JPH01250349A - ２−ヒドロキシ−３−カルバモイルベンゾ〔ａ〕カルバゾール誘導体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技東九夏 本発明は２−ヒドロキシ−３−カルバモイルベンゾ（ａ
ｌカルバゾール誘導体及びその製造方法に関する。更に
詳しくは有機光導電体として有用なアゾ化合物を合成す
るためのカップラーである２−ヒドロキシ−３−カルバ
モイルベンゾ〔ａ〕カルバゾール誘導体及びその製造方
法に関する。

ｋ末技度 従来から、ある種のアゾ化合物が電子写真用感光体の一
つの形態である積層型感光体の電荷発生層に用いられる
電荷発生顔料とじて有効であることが知られている。こ
こでいう積層型感光体とは、導電性支持体上に光によっ
て電荷担体を生成する能力を有する電荷発生顔料を、適
切な方法１例えば真空蒸着、顔料分散液の塗布あるいは
樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散した分散液の塗布など
により薄層として電荷発生層を形成せしめ、その上に電
荷発生層で生成した電荷担体を効率よく注入し得て、し
かもその移動を行う電荷搬送層（通常この電荷搬送層は
、電荷搬送物質と、結着樹脂とからなる。）を形成せし
めた感光体である。従来、この種の感光体に使用される
アゾ化合物としては例えば特開昭４７−３７５４３号公
報、及び特開昭５２−５５６４３号公報などに記載され
るベンジジン系ビスアゾ化合物あるいは特開昭５２−８
８３２号公報に記載されるスチルベン系ビスアゾ化合物
が知られている。

しかしながら、従来のビスアゾ化合物を用いた積層型の
感光体は一般に感度が低いため高速複写機用の感光体と
しては不十分である。一方、近年レーザープリンター用
感光体の要求も高まっており、特に半導体レーザーの波
長域における高感度感光体の開発が望まれているが、上
述の感光体はこの目的に対し、感度が低く、実用に供し
得ないのが実状である。

豆−一度 本発明の目的は高速複写機用としては勿論、レーザープ
リンター用としても実用的な高感度を有する電子写真感
光体、特に積層型感光体において電荷発生顔料として有
用なアゾ化合物を得るためのカップラーである２−ヒド
ロキシ−３−カルバモイルベンゾ（ａ）カルバゾール誘
導体及びその製造方法を提供することである。

且−一双 本発明の１つは 一般式（Ｉ） （Ｒ３）ｎ 〔式中Ｒ１およびＲ１は水素、置換又は無置換のアルキ
ル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換の
複素環残基を表わすか、或いはＲ１およびＲ２は共同で
環を形成しても良い、Ｒ１は水素（但しＲ４が水素の場
合は除く）、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無
置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアルキルスルホ
ニル基、置換又は無置換のアルキルメルカプト基、ハロ
ゲン原子、ニトロ基。

或いは置換又は無置換のアリール基を表わし、ｎは１〜
４の整数を表わす、ｎが２〜４の場合、Ｒ３は同−又は
異なったもののいずれでも良い。Ｒ４は水素、置換又は
無置換のアルキル基、或いは置換又は無置換のアリール
基を表わす、〕 で示される２−ヒドロキシ−３−カルバモイルベンゾ（
ａ）カルバゾール誘導体であり、他の１つは一般式（Ｉ
Ｉ） 〔式中、Ｘはハロゲン原子、−ＯＨ，○Ｌｉ、（）Ｎａ
、ＯＫ又は低級アルコキシ基を表わし、またＲ１は水素
（但しＲ４が水素の場合は除く）、置換又は無置換のア
ルキル基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無
置換のアルキルスルホニル基、置換又は無置換のアルキ
ルメルカプト基、ハロゲン原子、ニトロ基、或いは置換
又は無置換のアリール基を表わし、ｎは１〜４の整数を
表わす、ｎが２〜４の場合、Ｒ３は同−又は異なったも
ののいずれでも良いｅ　Ｒ４は水素、置換又は無置換の
アルキル基、或いは置換又は無置換のアリール基を表わ
す、〕 で示される２−ヒドロキシベンゾＣａｌカルバゾール−
３−カルボン酸誘導体に、一般式（ｍ）ＨＮ−Ｒ工 〔式中Ｒ１およびＲ２は水素、置換又は無置換のアルキ
ル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換の
複素環残基を表わすか、或いはＲ１およびＲ２は共同で
環を形成しても良い。〕 で示されるアミンを作用せしめることを特徴とする前記
一般式（Ｉ）で示される２−ヒドロキシ−３−力ルバモ
イルベンゾ（ａ）カルバゾール誘導体の製造方法である
。

