JPH01155509A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH01155509A JPH01155509A JP31551287A JP31551287A JPH01155509A JP H01155509 A JPH01155509 A JP H01155509A JP 31551287 A JP31551287 A JP 31551287A JP 31551287 A JP31551287 A JP 31551287A JP H01155509 A JPH01155509 A JP H01155509A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、ビデオテープデツキ、磁気記録装置などに
用いられる磁気ヘッドに関する。
用いられる磁気ヘッドに関する。
[従来の技術]
上記のような磁気ヘッドにおいては、磁気的性質(飽和
磁束密度Bsが高いこと、透磁率が高いことなど)の他
に、機械的性質(耐摩耗性が高いこと、成形性が良いこ
と)が良好であることが要求される。そのような特性を
得るために、ヘッドのコアの基部に、透磁率が高く、比
抵抗が大きい酸化物磁性体のMn−Znフェライトを用
い、そのギャップ形成面にスパッタリングを行って合金
磁性体であるセンダス1などの被膜を形成するようにし
た複合型ヘッドが用いられている。このような場合、酸
化物磁性体の表面に直接合金磁性体をスパッタリングし
ても、両者の付着強度が充分でないために、機械加工な
どにおいて両者の間(こ微小な剥離が生じ、歩留りを低
下させることになる。そこで、両者の付着強度を上げる
ために、間にクロムからなる中間膜層を形成することが
行なわれていた。
磁束密度Bsが高いこと、透磁率が高いことなど)の他
に、機械的性質(耐摩耗性が高いこと、成形性が良いこ
と)が良好であることが要求される。そのような特性を
得るために、ヘッドのコアの基部に、透磁率が高く、比
抵抗が大きい酸化物磁性体のMn−Znフェライトを用
い、そのギャップ形成面にスパッタリングを行って合金
磁性体であるセンダス1などの被膜を形成するようにし
た複合型ヘッドが用いられている。このような場合、酸
化物磁性体の表面に直接合金磁性体をスパッタリングし
ても、両者の付着強度が充分でないために、機械加工な
どにおいて両者の間(こ微小な剥離が生じ、歩留りを低
下させることになる。そこで、両者の付着強度を上げる
ために、間にクロムからなる中間膜層を形成することが
行なわれていた。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上記のような従来の技術においては、ク
ロム層が酸化物磁性体層と合金磁性体層との付着強度を
上げて微小剥離の生成を防ぐが、ヘッド製造の際のガラ
スボンディング時における昇温により、クロムが合金磁
性体層に拡散してその磁気特性を変化させるほか、酸化
物磁性体中の酸素が中間層を通して合金磁性体中に拡散
し、酸素の減少部分が本来のフェライトの結晶構造を維
持できなくなって磁気特性が低下し、合金磁性体初期形
成層及び酸化物磁性体の酸素欠乏層、あるいはクロムか
らなる中間膜層が擬似ギャップを生成するという不具合
があった。
ロム層が酸化物磁性体層と合金磁性体層との付着強度を
上げて微小剥離の生成を防ぐが、ヘッド製造の際のガラ
スボンディング時における昇温により、クロムが合金磁
性体層に拡散してその磁気特性を変化させるほか、酸化
物磁性体中の酸素が中間層を通して合金磁性体中に拡散
し、酸素の減少部分が本来のフェライトの結晶構造を維
持できなくなって磁気特性が低下し、合金磁性体初期形
成層及び酸化物磁性体の酸素欠乏層、あるいはクロムか
らなる中間膜層が擬似ギャップを生成するという不具合
があった。
この発明は、合金磁性体と酸化物磁性体の付着強度を保
ちつつ、これらの各部の間の元素の拡散による上記合金
磁性体初期形成層及び酸化物磁性体の酸素欠乏層の生成
を防いで、磁気ギャップと合金磁気体膜形成面とが平行
な構造を持つ、いわゆる単純MIGヘッドによる擬似ギ
ャップの形成を抑制することを目的とするものである。
ちつつ、これらの各部の間の元素の拡散による上記合金
磁性体初期形成層及び酸化物磁性体の酸素欠乏層の生成
を防いで、磁気ギャップと合金磁気体膜形成面とが平行
な構造を持つ、いわゆる単純MIGヘッドによる擬似ギ
ャップの形成を抑制することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
上記のような問題点を解決するために、この発明は、酸
化物磁性体と合金磁性体層との間に、rVa属もしくは
Va属の金属元素、例えばT i、 Z r。
化物磁性体と合金磁性体層との間に、rVa属もしくは
Va属の金属元素、例えばT i、 Z r。
1−If、V 、Nb、Ta、またはこれらの金属元素
の酸化物からなる中間膜層を形成したものである。
の酸化物からなる中間膜層を形成したものである。
[作用]
このような磁気ヘッドにおいては、■a、 Vati?
