JPH0119361Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0119361Y2 JPH0119361Y2 JP4503983U JP4503983U JPH0119361Y2 JP H0119361 Y2 JPH0119361 Y2 JP H0119361Y2 JP 4503983 U JP4503983 U JP 4503983U JP 4503983 U JP4503983 U JP 4503983U JP H0119361 Y2 JPH0119361 Y2 JP H0119361Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- trimming
- resistor
- type
- cutting
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は基板面上に膜型抵抗体と該膜型抵抗体
の両端のそれぞれに接合した少なくとも一対の膜
型導体とが形成され、該膜型抵抗体のトリミング
による切断軌跡により所望の抵抗値に整合されて
なる膜型抵抗素子に係り該膜型抵抗素子の抵抗値
の整合精度を向上させる構造に関する。
の両端のそれぞれに接合した少なくとも一対の膜
型導体とが形成され、該膜型抵抗体のトリミング
による切断軌跡により所望の抵抗値に整合されて
なる膜型抵抗素子に係り該膜型抵抗素子の抵抗値
の整合精度を向上させる構造に関する。
(b) 技術の背景
ハイブリツト集積回路装置はプリント板回路装
置と半導体集積回路装置の間に位置しているがそ
の多様化に対する適応性が優れているので近年増
加の一途をたどつているが、一方、多様化が進む
にしたがつてハイブリツド集積回路装置内に形成
される素子類の性能向上が必須の事項となつてき
ている。例えば膜型抵抗素子にあつてはその抵抗
値の整合精度は従来１％程度であつたが0.2％な
いし0.3％を要求されるようになつてきた。
置と半導体集積回路装置の間に位置しているがそ
の多様化に対する適応性が優れているので近年増
加の一途をたどつているが、一方、多様化が進む
にしたがつてハイブリツド集積回路装置内に形成
される素子類の性能向上が必須の事項となつてき
ている。例えば膜型抵抗素子にあつてはその抵抗
値の整合精度は従来１％程度であつたが0.2％な
いし0.3％を要求されるようになつてきた。
(c) 従来技術と問題点
第１図ａは従来の膜型抵抗素子の構成図であり
第１図ｂ・第１図ｃは最近採用されてきた膜型抵
抗素子の構成図である。これらの図において、１
は膜型抵抗体、２，３は膜型導体、４はトリミン
グの切断軌跡をそれぞれ示す。第１図ａにおいて
膜型抵抗体１の両端のそれぞれに接合している膜
型導体２および３の一方から他方の方向へ電流が
流れるがトリミングの切断軌跡４の方向は所謂Ｐ
カツトと称し前記電流方向とは直角でトリミング
の切断長さに対する膜型抵抗素子の抵抗値の変化
が大きいためトリミングの切断軌跡４の終点の位
置精度から膜型抵抗素子の抵抗値の整合精度は１
％程度に制限される欠点がある。
第１図ｂ・第１図ｃは最近採用されてきた膜型抵
抗素子の構成図である。これらの図において、１
は膜型抵抗体、２，３は膜型導体、４はトリミン
グの切断軌跡をそれぞれ示す。第１図ａにおいて
膜型抵抗体１の両端のそれぞれに接合している膜
型導体２および３の一方から他方の方向へ電流が
流れるがトリミングの切断軌跡４の方向は所謂Ｐ
カツトと称し前記電流方向とは直角でトリミング
の切断長さに対する膜型抵抗素子の抵抗値の変化
が大きいためトリミングの切断軌跡４の終点の位
置精度から膜型抵抗素子の抵抗値の整合精度は１
％程度に制限される欠点がある。
この欠点を改善するため必要に応じて第１図ｂ
に示すような所謂Ｌカツトと称するトリミングの
切断軌跡４がまた更に第１図ｃに示すような所謂
Ｊカツトと称するトリミングの切断軌跡４が採用
されるようになつてきた。第１図ｂにおけるトリ
ミングの切断軌跡４は図示のように前記電流方向
に対し最初は直角方向に進み途中から平行方向に
変わつて終点に至るため終点近傍では該電流方向
はトリミングの切断軌跡４の方向に対し近似して
いてトリミングの長さに対する膜型抵抗体１の抵
抗値の変化は小さく膜型抵抗素子の抵抗値の整合
精度を上げることができるが該終点の位置が膜型
導体３に近づくまたはトリミングが始まる辺と反
対側の辺に近づくに従つて局部的に該電流方向が
変わるためトリミングの切断長さに対する膜型抵
抗素子の抵抗値の変化が大きくなつて上記欠点の
改善には不充分であり、また、第１図ｃにおける
トリミングの切断軌跡は図示のように上記電流方
向に対し最初は直角方向に進み途中から湾曲して
その終点では膜型導体１のトリミングが始まる辺
に斜めに向かつていて第１図ｂでの問題は解消す
るがトリミングのための装置のプログラムがむず
かしい欠点がある。
に示すような所謂Ｌカツトと称するトリミングの
切断軌跡４がまた更に第１図ｃに示すような所謂
