JPH01292802A - 高耐食性非晶質磁性膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度磁気記録に適する薄膜ヘッド磁極に用
いる磁性膜に係り、特に高飽和磁束密度。

高耐食性を有する高耐食性非晶質磁性膜に関する。

〔従来の技術〕

磁気記録の高密度化、高性能化の進歩には目覚ましいも
のがある。大型コンピューター用の磁気ディスク装置の
分野に於いては、従来のフェライト型バルクヘッドに比
べてインダクタンスが小さく、高周波透磁率が大きくて
、狭トラツク幅加工の可能な薄膜磁気ヘッドの使用が必
須となっている。

薄膜磁気ヘッドに於いては、記録の高密度化にともなっ
て分解能を向上するために磁極を薄膜化する必要があり
、薄い磁極先端部で磁気飽和が起こり易く、このため高
飽和磁束密度の磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドが必要に
なっている。

また、磁気ディスク装置では、磁気ヘッドと記録媒体と
は、約０．１〜０．２μｍのスペーシングを保ちながら
速度３６００　ｍ／ｓｅｅで相対運動している。そこで
、磁気ヘッドの磁極磁性膜の腐食生成物が媒体上にある
と、磁気ヘッドと記録媒体はクラッシュを起こし、両者
とも損傷してしまう。

したがって、磁気ディスク用の磁性膜は、ＶＴＲ用ヘッ
ドに使用される磁性膜よりも高耐蝕性が必須の条件とな
る。

薄膜磁気ヘッドの磁性膜としては、従来、主にＮｉ−Ｆ
ｅ系合金膜（パーマロイ膜）が用いられてきた。Ｎｉ−
Ｆｅ系合金膜は、耐蝕性に優れているが、飽和磁束密度
は１．ＯＴである。今後の高飽和磁束密度化には、Ｎ　
ｉ　−Ｆ　ｅでは対応しきれなくなってきている。

近年高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として非晶質スパ
ッタ膜が開発されつつある。この中でも特にＺｒ系非晶
質膜はガラス化元素がＢ、Ｓｉ。

Ｐからなる非晶質合金に比較して、耐熱性に優れており
、磁気ヘッド用磁性膜としてすぐれた特性を有している
。このＺｒ系非晶質膜の組成はＭａＴａＺｒの組成式で
表される。ここで、Ｍは磁気モーメントを有するＧｏ、
Ｆｅ、Ｎｉなとの少なくとも一種であり、ＴはＭおよび
Ｚｒ以外の遷移金属である。

このような、ガラス化元素が主にＺｒからなる非晶質合
金については特開昭５５−１３８０４９並びに特開昭５
６−８４４３９等に述べられている。これらのＺｒ系非
晶質合金の中でもＭがＣＯからなるＣ。

−Ｚｒ系非晶質膜は、飽和磁束密度が高く、優れた磁性
材料である。しかし、この非晶質合金の磁歪定数は、２
〜４Ｘ１０−”と大きな値を示すため、添加元素として
、非晶質合金の磁歪定数に負の寄与を与えるＶ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｗなどの元素を用いる事により磁歪定数が
ほぼ０の非晶質合金が得られる。このような非晶質合金
は、第６回日本応用磁気学会学ｆ講演概要集ｐ　、９３
　（１９８２年）に示されているように、磁歪零に於い
て飽和磁束密度１．５Ｔが得られる事から、薄膜磁気ヘ
ッドとして、有望視されている。

〔発明が解決しようとするｉＭ） 上記従来技術は、飽和磁束密度、磁歪定数という観点か
らは優れた薄膜磁気ヘッド用材料であるが、耐蝕性に問
題がある。すなわち、ＣｏｏＣｏ組成０ａｔ％以上では
急激に耐蝕性が劣化する事が明らかになり、飽和磁束密
度が高いＣｏＴａＺｒ系非晶質膜は、磁気ヘッド材料と
して信頼性に欠けるという問題があった０本発明の目的
は、Ｃｏ組成が９０ａｔ％以上で、高飽和磁束密度と高
耐蝕性のＣｏ系非晶質膜を得ることにあり、ひいてはこ
の膜を用いて高性能の磁気ヘッドを得ることにある。