iの金属元素またはこれらの金属酸化物は、センダスト
などの合金磁性体に拡散しにくいので、ガラスボンディ
ング時において、合金磁性体にこれらの元素が拡散して
磁気特性を劣化させることがない。また、この中間膜層
は酸素の拡散を妨げるので、ガラスボンディング時に、
酸化物磁性体中の酸素が中間層を通って合金磁性体層に
拡散せず、酸化物磁性体の磁気特性の劣化を防ぐ。
iの金属元素またはこれらの金属酸化物は、センダスト
などの合金磁性体に拡散しにくいので、ガラスボンディ
ング時において、合金磁性体にこれらの元素が拡散して
磁気特性を劣化させることがない。また、この中間膜層
は酸素の拡散を妨げるので、ガラスボンディング時に、
酸化物磁性体中の酸素が中間層を通って合金磁性体層に
拡散せず、酸化物磁性体の磁気特性の劣化を防ぐ。
[実施例]
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第1図及び第2図はこの発明を用いた磁気ヘッドを示す
もので、Mn−Znフェライトからなるlコア亀及びC
コア2を突き合わけて構成されている。これらのコア1
.2のギャップ部は、第1図に示すように、コア素材で
あるMn−Znフェライトの上にTiからなる中間膜層
3が形成され、さらにその上にセンダスト合金磁性体層
4が形成され、このセンダスト合金磁性体層4が5iO
yのギャップスペーサ層5を介して接合された構造にな
っており、ギャップ部の側部の溝をガラス6により充填
してボンディングされている。
もので、Mn−Znフェライトからなるlコア亀及びC
コア2を突き合わけて構成されている。これらのコア1
.2のギャップ部は、第1図に示すように、コア素材で
あるMn−Znフェライトの上にTiからなる中間膜層
3が形成され、さらにその上にセンダスト合金磁性体層
4が形成され、このセンダスト合金磁性体層4が5iO
yのギャップスペーサ層5を介して接合された構造にな
っており、ギャップ部の側部の溝をガラス6により充填
してボンディングされている。
以下、この磁気ヘッドの製造方法について記すと、第3
図に示すものはMn−Znフェライトのコアブロック7
であり、−面に複数の溝8が平行に長さ方向に形成され
、このd−18の間の平面がギャップ面9になる。溝8
を有する側のブロック上面に、スパッタリングにより、
以下の条件でTiの被膜(中間膜層3)を形成した。
図に示すものはMn−Znフェライトのコアブロック7
であり、−面に複数の溝8が平行に長さ方向に形成され
、このd−18の間の平面がギャップ面9になる。溝8
を有する側のブロック上面に、スパッタリングにより、
以下の条件でTiの被膜(中間膜層3)を形成した。
スパッタリング:マグネトロンスパッタリングターゲッ
ト:99.99wt%チタン 電源:高周波電源、2 KW 雰囲気: I mT orrA r 温度:100℃ この上にさらにセンダスト合金磁性体層4をスパッタリ
ングにより形成し、ブロック上面に溝に直交する巻線溝
10及び補強溝11を形成し、−方のブロックの上面に
S i Oを等のギャップスペーサ層5を形成し、互い
に突き合わせた状態で、溶融したガラス6を1r48に
充填して固化させる。そして、第3図に矢印で示すよう
に、>I# 8に沿ってコアブロック7を切断し、所定
の機械加工を行って、第2図に示すような磁気ヘッドと
する。
ト:99.99wt%チタン 電源:高周波電源、2 KW 雰囲気: I mT orrA r 温度:100℃ この上にさらにセンダスト合金磁性体層4をスパッタリ
ングにより形成し、ブロック上面に溝に直交する巻線溝
10及び補強溝11を形成し、−方のブロックの上面に
S i Oを等のギャップスペーサ層5を形成し、互い
に突き合わせた状態で、溶融したガラス6を1r48に
充填して固化させる。そして、第3図に矢印で示すよう
に、>I# 8に沿ってコアブロック7を切断し、所定
の機械加工を行って、第2図に示すような磁気ヘッドと
する。
このように製造された磁気ヘッドの作用を確認するため
に、ギャップ面9にTiからなる中間膜層3及びセンダ
スト合金層4を形成した試料を作り、これを、ガラスボ
ンディングを想゛定した所定の温度(570℃)におい
て非酸化性雰囲気(N、ガス)中で所定の時間(20w
in)焼鈍を行い、焼鈍の前後におけるギャップ面9の
近傍における各元素の分布の変化をオージェ電子分光(
AES)により調べた(第4図及び第5図参照)。また
、比較例として、Tiの替わりにCrを用いたものを同
様に分析した(第6図及び第7図参照)。
に、ギャップ面9にTiからなる中間膜層3及びセンダ
スト合金層4を形成した試料を作り、これを、ガラスボ
ンディングを想゛定した所定の温度(570℃)におい
