JPS60241201A - 低抵抗用抵抗体のトリミング方法 - Google Patents
低抵抗用抵抗体のトリミング方法Info
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- JPS60241201A JPS60241201A JP59097767A JP9776784A JPS60241201A JP S60241201 A JPS60241201 A JP S60241201A JP 59097767 A JP59097767 A JP 59097767A JP 9776784 A JP9776784 A JP 9776784A JP S60241201 A JPS60241201 A JP S60241201A
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- resistor
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の目的及び技術分野）
本発明は薄膜混成集積回路等に用いられる抵抗体のトリ
ミング方法に関するものでアシ、具体的には同一基板上
に低抵抗値から高抵抗値までの広い抵抗値範囲におよぶ
複数個の抵抗体を形成する際の低抵抗体のトリミング方
法に関するものでおる。
ミング方法に関するものでアシ、具体的には同一基板上
に低抵抗値から高抵抗値までの広い抵抗値範囲におよぶ
複数個の抵抗体を形成する際の低抵抗体のトリミング方
法に関するものでおる。
近年エレクトロニクるの目ざましい発展によシ様々な回
路機能が要求されつつあり、混成集積回路の抵抗体に関
しても数Ω〜数１００にΩの抵抗体を同一基板上に形成
することが要求されつつある。
路機能が要求されつつあり、混成集積回路の抵抗体に関
しても数Ω〜数１００にΩの抵抗体を同一基板上に形成
することが要求されつつある。
（従来技術）
薄膜混成集積回路に用いられる抵抗体は原価上の制約か
ら通常一層構造の抵抗体膜で構成される。
ら通常一層構造の抵抗体膜で構成される。
高抵抗値の抵抗体を形成するには高面積抵抗値を有する
抵抗膜を使用し、同時に抵抗パターン幅Ｗを細く、抵抗
パターン長さＺを長くして形成しておシ、逆に低抵抗値
の抵抗体を形成するには低面積抵抗値を有する抵抗膜を
使用し、同時にパターン幅Ｗを太く抵抗パターン長さノ
を短くして形成している。
抵抗膜を使用し、同時に抵抗パターン幅Ｗを細く、抵抗
パターン長さＺを長くして形成しておシ、逆に低抵抗値
の抵抗体を形成するには低面積抵抗値を有する抵抗膜を
使用し、同時にパターン幅Ｗを太く抵抗パターン長さノ
を短くして形成している。
要求される抵抗値が高抵抗値だけもしくは低抵抗値だけ
の場合は上記した方法で対応が可能であるが数Ω〜数１
００にΩの抵抗体を同−基ｉ上に形成する際には抵抗膜
の面積抵抗値の選定が困難になる。
の場合は上記した方法で対応が可能であるが数Ω〜数１
００にΩの抵抗体を同−基ｉ上に形成する際には抵抗膜
の面積抵抗値の選定が困難になる。
面積抵抗値を低くすると高抵抗値を得るのに抵抗長さｌ
を長くするため抵抗体の占有面積が大きくなり、面積抵
抗値を高くすると低抵抗値を得るのに第１図に示すよう
に抵抗幅Ｗをかなシ太くしなければならず抵抗体をある
特定方向に広げていくため設計上の制約を受ける。
を長くするため抵抗体の占有面積が大きくなり、面積抵
抗値を高くすると低抵抗値を得るのに第１図に示すよう
に抵抗幅Ｗをかなシ太くしなければならず抵抗体をある
特定方向に広げていくため設計上の制約を受ける。
また低抵抗を得るのに第２図のようなくし形の抵抗体パ
ターンが容易に考えられ、低抵抗を得るには第１図より
すぐれてはいるものの抵抗体をレーザービーム等で切断
するためレーザービーム径、ビーム位置精度、パターン
精度等を考慮しなければならず導体と導体との間隔すな
わち抵抗長さを一定以上に短くすることが１峻であシ、
高面積抵抗値の抵抗膜を用いた場合には低抵抗を得にく
いという欠点があつｆｃ。
ターンが容易に考えられ、低抵抗を得るには第１図より
すぐれてはいるものの抵抗体をレーザービーム等で切断
するためレーザービーム径、ビーム位置精度、パターン