Ｊカツトと称するトリミングの切断軌跡４が採用
されるようになつてきた。第１図ｂにおけるトリ
ミングの切断軌跡４は図示のように前記電流方向
に対し最初は直角方向に進み途中から平行方向に
変わつて終点に至るため終点近傍では該電流方向
はトリミングの切断軌跡４の方向に対し近似して
いてトリミングの長さに対する膜型抵抗体１の抵
抗値の変化は小さく膜型抵抗素子の抵抗値の整合
精度を上げることができるが該終点の位置が膜型
導体３に近づくまたはトリミングが始まる辺と反
対側の辺に近づくに従つて局部的に該電流方向が
変わるためトリミングの切断長さに対する膜型抵
抗素子の抵抗値の変化が大きくなつて上記欠点の
改善には不充分であり、また、第１図ｃにおける
トリミングの切断軌跡は図示のように上記電流方
向に対し最初は直角方向に進み途中から湾曲して
その終点では膜型導体１のトリミングが始まる辺
に斜めに向かつていて第１図ｂでの問題は解消す
るがトリミングのための装置のプログラムがむず
かしい欠点がある。
(d) 考案の目的
本考案の目的は上記従来の欠点に鑑み、抵抗値
の整合精度を容易に上げることができる膜型抵抗
素子の構造を提供するにある。
の整合精度を容易に上げることができる膜型抵抗
素子の構造を提供するにある。
(e) 考案の構成
そして本考案による膜型抵抗素子の構造におい
ては膜型抵抗体は一対の膜型導体との接合両端が
櫛歯状に形成され且つ該膜型導体との接合部が点
線状をなし、所望の抵抗値に整合するためのトリ
ミングの切断軌跡は少なくとも該膜型抵抗体の一
方の前記膜型導体から他方の前記膜型導体へ至る
電流方向に沿つて該膜型抵抗体の櫛歯の間から導
出する線を含み必要ならば櫛歯を横断する線を加
えて構成されている。この構造によればトリミン
グの切断軌跡は直線の組合せでトリミングのため
の装置のプログラムが容易であり且つ前記櫛歯を
横断するトリミングを先に行うことにより前記櫛
歯の間から導出する線のトリミングを行う際前記
第１図ｂの場合のように終点近傍における局部的
な電流方向の変化が大きくなことを抑えることが
できるのでトリミングの切断長さに対する膜型抵
抗素子の抵抗値の変化を小さくすることができ目
的は達成される。
ては膜型抵抗体は一対の膜型導体との接合両端が
櫛歯状に形成され且つ該膜型導体との接合部が点
線状をなし、所望の抵抗値に整合するためのトリ
ミングの切断軌跡は少なくとも該膜型抵抗体の一
方の前記膜型導体から他方の前記膜型導体へ至る
電流方向に沿つて該膜型抵抗体の櫛歯の間から導
出する線を含み必要ならば櫛歯を横断する線を加
えて構成されている。この構造によればトリミン
グの切断軌跡は直線の組合せでトリミングのため
の装置のプログラムが容易であり且つ前記櫛歯を
横断するトリミングを先に行うことにより前記櫛
歯の間から導出する線のトリミングを行う際前記
第１図ｂの場合のように終点近傍における局部的
な電流方向の変化が大きくなことを抑えることが
できるのでトリミングの切断長さに対する膜型抵
抗素子の抵抗値の変化を小さくすることができ目
的は達成される。
(f) 考案の実施例
第２図ａ・第２図ｂ・第２図ｃは本考案による
膜型抵抗素子の実施例の構成図であり、１は膜型
抵抗体、２，３は膜型導体、４ａ，４ｂ，４ｃ，
４ｄおよび５ａ，５ｂはトリミングの切断軌跡を
それぞれ示す。これらの図における相違点はトリ
ミングの切断軌跡の組合せである。第２図ａの場
合はトリミングの切断軌跡４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，５ａの順にトリミングするのでトリミングの
切断軌跡５ａの終点近傍の電流方向はトリミング
の切断軌跡４ａ，４ｃに対応する４ｂ，４ｄの存
在のためトリミングの切断軌跡５ａの方向に近似
していてトリミングの長さに対する膜型抵抗素子
の抵抗値の変化は小さく抵抗値の整合精度を上げ
ることができる。第２図ｂの場合のトリミングの
順はトリミングの切断軌跡４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，５ａでありトリミングの切断軌跡５ａの方向
に対する電流方向の近似性は第２図ａの場合より
劣るものの第１図ｂの場合より優れている。そし
て図示はないがトリミングの切断軌跡４ａ，４
ｂ，４ｃの如き膜型抵抗体１の櫛歯を横断するト
リミングの切断軌跡が多くなる程第１図ｂの場合
より優れる度合は大きくなる。第２図ｃの場合は
第２図ｂの場合に図示のようなトリミングの切断
軌跡５ｂを追加することにより抵抗値の整合精度
を更に上げている。以上の実施例では櫛歯の幅お
よび間隔をそれぞれ約0.2mmにすることによつて
膜型抵抗素子で要求される抵抗値の整合精度0.2
％ないし0.3％を充分に確保することができる。
膜型抵抗素子の実施例の構成図であり、１は膜型
抵抗体、２，３は膜型導体、４ａ，４ｂ，４ｃ，
４ｄおよび５ａ，５ｂはトリミングの切断軌跡を
それぞれ示す。これらの図における相違点はトリ
ミングの切断軌跡の組合せである。第２図ａの場
