JPH011246A - ゲ−トパタ−ン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置のゲートパターンに関するもの
である。

［従来の技術］ 第３図（ａ　）、　（ｂ　ｌに従来の半導体装置のデー
１−バク−）の上面図と側面図を示す、。

第３図において、ゲートパターン１（よ配線との接続部
分だけ広い面積になっており、この部分は通常パッド部
１Ｂと呼ばれる１、また、１Ａは動作領域上のゲートパ
ターンである。

第４図（ａＬ　（ｂ）にゲートパターン１を形成した後
の膜の平坦化の工程を示す。

まず、第４図（ａ）に示すように、デー１−バクーノ１
が形成された半導体基板４上に窒化シリコ−膜３をＣＶ
　Ｉ）法などにより形成した後、この上にホトレジスト すように、窒化シリコン膜３とホトレジスト工・ソチン
グ速度が同じになる条件で、冑方性工・ノチングを行い
、窒化シリコン膜３の平坦化を行う，。

〔発明が解決（７ようとする問題点〕 従来のゲートパターン１では、バ、ソド部１Ｂの幅が広
いため、第４図（ａ）に示すように、バット部１Ｂの中
央部分の膜厚が厚くなる。そのため、異方性工・ソチン
グをした場合、第４図（ｂ）に示すＬうに、バンド部１
Ｂ上の窒化ンリコレ膜３が残ってしまう、。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、バ・ソド部上の膜厚を）Ｖ−ＨＪ化できろ
’ｙ”−トバタ−シを１１）ろことを目ｒ勺とする、。

［間：頂点を解決するための手段］ 乙の発明に係るゲートバターノは、ゲ−ドパターンのバ
２ｉ　１・部の形状を動作領域上のゲートバター７上同
じ幅の櫛状としたものである。

〔作用〕

この発明におけるゲートパターンは、ゲートバター７上
パッド部を動作領域上のゲートパターンと同じ幅の櫛状
とすることにより、ゲートバター７上の膜厚が均一にて
き、異方性エツチングをした場合、ゲートパターフ全体
が一様にエツチングでき、容易に平坦化ができる。

〔実施例］ 以上、この発明の一実施例を図面について説明する。

第１図（ａ　）、　（ｂ　）はこの発明の一実施例を示
すデー１〜バクーノの上面図および側面図である。

第１図に示すように、この実施例では、ゲートバター７
上 パターン１人と同じ幅の櫛状に形成したものである。

このように、櫛状に形成されたパッド部１Ｂを有するゲ
〜　ドパクー″／１上にＣＶＤ法などにより窒化ンリコ
ノ膜３を形成し、さらに乙の上にホ）−レジスト２を塗
“市すると、第２図（ａ）のようになる。乙の後、異方
性エツチングをすると、第２図（ｂ）に示すように、容
易にゲートパターン１上の窒化ノリコン膜３を均一に除
去することができろ。

ゲートパターン１のパッド部１Ｂの？ＨＭＩＩＪの形状
を、動作領域上のゲートパターン１Ａと同じ幅で形成す
れば、直線以外の他の形状でも同じ効果を得ることがで
きる。

〔発明の効果］ 以上説明したように、この発明は、デーｌ−パターンの
パッド部を動作領域上のゲートパターンと同じ幅の櫛状
に形成したので、ゲートパターン上の膜厚を均一にする
ことができ、容易に平坦化ができろ利点がある１、

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示すゲー
トパターンの上面図および側面図、第２図（ａ　）、　
（ｂ　）は、第１図のゲートパターン上に平坦化された
窒化シリコン膜の形成工程を示すｔＸ＠面図、第３図（
ａ）、（ｂｌは従来のゲー）・パターンを示す−Ｆ面図
および側面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来のケ−）・
バターノドに平坦化された窒化シリコン膜の形成工程を
示す断面図である。 図におういて、１ばゲートバターノ、１Ａば動作領域上
のゲートパターン、１Ｂはパッド部、２はホトＬ−じス
ト、３は窒化シリコン膜、４は半導体基板であるっ なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　＊（外２名） 第２図 （ａ） 第３図 （ａ） 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ゲートパターンが形成された半導体基板上に平坦化さ
   れた膜を形成する半導体装置において、前記ゲートパタ
   ーンのパッド部を動作領域上のゲートパターンと同じ幅
   の櫛状に形成したことを特徴とするゲートパターン。