前記一般式（Ｉ）で示される２−ヒドロキシ−３−カル
バモイルベンゾ〔ａ〕カルバゾール誘導体の具体例は下
記の通りであるが１本発明はこれらの具体例に限定され
るものではない。

（以下余白） 一般式（Ｉ）で示される２−ヒドロキシ−３−カルバモ
イルベンゾ（ａ）カルバゾール誘導体はジアゾニウム塩
化合物とのカップリング反応により下記一般式（ｍ）で
示されるアゾ化合物を得るための有用な中間体（カップ
ラー）であり、また−般式（ｍ）で表わされるアゾ化合
物は、先に述べた様に、電子写真感光体の光導電体とし
て有用である。このことから、本発明の一般式（Ｉ）で
示される２−ヒドロキシ−３−カルバモイルベンゾ［ａ
）カルバゾール誘導体はきわめて有用な化合物であるこ
とが明らかである。

一般式（Ｉｆｆ） 〔式中ＲＬ、　Ｒ，、Ｒ１、Ｒ４、ｎは前記一般式（り
に同じ、Ｙはジアゾニウム塩残 基、ｍは１〜４の整数を表わす、） 本発明の一般式（Ｉ）で示される２−ヒドロキシ−３−
カルバモイルベンゾ〔ａ〕カルバゾール誘導体は例えば
染料化学（細田豊著、技報堂、昭和３２年１１月３０日
発行）６４５〜６４７頁に記載されるナフトールＡＳや
ナフトールＡＳ−ＳＲの製造法に従って容易に製造する
ことができる。

加ち、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸に亜硫酸
ナトリウム水溶液及び亜硫酸水素ナトリウム水溶液を作
用させた後、無機酸で酸性とし、で示されるフェニルヒ
ドラジン誘導体を作用させて一般式（Ｖ） で示される２−ヒドロキシベンゾ（ａ）カルバゾールー
３−カルボン酸誘導体とし、ついでこのヒドロキシカル
ボン酸誘導体にハロゲン化剤、水酸化アルカリ等を作用
させて一般式（ＩＩ）で示されるヒドロキシカルボン酸
とし、更にこれに一般式（ＩＩＩ）で示されるアミンを
作用させれば、一般式口→の化合物が得られる。

以下に本発明を実施例及び用途例によって説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例１ ３．５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸２０４．１７ｇ
（Ｉ，０モル）に水ＩＱ、亜硫酸ナトリウム１３９．９
３ｇ（Ｉ，１１モル）及び３７％亜硫酸水素ナトリウム
水溶液１７．２７ｇ　（０，０６１４１モル）を加え、
９５〜９８℃で８時間攪拌した０次にこの液を６５℃ま
で冷却し。

４８．５％硫酸水溶液３００ｔａ　Ｑを加えた後、ｐ−
メトキシフェニルヒドラジン・塩酸塩９４．１０　ｇ（
０，５３８８モル）を加え、再び８５℃まで昇温しで同
温度で３時間攪拌した。更に４８．５％硫酸水溶液２８
０＋ｗ　Ｑを加えた後、９５℃まで昇温しで、同温度で
１０時間攪拌した。放冷後、析出している結晶を更改し
、約１．３Ｑの水で結晶を洗浄し、このウェットケーキ
に、水８６５ｍ　Ｑ、２０％酢酸ナトリウム水溶液６５
０ｍ　Ｑ及び３７％亜硫酸水素ナトリウム水溶液０．８
５ｇを加え、３時間加熱還流し、熱時に結晶を更改した
後、８５℃に加熱した２０％酢酸ナトリウム水溶液１７
．３ｇ、水３５０ｔａ　Ｑ及び＃酸ＩＯ滴よりなる混合
液で洗浄し、ついで、熱水２．５１１で洗浄してから１
２０℃で真空乾燥して２−ヒドロキシ−８−メトキシベ
ンゾ（ａ）カルバゾール−３−カルボン酸の粗製品１０
８．４１ｇ（収率６５．５％）を黄緑色結晶として得た
。粗製品をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ　）
に溶解し、エタノール及び水を加えて再沈殿し、精製品
を得た。融点３００℃以上。

