JPH01257162A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPH01257162A JPH01257162A JP63085887A JP8588788A JPH01257162A JP H01257162 A JPH01257162 A JP H01257162A JP 63085887 A JP63085887 A JP 63085887A JP 8588788 A JP8588788 A JP 8588788A JP H01257162 A JPH01257162 A JP H01257162A
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- JP
- Japan
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- temperature
- oxide
- resistivity
- composition
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は抵抗体磁器組成物、とくに酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化ツリウム（
Ｔｔｎ ２０３ ）および酸化銅（ＣａＯ）の成分で構
成される抵抗体磁器組成物に関し、室温での抵抗率（ρ
３゜。）が小さいのみならず、室温からオンセット臨界
温度（ＴｃＯ）までの抵抗率（ρＣｏ）が小さく、さら
に液体窒素温度以下において抵抗率が零を示す超伝導体
磁器を提供するものである。
Ｏ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化ツリウム（
Ｔｔｎ ２０３ ）および酸化銅（ＣａＯ）の成分で構
成される抵抗体磁器組成物に関し、室温での抵抗率（ρ
３゜。）が小さいのみならず、室温からオンセット臨界
温度（ＴｃＯ）までの抵抗率（ρＣｏ）が小さく、さら
に液体窒素温度以下において抵抗率が零を示す超伝導体
磁器を提供するものである。
従来の技術
近年、ベドノ’、 ／Ｖ ツ（Ｂｅｄｎｏ ｒ ｚ ）
とミューラー（Ｍｕｌｌｅｒ）により、Ｂａ−Ｌａ−Ｃ
ｕ−０系における高温超伝導体材料の可能性が１９８６
年のツァイトシュリフト フィア フィツク（Ｚｅｉｔ
ｓｃｈｒｉｆｔｆｉｉｒ Ｐｈｙｓｉｋ ） Ｂａ４
巻 １８９頁に発表された。
とミューラー（Ｍｕｌｌｅｒ）により、Ｂａ−Ｌａ−Ｃ
ｕ−０系における高温超伝導体材料の可能性が１９８６
年のツァイトシュリフト フィア フィツク（Ｚｅｉｔ
ｓｃｈｒｉｆｔｆｉｉｒ Ｐｈｙｓｉｋ ） Ｂａ４
巻 １８９頁に発表された。
この報告では材料の抵抗率（ρ）が急激に低下し始める
オンセット臨界温度（ＴｃＯ）は絶対温度３Ｏ度付近で
あるが、抵抗率が零となるオフセット臨界温度（ＴＣ）
は絶対温度１３度と低く、この材料では冷却剤に高価な
液体ヘリウムを必要とするため実用化に対する大きな障
害となっていた。また、本材料を室温からオンセット臨
界温度までの範囲で低抵抗の導伝性材料として使用する
ときは電力損失をできるだけ小さくするだめに材料の密
度が大きく抵抗率のより小さい材料が望ましい。
オンセット臨界温度（ＴｃＯ）は絶対温度３Ｏ度付近で
あるが、抵抗率が零となるオフセット臨界温度（ＴＣ）
は絶対温度１３度と低く、この材料では冷却剤に高価な
液体ヘリウムを必要とするため実用化に対する大きな障
害となっていた。また、本材料を室温からオンセット臨
界温度までの範囲で低抵抗の導伝性材料として使用する
ときは電力損失をできるだけ小さくするだめに材料の密
度が大きく抵抗率のより小さい材料が望ましい。
発明が解決しようとする課題
これらの課題を解決するために、材料の密度が大きくよ
シ高温のＴｃと室温からＴｃｏまでの温度範囲でより小
さいρを持つ材料を開発することが要望されている。
シ高温のＴｃと室温からＴｃｏまでの温度範囲でより小
さいρを持つ材料を開発することが要望されている。
本発明は上記の欠点を改善するためになされたものであ
り、焼結した材料の密度が大きく、室温からオンセント
臨界温度までの抵抗率が小さく、さらに安価な液体窒素
の温度で超伝導特性を示すＴｃの高い新規な磁器組成物
を提供するものである。
り、焼結した材料の密度が大きく、室温からオンセント
臨界温度までの抵抗率が小さく、さらに安価な液体窒素
