JPH01220304A - 導電性薄膜付き基板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄１ｔ！ＩＥＬパネル、プラズマディスブー
パネル及び液晶デイスプレーパネル等に利用される、′
４Ｔｉ性ｉｆ付き基板に関するものである。

（従来の技術〕 従来、この種の導電性薄膜付き基板１としては、第３図
（断面図）に示すものがあ′つた。すなわち、例えば１
４”×１４”角の主表面を有するガラス基板２の一方の
主表面全面に真空蒸着法又はスパッタリング法等により
、インジウム　ティン　オキサイド（以下ｒｌＴＯＪと
いう。）からなる透明導電性基膜３を被着したものであ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら従来の導電性薄膜付き基板１では以下のよ
うな問題点があった。

すなわち、基板２の主表面全面上に、導電性薄膜３を被
着していること、換言すれば基板２の外周縁と導電性薄
膜３の外周縁とが一致していることから、導電性薄膜３
を所望のパターンにパターン化したとき、基板２の主表
面外周縁近傍に枠状のｍｌ性薄膜パターンが残存してし
まい種々の問題点を生ずる。このことを第３図〜第４図
に基づき説明する。なお、第３図及び第４図は平面図で
ある。先ず、第３図に示すように、導電性薄膜付き基板
１の導電性薄膜３上に、一般にレジスト膜厚の均一性が
優れているといわれているスピンコート法によりポジ型
レジスト膜４（膜厚：１μｍ）を形成する。しかしなが
ら、このスピンコート法でも、基板２が大きくなると、
基板２の自重が大きくなり（最大で２．５Ｋｇ＞、その
ため基板２の回転速度を２０００ｒｐｍ以下にしなくて
はスピンコータのモータが破壊する問題点がある。その
ため、２０００　ｒ　ｐＩＩｌ以下でレジスト膜４を形
成すると、第３図に示すように、基板２の外周縁から２
〜５＃ｌ５１（Ｌｌ）内側に、幅Ｌ２が約０．５＃ａで
、高さＨがレジスト膜４の厚さと同様又は２倍程度（例
えば１μｌｌ１）である凸状レジスト部分４ａがレジス
トの表面張力により枠状に形成されてしまう。そして、
このようなレジスト膜４を、通常の露光量（例えば２０
０ｍＪ　／　ａｉ　）で全面露光、現像及び導電性薄膜
３をエツチングすると、第４図に示すように凸状レジス
ト部分４ａの下部に位置する導電性薄膜５のところのみ
がエツチングされず残存してしまう。このことから生ず
る問題点をさらに第５図に基づき説明する。第５図にお
いて、−点鎖線Ａ内が所望のパターンを形成する領域Ｘ
で二点鎖線［３，０で囲まれた領域Ｙが、前述した凸状
レジスト部分４ａにより形成された残存導電性薄膜パタ
ーン５が残存する領域である。この所望パターン領域Ｘ
は、近年基板２の外周縁より内側に２〜３ｍ＋＋（Ｌ３
）内側に入ったところまで広がってきており、そのため
、所望パターン領域Ｘの内側に残存導電性薄膜パターン
５が残存する領域Ｙが入ってきてしまう。したがって、
所望パターン領域Ｘ内に、導電性薄膜３からなる、線状
の所望パターン６を残存して形成しても、その一部６ａ
（例えば、薄膜ＥＬパネルのときは、外部電極取り付は
用配線パターンとなるもの。）が、枠状の残存導電性薄
膜パターン５と連結してしまい、前述したような薄Ｆ３
　Ｅ　Ｌパネルのときは、所望パターン６の一部６ａは
個々に独立しなくなってしまい、ショートとなってしま
う。また、たとえ、残存導電性薄膜パターン５が残存す
る領域Ｙが、所望パターン領域Ｘの外側であっても、残
存導電性薄膜パターン５が基板２の外周縁近傍に存在す
ることにより、ソケットなどの外部［１ｉと接触する可
能性がある。

なお、残存する領域Ｙが所望パターン領域Ｘの外側であ
るとき、前述した凸状レジスト部分４ａを除去する方法
としては、アセトン等により除去する方法が考えられる
が、これによっても清浄に凸状レジスト部分４ａを除去
することは困難であり、かつ所望パターン領域Ｘ上のレ
ジスト膜４も除去してしまう恐れがある。

したがって、本発明の目的は、基板上に、例えばショー
トの原因となる不用の導電性λり膜パターンを基板の外
周縁近傍に残存させない導電性薄膜付き基板とその￥Ｊ
　”？１方法を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