精度等を考慮しなければならず導体と導体との間隔すな
わち抵抗長さを一定以上に短くすることが１峻であシ、
高面積抵抗値の抵抗膜を用いた場合には低抵抗を得にく
いという欠点があつｆｃ。
（発明の構成）
本発明は上述の問題点を根本的に解決するために導体膜
、抵抗体膜から構成される抵抗体を２個以上並列に接続
した低抵抗用抵抗体において、該抵抗膜と該導体膜とを
交互に一直線状に切断して抵抗値を調節することを特徴
とする低抵抗用抵抗体のトリミング方法を提供するもの
であシ、本発明を用いれば高面積抵抗値の抵抗膜を用い
た場合にも充分低い低抵抗を得ることが可能で６．Ｄ、
しかもトリミングも可能である。
、抵抗体膜から構成される抵抗体を２個以上並列に接続
した低抵抗用抵抗体において、該抵抗膜と該導体膜とを
交互に一直線状に切断して抵抗値を調節することを特徴
とする低抵抗用抵抗体のトリミング方法を提供するもの
であシ、本発明を用いれば高面積抵抗値の抵抗膜を用い
た場合にも充分低い低抵抗を得ることが可能で６．Ｄ、
しかもトリミングも可能である。
（発明の作用及び効果）
抵抗体の抵抗値Ｒは面積抵抗値Ｒｓに抵抗体の長さｌを
乗じ抵抗体の幅Ｗで除した値である。
乗じ抵抗体の幅Ｗで除した値である。
すなわち
である。
第１図は先に説明したように従来の考え方に工１１
る低抵抗パターンで”ｗ＝ｉｏであるからＲｓ−”５０
０Ω／口の時導体抵抗値を零とするとＲ−５０Ωとなる
。
０Ω／口の時導体抵抗値を零とするとＲ−５０Ωとなる
。
一方第２図も低抵抗パターンであるがレーザートリミン
グを考慮して抵抗長さｌｔ限度以上に短くできずｌ／Ｗ
＝易でおるからＲｓ＝５００Ω／口の時導体抵抗値を零
とするとＲ＝２５Ωになる。
グを考慮して抵抗長さｌｔ限度以上に短くできずｌ／Ｗ
＝易でおるからＲｓ＝５００Ω／口の時導体抵抗値を零
とするとＲ＝２５Ωになる。
第３図は本発明によるトリミング方法を通用した低抵抗
パターンでありｌ／Ｗ＝−であるか０Ｇ らＲｒ＝５００Ω／口の時導体抵抗値を零とするとＲ＝
２．５Ωになる。第１図〜第３図はほぼ同じような面
積にもかかわらず得られる抵抗値が大きく相違しておシ
、トリミングが可能な低抵抗値を得るためには本発明を
適用した抵抗体が最もすぐれていることがわかる。
パターンでありｌ／Ｗ＝−であるか０Ｇ らＲｒ＝５００Ω／口の時導体抵抗値を零とするとＲ＝
２．５Ωになる。第１図〜第３図はほぼ同じような面
積にもかかわらず得られる抵抗値が大きく相違しておシ
、トリミングが可能な低抵抗値を得るためには本発明を
適用した抵抗体が最もすぐれていることがわかる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を第３図用いて具体的に説明する
。
。
実施例はアルミナセラミック基板上に作製したタンタル
薄膜抵抗体であシ、タンタル薄膜抵抗膜及び導体膜にク
ロム−パラジウム−金）は通常のマグネトロンスパッタ
リング装置で成膜し、周知のフォトエツチング技術によ
り導体、抵抗体パターンを形成した後、３５０℃五時間
の熱処理を施したものである。この時の抵抗膜の面積抵
抗値は熱処理後で約５００Ω／口であった。
薄膜抵抗体であシ、タンタル薄膜抵抗膜及び導体膜にク
ロム−パラジウム−金）は通常のマグネトロンスパッタ
リング装置で成膜し、周知のフォトエツチング技術によ
り導体、抵抗体パターンを形成した後、３５０℃五時間
の熱処理を施したものである。この時の抵抗膜の面積抵
抗値は熱処理後で約５００Ω／口であった。
献体１個の長１は２０ ｆｉ ｍ ＊幅Ｗは４００ａｍ
であシ、これを１０個並列に接続したものであシ、回路
機能上要求される低抵抗値は５Ω高抵抗値は３５０にΩ
でめる。抵抗値の初期値は約２，５Ωであシ抵抗値調節
はレーザートリミング法によ如実施した。レーザーはＹ
ＡＧレーザーを使用し抵抗。
であシ、これを１０個並列に接続したものであシ、回路
機能上要求される低抵抗値は５Ω高抵抗値は３５０にΩ
でめる。抵抗値の初期値は約２，５Ωであシ抵抗値調節
はレーザートリミング法によ如実施した。レーザーはＹ
ＡＧレーザーを使用し抵抗。
導体と順次切断していくが目襟抵抗値範囲になったら切
