9473714B2 (en) * 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
CN107195686B (zh) 2010-07-02 2021-02-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8766252B2 (en) 2010-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012008304A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008286A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5917035B2 (ja) 2010-07-26 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101853516B1 (ko) 2010-07-27 2018-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5836680B2 (ja) 2010-07-27 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) * 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI688047B (zh) 2010-08-06 2020-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101925159B1 (ko) 2010-08-06 2018-12-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8582348B2 (en) 2010-08-06 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
CN107947763B (zh) 2010-08-06 2021-12-28 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路
TWI545587B (zh) 2010-08-06 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及驅動半導體裝置的方法
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
TWI587405B (zh) 2010-08-16 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
KR102115344B1 (ko) 2010-08-27 2020-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
JP5864163B2 (ja) 2010-08-27 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の設計方法
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8593858B2 (en) 2010-08-31 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130102581A (ko) 2010-09-03 2013-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2012029596A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8766253B2 (en) * 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
TWI608486B (zh) 2010-09-13 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
KR20140054465A (ko) 2010-09-15 2014-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI620176B (zh) 2010-10-05 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
TWI565079B (zh) 2010-10-20 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR101952456B1 (ko) 2010-10-29 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
EP2636674B1 (en) 2010-11-02 2016-04-06 Ube Industries, Ltd. (amide amino alkane) metal compound and method of producing metal-containing thin film using said metal compound
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012060253A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
CN103201831B (zh) 2010-11-05 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI654764B (zh) 2010-11-11 2019-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置及其製造方法
JP5770068B2 (ja) 2010-11-12 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103339715B (zh) 2010-12-03 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜以及半导体装置
TWI632551B (zh) 2010-12-03 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
US8957462B2 (en) 2010-12-09 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an N-type transistor with an N-type semiconductor containing nitrogen as a gate
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
KR101981808B1 (ko) 2010-12-28 2019-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI562142B (en) 2011-01-05 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Storage element, storage device, and signal processing circuit
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US20120178224A1 (en) * 2011-01-12 2012-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
TWI492368B (zh) 2011-01-14 2015-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
KR101942701B1 (ko) 2011-01-20 2019-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 소자 및 반도체 장치
JP5719610B2 (ja) * 2011-01-21 2015-05-20 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ、及びアクティブマトリクス基板
TWI602303B (zh) 2011-01-26 2017-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI564890B (zh) 2011-01-26 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
TWI657580B (zh) 2011-01-26 2019-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置及其製造方法
CN103348464B (zh) 2011-01-26 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012102181A1 (en) 2011-01-27 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
DE112012000601T5 (de) 2011-01-28 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung sowie Halbleitervorrichtung
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR101899375B1 (ko) 2011-01-28 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US8780614B2 (en) 2011-02-02 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
JP5969216B2 (ja) * 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
KR20120092386A (ko) * 2011-02-11 2012-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI624878B (zh) 2011-03-11 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101995682B1 (ko) 2011-03-18 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US8797303B2 (en) * 2011-03-21 2014-08-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI582999B (zh) 2011-03-25 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI567736B (zh) 2011-04-08 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體元件及信號處理電路
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US8743590B2 (en) 2011-04-08 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device using the same
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9070776B2 (en) 2011-04-15 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8878270B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9006803B2 (en) * 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US8941958B2 (en) 2011-04-22 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8797788B2 (en) 2011-04-22 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN102760697B (zh) 2011-04-27 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
KR20120124126A (ko) * 2011-05-03 2012-11-13 삼성디스플레이 주식회사 산화물 반도체 소자, 산화물 반도체 소자의 제조 방법 및 산화물 반도체소자를 포함하는 표시 장치
TW202414842A (zh) 2011-05-05 2024-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101874144B1 (ko) 2011-05-06 2018-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
CN102768989A (zh) * 2011-05-06 2012-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板结构及制造方法
