JPH01254663A - Ｎ−置換−２，４’−ビピリジル・７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分奸］ 本発明は、電子機器分野あるいは電子材料分野などにお
ける導電性材料として注目されている有機半導体に関す
るもので、特に新規物質としてのＮ−置換−２，４′−
ビピリジル・７，７，８．８−テトラシアノキノジメタ
ン錯塩類およびその製造方法に関するものである。

［発明の概要］ 更に詳しくは、下記の式［１］で表わされる新規有機半
導体（新規化合物）としてのＮ−置換−２，４−ビピリ
ジル・７，７，８．８−テトラシアノキノジメタン錯塩
類およびその製造方法を提供するものである。

ル基またはベンジル基を示す。ｍは１モルの錯塩に含ま
れる中性７，７，８．８−テトラシアノキノジメタンの
モル数に対応する正の数（０，５〜１．５）を意味する
。

なお、説明の便宜上、７，７，８．８−テトラシアノキ
ノジメタンを以下、ＴＣＮＱと称す。

次に、上記の式［１］で示した化合物は、下記の式［２
］で表わされるＮ−置換−２，４′−ビピリジル・第四
アンモニウム塩類を 上記の式［３］で表わされるＴＣＮＱと反応させること
により製造することができるものである。

、上記の式［１］の化合物において、式中のＲのアルキ
ル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、゛ブチ
ル、ペンチル、ヘキシルのような炭素数かＣ１〜Ｃ６の
アルキル基（ｎ−，１ｓｏ−などの全ての異性体を含む
。）を例示することができる。また、式［１］中のＲと
してベンジル基を例示することができる。式［１］中の
ｍは０．５〜１．５が好ましく、より好ましくは約１で
ある。

また、式［２］中のＲは式［１］と同様にＣ１〜Ｃ６の
アルキル基またはベンジル基であり、Ｘはハロゲンであ
る。

［合成方法］ 上述したように、本発明に係る式［１］の新規化合物で
あるＮ−置換−２，４′−ビピリジル・ＴＣＮＱＣＮ類
は１式［２］のＮ−置換−２，４′−ビピリジル・第四
アンモニウム塩類を式［３］のＴＣＮＱに反応させるこ
とによって容易に好ましい収率で製造することができる
。以下に、その製造方法について述べる。

式［２］のＮ−置換−２，４′−ビピリジル・第四アン
モニウム塩類は既に公知の化合物であって、２．４′−
ビピリジルからそれ自体公知の手法を利用して容易に合
成することができる。このＮ−置換−２，４−ビピリジ
ル・第四アンそニウム塩類の合成例を第１表に示す。２
．４′−ビピリジルを１とした場合の反応モル比は１：
１〜３が好ましく、本例では１：１．５とした。

式［３］のＴＣＮＱおよびその種々の塩ならびにその製
造方法についても既に公知であって、例えばり、Ｒ，Ｍ
ｅｌｂｙらのＪ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、８４．３
３７４　（ｆ９６２）および昭和５８年特許出願公開第
１９１４１４号公報に明示されている。

次に、式［２］の化合物と式［３１のＴＣＮＱとから式
［１］の化合物を製造する一態様について詳述すると１
例えば式［２］中の一例としてのＮ−メチル−２，４−
ビピリジル・第四アンモニウム塩類の熱アセトニトリル
溶液と式［３］のＴＣＮＱの熱アセトニトリル溶液を熱
時混合した後に放冷し、析出した結晶を濾過する。この
際、反応溶液に大過剰のエーテルを注加し、反応生成物
を析出せしめても良い。反応生成物は熱アセトニトリル
て再結晶するか、または冷無水エタノールで同エタノー
ルの着色が無くなるまで洗浄すわば、！！！機塩類を含
有しない式［１］中の一例としてのＮ−メチル−２，４
−ビピリジル・ＴＣＮＱ錯塩を高収率で得ることができ
る。

ところで、式［２］の化合物と式［３］のＴＣＮＱとの
反応において、同反応は例えば常圧下、好ましくは窒素
ガス、アルゴンガスのような不活性ガス雰囲気中で、ア
セトニトリル、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフ
ラン、アルキルセロソルブなと、あるいはそれらのｉ８
当な混合物のような不活性仔機溶媒の沸点Ｆで行なうと
良い。反応に使用する式［３］のＴＣＮＱの使用量は、
式［２］の混合物１モルに対して約１〜３モルの如き使
用量を例示することかできる。また、不活性イ１−機溶
媒の使用【硅も適宜選択することができ、式［２］の化
合物に対して約１０〜２０倍、式［３］のＴＣＮＱに対
して約５０〜１２０倍の如き使用量を例示することがで
きる。