て非酸化性雰囲気(N、ガス)中で所定の時間(20w
in)焼鈍を行い、焼鈍の前後におけるギャップ面9の
近傍における各元素の分布の変化をオージェ電子分光(
AES)により調べた(第4図及び第5図参照)。また
、比較例として、Tiの替わりにCrを用いたものを同
様に分析した(第6図及び第7図参照)。
これらの結果に見られるように、本実施例においては、
焼鈍の後においてもTiのセンダスト合金層4への拡散
がほとんど見られないのに対し、従来例においては、C
「のセンダスト合金層への拡散が見られる。
焼鈍の後においてもTiのセンダスト合金層4への拡散
がほとんど見られないのに対し、従来例においては、C
「のセンダスト合金層への拡散が見られる。
酸素の分布については、第4図において焼鈍の前にすで
にTi層中にかなりの酸素が含まれているのが見られる
が、これは、センダスト合金をスバッタリング形成(3
50℃)するときにTiが酸化されるものである。本実
施例においては、酸素分布は焼鈍の前後で特に変わりが
なく、フェライト層の中間膜層近傍における磁気特性の
変化が少ないことが推定されるが、従来例においては、
当該部分の酸素量が大きく減少しており、フェライト本
来の結晶構造から解離しているものと推定される。これ
は、TiあるいはIVa、Va属の金属は、そのゲッタ
ー効果(酸素を捕らえて不動態化する効果)により酸化
物となり、酸素の拡散に対してバリヤーとして作用する
(バリヤー効果)からであると思われる。
にTi層中にかなりの酸素が含まれているのが見られる
が、これは、センダスト合金をスバッタリング形成(3
50℃)するときにTiが酸化されるものである。本実
施例においては、酸素分布は焼鈍の前後で特に変わりが
なく、フェライト層の中間膜層近傍における磁気特性の
変化が少ないことが推定されるが、従来例においては、
当該部分の酸素量が大きく減少しており、フェライト本
来の結晶構造から解離しているものと推定される。これ
は、TiあるいはIVa、Va属の金属は、そのゲッタ
ー効果(酸素を捕らえて不動態化する効果)により酸化
物となり、酸素の拡散に対してバリヤーとして作用する
(バリヤー効果)からであると思われる。
本実施例と比較例の効果をさらに具体的に比較するため
に、それぞれのヘッドに高周波電流を流してギャップの
磁気出力を測定した(第7図及び第8図)。これによれ
ば、従来の中間膜層3としてCrを用いたものは一定の
周波数毎に出力の低下が見られる。これは、擬似ギャッ
プにおける出力損失があるためと考えられる。一方、実
施例においては、全周波数域においてmらかな出力が得
られており、擬似ギャップの発生がほとんどないことが
確認できる。
に、それぞれのヘッドに高周波電流を流してギャップの
磁気出力を測定した(第7図及び第8図)。これによれ
ば、従来の中間膜層3としてCrを用いたものは一定の
周波数毎に出力の低下が見られる。これは、擬似ギャッ
プにおける出力損失があるためと考えられる。一方、実
施例においては、全周波数域においてmらかな出力が得
られており、擬似ギャップの発生がほとんどないことが
確認できる。
なお、上記の実施例においては、中間膜層3の素材とし
て′riを用いたが、IVa属もしくは■ariAに属
する金属元素またはこれらの酸化物であれば上記と同様
の作用効果を有ずろものであり、適宜選択が可能である
。
て′riを用いたが、IVa属もしくは■ariAに属
する金属元素またはこれらの酸化物であれば上記と同様
の作用効果を有ずろものであり、適宜選択が可能である
。
[発明の効果]
以上詳述したように、この発明は、酸化物磁性体と合金
磁性体層との間に、IVa属またはVa属の金属元素ま
たはその酸化物からなる中間膜層を形成したものであり
、酸化物磁性体と合金磁性体の併行強度を保持しつつ、
製造時の昇温によるギャップ部における各層の間の元素
の拡散を妨げ、各層の磁気特性の劣化を防止し、擬似ギ
ャップの発生を防止することができる。そして、これに
より、酸化物磁性体と合金磁性体の磁気的機械的特徴を
生かしたρ;性能の磁気ヘッドを提供することができる
ものである。
磁性体層との間に、IVa属またはVa属の金属元素ま
たはその酸化物からなる中間膜層を形成したものであり
、酸化物磁性体と合金磁性体の併行強度を保持しつつ、
製造時の昇温によるギャップ部における各層の間の元素
の拡散を妨げ、各層の磁気特性の劣化を防止し、擬似ギ
ャップの発生を防止することができる。そして、これに
より、酸化物磁性体と合金磁性体の磁気的機械的特徴を
生かしたρ;性能の磁気ヘッドを提供することができる
ものである。
第1図はこの発明の一実施例の要部を示す平面図、第2