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE112012002077B4 (de) 2011-05-13 2019-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9105749B2 (en) 2011-05-13 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012157463A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6013773B2 (ja) 2011-05-13 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9954110B2 (en) 2011-05-13 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US9397222B2 (en) 2011-05-13 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9466618B2 (en) 2011-05-13 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
KR101889383B1 (ko) 2011-05-16 2018-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI571058B (zh) 2011-05-18 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置與驅動半導體裝置之方法
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
JP6006975B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8709889B2 (en) 2011-05-19 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
KR101922397B1 (ko) 2011-05-20 2018-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI616873B (zh) 2011-05-20 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
TWI570730B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI573136B (zh) 2011-05-20 2017-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
CN102789808B (zh) 2011-05-20 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI534956B (zh) 2011-05-27 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 調整電路及驅動調整電路之方法
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
JP6231735B2 (ja) * 2011-06-01 2017-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102655095B (zh) 2011-06-01 2014-10-15 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及阵列基板的制造方法
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
DE112012007295B3 (de) 2011-06-08 2022-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6009226B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI557910B (zh) 2011-06-16 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20190039345A (ko) 2011-06-17 2019-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제조 방법
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
TWI686871B (zh) * 2011-06-17 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2013005380A1 (en) 2011-07-01 2013-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9318506B2 (en) 2011-07-08 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20140051268A (ko) 2011-07-22 2014-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8878176B2 (en) * 2011-08-11 2014-11-04 The Hong Kong University Of Science And Technology Metal-oxide based thin-film transistors with fluorinated active layer
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621243B (zh) 2011-08-29 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI446545B (zh) * 2011-08-30 2014-07-21 友達光電股份有限公司 顯示面板之薄膜電晶體及其製作方法
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
KR101976228B1 (ko) 2011-09-22 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 검출 장치 및 광 검출 장치의 구동 방법
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
WO2013047631A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112012004061B4 (de) 2011-09-29 2024-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP2013093565A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR20130040706A (ko) * 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2013054933A1 (en) 2011-10-14 2013-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130042867A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 삼성디스플레이 주식회사 보호막 용액 조성물, 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102067051B1 (ko) 2011-10-24 2020-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2013061895A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102012981B1 (ko) 2011-11-09 2019-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5933895B2 (ja) * 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2013069548A1 (en) 2011-11-11 2013-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driver circuit and liquid crystal display device
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US9379254B2 (en) 2011-11-18 2016-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method
KR20130055521A (ko) * 2011-11-18 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자, 및 반도체 소자의 제작 방법, 및 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
JP6059968B2 (ja) 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8772094B2 (en) 2011-11-25 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
CN103137701B (zh) 2011-11-30 2018-01-19 株式会社半导体能源研究所 晶体管及半导体装置
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
TWI556319B (zh) 2011-11-30 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
WO2013080900A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR102084274B1 (ko) 2011-12-15 2020-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
TWI580047B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102103913B1 (ko) * 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013168926A (ja) 2012-01-18 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
KR102097171B1 (ko) 2012-01-20 2020-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102296696B1 (ko) 2012-01-23 2021-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2013111756A1 (en) 2012-01-25 2013-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6091905B2 (ja) * 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI605597B (zh) 2012-01-26 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI562361B (en) 2012-02-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
JP6220526B2 (ja) 2012-02-29 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8754693B2 (en) 2012-03-05 2014-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Latch circuit and semiconductor device
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013133143A1 (en) 2012-03-09 2013-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
WO2013137014A1 (en) 2012-03-13 2013-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for driving the same
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
WO2013146154A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply control device
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
KR20130111873A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 단국대학교 산학협력단 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
JP2013232885A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体リレー