元素分析値（Ｃ工、Ｈよ、　Ｎｏ４として）肚豆菫　　
　失夾五 ０％　　　７０．３５　　　７０．１０ｇ％　　　　４
，２６　　　　４．２６Ｎ％　　　　４，５６　　　　
４．３９赤外線吸収スペクトル（にＢｒ錠剤法）γ　　
　　　　　３４００ｃｍ−’ γ　　　　１６７５ｃ＋ａ−’ こうして得られたヒドロキシカルボン酸１００．０（０
，３２５モル）ｇをジオキサン１，５Ｑに分散し、これ
り、−８６％ＫＯ３２１，２３ｇ（０，３２５モル）を
メタノール７０ｇに溶解した溶液を攪拌下に添加混合し
た。ついでこの混合物を１時間加熱還流し、放冷後結晶
を炉取してジオキサンＩＱにて洗浄したのち。

１４０℃で真空乾燥した。９２．６ｇ（収率８ｏ、４％
）のカリウム塩を灰色の結晶として得た。融点３００℃
以上。

次にこうして得られたカリウム塩７．０９ｇ（０，０２
モル）、アニリン３．７２ｇ（０，０４モル）及びジオ
キサン５０ｍ　（ｌよりなる混合物を１００’Ｃに加熱
し、三塩化燐１．２９ｇ（０，００９モル）を約１０分
間で滴下した。

滴下終了後、攪拌下に１０時間還流し、放冷後、水５０
■Ｑを加えて、析出した結晶を更改した。

この結晶を水洗し乾燥（Ｉ００℃、真空下）して４．３
９ｇ（収率５７．４％）の粗製品を得た。次にこの粗製
品を４０ｍ　ｆｔのＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（以
下開Ｆと略記する）に加熱溶解し、熱時に濾過した後、
炉液にエタノールＬｏｏｍ　Ｑ及び水Ｌｏｏｍ　Ｑを加
えて結晶を析出させた。この結晶を更改し乾燥した。

更にこの結晶にジオキサン２００ｒｓ　Ｑ　、シリカゲ
ル（和光補薬製ワコーゲルＣ−２００）３０ｇ及びフロ
リシール（和光補薬製）３０ｇを加えて、１時間攪拌下
に還流し、熱濾過後、炉液を濃縮、残香をエタノールよ
り洗浄乾燥（Ｉ２０℃真空下）して化合物Ｎα１の２−
ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイル結晶として、２
．９１ｇ（収率３８．０％）得た。融点約２９０℃。

元素分析値（Ｃ２ＪｔｅＮｔＯｚとして）■１皿　　　
叉皿孟 ０％　　　７５．３８　　　　１４．９８ｇ％　　　　
４，７４　　　　　４．６９Ｎ％　　　　７，３３　　
　　　７．１０このものの赤外線吸収スペクトル（ＫＢ
ｒ錠剤法）を第１図に示した。

実施例２ 実施例１で得たカリウム塩を用い、且つアニリンの代り
に、０−エチルアニリンを用いた以外は実施例１と同じ
方法で化合物Ｎα２６の２−ヒドロキシ−３−（２−エ
チルフェニル）カルバモイル−８＝メトキシベンゾ（ａ
）カルバゾールを得た。

元素分析値（ＣｚｓＨｚＪｚＯａとして）龍ｉ鼠　　　
災夾鼠 ０％　　　７６．０８　　　７５．９６Ｎ％　　　　５
，４０　　　　５．４７Ｎ％　　　　６，８３　　　　
６．５７このものの赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒＢｒ
法）を第２図に示した。

