JPH0226859A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0226859A JPH0226859A JP63174515A JP17451588A JPH0226859A JP H0226859 A JPH0226859 A JP H0226859A JP 63174515 A JP63174515 A JP 63174515A JP 17451588 A JP17451588 A JP 17451588A JP H0226859 A JPH0226859 A JP H0226859A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compsn
- temperature
- ceramic
- calcined
- yb2o3
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は抵抗体磁器組成物、とくに酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化イッテルビ
ウム（Ｙｂｚ０５）および酸化銅（Ｃｕｂ）の成分で構
成される抵抗体磁器組成物に関し、室温での抵抗率（ρ
５００ ）が小さいのみならず、室温からオンセット臨
界温度（Ｔｃｏ）までの抵抗率（ρ。。）が小さく、さ
らに液体窒素温度以下において抵抗率が零を示す超伝導
体磁器を提供するものである。
Ｏ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸化イッテルビ
ウム（Ｙｂｚ０５）および酸化銅（Ｃｕｂ）の成分で構
成される抵抗体磁器組成物に関し、室温での抵抗率（ρ
５００ ）が小さいのみならず、室温からオンセット臨
界温度（Ｔｃｏ）までの抵抗率（ρ。。）が小さく、さ
らに液体窒素温度以下において抵抗率が零を示す超伝導
体磁器を提供するものである。
従来の技術
近年、ベドノルツ（Ｂθｄｎｏｒｚ ） トミューラ−
（Ｍｉｉｌｌｅｒ ）によシ、Ｂａ −Ｌａ −０ｕ−
０系における高温超伝導体材料の可能性が１９８６年の
ラフイトシュリフト フィア フィツク（Ｚｅｉｔｓｃ
ｈｒｉｆｔｒ；ｉｒ Ｐｈｙｓｉｋ ） Ｂ ｅ ４巻
１８９頁に発表された。
（Ｍｉｉｌｌｅｒ ）によシ、Ｂａ −Ｌａ −０ｕ−
０系における高温超伝導体材料の可能性が１９８６年の
ラフイトシュリフト フィア フィツク（Ｚｅｉｔｓｃ
ｈｒｉｆｔｒ；ｉｒ Ｐｈｙｓｉｋ ） Ｂ ｅ ４巻
１８９頁に発表された。
この報告では材料の抵抗率（ρ）が急激に低下し始める
オンセット臨界温度（Ｔｃｏ）は絶対温度３０度附近で
あるが、抵抗率が零となるオフセット臨界温度（Ｔａ）
は絶対温度１３度と低く、この材料では冷却剤に高価な
液体ヘリウムを必要とするため実用化に対する大きな障
害となっていた。また、本材料を室温からオンセット臨
界温度までの範囲で低抵抗の導伝性材料として使用する
ときは電力損失をできるだけ小さくするために材料の密
度が大きく抵抗率のより小さい材料が望ましい。
オンセット臨界温度（Ｔｃｏ）は絶対温度３０度附近で
あるが、抵抗率が零となるオフセット臨界温度（Ｔａ）
は絶対温度１３度と低く、この材料では冷却剤に高価な
液体ヘリウムを必要とするため実用化に対する大きな障
害となっていた。また、本材料を室温からオンセット臨
界温度までの範囲で低抵抗の導伝性材料として使用する
ときは電力損失をできるだけ小さくするために材料の密
度が大きく抵抗率のより小さい材料が望ましい。
発明が解決しようとする課題
これらの課題を解決するために、材料の密度が大きくよ
り高温のＴｃ＋ と室温からＴｃｏまでの温度範囲でよ
り小さいρを持つ材料を開発することが要望されている
。
り高温のＴｃ＋ と室温からＴｃｏまでの温度範囲でよ
り小さいρを持つ材料を開発することが要望されている
。
本発明は上記の欠点を改善するだめになされたものであ
シ、焼結した材料の密度が大きく、室温からオンセット
臨界温度までの抵抗率が小さく、さらに安価な液体窒素
の温度で超伝導特性を示す’ｒｅの高い新規な磁器組成
物を提供するものであるＯ 課題を解決するための手段 酸化バリウム（Ｂａｄ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ
）と酸化イッテルビウム（Ｙｂ２０３）と酸化銅（Ｃｕ
ｂ）で構成される組成において、その組成式をＹｂ （
Ｂａ１−Ｘ Ｓｒｘ ）２ Ｃｕ５Ｑ７ と表わしたと