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013236068A (ja) 2012-04-12 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102932705B1 (ko) 2012-04-13 2026-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101968115B1 (ko) * 2012-04-23 2019-08-13 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6035195B2 (ja) 2012-05-01 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
US9261943B2 (en) 2012-05-02 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101978932B1 (ko) 2012-05-02 2019-05-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 로직 디바이스
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
JP6100076B2 (ja) 2012-05-02 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プロセッサ
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20250172710A (ko) 2012-05-10 2025-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN107403840B (zh) 2012-05-10 2021-05-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
DE102013207324A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
US8994891B2 (en) 2012-05-16 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN104321967B (zh) 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
WO2013179922A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102071545B1 (ko) 2012-05-31 2020-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8785928B2 (en) 2012-05-31 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9343120B2 (en) 2012-06-01 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High speed processing unit with non-volatile register
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
KR20150023547A (ko) 2012-06-01 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 경보 장치
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014027263A (ja) 2012-06-15 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
DE112013003041T5 (de) 2012-06-29 2015-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102099445B1 (ko) 2012-06-29 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8900938B2 (en) * 2012-07-02 2014-12-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacturing method of array substrate, array substrate and LCD device
US9190525B2 (en) 2012-07-06 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
TWI600022B (zh) 2012-07-20 2017-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置
KR102705677B1 (ko) 2012-07-20 2024-09-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
WO2014013959A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102850432B1 (ko) 2012-07-20 2025-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108054175A (zh) 2012-08-03 2018-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
EP2880690B1 (en) 2012-08-03 2019-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor stacked film
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102099261B1 (ko) 2012-08-10 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108305895B (zh) 2012-08-10 2021-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
DE102013216824B4 (de) 2012-08-28 2024-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
TWI657539B (zh) 2012-08-31 2019-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置
KR102088865B1 (ko) 2012-09-03 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 마이크로 컨트롤러
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
KR102679509B1 (ko) 2012-09-13 2024-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI761605B (zh) 2012-09-14 2022-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9626889B2 (en) 2012-09-24 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and program for driving information processing device
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI671910B (zh) 2012-09-24 2019-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
KR102046996B1 (ko) 2012-10-16 2019-11-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR102227591B1 (ko) 2012-10-17 2021-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102094568B1 (ko) 2012-10-17 2020-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작 방법
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102102589B1 (ko) 2012-10-17 2020-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 논리 장치
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102168987B1 (ko) 2012-10-17 2020-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 마이크로컨트롤러 및 그 제조 방법
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI637517B (zh) 2012-10-24 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2014065301A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9287411B2 (en) 2012-10-24 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
CN104769842B (zh) 2012-11-06 2017-10-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及其驱动方法
WO2014073585A1 (en) 2012-11-08 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide film and method for forming metal oxide film
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI613813B (zh) 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
TWI757837B (zh) 2012-11-28 2022-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR102148549B1 (ko) 2012-11-28 2020-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI582993B (zh) 2012-11-30 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR20250117485A (ko) 2012-11-30 2025-08-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014135478A (ja) 2012-12-03 2014-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102112364B1 (ko) 2012-12-06 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
KR102370069B1 (ko) 2012-12-25 2022-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
WO2014104265A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102495290B1 (ko) 2012-12-28 2023-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI593025B (zh) 2013-01-30 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體層的處理方法
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014125979A1 (en) 2013-02-13 2014-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
TWI611567B (zh) 2013-02-27 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195060A (ja) 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
JP6250883B2 (ja) 2013-03-01 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
WO2014142043A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
WO2014142332A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9245650B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6395409B2 (ja) 2013-03-27 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