実施例３ ｐ−メトキシフェニルヒドラジン塩酸塩の代りに、ｐ−
トリルヒドラジン塩酸塩を用いた以外は実施例１と同じ
方法で２−ヒドロキシ−８−メチルベンゾ（ａ）カルバ
ゾール−３−カルボン酸カリウムを得た０次にこのカリ
ウム塩に、実施例１と同様にアニリンを作用せしめ、化
合物Ｎα１０７の２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバ
モイル−８−メチルベンゾ（ａｌカルバゾールを得た。

収率３９．６％（Ｋ塩からの収率）、融点約３００℃、
黄色結晶。

元素分析値（Ｃ２４）＋よ、　Ｎ、　０２として）肚豆
皿　　　大皿１ ０％　　　７８．６７　　　７８．７０Ｎ％　　　　４
，９５　　　　４．８１Ｎ％　　　　７，６５　　　　
７．６４このものの赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
法）を第３図に示した６ 実施例４〜９ 実施例３で得た２−ヒドロキシ−８−メチルベンゾ（ａ
）カルバゾール−３−カルボン酸カリウムに表−１に示
すアニリン誘導体を実施例１と同様に作用せしめ、同表
に示す２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイル−８
−メチルベンゾ〔ａ〕カルバゾール誘導体を製造した。

（以下余白） 実施例１０ ｐ−メトキシフェニルヒドラジン塩酸塩の代りに、ｐ−
クロルフェニルヒドラジン塩酸塩を用いた以外は実施例
１と同じ方法で、２−ヒドロキシ−８−クロルベンゾＣ
ａｌカルバゾール−３−カルボン酸カリウムを得た。こ
のカリウム塩に実施例１と同様にアニリンを作用せしめ
、化合物ＮＬ１２１３の２−ヒドロキシ−３−フェニル
カルバモイル−８−クロルベンゾ（ａ）カルバゾールを
得た。収率４７．９％（Ｋ塩からの収率）、融点＞　３
００℃。

元素分析値（Ｃ２３Ｈ□、ＣＱＮ２０□として）艶臭藍
　　　災ｌ鼠 Ｃ％　　　７１．４１　　　７１．３３Ｈ％　　　　３
．旧　　　　３．６７ Ｎ％　　　　７，２４　　　　７．２３このものの赤外
線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を第１０図に示した
。

実施例１１〜２５ 実施例ＩＯで得た２−ヒドロキシ−８−クロルベンゾ［
ａ）カルバゾール−３−カルボン酸カリウムに表−２に
示すアニリン誘導体を実施例１と同様に作用せしめ、同
表に示す２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイル−
８−クロルベンゾ（、）カルバゾール誘導体を製造した
。

（以下余白） 実施例２６ ｐ−メトキシフェニルヒドラジン塩酸塩の代りに、■−
メチルー１−フェニルヒドラジンを用いた以外は実施例
１と同じ方法で２−ヒドロキシ−１１−メチルベンゾ（
ａ）カルバゾール−３−カルボン酸カリウムを得た。こ
のカリウム塩に実施例１と同様にアニリンを作用せしめ
、化合物Ｈａ　４２５の２−ヒドロキシ−３−フェニル
カルバモイル−１１−メチルベンゾ（ａ）カルバゾール
を得た。収率７１゜９％（Ｋ塩からの収率）、融点２６
２．５〜２６５．５℃、黄色結晶。

元素分析値（Ｃ２４Ｈ工。Ｎ、Ｏ□として）、ｔｔＪＪ
Ｌ　　　　尖皿亘 ０％　　　７ｇ、６７　　　７９．０４Ｎ％　　　　４
．９５　　　　４．９ＯＮ％　　　　７，６５　　　　
７．５７このものの赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
法）を第２６図に示した。

実施例２７ 実施例２６で得た２−ヒドロキシ−１１−メチルベンゾ
（ａＥカルバゾール−３−カルボン酸カリウムに。

実施例１と同様に０−エチルアニリンを作用せしめ、化
合物Ｎα４５０の２−ヒドロキシ−３−（２−エチルフ
ェニル）カルバモイル−１１−メチルベンゾ（ａ）カル
バゾールを得た。収率６０．９％（Ｋ塩からの収率）、
融点２１３．５〜２１５．０℃、黄色結晶。