合はトリミングの切断軌跡４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，５ａの順にトリミングするのでトリミングの
切断軌跡５ａの終点近傍の電流方向はトリミング
の切断軌跡４ａ，４ｃに対応する４ｂ，４ｄの存
在のためトリミングの切断軌跡５ａの方向に近似
していてトリミングの長さに対する膜型抵抗素子
の抵抗値の変化は小さく抵抗値の整合精度を上げ
ることができる。第２図ｂの場合のトリミングの
順はトリミングの切断軌跡４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，５ａでありトリミングの切断軌跡５ａの方向
に対する電流方向の近似性は第２図ａの場合より
劣るものの第１図ｂの場合より優れている。そし
て図示はないがトリミングの切断軌跡４ａ，４
ｂ，４ｃの如き膜型抵抗体１の櫛歯を横断するト
リミングの切断軌跡が多くなる程第１図ｂの場合
より優れる度合は大きくなる。第２図ｃの場合は
第２図ｂの場合に図示のようなトリミングの切断
軌跡５ｂを追加することにより抵抗値の整合精度
を更に上げている。以上の実施例では櫛歯の幅お
よび間隔をそれぞれ約0.2mmにすることによつて
膜型抵抗素子で要求される抵抗値の整合精度0.2
％ないし0.3％を充分に確保することができる。
(g) 考案の効果
以上に説明したように、本考案の構造によれば
抵抗値の整合精度を容易に上げることができる膜
型抵抗素子の提供を可能にする効果がある。
抵抗値の整合精度を容易に上げることができる膜
型抵抗素子の提供を可能にする効果がある。
第１図ａは従来の膜型抵抗素子の構成図、第１
図ｂ、第１図ｃは最近採用されてきた膜型抵抗素
子の構成図、第２図ａ、第２図ｂ、第２図ｃは本
考案による膜型抵抗素子の実施例の構成図であ
る。 これら図において、１は膜型抵抗体、２，３は
膜型導体、４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄおよび５
ａ，５ｂはトリミングの切断軌跡をそれぞれ示
す。
図ｂ、第１図ｃは最近採用されてきた膜型抵抗素
子の構成図、第２図ａ、第２図ｂ、第２図ｃは本
考案による膜型抵抗素子の実施例の構成図であ
る。 これら図において、１は膜型抵抗体、２，３は
膜型導体、４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄおよび５
ａ，５ｂはトリミングの切断軌跡をそれぞれ示
す。
Claims (1)
- 基板面上に膜型抵抗体と該膜型抵抗体の両端の
それぞれに接合した少なくとも一対の膜型導体と
が形成され、該膜型抵抗体のトリミングによる切
断軌跡により所望の抵抗値に整合されてなる膜型
抵抗素子にあつて、前記膜型抵抗体は前記膜型導
体との接合両端が櫛歯状に形成され且つ該膜型導
体との接合部が点線状をなし、前記トリミングの
切断軌跡は少なくとも該膜型抵抗体の一方の前記
膜型導体から他方の前記膜型導体へ至る電流方向
に沿つて該膜型抵抗体の櫛歯の間から導出する線
を含んで構成されてなることを特徴とする膜型抵
抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4503983U JPS59151401U (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 膜型抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4503983U JPS59151401U (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 膜型抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151401U JPS59151401U (ja) | 1984-10-11 |
| JPH0119361Y2 true JPH0119361Y2 (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=30175561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4503983U Granted JPS59151401U (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 膜型抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151401U (ja) |
-
1983
- 1983-03-29 JP JP4503983U patent/JPS59151401U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59151401U (ja) | 1984-10-11 |
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