き、その成分組成がモル分率でＯ（Ｘ≦０．７５の範囲
とする。
シ、焼結した材料の密度が大きく、室温からオンセット
臨界温度までの抵抗率が小さく、さらに安価な液体窒素
の温度で超伝導特性を示す’ｒｅの高い新規な磁器組成
物を提供するものであるＯ 課題を解決するための手段 酸化バリウム（Ｂａｄ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ
）と酸化イッテルビウム（Ｙｂ２０３）と酸化銅（Ｃｕ
ｂ）で構成される組成において、その組成式をＹｂ （
Ｂａ１−Ｘ Ｓｒｘ ）２ Ｃｕ５Ｑ７ と表わしたと
き、その成分組成がモル分率でＯ（Ｘ≦０．７５の範囲
とする。
作用
上記の組成物は室温からオンセット臨界温度まですぐれ
た抵抗体磁器であり、また液体窒素中で超伝導体磁器に
なる。
た抵抗体磁器であり、また液体窒素中で超伝導体磁器に
なる。
実施例
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３（９９，５係
以上）、Ｆ３ｒＧＯ５（９９％以上） 、ＹｂｚＯ３（
９９，９１）およびＣｕｂ（９９，６％以上）を所定の
組成になるように秤量し、めのうポールを備えたポリエ
チレン族のボールミルで水とともに１７時時間式混合し
た。この混合物をボールミルからとり出して乾燥したの
ち粉末をアルばす質るつぼに入れ空気中において９００
’Ｃの温度で５時間仮焼した。得られた仮焼物はめのう
乳鉢とめのう乳棒を備えた撞漬機により粉砕した。粉砕
の終った粉末に対してバインダーとしてプロピルアルコ
ールを５重量係添加して均質としたのち３２メソシユの
ふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレス
を用いて成形圧力ｓ ｏ ｏ ｋｇ／ａｆで矩形棒（１
８Ｘ４×厚さ約３ｍｍ）と円板試料（直径１０ｍｍＸ厚
さ約２＋ｎｍ）を成形した。成形体は高純度のアルミナ
さや鉢の中に入れたのち、酸素中において９００〜１１
ｏＯ℃の範囲内の温度で６時間保持して焼成し、表に示
す配合組成の抵抗体磁器を得た。
以上）、Ｆ３ｒＧＯ５（９９％以上） 、ＹｂｚＯ３（
９９，９１）およびＣｕｂ（９９，６％以上）を所定の
組成になるように秤量し、めのうポールを備えたポリエ
チレン族のボールミルで水とともに１７時時間式混合し
た。この混合物をボールミルからとり出して乾燥したの
ち粉末をアルばす質るつぼに入れ空気中において９００
’Ｃの温度で５時間仮焼した。得られた仮焼物はめのう
乳鉢とめのう乳棒を備えた撞漬機により粉砕した。粉砕
の終った粉末に対してバインダーとしてプロピルアルコ
ールを５重量係添加して均質としたのち３２メソシユの
ふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレス
を用いて成形圧力ｓ ｏ ｏ ｋｇ／ａｆで矩形棒（１
８Ｘ４×厚さ約３ｍｍ）と円板試料（直径１０ｍｍＸ厚
さ約２＋ｎｍ）を成形した。成形体は高純度のアルミナ
さや鉢の中に入れたのち、酸素中において９００〜１１
ｏＯ℃の範囲内の温度で６時間保持して焼成し、表に示
す配合組成の抵抗体磁器を得た。
円板試料から重量と寸法を測定し密度を算出した。矩形
棒の試料には直径０１２ｍｍの絶縁被覆銅線を６０回巻
き、ＬＣＲメータを用いて周波数１０ｋＨ２でインダク
タンスの温度変化（液体窒素温度から室温まで）による
変化を測定した。これらの試料の室温におけるインダク
タンスの値は４〜５μＨであった。液体窒素温度近傍で
インダクタンスが急激に減少する（１４〜捧）試料につ
いては矩形棒の長辺に垂直な両端面と長辺部に１０ｍｍ
の幅をあけて４端子状の電極を金蒸着又は焼付銀の方法
で取付け、一定電流（１０ｍ人）の下での抵抗の温度変
化（液体窒素温度から室温まで）を測定した。それらの
実験結果を表に示す。なお、表において＊印を付した試
料は本発明の範囲外の比較例であり、これ以外の試料が
本発明の範囲内の実施例である。
棒の試料には直径０１２ｍｍの絶縁被覆銅線を６０回巻
き、ＬＣＲメータを用いて周波数１０ｋＨ２でインダク
タンスの温度変化（液体窒素温度から室温まで）による
変化を測定した。これらの試料の室温におけるインダク
タンスの値は４〜５μＨであった。液体窒素温度近傍で
インダクタンスが急激に減少する（１４〜捧）試料につ
いては矩形棒の長辺に垂直な両端面と長辺部に１０ｍｍ
の幅をあけて４端子状の電極を金蒸着又は焼付銀の方法
で取付け、一定電流（１０ｍ人）の下での抵抗の温度変