の温度で超伝導特性を示すＴｃの高い新規な磁器組成物
を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
Ｗ化バ！Ｊｔ ム（Ｂａｄ）と酸化ストロンチウム（Ｓ
ｒＯ）と酸化ツリウム（Ｔｍ２Ｏ３）と酸化銅（ＣｕＯ
）で構成される組成において、その組成式をＴｍ（Ｂａ
１−．５ｒｘ）２Ｃｕ３Ｏ７と表わしたとき、その成分
組成をモル分率で。くｘ≦０．７５の範囲とする。
ｒＯ）と酸化ツリウム（Ｔｍ２Ｏ３）と酸化銅（ＣｕＯ
）で構成される組成において、その組成式をＴｍ（Ｂａ
１−．５ｒｘ）２Ｃｕ３Ｏ７と表わしたとき、その成分
組成をモル分率で。くｘ≦０．７５の範囲とする。
作 用
」１記の組成物は室温からオンセット臨界温度まですぐ
れた抵抗体磁器であり、また液体窒素中で超伝導体磁器
になる。
れた抵抗体磁器であり、また液体窒素中で超伝導体磁器
になる。
実施例
出発原料には化学的に高純度のＢ ａ ＣＯｓ （９９
−５％以上） ＋ Ｓ ｒ Ｃ０−５（９９％以上）
、Ｔｍ２０３（９９，９％）およびＣｕ０（９９，５％
以上）を所定の組成になるように秤量し、めのうボール
を備えたポリエチレン製のボールミルで水トドもに１７
時時間式混合した。この混合物をボールミルとり出して
乾燥したのち粉末をアルミナ質るつぼに入れ空気中にお
いて９００℃の温度で５時間仮焼した。得られた仮焼物
はめのう乳鉢とめのう乳棒を備えだ捕潰機により粉砕し
た。粉砕の終った粉末に対してバインダーとしてプロピ
ルアルコールを５重量％添加して均質としたのち３２メ
ソシユのふるいを通して整粒．しだ。整粒粉体は金型と
油圧プレスを用いて成形圧力ｓ ｏ ｏ ｋｙ／ｃｄで
矩形棒さや鉢の中に入れたのち、酸素中において９００
〜１１ｏｏ′Ｃの範囲内の温度で６時間保持して焼成し
、表に示す配合組成の抵抗体磁器を得た。円板試料から
重量と寸法を測定し密度を算出した。
−５％以上） ＋ Ｓ ｒ Ｃ０−５（９９％以上）
、Ｔｍ２０３（９９，９％）およびＣｕ０（９９，５％
以上）を所定の組成になるように秤量し、めのうボール
を備えたポリエチレン製のボールミルで水トドもに１７
時時間式混合した。この混合物をボールミルとり出して
乾燥したのち粉末をアルミナ質るつぼに入れ空気中にお
いて９００℃の温度で５時間仮焼した。得られた仮焼物
はめのう乳鉢とめのう乳棒を備えだ捕潰機により粉砕し
た。粉砕の終った粉末に対してバインダーとしてプロピ
ルアルコールを５重量％添加して均質としたのち３２メ
ソシユのふるいを通して整粒．しだ。整粒粉体は金型と
油圧プレスを用いて成形圧力ｓ ｏ ｏ ｋｙ／ｃｄで
矩形棒さや鉢の中に入れたのち、酸素中において９００
〜１１ｏｏ′Ｃの範囲内の温度で６時間保持して焼成し
、表に示す配合組成の抵抗体磁器を得た。円板試料から
重量と寸法を測定し密度を算出した。
矩形棒の試料には直径Ｏｉ２ｆｌの絶縁被覆銅線を６０
回巻き、ＬＣＲメータを用いて周波数１０ ｋＨｚでイ
ンダクタンスの温度変化（ｇｉ体窒素温度から室温まで
）による変化を測定した。これらの試料の室温における
インダクタンスの値は４〜６μＨであった。液体窒素温
度近傍でインダクタンスが急激に減少する（３イル％）
試料については矩形棒の長辺に垂直な両端面と長辺部に
１Ｏｎ＋の幅をあけて４端子状の電極を金蒸着又は焼付
銀の方法で取付け、一定電流（１０ｍＡ）の下での抵抗
の温度変化（液体窒素温度から室温まで）を測定した。
回巻き、ＬＣＲメータを用いて周波数１０ ｋＨｚでイ
ンダクタンスの温度変化（ｇｉ体窒素温度から室温まで
）による変化を測定した。これらの試料の室温における
インダクタンスの値は４〜６μＨであった。液体窒素温
度近傍でインダクタンスが急激に減少する（３イル％）
試料については矩形棒の長辺に垂直な両端面と長辺部に
１Ｏｎ＋の幅をあけて４端子状の電極を金蒸着又は焼付
銀の方法で取付け、一定電流（１０ｍＡ）の下での抵抗
の温度変化（液体窒素温度から室温まで）を測定した。
それらの実験結果を表に示す。なお、表において＊を付
した試料は本発明の範囲外の比較例であり、これ以外の
試料が本発明の範囲内の実施例である。
した試料は本発明の範囲外の比較例であり、これ以外の
試料が本発明の範囲内の実施例である。
表から明らかなように、本発明の範囲内のＳｒにより置
換した磁器組成物は焼結密度が犬きく、室温からオンセ
