JPH0226858A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0226858A JPH0226858A JP63174514A JP17451488A JPH0226858A JP H0226858 A JPH0226858 A JP H0226858A JP 63174514 A JP63174514 A JP 63174514A JP 17451488 A JP17451488 A JP 17451488A JP H0226858 A JPH0226858 A JP H0226858A
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- JP
- Japan
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- temperature
- composition
- liquid nitrogen
- room temperature
- resistivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は抵抗体磁器組成物、とくに酸化バリウム（Ｂａ
ｄ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化ネオジウム
（Ｎｄ２０５）および酸化銅（Ｃｕｂ）の成分で構成さ
れる抵抗体磁器組成物に関し、室温での抵抗率（ρ３Ｏ
０）が小さいのみならず、室温からオンセット臨界温度
（Ｔｃａ）までの抵抗率（ρｃｏ）が小さく、さらに液
体窒素温度以下において抵抗率が零を示す超伝導体磁器
を提供するものである。
ｄ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化ネオジウム
（Ｎｄ２０５）および酸化銅（Ｃｕｂ）の成分で構成さ
れる抵抗体磁器組成物に関し、室温での抵抗率（ρ３Ｏ
０）が小さいのみならず、室温からオンセット臨界温度
（Ｔｃａ）までの抵抗率（ρｃｏ）が小さく、さらに液
体窒素温度以下において抵抗率が零を示す超伝導体磁器
を提供するものである。
従来の技術
近年、ペドノルッ（Ｂｅｄｎｏｒｚ ）とミューラ−（
Ｍｕｌｌｅｒ ）により Ｂａ−Ｌａ −Ｃｕ−０系
における高温超伝導体材料の可能性が１９８６年のツァ
イトシュリフト フィア フィツク（Ｚｅｉｔｓｃｈｒ
ｉｆｔｆｕｒ Ｐｈｙｓｓｉｋ ） Ｂ ｅ ４巻１
８９頁に発表された。
Ｍｕｌｌｅｒ ）により Ｂａ−Ｌａ −Ｃｕ−０系
における高温超伝導体材料の可能性が１９８６年のツァ
イトシュリフト フィア フィツク（Ｚｅｉｔｓｃｈｒ
ｉｆｔｆｕｒ Ｐｈｙｓｓｉｋ ） Ｂ ｅ ４巻１
８９頁に発表された。
この報告では材料の抵抗率（ρ）が急激に低下し始める
オンセット臨界温度（Ｔｃａ）は絶対温度３Ｏ度附近で
あるが、抵抗率が零となるオフセット臨界温度（Ｔｃ）
は絶対温度１３度と低く、この材料では冷却剤に高価な
液体ヘリウムを必要とするため実用化に対する大きな障
害となっていた。また、本材料を室温からオンセット臨
界温度までの範囲で低抵抗の導伝性材料として使用する
ときは電力損失をできるだけ小さくするために材料の密
度が犬きく抵抗率のより小さい材料が望ましい。
オンセット臨界温度（Ｔｃａ）は絶対温度３Ｏ度附近で
あるが、抵抗率が零となるオフセット臨界温度（Ｔｃ）
は絶対温度１３度と低く、この材料では冷却剤に高価な
液体ヘリウムを必要とするため実用化に対する大きな障
害となっていた。また、本材料を室温からオンセット臨
界温度までの範囲で低抵抗の導伝性材料として使用する
ときは電力損失をできるだけ小さくするために材料の密
度が犬きく抵抗率のより小さい材料が望ましい。
発明が解決しようとする課題
これらの課題を解決するために、材料の密度が大きくよ
り高温のＴｃと室温からＴ（＋Ｏまでの温度範囲より小
さいρを持つ材料を開発することが要望されている。
り高温のＴｃと室温からＴ（＋Ｏまでの温度範囲より小
さいρを持つ材料を開発することが要望されている。
本発明は上記の欠点を改善するためになされたものであ
り、焼結した材料の密度が大きく、室温からオンセット
臨界温度までの抵抗率が小さく、さらに安価な液体窒素
の温度で超伝導特性を示すＴｃの高い新規な磁器組成物
を提供するものである。
り、焼結した材料の密度が大きく、室温からオンセット
臨界温度までの抵抗率が小さく、さらに安価な液体窒素