前述した目的を達成するために、本発明は基板と、該基
板の一主表面上に被着された導電性薄膜とを備えた導電
性Ｆｔ９膜付き基板において、前記導電性Ｉ膜をパター
ン化するとき前記導電性薄膜上に塗布するレジスト膜の
前記基板外周縁近傍に存する所定の凸状レジスト部分よ
り内側に前記２９電性薄膜を被着してなる導電性薄膜付
き基板であり、また、基板と、該基板の一主表面上に被
着された導電性薄膜とを備えた導電性薄膜付き基板の製
造方法において、前記導電性薄膜をパターン化するとき
前記導電性薄膜上にレジスト膜を塗布するスピンコート
法の条件により、前記レジスト膜の前記基板外周縁近傍
に存する所定の凸状レジスト部分の位置を予め判定し、
次に前記凸状レジスト部分の内側の前記基板表面上に前
記導電性薄膜を被着する１ｆｆｌ性薄股付き基板の製造
方法である。

なお、「所定の凸状レジスト部分」とは、レジスト膜の
基板外周縁近傍に存する「全ての凸状レジスト部分」と
、例えば、前述したように第５図で示す所望パターン６
の一部６ａを形成する部分の「部分的な凸状レジスト部
分」も意味する。

〔作用〕

本発明によれば、導電性薄膜が凸状レジスト部分の内側
に被着していることから、ショート等の原因となる残存
導電性薄膜パターンを形成することがなくなる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づき詳述する
。なお、第１図は平面図、第２図は第１閏のＸｌ−Ｘｔ
線部分拡大断面図である。

先ず、３００ｍｍ　Ｘ　３５０ｍ　Ｘ　１．　ＩＭの大
きさに形状加工し、３００ｓ＋Ｘ　３５０ＩＩｍの表面
を精密した、アルミノボロシリケートからなるガラス基
板１０（重Ｕ：３００Ｇ　）上に、後記するレジスト膜
１３（例えば、ポジ型のフォトレジストであるシュブレ
ー社製のＡＺ　−１３５０）を形成するためのレジスト
液を滴下し、スピンコート法で成膜する。なお、このと
きのスピンコートの条件は、後記するＩＴＯからなる透
明導電性ＶＪ膜１１上に前述したレジスト膜１３を形成
するときと同一条件である、初期回転数１５０゜ｒｐｍ
、初期回転時＠３秒、乾燥回転数３００ｒｐｍ。

乾燥回転時間１４０秒であり、乾燥回転は初期回転後に
引き続き行なう。そして、このスピンコートの条件によ
れば、レジスト膜の凸状レジスト部分１３ａは基板１０
の外周縁から２ｍｍ（Ｌｌ）内側に入ったところに生じ
る。したがって、予め所望するスピンコートの条件によ
り、凸状レジスト部分１３ａが生じる位置を把握してお
く。

次に、前述したと同様のガラスミ基板１０を用意し、基
板１０の外周縁から２．５＃ＩＩＩＩ　（Ｌ　ａ　）内
側に入った、基板１０の一主表面上に、スパッタリング
法によりＩＴＯからなる透明導電性＠膜１１（膜厚：　
１０００人）を被着し、本例の導電性薄膜付き基板１２
を製作する。このとき、ＩＴＯ膜１１を被着しない主表
面の部分には、マスクをかけておき、スパッタリングに
よりＩＴＯＩｌｏｌｌの被着後マスクを取り外す。

次に、この導電性薄膜付き基板１２上にレジスト膜を被
着して凸状レジスト部分の位置を確認する。

先ず、前°述したレジスト液を透明）ｇ電性薄膜１１上
に滴下し、スピンコート法により、初期回転数１５００
ｒ　ｐｍ、初期回転時間３秒で初期回転し、次に乾燥回
転数３００ｒｐｍ、乾燥回転時間１４０秒で乾燥回転し
、レジスト膜１３を透明導電性薄膜１１上に被着・乾燥
させる。このようにして被着させたレジスト膜１３は、
第１図の二点鎖ａＤ、Ｅで囲まれた領域Ｚのように枠状
で、透明導電性薄膜１２よりも外側に凸状レジスト部分
１３ａを有して形成される。