JP2014209522A (ja) 2013-04-16 2014-11-06 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014181785A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TW202414844A (zh) 2013-05-16 2024-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI690085B (zh) 2013-05-16 2020-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9454923B2 (en) 2013-05-17 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US9172369B2 (en) 2013-05-17 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102442752B1 (ko) 2013-05-20 2022-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
SG10201707381WA (en) 2013-05-20 2017-10-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE102014019794B4 (de) 2013-05-20 2024-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014188983A1 (en) 2013-05-21 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and formation method thereof
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR102090289B1 (ko) * 2013-05-30 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 산화물 스퍼터링 타겟, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687748B (zh) 2013-06-05 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI641112B (zh) 2013-06-13 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI633650B (zh) 2013-06-21 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102090713B1 (ko) 2013-06-25 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널의 제조 방법
US9515094B2 (en) 2013-06-26 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
KR102269460B1 (ko) 2013-06-27 2021-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6352070B2 (ja) 2013-07-05 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9312349B2 (en) 2013-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
TWI622053B (zh) 2013-07-10 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9006736B2 (en) 2013-07-12 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6400961B2 (ja) 2013-07-12 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443592B2 (en) 2013-07-18 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI643435B (zh) 2013-08-21 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI708981B (zh) 2013-08-28 2020-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN103474472B (zh) * 2013-09-10 2016-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102643577B1 (ko) 2013-09-13 2024-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6467171B2 (ja) 2013-09-17 2019-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI678740B (zh) 2013-09-23 2019-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9799774B2 (en) 2013-09-26 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Switch circuit, semiconductor device, and system
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW202431651A (zh) 2013-10-10 2024-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US9293592B2 (en) 2013-10-11 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9245593B2 (en) 2013-10-16 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving arithmetic processing unit
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
KR102270823B1 (ko) 2013-10-22 2021-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2015109424A (ja) 2013-10-22 2015-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN105659370A (zh) 2013-10-22 2016-06-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
CN103579361A (zh) * 2013-10-23 2014-02-12 昆山龙腾光电有限公司 金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
US9583516B2 (en) 2013-10-25 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
CN104637950A (zh) * 2013-11-14 2015-05-20 上海和辉光电有限公司 薄膜晶体管驱动背板及其制造方法
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102248641B1 (ko) * 2013-11-22 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6496132B2 (ja) 2013-12-02 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102386362B1 (ko) 2013-12-02 2022-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN106663391B (zh) 2013-12-02 2019-09-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9627413B2 (en) 2013-12-12 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI721409B (zh) 2013-12-19 2021-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2015097586A1 (en) 2013-12-25 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20160102295A (ko) 2013-12-26 2016-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102320576B1 (ko) 2013-12-27 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20220046701A (ko) 2013-12-27 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9318618B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
US9869716B2 (en) 2014-02-07 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device comprising programmable logic element
WO2015118436A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, device, and electronic device
US10055232B2 (en) 2014-02-07 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising memory circuit
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
TWI685116B (zh) 2014-02-07 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9479175B2 (en) 2014-02-07 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN105981193B (zh) 2014-02-11 2018-08-24 株式会社半导体能源研究所 显示设备及电子设备
WO2015125042A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide, semiconductor device, module, and electronic device
TWI654613B (zh) 2014-02-21 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
US9817040B2 (en) 2014-02-21 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measuring method of low off-state current of transistor
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
CN111524967B (zh) 2014-02-21 2024-07-12 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR102329066B1 (ko) 2014-02-28 2021-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
KR20160126991A (ko) 2014-02-28 2016-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
JP6545976B2 (ja) 2014-03-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6607681B2 (ja) 2014-03-07 2019-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
WO2015136413A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
KR102450562B1 (ko) 2014-03-13 2022-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102367921B1 (ko) 2014-03-14 2022-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 시스템