の温度で超伝導特性を示すＴｃの高い新規な磁器組成物
を提供するものである。
課題を解決するための手段
酸化バリウム（ＢａＯ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ
）と酸化ネオジウム（Ｎｄ２０３）と酸化銅（ＣｕＯ）
で構成される組成において、その組成式をＮｄ （Ｂａ
１ｚｓｒｚ）２Ｃｕ５０７と表わしたとき、その成分組
成がモル分率で０＜ｘ≦０．７５の範囲とする。
）と酸化ネオジウム（Ｎｄ２０３）と酸化銅（ＣｕＯ）
で構成される組成において、その組成式をＮｄ （Ｂａ
１ｚｓｒｚ）２Ｃｕ５０７と表わしたとき、その成分組
成がモル分率で０＜ｘ≦０．７５の範囲とする。
作用
上記の組成物は室温からオンセット臨界温度まですぐれ
た抵抗体磁器であり、また液体窒素中で超伝導体磁器に
なる。
た抵抗体磁器であり、また液体窒素中で超伝導体磁器に
なる。
実施例
出発原料には化学的に高純度のＢａＣ０５（９９，ｓ％
以上）、５ｒＣ０５（９９％以上）、Ｎｄ２０３（９９
，９％）およびＣｕＯ（９９・６チ以上）を所定の組成
になるように秤量し、めのうボールを備えたポリエチレ
ン製のボールミルで水とともに１７時時間式混合した。
以上）、５ｒＣ０５（９９％以上）、Ｎｄ２０３（９９
，９％）およびＣｕＯ（９９・６チ以上）を所定の組成
になるように秤量し、めのうボールを備えたポリエチレ
ン製のボールミルで水とともに１７時時間式混合した。
この混合物をボールミルからとシ出して乾燥したのち粉
末をアルミナ質るつぼに入れ空気中において９００°Ｃ
の温度で６時間仮焼した。得られた仮焼物はめのう乳鉢
とめのう乳棒を備えた撞潰機により粉砕した。粉砕の終
った粉末に対してバインダーとしてプロピルアルコール
を６重量％添加して均質としたのち３２メツシユのふる
いを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用
いて成形圧力８０ｏゆ／ ｃＡで矩形棒（１８Ｘ４Ｘ厚
さ約３絹）と円板試料（直径１０Ｂ×厚さ約２ ｒｐｔ
ｙｔｔ ）を成形した。成形体は高純度のアルミナさや
鉢の中に入れたのち、酸素中において９００〜１１００
°Ｃの範囲内の温度で６時間保持して焼成し、表に示す
配合組成の抵抗体磁器を得た。
末をアルミナ質るつぼに入れ空気中において９００°Ｃ
の温度で６時間仮焼した。得られた仮焼物はめのう乳鉢
とめのう乳棒を備えた撞潰機により粉砕した。粉砕の終
った粉末に対してバインダーとしてプロピルアルコール
を６重量％添加して均質としたのち３２メツシユのふる
いを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレスを用
いて成形圧力８０ｏゆ／ ｃＡで矩形棒（１８Ｘ４Ｘ厚
さ約３絹）と円板試料（直径１０Ｂ×厚さ約２ ｒｐｔ
ｙｔｔ ）を成形した。成形体は高純度のアルミナさや
鉢の中に入れたのち、酸素中において９００〜１１００
°Ｃの範囲内の温度で６時間保持して焼成し、表に示す
配合組成の抵抗体磁器を得た。
円板試料から重量と寸法を測定し密度を算出した。矩形
棒の試料には直径０・１２ｆｆの絶縁被覆銅線を６０回
巻き、ＬＣＲメータを用いて周波数１０ｋＨｚでインダ
クタンスの温度変化（液体窒素温度から室温まで）によ
る変化を測定した。これらの試料の室温におけるインダ
クタンスの値は４〜５μＨであった。液体窒素温度近傍
でインダクタンスが急激に減少する（晃〜差）試料につ
いては矩形棒の長辺に垂直な両端面と長辺部に１０ｆｆ
ｊｌの幅をあけて４端子状の電極を全蒸着又は焼付銀の
方法で取付け、一定電流（１０ｍＡ）の下での抵抗の温
度変化（液体窒素温度から室温まで）を測定した。それ
らの実験結果を表に示す。なお、表において＊印を付し
た試料は本発明の範囲外の比較例であり、これ以外の試
料が本発明の範囲内の実施例である。
棒の試料には直径０・１２ｆｆの絶縁被覆銅線を６０回
巻き、ＬＣＲメータを用いて周波数１０ｋＨｚでインダ
クタンスの温度変化（液体窒素温度から室温まで）によ
る変化を測定した。これらの試料の室温におけるインダ
クタンスの値は４〜５μＨであった。液体窒素温度近傍
でインダクタンスが急激に減少する（晃〜差）試料につ
いては矩形棒の長辺に垂直な両端面と長辺部に１０ｆｆ
ｊｌの幅をあけて４端子状の電極を全蒸着又は焼付銀の
方法で取付け、一定電流（１０ｍＡ）の下での抵抗の温
度変化（液体窒素温度から室温まで）を測定した。それ