図は同じく斜視図、第3図はその製造方法を示す斜視図
、第4図は実施例のギャップ部の被膜形成直後の組成を
オージェ電子分光装置で調べた結果を示すグラフ、第5
図はその焼鈍後の結果のグラフ、第6図は従来例の被膜
形成直後の組成を調べた結果のグラフ、第7図はその焼
鈍後の結果のグラフ、第8図は実施例の磁気ヘッドの特
性を示すグラフ、第9図は従来例の磁気ヘッドの特性を
示すグラフである。 1.2・・・・・・コア(酸化物磁性体)、3・・・・
・・中間膜層、4・・・・・・合金磁性体層。
図は同じく斜視図、第3図はその製造方法を示す斜視図
、第4図は実施例のギャップ部の被膜形成直後の組成を
オージェ電子分光装置で調べた結果を示すグラフ、第5
図はその焼鈍後の結果のグラフ、第6図は従来例の被膜
形成直後の組成を調べた結果のグラフ、第7図はその焼
鈍後の結果のグラフ、第8図は実施例の磁気ヘッドの特
性を示すグラフ、第9図は従来例の磁気ヘッドの特性を
示すグラフである。 1.2・・・・・・コア(酸化物磁性体)、3・・・・
・・中間膜層、4・・・・・・合金磁性体層。
Claims (1)
- 酸化物磁性体からなる一対のコアのギャップ面に、IVa
属もしくはVa属に属する金属元素またはその酸化物か
らなる中間膜層を介して合金磁性体層が形成されている
ことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31551287A JPH01155509A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31551287A JPH01155509A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155509A true JPH01155509A (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=18066242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31551287A Pending JPH01155509A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01155509A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303613A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH0485713A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-18 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH04313803A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッド |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613311A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| JPS62145510A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP31551287A patent/JPH01155509A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613311A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| JPS62145510A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303613A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-07 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH0485713A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-18 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH04313803A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッド |
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