断を中止する。切断を中止する位置は導体上、抵抗上の
いずれでもよいが第３図では導体上とした。第３図では
抵抗が１０個並列に接続されているため抵抗の追い込み
可能精度は高くはないが、並列に接続する抵抗体の数を
増加させれば抵抗の追い込み可能精度を高くすることが
できる。
断を中止する。切断を中止する位置は導体上、抵抗上の
いずれでもよいが第３図では導体上とした。第３図では
抵抗が１０個並列に接続されているため抵抗の追い込み
可能精度は高くはないが、並列に接続する抵抗体の数を
増加させれば抵抗の追い込み可能精度を高くすることが
できる。
（発明のまとめ）
以上のように本発明は抵抗体の製造方法を変更すること
なくレーザートリミング方法を変更することにより低抵
抗パターンを修正して低抵抗を作製することが可能でら
シ、かつその効果も大きく充分実用に供せられるもので
ある。
なくレーザートリミング方法を変更することにより低抵
抗パターンを修正して低抵抗を作製することが可能でら
シ、かつその効果も大きく充分実用に供せられるもので
ある。
′ｌＡ１図、第２図は従来のトリミング方法でトリミン
グする低抵抗パターンの平面図でめシ、第３図は本発明
のトリミング万伝でトリミングする低抵抗パターンの平
面図でおる。 同図において １・・・・・・抵抗膜、２・・団・導体膜、３・旧・・
レーザービームによる切断の跡である。 ｓ１図
グする低抵抗パターンの平面図でめシ、第３図は本発明
のトリミング万伝でトリミングする低抵抗パターンの平
面図でおる。 同図において １・・・・・・抵抗膜、２・・団・導体膜、３・旧・・
レーザービームによる切断の跡である。 ｓ１図
Claims (1)
- 導体膜、抵抗体膜から構成される抵抗体を２個以上並列
に接続した低抵抗用抵抗体において、該抵抗膜と該導体
膜とを交互に一直線状に切断して抵抗値を調節すること
を特徴とする低抵抗用抵抗体のトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097767A JPS60241201A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 低抵抗用抵抗体のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097767A JPS60241201A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 低抵抗用抵抗体のトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60241201A true JPS60241201A (ja) | 1985-11-30 |
Family
ID=14201010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097767A Pending JPS60241201A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 低抵抗用抵抗体のトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60241201A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016131167A (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子デバイスの抵抗値調整方法 |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP59097767A patent/JPS60241201A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016131167A (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子デバイスの抵抗値調整方法 |
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