JP6559444B2 (ja) 2014-03-14 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR102257978B1 (ko) * 2014-03-17 2021-05-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015140656A1 (en) 2014-03-18 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
WO2015145292A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI695375B (zh) 2014-04-10 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
WO2015159179A1 (en) 2014-04-18 2015-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9768315B2 (en) 2014-04-18 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6609764B2 (ja) * 2014-05-16 2019-11-27 国立大学法人 名古屋工業大学 ｐ型酸化亜鉛膜の製造方法
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置的製造方法
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015181679A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
KR102354008B1 (ko) 2014-05-29 2022-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법 및 전자 기기
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102373263B1 (ko) 2014-05-30 2022-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
KR102582740B1 (ko) 2014-05-30 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102437450B1 (ko) 2014-06-13 2022-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9729809B2 (en) 2014-07-11 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
KR102399893B1 (ko) 2014-07-15 2022-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2016029795A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、撮像装置及び電子機器
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
WO2016012893A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oscillator circuit and semiconductor device including the same
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102247825B1 (ko) * 2014-07-25 2021-05-04 엘지디스플레이 주식회사 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
JP6527416B2 (ja) 2014-07-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
KR102533396B1 (ko) 2014-07-31 2023-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104157699B (zh) * 2014-08-06 2019-02-01 北京大学深圳研究生院 一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法
US9595955B2 (en) 2014-08-08 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including power storage elements and switches
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US9698173B2 (en) * 2014-08-24 2017-07-04 Royole Corporation Thin film transistor, display, and method for fabricating the same
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102509203B1 (ko) 2014-08-29 2023-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
CN104241299B (zh) * 2014-09-02 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 氧化物半导体tft基板的制作方法及结构
WO2016034983A1 (en) 2014-09-02 2016-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102513878B1 (ko) 2014-09-19 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US10141342B2 (en) 2014-09-26 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
KR102341741B1 (ko) 2014-10-10 2021-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기
WO2016055903A1 (en) 2014-10-10 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
KR102439023B1 (ko) 2014-10-28 2022-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기
WO2016067159A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device
JP6780927B2 (ja) 2014-10-31 2020-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
TWI691088B (zh) 2014-11-21 2020-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
KR102456654B1 (ko) 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR20210039507A (ko) 2014-11-28 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 모듈, 및 전자 기기
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6613116B2 (ja) 2014-12-02 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
US9768317B2 (en) 2014-12-08 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092427A1 (en) 2014-12-10 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI687657B (zh) 2014-12-18 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、感測裝置和電子裝置
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
CN111933668A (zh) 2014-12-29 2020-11-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
KR20170109231A (ko) 2015-02-02 2017-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 및 그 제작 방법
KR102875870B1 (ko) 2015-02-04 2025-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102669279B1 (ko) * 2015-02-06 2024-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI732383B (zh) 2015-02-06 2021-07-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
JP6674269B2 (ja) 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
TWI685113B (zh) 2015-02-11 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN114512547A (zh) 2015-02-12 2022-05-17 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜及半导体装置
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6758844B2 (ja) 2015-02-13 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9722092B2 (en) 2015-02-25 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a stacked metal oxide
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9685560B2 (en) 2015-03-02 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN107406966B (zh) 2015-03-03 2020-11-20 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
KR102871323B1 (ko) 2015-03-03 2025-10-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치
JP6681117B2 (ja) 2015-03-13 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
WO2016147074A1 (en) 2015-03-17 2016-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP2016225602A (ja) 2015-03-17 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6688116B2 (ja) 2015-03-24 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TWI777164B (zh) 2015-03-30 2022-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
WO2016166628A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016206659A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
TWI693719B (zh) * 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
CN107683531B (zh) 2015-05-22 2022-04-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
KR102593883B1 (ko) 2015-06-19 2023-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
KR102548001B1 (ko) 2015-07-08 2023-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6457896B2 (ja) * 2015-07-09 2019-01-23 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
JP6802656B2 (ja) 2015-07-30 2020-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
JP6725357B2 (ja) 2015-08-03 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体装置の作製方法
