JPH01313959A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01313959A
JPH01313959A JP14618588A JP14618588A JPH01313959A JP H01313959 A JPH01313959 A JP H01313959A JP 14618588 A JP14618588 A JP 14618588A JP 14618588 A JP14618588 A JP 14618588A JP H01313959 A JPH01313959 A JP H01313959A
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JP
Japan
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contact hole
aluminum
wiring
wiring layer
layer
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Takemi Kimura
木村　岳見
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に各配線層間を接続する
フンタクト部の構造に関する。
〔従来の技術〕
近年多層配線技術を用いて集積度の向上を図った集積回
路デバイスとして例えば第３図に示す様な２層アルミ構
造を有する半導体装置が開発されているが、従来、この
種の半導体装置において第１アルミ電極５と第２アルミ
電極７とのコンタクトはフィールド領域上に形成された
第１アルミ電極５上に開孔されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置は、フンタクトを開孔する層
間絶縁膜４と、第１アルミ５の下地の層間絶縁膜４、フ
ィールド絶縁膜２とが近年多用されているコンタクトの
異方性プラズマエツチングでの選択比を大きくとる事が
出来ないためコンタクトがフォトリソグラフィ工程にて
目ずれを起こしたり、第１アルミ５が細ったりした場合
に第３図に示した様に半導体基板ｌにまで達する穴が開
いてしまい、第２アルミ電極７が半導体基板とショート
してしまいという不良が発生し半導体装置の歩留りが大
幅に下がってしまうという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は多層配線構造を有する半導体装置において第２
層の配線層上にコンタクト孔が開孔される領域の配線層
下にはこの配線層よりも下層でありかつこのコンタクト
孔よりも大きなパターンの配線層を配置したものである
。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
本実施例では第１アルミ配線５上にコンタクト孔を開孔
し第２アルミ７と接続する場合について述べている。こ
こでは第１アルミ配線５上にコンタクト孔が開孔される
領域には、下に多結晶シリコン３による電極が形成され
ている。この様にすれば例えコンタクト孔が目ずれ等に
より下地の第１アルミ電極５をはずしてしまっても下に
位置する多結晶シリコン電極３があるためフンタクトの
エツチングがこの多結晶シリコンのところで止まり下の
半導体基板１と第２アルミ配線７がショートしてしまう
という事はない。ここで下の多結晶シリコン３をフロー
ティングか又は第１，２アルミ配線層と同電位としてお
けば装置が不良となる事はない。
第２図は本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。
ここでは、第１アルミ５上にコンタクトを開孔する領域
の下にはｎ型拡散層８が配置されている。本実施例では
Ｐ型半導体基板１上に形成されたｎ型拡散層領域８を用
いているため第１の実施例で述べた効果のほかに多結晶
シリコン配線層３をこのコンタクト孔の近くでもある程
度自由に使用でき設計がより楽になるという効果もある
。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明は多層配線を有する半導体装置
において配線層上にコンタクトを開孔する場合この領域
に下層の配線層を配置することにより、コンタクトが配
線層をはずして外抜きになった場合でも各層間がショー
トしてしまうという不良を防止でき半導体装置の歩留り
を向上させる事が出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の第２の実施例を示す縦断面図、第３図は従来例の縦断
面図である。 １・・・・・・Ｐ型半導体基板、２・・・・・・フィー
ルド絶縁膜、３・・・・・・多結晶シリコン配線層、４
，６・・・・・・層間絶縁膜、５・・・・・・第１アル
ミ配線層、７・・・・・・第２アルミ配線層、８・・・
・・・ｎ型拡散層。 代理人　弁理士　　内　原　　　音 ｌ　；　　ノ′型車譚イ〉トシ≧（シム反、２；　力−
ルド奈色＃用（ ３；　夕兼吉晶ンゾｊ＞酋己辞ｊ 夕；」イ１アルミ ７；１テ２γルミ ４、ｚ　；屑間絶ｔＬ用（ ８　Ｊ　７２”を成層 Ｍ３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　多層配線構造を有する半導体装置において第２層より
    上層の配線層上にコンタクト孔が開孔される領域の前記
    配線層下には前記配線層より下層の配線層がコンタクト
    孔よりも大なるパターンにて配置されている事を特徴と
    する半導体装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04287347A (ja) * 1990-11-21 1992-10-12 Hyundai Electron Ind Co Ltd 半導体素子の接続装置及び其の製造方法
JP2008235499A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Casio Comput Co Ltd トランジスタパネル及びその製造方法

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