［実施例］ 更に、本発明に係る式［１］のＮ−置換−２，４′−ビ
ピリジル・ｒｃＮＱｍ塩類の具体的な合成方法の実施例
について述べる。

実ｒＪζ例Ｉ Ｎ−メチル−２，４−ビピリジル・第四アンモニウム・
ＴＣＮＱ錯塩の合成について述べる。

Ｎ−メチル−２，４−ビピリジル・第四アンモニウム・
沃化水素酸塩０．０１００モルをアセトニトリル５０ｍ
１に熱時溶解し、これにＴＣＮＱＯ，０１５モルをアセ
トニトリル３００ｍ１に熱時溶解して注加し、混合した
後に室温で約５時間放冷する。場合によってはこの放冷
後に大過剰のエーテルを加えて完全に結晶を析出させ、
析出した黒色針状結晶を濾別する。この結晶を熱アセト
ニトリルにより再結晶を繰返し行ない、場合によっては
引続きエタノールで同濾液が着色しなくなるまで洗浄し
た後、エーテルで洗浄し、さらに乾燥させると、沃素イ
オンを全く含有しない純粋なＮ−メチル−２，４−ビピ
リジル・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩、融点２３３
．０〜２３６゜０℃の黒色針状結晶を収率７１％の高収
率で得ることができる。

実施例２〜４ 上記実施例１ではＮ−メチル−２，４−ビピリジル・第
四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩の合成について述べたが
、式［２］中の化合物Ｒがエチル、ｎ−プロピルおよび
ヘンシルに置換された式［２］の化合物（＠掲第１表中
２〜４）を用い、実施例１と同様の手法・手順に準じて
合成した結果、第２表に示すようにＮ−エチル−２，４
′−ビピリジル・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩（実
施例２）、Ｎ−プロピル−２，４′−ビピリジル・第四
アンモニウム・ＴＣＮＱ錯塩（実施例３）、Ｎ−ヘンシ
ル−２，４−ビピリジル・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ
錯塩（実施例４）を得た。

第２表にＮ−アルキル−２，４−ビピリジル・第四アン
モニウム・沃化水素酸塩のモル数とアセトニトリルの量
、ＴＣＮＱのモル数とアセトニトリルの雀、収率および
融点について、実施例２〜４に実施例１を追加して記す
。

［応用例］ 上述のようにして得た式［１］のＮ−置換−２，４′−
ビピリジル・ＴＣＮＱＣＮ類の用途について述べると、
このＴＣＮＱＣＮ類は例えば２枚のアルミニウム箔をセ
パレータを介して巻回したコンデンサ素子からなる固体
電解コンデンサの固体電解質として、あるいはタンタル
粉末焼結体のコンデンサ素子からなる固体電解コンデン
サの固体電解質として利用し得るものである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の式［１］で表わされるＮ−置換−２，４′
   −ビピリジル・７，７，８，８−テトラシアノキノジメ
   タン錯塩類。 ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ 式［１］中、ＲはＣ＿１〜Ｃ＿６のアルキル基またはベ
   ンジル基を示す。ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７，
   ７，８，８−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応
   する正の数（０．５〜１．５）を意味する。
2. （２）下記の式［２］で表わされるＮ−置換−２，４′
   −ビピリジル・第四アンモニウム塩類を▲数式、化学式
   、表等があります▼［２］ 下記の式［３］で表わされる７，７，８，８−テトラシ
   アノキノジメタンと反応させ、 ▲数式、化学式、表等があります▼［３］ 下記の式［１］で表わされるＮ−置換−２、４′−ビピ
   リジル・７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯
   塩類を ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ 得ることを特徴としたＮ−置換−２，４′−ビピリジル
   ・７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン錯塩類の
   製造方法。 式［２］中、ＲはＣ＿１〜Ｃ＿６のアルキル基またはベ
   ンジル基を示し、Ｘはハロゲンを示す。 式［１］中、ＲはＣ＿１〜Ｃ＿６のアルキル基またはベ
   ンジル基を示す。ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７，
   ７，８，８−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応
   ヨる正の数（０．５〜１．５）を意味する。