らの実験結果を表に示す。なお、表において＊印を付し
た試料は本発明の範囲外の比較例であり、これ以外の試
料が本発明の範囲内の実施例である。
（以下余白）
表から明らかなように、本発明の範囲内のＳｒにより置
換した磁器組成物は焼結密度が大きく、室温からオンセ
ット臨界温度までの範囲で抵抗率を小さくすることがで
きるとともに、液体窒素温度以下でオフセット臨界温度
Ｔｃの高い材料が得られる。従って、本発明の磁器組成
物を用いることによシ冷却剤として安価で豊富に利用で
きる液体窒素を用いて電気抵抗が零を示す超伝導特性を
容易に得ることができる。
換した磁器組成物は焼結密度が大きく、室温からオンセ
ット臨界温度までの範囲で抵抗率を小さくすることがで
きるとともに、液体窒素温度以下でオフセット臨界温度
Ｔｃの高い材料が得られる。従って、本発明の磁器組成
物を用いることによシ冷却剤として安価で豊富に利用で
きる液体窒素を用いて電気抵抗が零を示す超伝導特性を
容易に得ることができる。
本発明の組成範囲を限定した理由を説明すると、ＳｒＯ
の置換量Ｘが０．７５以上になると焼結密度が低下する
とともに室温およびオンセット臨界温度までの抵抗率が
大きくなり液体窒素温度で超伝導特性も得られなくなる
。また、Ｘ＝Ｏでは焼結密度が低くまた室温の抵抗率が
大きいために本発明の範囲から除かれる。
の置換量Ｘが０．７５以上になると焼結密度が低下する
とともに室温およびオンセット臨界温度までの抵抗率が
大きくなり液体窒素温度で超伝導特性も得られなくなる
。また、Ｘ＝Ｏでは焼結密度が低くまた室温の抵抗率が
大きいために本発明の範囲から除かれる。
発明の効果
本発明の磁器組成物は高価な液体ヘリウムや水素を使用
することなく資源的に豊富で価格的に廉価な液体窒素を
冷却剤に使用することにより、液体窒素の温度で超伝導
特性が得られる。従って、本発明の磁器組成物は液体窒
素で冷却することにより核融合炉やりニヤモーターカー
用の強力な磁場が作り出せる超伝導磁石や、ジヲセフン
ン素子などの超高速コンピュータ用素子や、大電力送電
線や超伝導印刷回路など幅広い分野での応用に適し、安
価で高性能の電子機器や回路部品を作ることができ工業
的に利用価値の著しく大きいものである。
することなく資源的に豊富で価格的に廉価な液体窒素を
冷却剤に使用することにより、液体窒素の温度で超伝導
特性が得られる。従って、本発明の磁器組成物は液体窒
素で冷却することにより核融合炉やりニヤモーターカー
用の強力な磁場が作り出せる超伝導磁石や、ジヲセフン
ン素子などの超高速コンピュータ用素子や、大電力送電
線や超伝導印刷回路など幅広い分野での応用に適し、安
価で高性能の電子機器や回路部品を作ることができ工業
的に利用価値の著しく大きいものである。
Claims (1)
- 酸化バリウムと酸化ストロンチウムと酸化ネオジウムと
酸化銅からなり、その組成式をＮｄ（Ｂａ＿１＿−＿ｘ
Ｓｒ＿ｘ）＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７と表わしたとき、その成
分組成がモル分率で０＜ｘ≦０．７５の範囲にあること
を特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174514A JPH0226858A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174514A JPH0226858A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226858A true JPH0226858A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=15979841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174514A Pending JPH0226858A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226858A (ja) |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP63174514A patent/JPH0226858A/ja active Pending
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