ＣＮＭＩを解決するための手段〕 上記問題を解決するために、発明者らは、Ｇ。

組成が９０ａ　ｔ％以上のＣｏＴａＺｒ系非晶質膜に種
々の元素を添加して磁気特性、耐蝕性を調べた。その結
果、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔの添加元素をｌａｔ％程度以上添
加すれば、ＣｏＴａＺｒ系非晶質膜の磁気特性を劣化さ
せる事無く耐蝕性を向上させる事を見出した。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により詳細に説明する。

第２図に、ＣｏＴａＺｒ系非晶質合金においてＴａとＺ
ｒの比を５：３と一定にしておいてＣｏ組成を変えた時
のＣｏ組成とＣｏＴａＺｒ系非晶質合金の耐蝕性との関
係を示す。耐蝕性は、試料を温度６０℃、湿度８０％の
恒温恒温炉に１５０時間放置し、飽和磁化の変化量で評
価した。すなわち、腐食率を（Ｍｓ（０）−Ｍｓ（１５
０））／Ｍｓ（０）Ｘ１００（％）で定義した。ここで
、Ｍ　ｓ　（ｔ　）は、を時間後の飽和磁化である。Ｃ
ｏ組成が９０ａｔ％までは、ＣｏＴａＺｒ非晶質合金は
腐食していないが、Ｃ。

組成が９０％を越えると、急激に腐食率が増している。

すなわち、　ＣｏＴａＺｒ非晶質合金に於いては、Ｃｏ
組成が９０ａｔ％以下では、磁気ヘッドとして十分な信
頼性を備えているが、Ｃｏ組成が９０ａｔ％以上では、
信頼性に問題がある事がわかる。

第１図には、　ＣｏｅｚＴａｘＺｒｖＭｃ　（Ｘ　＋　
Ｙ　＋　Ｚ　＝　８　。

Ｘ：Ｙ＝５：３）非晶質合金において、添加元素Ｍの添
加量と耐蝕性との関係を示す、なお、Ｍ＝Ｗ、Ｖ、Ｐｄ
、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、である。

試料は高周波２極スパツタ法により形成した。耐蝕性は
、第２図の例と同じように試料を温度６０℃、湿度８０
％の恒温恒温炉に１５０時間放置し、飽和磁化の変化量
で評価した。Ｃｏ組成が９０ａｔ％では、添加元素によ
って耐蝕性の程度が異なる。Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔは、ｌａ
ｔ％添加するだけで、耐蝕性が向上している。ところが
、Ｗ、Ｖ。

Ｐｄ、Ｍｏは数ａｔ％添加すると逆に耐蝕性が悪くなっ
ている。なお、これらの元素を添加しても。

添加していないときと同等の保磁力０．３０ｅを示した
。

ＣｏｅｚＴａｓＺｒｓ非晶質膜の磁歪はほぼ零であるが
第４添加元索としてＡ　ｕ　ｇ　Ａ　ｇ　Ｉ　Ｐ　ｔを
添加した時は磁歪は負の方に変化した。したがって。

ＣｏＴａＺｒＭの磁歪を零にするにはＭ＝Ａｕ、Ａｇ。

ｐｔのときＴａ　：　Ｚｒ＝５　：　３よりもＺｒの割
合を多くする必要があった。第１表には、ＣｏＴａＺｒ
Ｍ非晶質膜の磁歪を零にする組成の代表例を示す。

また、ＴａとＺｒの比を変えても耐蝕性には変化がなか
った。

第　　１　　表 〔発明の効果〕 本発明によれば、Ｃｏ組成が９０ａ　ｔ％でも高耐蝕性
を有し、低保磁力で零磁歪のＣｏＴａＺｒＭ系非晶質膜
が得られるので、飽和磁束の高い磁束を持ちかつ信頼性
の高い磁気ヘッドが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．式（１）でしめされる成分組成よりなる事を特徴と
   する高耐蝕性非晶質磁性膜。 Ｃｏ＿ＡＴａ＿ＢＺｒ＿ＣＭ＿Ｄ…（１） ただし、元素Ｍは Ｍ＝Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ の群より選ばれる１種もしくは２種以上の元素であり、 Ａ≧９０ Ｄ≧１ かつＡ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ：１００ Ｂ／Ｃ＜３／５ なる条件（単位はａｔ％）を満足する。