この凸状レジスト部分１３ａは、基板１０の外周縁より
内側２．０Ｎ（Ｌｌ）に存在し、その幅Ｌ２は約０．５
ｍで、高さＨは約１μｍである。その後、レジスト膜１
３を９０℃で３０分間プレベークする。次に、例えば、
第５図に示した所望パターン６を得るべく、所望のフォ
トマスクを介して透明導電性薄膜１１の膜厚１μｍのレ
ジスト１ｌｉ１３を充分に露光できる露光Ｎ２００ｔｎ
Ｊ　／ｃｉで露光し、ＡＺ専用現像で現像し、４０ボ一
メ度塩化第２鉄水溶液と３６重量％塩酸の１／１混合液
で透明導電性薄膜１１をエツチングし、レジスト膜１３
をメチルセロソブル及びイソプロピルアルコールを用い
て剥離し、所望の透明導電性薄膜パターンを形成する。

以上のようにして透明導電性薄膜パターンを形成しても
、透明導電性薄膜１１の外側に凸状レジスト部分１３ａ
が存在し、すなわち凸状レジスト部分１３ａの下方には
透明導電性１１１１１が存在しないことから、この凸状
レジスト部分１３ａが充分に露光されず、現像時に残っ
ていても、透明導電性薄膜１１は従来のように枠状に残
存することはない。

以上本発明は前記実施例に限らず以下のものであっても
よい。先ず、導電性薄膜はＩＴＯからなるものに限らず
、酸化スズ、酸化スズにＳｂ等をドープしたもの及び酸
化インジウム等の他の透明導電性＠膜からなるものや、
Ｎｉ、Ａｕ等の不透明の導電性薄膜からなるものでもよ
く、その膜厚も適宜決定してもよい。また、導電性基膜
が被着される領域は、凸状レジスト部分が存する領域と
所望されるパターンの領域とを鑑みて適宜決定すればよ
く、さらに、第５図に示すように所望パターンがＸ方向
（図において左右方向）に長寸法を有するものであれば
、左右の凸状レジスト部分の下には導電性ｊ膜を被着せ
ず、図において上下方向における導電性薄膜は、凸状レ
ジスト部分の下に被着してもよい。

また、レジスト膜はポジ型のフォトレジストに限らず、
ネガ型フォトレジストや電子線レジスト等の他のレジス
トでもよく、またその膜厚も適宜決定すればよい。

また、基板としてはガラス基板に限らず、セラミックか
らなる基板、アルミニウムからなる金属基板等の他の基
板であってもよく、またその形状も正方形、矩形及び円
状等であってもよい。

また、前記実施例では、導電性薄膜上にレジスト膜を被
着する前に、そのレジスト膜を被着するスピンコート条
件により基板上にレジスト膜を形成して凸状レジスト部
分の位置を判定したが、予め種々のスピンコート条件、
特に種々の回転数によりレジスト膜を基板上に被着して
、それぞれの回転数に対応する凸状レジスト部分の位置
を判定しておいてもよい。なお、前記実施例では、乾燥
回転数を増加すると基板外周縁方向へ凸状レジスト部分
は移動する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、レジスト膜の所定の凸状レジスト部分
より内側に導電性薄膜を基板上に被着していることから
、例えばショートの原因となる導電性薄膜パターンを基
板の外周縁近傍に残存させることを防止でき、また凸状
レジスト部分をアセトン等で除去する必要もなくなり実
用上非常に６益である。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明の導電性薄膜付き基
板の一実施例を示す図で、第１図は平面図、第２図は第
１図のＸｌ−Ｘｔ線部分拡大断面図である。第３図は従
来の導電性薄膜付き基板を示す断面図であり、第４図は
従来の導電性薄膜付き基板を用いたときに残存する不用
の導電性薄膜パターンを示す平面図である。第５図は所
望のパターンを示す平面図である。 １０・・・基板、１１−・・導電性ｉａ膜、１２・・・
導電性λン膜付き基板、１３・・・レジスト膜、１３ａ
・・・凸状レジスト部分。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と、該基板の一主表面上に被着された導電性
   薄膜とを備えた導電性薄膜付き基板において、前記導電
   性薄膜をパターン化するとき前記導電性薄膜上に塗布す
   るレジスト膜の前記基板外周縁近傍に存する所定の凸状
   レジスト部分より内側に前記導電性薄膜を被着してなる
   導電性薄膜付き基板。
2. （２）基板と、該基板の一主表面上に被着された導電性
   薄膜とを備えた導電性薄膜付き基板の製造方法において
   、前記導電性薄膜をパターン化するとき前記導電性薄膜
   上にレジスト膜を塗布するスピンコート法の条件により
   、前記レジスト膜の前記基板外周縁近傍に存する所定の
   凸状レジスト部分の位置を予め判定し、次に前記凸状レ
   ジスト部分の内側の前記基板表面上に前記導電性薄膜を
   被着する導電性薄膜付き基板の製造方法。