JPH01273336A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH01273336A JPH01273336A JP10327888A JP10327888A JPH01273336A JP H01273336 A JPH01273336 A JP H01273336A JP 10327888 A JP10327888 A JP 10327888A JP 10327888 A JP10327888 A JP 10327888A JP H01273336 A JPH01273336 A JP H01273336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- external force
- wiring layer
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路に関する。
半導体集積回路の高集積度化に伴い、多層配線構造と配
線の微細化が進められている。また、多量生産とコスト
低減の点から、樹脂封止型が広く採用されている。
線の微細化が進められている。また、多量生産とコスト
低減の点から、樹脂封止型が広く採用されている。
第３図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体集積回路の一例の
平面図及びｃ−ｃ’線断面図である。
平面図及びｃ−ｃ’線断面図である。
素子領域が形成された半導体基板１に絶縁膜２を設け、
コンタクト部を開口し、配線３ａ、３ｂを設けた後、絶
縁膜４で覆う。しかる後、樹脂で封止する。この樹脂封
止において、配線３と樹脂との熱膨張率の相異、樹脂が
固化する時の収縮により配線３に外力Ｐ１．Ｐ２が加わ
る。
コンタクト部を開口し、配線３ａ、３ｂを設けた後、絶
縁膜４で覆う。しかる後、樹脂で封止する。この樹脂封
止において、配線３と樹脂との熱膨張率の相異、樹脂が
固化する時の収縮により配線３に外力Ｐ１．Ｐ２が加わ
る。
半導体集積回路において、一つの配線３ａと他の配線３
ｂとが、大きく離れている場合にはそれ程大きな問題に
ならないが、少ししか離れていない場合には問題を生じ
る。
ｂとが、大きく離れている場合にはそれ程大きな問題に
ならないが、少ししか離れていない場合には問題を生じ
る。
第４図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体集積回路配線にお
ける問題点を説明するための平面図及びＤ−Ｄ’線断面
図である。
ける問題点を説明するための平面図及びＤ−Ｄ’線断面
図である。
熱膨張率の差、または樹脂が固化する時、Ｐ１方向から
外力が加わった場合、配線３ｂは底部が外力方向に対し
て大きいため、大きな抵抗力を示す。ところがＰ２方向
から外力が加わった場合、外力方向に対して配線底部が
小さいため、配線３ｂ下の絶縁膜が平坦であった場合、
たやすく配線３ｂが移動する。一方、配線３ａは絶縁膜
に穴をあけ、下層とコンタクトをとっているため、外力
に対して抵抗力が大きく移動しない。よって第４図（ａ
）に示すように、配線３ａと３ｂとが短絡したり、第４
図（ｂ）のように、配！３ａにより配線３ｂの下層との
コンタクトが押し上げられ配線３ｂと下層とが非接触状
態になり回路動作が不良になってしまうという問題を生
ずる。
外力が加わった場合、配線３ｂは底部が外力方向に対し
て大きいため、大きな抵抗力を示す。ところがＰ２方向
から外力が加わった場合、外力方向に対して配線底部が
小さいため、配線３ｂ下の絶縁膜が平坦であった場合、
たやすく配線３ｂが移動する。一方、配線３ａは絶縁膜
に穴をあけ、下層とコンタクトをとっているため、外力
に対して抵抗力が大きく移動しない。よって第４図（ａ
）に示すように、配線３ａと３ｂとが短絡したり、第４
図（ｂ）のように、配！３ａにより配線３ｂの下層との
コンタクトが押し上げられ配線３ｂと下層とが非接触状
態になり回路動作が不良になってしまうという問題を生
ずる。
本発明の半導体集積回路は、上層の配線が外力に対して
移動することを防ぐ為に、下層の絶縁膜に凹凸をつけた
ものである。
移動することを防ぐ為に、下層の絶縁膜に凹凸をつけた
ものである。
いる。
第１図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
およびＡ−Ａ’線断面図である。
およびＡ−Ａ’線断面図である。
本実施例では、半導体基板１の上に形成した絶縁ＷＡ２
に凹部６を設け、絶縁膜２の表面に凹凸をつけている。
に凹部６を設け、絶縁膜２の表面に凹凸をつけている。
今、Ｐ方向から外力が加わったとする。この場合、配線
３ａは凹部６の形成により外力に対して大きな抵抗力を
持つため、配線の移動に耐える。
３ａは凹部６の形成により外力に対して大きな抵抗力を
持つため、配線の移動に耐える。
従って配線３ａと３ｂとが短絡することはない。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図
及びＢ−Ｂ’線断面図である。
及びＢ−Ｂ’線断面図である。
この第２の実施例は、配線が絶縁膜４を介して二層に設
けられている。配線７ａに沿って絶縁膜４にコンタクタ
用開口部を複数個設けることにより、絶縁膜４に凹凸を
つけた効果をもたせている。
けられている。配線７ａに沿って絶縁膜４にコンタクタ
用開口部を複数個設けることにより、絶縁膜４に凹凸を
つけた効果をもたせている。
今、Ｐ工方向から外力が加わったとする。この場合、上
層配線７ａ、７ｂは各々の下層とのコンタクトがあるな
め、外力に対し、配線の移動に耐える大きな抵抗力をも
つ。
層配線７ａ、７ｂは各々の下層とのコンタクトがあるな
め、外力に対し、配線の移動に耐える大きな抵抗力をも
つ。
以上説明したように、本発明は、絶縁股上に凹凸をつけ
たので、外力に対し上層の配線を固定できる効果がある
。
たので、外力に対し上層の配線を固定できる効果がある
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図及びＢ−Ｂ′線
断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体集積回路
の一例の平面図及びｃ−ｃ’線断面図、第４図（ａ）、
（ｂ）は従来の半導体集積回路の配線における問題点を
説明するための平面図及びＤ−Ｄ’線断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３．３ａ、３ｂ
・・・配線、４・・・絶縁膜、５．５ａ、５ｂ・・・コ
ンタクト部、６・・・凹部、７ａ、７ｂ・・・上層配線
、８・・・絶縁膜、Ｐ、、Ｐ２・・・外力。
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図及びＢ−Ｂ′線
断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体集積回路
の一例の平面図及びｃ−ｃ’線断面図、第４図（ａ）、
（ｂ）は従来の半導体集積回路の配線における問題点を
説明するための平面図及びＤ−Ｄ’線断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３．３ａ、３ｂ
・・・配線、４・・・絶縁膜、５．５ａ、５ｂ・・・コ
ンタクト部、６・・・凹部、７ａ、７ｂ・・・上層配線
、８・・・絶縁膜、Ｐ、、Ｐ２・・・外力。
Claims (1)
- 素子領域が形成されている半導体基板に絶縁層と配線
とが形成されて成る半導体集積回路において、前記配線
の下の絶縁層に凹凸を設けたことを特徴とする半導体集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10327888A JPH01273336A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10327888A JPH01273336A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273336A true JPH01273336A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14349889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10327888A Pending JPH01273336A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273336A (ja) |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10327888A patent/JPH01273336A/ja active Pending
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