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
US9893202B2 (en) 2015-08-19 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108140657A (zh) 2015-09-30 2018-06-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN108352358B (zh) 2015-10-13 2022-07-26 非结晶公司 非晶金属薄膜非线性电阻器
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
JP2017102904A (ja) 2015-10-23 2017-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電子機器
KR20170084020A (ko) 2015-10-23 2017-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
CN105610524B (zh) * 2015-11-06 2018-07-13 中国计量学院 一种有机柔性薄膜微波信号检测器及其制作方法
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
JP6887243B2 (ja) 2015-12-11 2021-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ
CN105576017B (zh) * 2015-12-15 2019-01-15 浙江大学 一种基于氧化锌薄膜的薄膜晶体管
JP2017112374A (ja) 2015-12-16 2017-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、および電子機器
KR20180095836A (ko) 2015-12-18 2018-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함한 표시 장치
CN108369948B (zh) 2015-12-23 2024-10-18 英特尔公司 用于改进的静电学的非平面igzo器件的制造
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
KR102799414B1 (ko) 2015-12-28 2025-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
KR102789164B1 (ko) 2015-12-29 2025-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US10580798B2 (en) 2016-01-15 2020-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JPWO2017125796A1 (ja) 2016-01-18 2018-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 金属酸化物膜、半導体装置、及び表示装置
US9905657B2 (en) 2016-01-20 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN105552134A (zh) * 2016-01-20 2016-05-04 中国科学院物理研究所 场效应二极管
US9887010B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and driving method thereof
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
CN109121438B (zh) 2016-02-12 2022-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
KR20170096956A (ko) 2016-02-17 2017-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 기기
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102734238B1 (ko) 2016-03-04 2024-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
WO2017178923A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
KR102492209B1 (ko) 2016-05-19 2023-01-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
CN105789120B (zh) * 2016-05-23 2019-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及tft基板
US10242617B2 (en) 2016-06-03 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and driving method
KR102296809B1 (ko) 2016-06-03 2021-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10672898B2 (en) 2016-07-07 2020-06-02 Amorphyx, Incorporated Amorphous metal hot electron transistor
US10141544B2 (en) 2016-08-10 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
GB2554362B (en) 2016-09-21 2020-11-11 Pragmatic Printing Ltd Transistor and its method of manufacture
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2018157210A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法
US20200176712A1 (en) * 2017-06-27 2020-06-04 Sakai Display Products Corporation Flexible display, production method therefor, and flexible display support substrate
US20190041693A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-07 HKC Corporation Limited Display panel
CN109427878A (zh) * 2017-08-21 2019-03-05 中国科学院物理研究所 场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路
CN109427916B (zh) * 2017-08-24 2021-08-17 上海耕岩智能科技有限公司 一种红外光侦测薄膜、器件、显示装置、制备方法
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
WO2019111105A1 (ja) 2017-12-06 2019-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
US11714438B2 (en) 2018-01-24 2023-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP7293190B2 (ja) 2018-03-16 2023-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN111886932A (zh) * 2018-03-19 2020-11-03 株式会社理光 无机el元件、显示元件、图像显示装置和系统
CN111919302B (zh) * 2018-03-30 2025-01-14 非结晶公司 非晶金属薄膜晶体管
CN108596113B (zh) * 2018-04-27 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别器件、显示面板及其制作方法
JP7399857B2 (ja) 2018-07-10 2023-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池の保護回路
CN110890428B (zh) 2018-09-07 2023-03-24 联华电子股份有限公司 氧化物半导体场效晶体管及其形成方法
JP7262474B2 (ja) 2018-10-26 2023-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN109449211B (zh) * 2018-11-01 2022-06-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法
WO2020089733A1 (ja) 2018-11-02 2020-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2020104890A1 (ja) 2018-11-22 2020-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電池パック
TWI850295B (zh) 2018-12-07 2024-08-01 美商非結晶公司 用於基於二極體之顯示器背板之方法及電路及電子顯示器
KR102930487B1 (ko) 2018-12-20 2026-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전지 팩
US10978563B2 (en) 2018-12-21 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US11107929B2 (en) 2018-12-21 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US12040007B2 (en) 2019-04-26 2024-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2020229911A1 (ja) 2019-05-10 2020-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
EP4040511B1 (en) * 2019-10-01 2025-10-08 Nichia Corporation Image display device manufacturing method and image display device
US11024774B2 (en) * 2019-10-15 2021-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Display device reflector having improved reflectivity
TWI912327B (zh) 2020-06-12 2026-01-21 美商非結晶公司 用於電子裝置之包括非線性組件的電路
KR102797855B1 (ko) 2020-10-05 2025-04-17 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11167874A (ja) * 1997-10-03 1999-06-22 Hitachi Ltd 配線基板およびそれを用いたガス放電型表示装置
JP2000330134A (ja) * 1999-03-16 2000-11-30 Furontekku:Kk 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
US20010019129A1 (en) * 2000-01-07 2001-09-06 Chun-Gi You Contact structure of wiring and a method for manufacturing the same
WO2003098699A1 (fr) * 2002-05-22 2003-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif semiconducteur et afficheur comprenant ce dispositif
JP2004235180A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2005285890A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Casio Comput Co Ltd 亜鉛酸化物の加工方法
JP2005303003A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Kobe Steel Ltd 表示デバイスおよびその製法
JP2006344849A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2007073563A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ

Family Cites Families (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62252973A (ja) * 1986-04-25 1987-11-04 Nec Corp 順スタガ−ド型薄膜トランジスタ
JPH01236655A (ja) * 1988-03-17 1989-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜電界効果トランジスタとその製造方法
JP2844342B2 (ja) * 1989-02-28 1999-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP3182758B2 (ja) * 1990-08-31 2001-07-03 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタメモリ
US5849601A (en) 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
JPH04302435A (ja) 1991-03-29 1992-10-26 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP3173854B2 (ja) 1992-03-25 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及び作成された半導体装置
JP3173926B2 (ja) 1993-08-12 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置
JP3106786B2 (ja) 1993-08-26 2000-11-06 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5382457A (en) 1993-09-30 1995-01-17 Colorado Seminary Near-resonant laser sputtering method
US6459418B1 (en) 1995-07-20 2002-10-01 E Ink Corporation Displays combining active and non-active inks
CN101369579B (zh) 1995-10-03 2011-05-04 精工爱普生株式会社 有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法
US5817548A (en) 1995-11-10 1998-10-06 Sony Corporation Method for fabricating thin film transistor device
TW439003B (en) 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
US5803975A (en) 1996-03-01 1998-09-08 Canon Kabushiki Kaisha Microwave plasma processing apparatus and method therefor
JPH09270514A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及び液晶表示装置
JPH09326298A (ja) 1996-04-01 1997-12-16 Denso Corp ドライエッチング方法及びｅｌ素子の製造方法
US5994157A (en) 1998-01-22 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of making a large area imager with UV Blocking layer, and corresponding imager
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP3362008B2 (ja) 1999-02-23 2003-01-07 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
KR100654927B1 (ko) 1999-03-04 2006-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작방법
TW444257B (en) 1999-04-12 2001-07-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for fabricating the same
JP4298131B2 (ja) 1999-05-14 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR100326202B1 (ko) 1999-08-19 2002-02-27 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시소자와 그의 에칭 포인트 검출방법
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
KR100661825B1 (ko) 1999-12-28 2006-12-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
US7633471B2 (en) 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
TWI238375B (en) 2000-05-31 2005-08-21 Toshiba Corp Pumping circuit and flat panel display device
JP3719939B2 (ja) 2000-06-02 2005-11-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置
US6995753B2 (en) 2000-06-06 2006-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP4777500B2 (ja) 2000-06-19 2011-09-21 三菱電機株式会社 アレイ基板およびそれを用いた表示装置ならびにアレイ基板の製造方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP2003050405A (ja) * 2000-11-15 2003-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
JP2002237594A (ja) * 2001-02-02 2002-08-23 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを含むディスプレイ・デバイス
US6757031B2 (en) * 2001-02-09 2004-06-29 Prime View International Co., Ltd. Metal contact structure and method for thin film transistor array in liquid crystal display
JP4139085B2 (ja) 2001-02-15 2008-08-27 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌデバイスおよびこの製造方法
SG143945A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
US6888586B2 (en) 2001-06-05 2005-05-03 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate for liquid crystal display and method for fabricating the same
JP2002373867A (ja) 2001-06-14 2002-12-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 半導体素子用導電性薄膜、半導体素子及びそれらの製造方法
KR100433209B1 (ko) 2001-06-25 2004-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 어래이 기판 및 그 제조방법
JP2003017706A (ja) * 2001-07-02 2003-01-17 Idemitsu Kosan Co Ltd Ｔｆｔ基板、それを用いた液晶表示装置及びその製造方法
JP2003037268A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Minolta Co Ltd 半導体素子及びその製造方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
KR100433805B1 (ko) * 2001-10-11 2004-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
EP1443130B1 (en) 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
KR20020023821A (ko) * 2001-12-11 2002-03-29 태원필 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막형 습도센서
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP2003298062A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP4559739B2 (ja) 2002-03-29 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 電子デバイス用材料およびその製造方法
US7189992B2 (en) 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7002176B2 (en) 2002-05-31 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Vertical organic transistor
US20030236388A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-25 General Electric Company Epoxy polymer precursors and epoxy polymers resistant to damage by high-energy radiation
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
EP1522186B1 (en) * 2002-07-05 2010-02-24 Nxp B.V. Television receiver with isolated inputs
JP4627961B2 (ja) 2002-09-20 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP2004343031A (ja) 2002-12-03 2004-12-02 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 誘電体膜およびその形成方法ならびに誘電体膜を用いた半導体装置およびその製造方法
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4417072B2 (ja) 2003-03-28 2010-02-17 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
TWI254182B (en) * 2003-06-13 2006-05-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid crystal display and the manufacturing method thereof
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US8319219B2 (en) * 2003-07-14 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US20050017244A1 (en) * 2003-07-25 2005-01-27 Randy Hoffman Semiconductor device
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP4483235B2 (ja) 2003-09-01 2010-06-16 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
US20060108363A1 (en) * 2003-09-15 2006-05-25 Yates William M Iii Source selecting cap and closure for multiple chamber bottles
TWI230462B (en) 2003-09-15 2005-04-01 Toppoly Optoelectronics Corp Thin film transistor structure with self-aligned intra-gate
TWI221341B (en) * 2003-09-18 2004-09-21 Ind Tech Res Inst Method and material for forming active layer of thin film transistor