元素分析値（Ｃｚ　ＧＨｚ　ｚ　Ｎｚ　Ｏ−として）肛
ｌ鼠　　　災■逍 ０％　　　７９．１６　　　７９．３８Ｈ％　　　　５
，６２　　　　５．３３Ｎ％　　　　７，１０　　　　
６．９９このものの赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
法）を第２７図に示した。

実施例２８〜３９ 実施例１で得たカリウム塩（２−ヒドロキシ−８−メト
キシベンゾＣａｌカルバゾール−２−カルボン酸カリウ
ム）に表３に示すアリニン誘導体を実施例１と同様に作
用せしめ、同表に示す２−ヒドロキシ−３−フェニルカ
ルバモイル−８−メトキシベンゾ［ａｌカルバゾール誘
導体を製造した。

実施例４０〜４８ 実施例３で得た２−ヒドロキシ−８−メトキシベンゾ（
ａ）カルバゾール−３−カルボン酸カリウムに表４に示
すアリニン誘導体を実施例１と同様に作用せしめ、同表
に示す２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイル−８
−メチルベンゾ（ａ）カルバゾール誘導体を製造した。

（以下余白） 実施例４９ ｐ−メトキシフェニルヒドラジン塩酸塩の代りに、２−
メチル−４−クロフェニルヒドラジン塩酸塩を用いた以
外は実施例１と同じ方法で、２−ヒドロキシ−８−クロ
ル−１０−メチルベンゾ（ａ）カルバゾール−３−カル
ボン酸カリウムを製造した１次にこのカリウム塩に実施
例１と同様にアニリンを作用せしめ、化合物血３１９の
２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイル−８−クロ
ル−１０−メチルベンゾ（ａ）カルバゾールを得た。収
率４８％（Ｋ塩からの収率）、融点〉３００℃、黄色結
晶。

元素分析値（ＣｚＪｉｔＣＱ　Ｎｅｏ□として）艶見菫
　　　大皿ｌ ０％　　　７１．９１　　　７１．３６７Ｈ％　　　　
４，２８　　　　４．０４Ｎ％　　　　６，９９　　　
　６．８４このものの赤外線吸収スペクトル（にＢｒ錠
刑法）を第４９図に示した。

実施例５０〜６１ 実施例２６で得た２−ヒドロキシ−１１−メチルベンゾ
（ａ）カルバゾール−３−カルボン酸カリウムに表５に
示すアリニン誘導体を実施例１と同様に作用せしめ、同
表に示す２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイル−
１１−メチルベンゾ（ａ）カルバゾール誘導体を製造し
た。

（以下余白） 用途例 実施例１４で得た化合物Ｎｃｉ　２３５の２−ヒドロキ
シ−３−（２−メチルフェニル）カルバモイル−８−ク
ロルベンゾ（ａ）カルバゾール（カップラー）にトリフ
ェニルアミン−４，４’　、４“−トリスジアゾニウム
トリステトラフルオロボレートを作用せしめて。

下記式で示されるトリスアゾ化合物を合成した。

次にこのトリスアゾ顔料７６重量部、ポリエステル樹脂
（東洋紡績社製バイロン２００）のテトラヒドロフラン
溶液（固形分濃度２％）　１２６０重量部、及びテトラ
ヒドロフラン３７００重量部をアルミニウム蒸着したポ
リエステルベース（導電性支持体）のアルミニウム面上
にドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚
さ約１μ鳳の電荷発生層を形成した。

この電荷発生層上に、電荷搬送物質として９−エチルカ
ルバゾール−３−アルデヒド１−メチル−１−フェニル
ヒドラゾン２重量部、ポリカーボネート樹脂（帝人社製
パンライトＫ　−１３００）　２重量部及びテトラヒド
ロフラン１６重量部を混合溶解した溶液をドクターブレ
ードを用いて塗布し、８０℃で２分間、ついで１０５℃
で５分間乾燥して厚さ約２０μ■の電荷搬送層を形成し
て積層型の感光体を作成した。