化（液体窒素温度から室温まで）を測定した。それらの
実験結果を表に示す。なお、表において＊印を付した試
料は本発明の範囲外の比較例であり、これ以外の試料が
本発明の範囲内の実施例である。
（以 下 余 白）
表から明らかなように、本発明の範囲内のＳｒに゛より
置換した磁器組成物は焼結密度が大きく、室温からオン
セット臨界温度までの範囲で抵抗率を小さくすることが
できるとともに、液体窒素温度以下でオフセット臨界温
度Ｔｃの高い材料が得られる。従って、本発明の磁器組
成物を用いることにより冷却剤として安価で豊富に利用
できる液体窒素を用いて電気抵抗が零を示す超伝導特性
を容易に得ることができる。
置換した磁器組成物は焼結密度が大きく、室温からオン
セット臨界温度までの範囲で抵抗率を小さくすることが
できるとともに、液体窒素温度以下でオフセット臨界温
度Ｔｃの高い材料が得られる。従って、本発明の磁器組
成物を用いることにより冷却剤として安価で豊富に利用
できる液体窒素を用いて電気抵抗が零を示す超伝導特性
を容易に得ることができる。
本発明の組成範囲を限定した理由を説明すると、ＳｒＯ
の置換量Ｘが０７５を超えると焼結密度が低下するとと
もに室温およびオンセット臨界温度までの抵抗率が大き
くなり液体窒素温度で超伝導特性も得られなくなる。ま
た、Ｘ＝Ｏでは焼結密度が低く、また室温の抵抗率が大
きいために本発明の範囲から除かれる。
の置換量Ｘが０７５を超えると焼結密度が低下するとと
もに室温およびオンセット臨界温度までの抵抗率が大き
くなり液体窒素温度で超伝導特性も得られなくなる。ま
た、Ｘ＝Ｏでは焼結密度が低く、また室温の抵抗率が大
きいために本発明の範囲から除かれる。
発明の効果
本発明の磁器組成物は高価な液体ヘリウムや水素を使用
することなく資源的に豊富で価格的に廉価な液体窒素を
冷却剤に使用することにより、液体窒素の温度で超伝導
特性が得られる。従って、本発明の磁器組成物は液体窒
素で冷却することにより核融合炉やリニアモーターカー
用の強力な磁場が作り出せる超伝導磁石や、ジョセフン
ン素子などの超高速コンピュータ用素子や、大電力送電
線や超伝導印刷回路など幅広い分野での応用に適し、安
価で高性能の電子機器や回路部品を作ることができ工業
的に利用価値の著しく大きいものである。
することなく資源的に豊富で価格的に廉価な液体窒素を
冷却剤に使用することにより、液体窒素の温度で超伝導
特性が得られる。従って、本発明の磁器組成物は液体窒
素で冷却することにより核融合炉やリニアモーターカー
用の強力な磁場が作り出せる超伝導磁石や、ジョセフン
ン素子などの超高速コンピュータ用素子や、大電力送電
線や超伝導印刷回路など幅広い分野での応用に適し、安
価で高性能の電子機器や回路部品を作ることができ工業
的に利用価値の著しく大きいものである。
Claims (1)
- 酸化バリウムと酸化ストロンチウムと酸化イッテルビウ
ムと酸化銅からなり、その組成式をＹｂ（Ｂａ＿１＿−
＿ｘＳｒ＿ｘ）＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７と表わしたとき、そ
の成分組成がモル分率で０＜ｘ≦０．７５の範囲にある
ことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174515A JPH0226859A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174515A JPH0226859A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226859A true JPH0226859A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=15979862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174515A Pending JPH0226859A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226859A (ja) |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP63174515A patent/JPH0226859A/ja active Pending
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