ット臨界温度までの範囲で抵抗率を小さくすることがで
きるとともに、液体窒素温度以下でオフセット臨界温度
Ｔｃの高い材料が得られる。従って、本発明の磁器組成
物を用いることにより冷却剤として安価で豊富に利用で
きる液体窒素を用いて電気抵抗が零を示す超伝導特性を
容易に得ることができる。
換した磁器組成物は焼結密度が犬きく、室温からオンセ
ット臨界温度までの範囲で抵抗率を小さくすることがで
きるとともに、液体窒素温度以下でオフセット臨界温度
Ｔｃの高い材料が得られる。従って、本発明の磁器組成
物を用いることにより冷却剤として安価で豊富に利用で
きる液体窒素を用いて電気抵抗が零を示す超伝導特性を
容易に得ることができる。
本発明の組成範囲を限定した理由を説明すると、Ｓｒ○
の置換最ｘが０．７５以上になると焼結密度が低下する
とともに室温およびオンセント臨界温度までの抵抗率が
犬きくなり面体窒素温度で超伝導特性も得られなくなる
。また、ｘ＝Ｏでは焼結密度が低くまだ室１偏の抵抗率
が大きいために本発明の範囲から除かれる。
の置換最ｘが０．７５以上になると焼結密度が低下する
とともに室温およびオンセント臨界温度までの抵抗率が
犬きくなり面体窒素温度で超伝導特性も得られなくなる
。また、ｘ＝Ｏでは焼結密度が低くまだ室１偏の抵抗率
が大きいために本発明の範囲から除かれる。
発明の効果
本発明の磁器組成物は高価な液体ヘリウムや水素を使用
することなく資源的に豊富で価格的に廉価な液体窒素を
冷却剤に使用することにより、液体窒素の温度で超伝導
特性が得られる。従って、本発明の磁器組成物は液体窒
素で冷却することにより核隔合炉やリニヤモーターカー
用の強力な磁場が作り出せる超伝導磁石や、ジョセフソ
ン素子などの超高速コンピュータ用素子や、大電力送電
線や超伝導印刷回路など幅広い分野での応用に適し、安
価で高性能の電子機器や回路部品を作ることができ工業
的に利用価値の著しく大きいものである。
することなく資源的に豊富で価格的に廉価な液体窒素を
冷却剤に使用することにより、液体窒素の温度で超伝導
特性が得られる。従って、本発明の磁器組成物は液体窒
素で冷却することにより核隔合炉やリニヤモーターカー
用の強力な磁場が作り出せる超伝導磁石や、ジョセフソ
ン素子などの超高速コンピュータ用素子や、大電力送電
線や超伝導印刷回路など幅広い分野での応用に適し、安
価で高性能の電子機器や回路部品を作ることができ工業
的に利用価値の著しく大きいものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化バリウム（ＢａＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ
）と酸化ツリウム（Ｔｍ＿２Ｏ＿３）と酸化銅（ＣｕＯ
）からなり、その組成式をＴｍ（Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ
＿ｘ）＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７と表わしたとき、その成分組
成がモル分率で ０＜ｘ≦０．７５の範囲にあることを特徴とする磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085887A JPH01257162A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085887A JPH01257162A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257162A true JPH01257162A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13871415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63085887A Pending JPH01257162A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257162A (ja) |
-
1988
- 1988-04-07 JP JP63085887A patent/JPH01257162A/ja active Pending
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