この感光体について、次に示す手順により、その分光感
度を測定した。

まず、感光体を暗所でコロナ放電によりその表面電位を
−８００ボルト以上に帯電し、その表面電位が一８００
ボルトになるまで暗減衰させ、表面電位が一８００ボル
トになったときにモノクロメータ−を用いて分光した感
光体面での強度が１μＷ／ｃｄの単色光を感光体に照射
し、その表面電位が−４００Ｖに減衰するまでの時間（
秒）を求め、半減露光量（μＷ−ｓｅｃ　／　ａｌ　）
を算出した。

一方、露光によって得られる見掛は上の電位差４００ボ
ルトから暗減衰による電位の減衰分を差引いた露光によ
り実際に得られている電位差を求め、この電位差と上記
の半減露光量とから光減衰度（ｖｏｌｔ−ａＪ・μＷ−
１・５ｅｅ−１）を算出し、感度曲線とした。こうして
得られた分光感度曲線を第６２図に示したー この分光感度曲線から明らかなように１本発明化合物か
ら誘導されたアゾ化合物を含む電子写真感光体は、半導
体レーザーの発振波長領域においても、きわめて高感度
であることが判る。

羞−一来 以上の説明から判るように本発明の２−ヒドロキシ−３
−カルバモイルベンゾ〔ａ〕カルバゾール誘導体は容易
に製造できる上、用途例からも明らかなように高速複写
機用、レーザープリンター用等として実用的な高感度の
電子写真感光体、特に積層型感光体において電荷発生顔
料として用いられるアゾ化合物のカップラーとしてきわ
めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１〜６１図は夫々実施例１〜６１で作った本発明化合
物の赤外線吸収スペクトル、第６２図は用途例で作った
電子写真感光体の分光感度曲線を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１およびＲ＿２は水素、置換又は無置換のア
   ルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置
   換の複素環残基を表わすか、或いはＲ＿１およびＲ＿２
   は共同で環を形成しても良い。Ｒ＿３は水素（但しＲ＿
   ４が水素の場合は除く）、置換又は無置換のアルキル基
   、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のア
   ルキルスルホニル基、置換又は無置換のアルキルメルカ
   プト基、ハロゲン原子、ニトロ基、或いは置換又は無置
   換のアリール基を表わし、ｎは１〜４の整数を表わす、
   ｎが２〜４の場合、Ｒ＿３は同一又は異なったもののい
   ずれでも良い、Ｒ＿４は水素、置換又は無置換のアルキ
   ル基、或いは置換又は無置換のアリール基を表わす。〕 で示される２−ヒドロキシ−３−カルバモイルベンゾ〔
   ａ〕カルバゾール誘導体。 ２、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘはハロゲン原子、−ＯＨ、ＯＬｉ、ＯＮａ、
   ＯＫ又は低級アルコキシ基を表わし、またＲ＿３、Ｒ＿
   ４及びｎは後記一般式（ I ）で定義したものと同じ。
   〕 で示される２−ヒドロキシベンゾ〔ａ〕カルバゾール−
   ３−カルボン酸誘導体に、一般式（III）▲数式、化学
   式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１及びＲ＿２は後記一般式（ I ）で定義し
   たものと同じ） で示されるアミンを作用せしめることを特徴とする一般
   式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１およびＲ＿２は水素、置換又は無置換のア
   ルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置
   換の複素環残基を表わすか、或いはＲ＿１およびＲ＿２
   は共同で環を形成しても良い。Ｒ＿３は水素（但しＲ＿
   ４が水素の場合は除く）、置換又は無置換のアルキル基
   、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のア
   ルキルスルホニル基、置換又は無置換のアルキルメルカ
   プト基、ハロゲン原子、ニトロ基、或いは置換又は無置
   換のアリール基を表わし、ｎは１〜４の整数を表わす。 ｎが２〜４の場合、Ｒ＿３は同一又は異なったもののい
   ずれでも良い。Ｒ＿４は水素、置換又は無置換のアルキ
   ル基、或いは置換又は無置換のアリール基を表わす。〕 で示される２−ヒドロキシ−３−カルバモイルベンゾ〔
   ａ〕カルバゾール誘導体の製造方法。