JP4574158B2 (ja) 2003-10-28 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置及びその作製方法
JP4712361B2 (ja) * 2003-12-02 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US7659138B2 (en) 2003-12-26 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
TWI366701B (en) 2004-01-26 2012-06-21 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing display and television
JP2005252012A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 成膜方法、半導体素子の形成方法、半導体装置、及び表示装置
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
JP2005294815A (ja) * 2004-03-12 2005-10-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタ及び半導体装置
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
EP1737044B1 (en) 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
CN2731722Y (zh) * 2004-03-31 2005-10-05 浙江大学 一种ZnO基透明薄膜晶体管
CN1564324A (zh) * 2004-03-31 2005-01-12 浙江大学 一种ZnO基透明薄膜晶体管及其制备方法
JP2005302808A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Sharp Corp 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
US7764012B2 (en) 2004-04-16 2010-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting device comprising reduced frame portion, manufacturing method with improve productivity thereof, and electronic apparatus
US7521368B2 (en) 2004-05-07 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR100603835B1 (ko) 2004-05-24 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US8772783B2 (en) 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
RU2358354C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Светоизлучающее устройство
KR100998527B1 (ko) 2004-11-10 2010-12-07 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
EP1815530B1 (en) 2004-11-10 2021-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
CN102569342B (zh) 2004-12-06 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN100342552C (zh) * 2004-12-21 2007-10-10 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管与其制作方法
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI481024B (zh) 2005-01-28 2015-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577231B (zh) 2005-11-15 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101229280B1 (ko) 2005-12-28 2013-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 패널
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
US7754509B2 (en) 2006-03-29 2010-07-13 Chunghua Picture Tubes, Ltd. Manufacturing method for thin film transistor
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI324020B (en) * 2006-10-05 2010-04-21 Ind Tech Res Inst Encoder and image encoding method
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
DE102007046700A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-16 Siemens Ag Ultraschallvorrichtung

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11167874A (ja) * 1997-10-03 1999-06-22 Hitachi Ltd 配線基板およびそれを用いたガス放電型表示装置
JP2000330134A (ja) * 1999-03-16 2000-11-30 Furontekku:Kk 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
US20030164498A1 (en) * 1999-03-16 2003-09-04 Sung Chae Gee Thin-film transistor substrate and liquid crystal display
US20010019129A1 (en) * 2000-01-07 2001-09-06 Chun-Gi You Contact structure of wiring and a method for manufacturing the same
JP2001267420A (ja) * 2000-01-07 2001-09-28 Samsung Electronics Co Ltd 配線の接触構造及びその製造方法とこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
WO2003098699A1 (fr) * 2002-05-22 2003-11-27 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif semiconducteur et afficheur comprenant ce dispositif
JP2004235180A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2005285890A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Casio Comput Co Ltd 亜鉛酸化物の加工方法
JP2005303003A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Kobe Steel Ltd 表示デバイスおよびその製法
JP2006344849A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US20060284172A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-21 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP2007073563A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090130089A (ko) 2009-12-17
US20100038639A1 (en) 2010-02-18
KR20120025012A (ko) 2012-03-14
CN101577293B (zh) 2012-09-19
CN101707212A (zh) 2010-05-12
TW200947712A (en) 2009-11-16
US8525165B2 (en) 2013-09-03
TW200947713A (en) 2009-11-16
CN101577231A (zh) 2009-11-11
JP5890494B2 (ja) 2016-03-22
CN101283444A (zh) 2008-10-08
TWI423447B (zh) 2014-01-11
KR101397571B1 (ko) 2014-05-22
WO2007058329A1 (en) 2007-05-24
CN101577281B (zh) 2012-01-11
TW200947711A (en) 2009-11-16
US8368079B2 (en) 2013-02-05
US8134156B2 (en) 2012-03-13
CN101667544B (zh) 2012-09-05
TW200947710A (en) 2009-11-16
TW201007952A (en) 2010-02-16
US20090189155A1 (en) 2009-07-30
CN101577281A (zh) 2009-11-11
US20070108446A1 (en) 2007-05-17
US20100003783A1 (en) 2010-01-07
CN101667544A (zh) 2010-03-10
JP5089636B2 (ja) 2012-12-05
KR20090048651A (ko) 2009-05-14
TW200733398A (en) 2007-09-01
TWI427798B (zh) 2014-02-21
KR101112652B1 (ko) 2012-02-16
KR101358954B1 (ko) 2014-02-06
CN101577282A (zh) 2009-11-11
CN101577256A (zh) 2009-11-11
JP2011086954A (ja) 2011-04-28
US20090186437A1 (en) 2009-07-23
JP2013058797A (ja) 2013-03-28
TWI427797B (zh) 2014-02-21
KR20090115222A (ko) 2009-11-04
CN101577256B (zh) 2011-07-27
KR101050767B1 (ko) 2011-07-20
KR20080070811A (ko) 2008-07-31
CN101577293A (zh) 2009-11-11
KR101117948B1 (ko) 2012-02-15
KR20090052901A (ko) 2009-05-26
KR20090053862A (ko) 2009-05-27
JP2010010721A (ja) 2010-01-14
TW200952090A (en) 2009-12-16
CN101577231B (zh) 2013-01-02
JP2009152633A (ja) 2009-07-09
US8158464B2 (en) 2012-04-17
KR101112655B1 (ko) 2012-02-16
JP5178850B2 (ja) 2013-04-10
TWI427708B (zh) 2014-02-21
CN101283444B (zh) 2011-01-26
CN101707212B (zh) 2012-07-11
KR20090048650A (ko) 2009-05-14
TWI427793B (zh) 2014-02-21
TWI427799B (zh) 2014-02-21
TWI429086B (zh) 2014-03-01
US20090189156A1 (en) 2009-07-30
KR101103374B1 (ko) 2012-01-05
TW201005953A (en) 2010-02-01
US20090186445A1 (en) 2009-07-23
KR20090051125A (ko) 2009-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5890494B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP5089139B2 (ja) 半導体装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150730

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160216

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160218

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5890494

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250