JPH0145186B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145186B2 JPH0145186B2 JP60084715A JP8471585A JPH0145186B2 JP H0145186 B2 JPH0145186 B2 JP H0145186B2 JP 60084715 A JP60084715 A JP 60084715A JP 8471585 A JP8471585 A JP 8471585A JP H0145186 B2 JPH0145186 B2 JP H0145186B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductive
- molded body
- polyolefin
- semiconductive polyolefin
- polyolefin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Processing Of Terminals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景と目的〕
本発明は、半導電性ポリオレフインの架橋成形
法、特に154KV以上のCVケーブル（架橋ポリエ
チレン絶縁ケーブル）のモールド接続部、ポリオ
レフイン絶縁体部品などのポリオレフイン絶縁体
に半導電性ポリオレフイン層を架橋成形する方法
に関するものである。
法、特に154KV以上のCVケーブル（架橋ポリエ
チレン絶縁ケーブル）のモールド接続部、ポリオ
レフイン絶縁体部品などのポリオレフイン絶縁体
に半導電性ポリオレフイン層を架橋成形する方法
に関するものである。
ポリオレフイン絶縁体に半導電層を架橋成形す
るものは多々あり、その際加熱ヒータ例えば電熱
器（通電による抵抗発熱）を用いて半導電層を架
橋温度に保持する場合が多いが、架橋加熱に時間
がかゝり、速熱により半導電性層のみを架橋成形
できる方法が必要とされていた。
るものは多々あり、その際加熱ヒータ例えば電熱
器（通電による抵抗発熱）を用いて半導電層を架
橋温度に保持する場合が多いが、架橋加熱に時間
がかゝり、速熱により半導電性層のみを架橋成形
できる方法が必要とされていた。
そこで、本発明の目的は、前記した従来技術の
欠点を解消し、ポリオレフイン絶縁体に半導電性
ポリオレフイン層を速熱架橋できる成形法を提供
することにある。
欠点を解消し、ポリオレフイン絶縁体に半導電性
ポリオレフイン層を速熱架橋できる成形法を提供
することにある。
すなわち、本発明の要旨は半導電性ポリオレフ
イン層を速熱架橋するのに誘電加熱を用いたこと
にある。
イン層を速熱架橋するのに誘電加熱を用いたこと
にある。
第１図は本発明の一実施例、すなわちポリオレ
フイン絶縁体としてCVケーブルモールド接続部
に適用された実施例を示す。CVケーブル１に半
導電性ポリオレフイン層（第２図参照）を設けた
成形体２を金型３中に配置する。一方、金型３に
は加圧装置４によつて加圧媒体５が封入される。
加圧媒体５は、気体（例えば空気、N2ガス、SF6
ガスなど）または液体（例えばシリコーン油、溶
融ポリエチレンなど）である。金型３には、更
に、移動式加熱電極６が高周波電力発振器例えば
マグネトロン７と直結して成形体２から一定間隔
離れた所に内蔵されている。加熱電極６は、成形
体２の長さ方向または円周方向に移動させられな
がら高周波電力発振器７から高周波電力が加えら
れると半導電性ポリオレフイン層の誘電体に均一
に誘電加熱を加え、もつて半導電性ポリオレフイ
ン層のみを架橋成形することができる。誘電加熱
による発熱量は、Ｐ＝ｋ・E2 ＝５／９・ｆ・ε・tanδ・E2・10-12（Ｗ／cm3） （こゝで、ｋは誘電体の等価導電率であり、ｆは
周波数であり、εは比誘電率であり、tanδは誘電
正接であり、そしてＥは電界強度である。）で表
わされる。従つて、半導電性ポリオレフイン層の
ようにεが大きい（周波数50Hz〜1MHzで102〜
104程度であるが、ポリエチレン絶縁体のεは2.3
である）場合には一定電力印加時ポリオレフイン
絶縁体に比べて発熱量が多く、このため半導電性
ポリオレフイン層のみを短時間に架橋成形温度
（通常、140℃〜200℃）に到達させることができ
る。しかも、半導電性ポリオレフイン層の厚さは
通常0.1mm〜５mm程度であり、このことからも半
導電性ポリオレフイン層の速熱架橋が可能であ
る。なお、CVケーブルと金型３は、金型３の両
端において加圧シール部８でシールされている。
フイン絶縁体としてCVケーブルモールド接続部
に適用された実施例を示す。CVケーブル１に半
導電性ポリオレフイン層（第２図参照）を設けた
成形体２を金型３中に配置する。一方、金型３に
は加圧装置４によつて加圧媒体５が封入される。
加圧媒体５は、気体（例えば空気、N2ガス、SF6
ガスなど）または液体（例えばシリコーン油、溶
融ポリエチレンなど）である。金型３には、更
に、移動式加熱電極６が高周波電力発振器例えば
マグネトロン７と直結して成形体２から一定間隔
離れた所に内蔵されている。加熱電極６は、成形
体２の長さ方向または円周方向に移動させられな
がら高周波電力発振器７から高周波電力が加えら
れると半導電性ポリオレフイン層の誘電体に均一
に誘電加熱を加え、もつて半導電性ポリオレフイ
ン層のみを架橋成形することができる。誘電加熱
による発熱量は、Ｐ＝ｋ・E2 ＝５／９・ｆ・ε・tanδ・E2・10-12（Ｗ／cm3） （こゝで、ｋは誘電体の等価導電率であり、ｆは
周波数であり、εは比誘電率であり、tanδは誘電
正接であり、そしてＥは電界強度である。）で表
わされる。従つて、半導電性ポリオレフイン層の
ようにεが大きい（周波数50Hz〜1MHzで102〜
104程度であるが、ポリエチレン絶縁体のεは2.3
である）場合には一定電力印加時ポリオレフイン
絶縁体に比べて発熱量が多く、このため半導電性
ポリオレフイン層のみを短時間に架橋成形温度
（通常、140℃〜200℃）に到達させることができ
る。しかも、半導電性ポリオレフイン層の厚さは
通常0.1mm〜５mm程度であり、このことからも半
導電性ポリオレフイン層の速熱架橋が可能であ
る。なお、CVケーブルと金型３は、金型３の両
端において加圧シール部８でシールされている。
第２図は本発明の他の実施例、すなわちポリオ
レフイン絶縁体としてのポリオレフイン絶縁体部
品に適用された実施例を示す。この実施例では、
成形体２が、ポリオレフイン絶縁体部品９および
この上に設けられた半導電性ポリオレフイン層１
０から成り、気中に配置され、かつその円周方向
または長さ方向に移動可能である。これ以外は、
全て、第１図の実施例で説明した通りである。
レフイン絶縁体としてのポリオレフイン絶縁体部
品に適用された実施例を示す。この実施例では、
成形体２が、ポリオレフイン絶縁体部品９および
この上に設けられた半導電性ポリオレフイン層１
０から成り、気中に配置され、かつその円周方向
または長さ方向に移動可能である。これ以外は、
全て、第１図の実施例で説明した通りである。
この発明によれば、(1)半導電性ポリオレフイン
層のみを短時間に架橋温度に到達させることがで
き従つて作業時間を短縮でき、(2)通常のポリオレ
フイン絶縁体に用いる半導電層をそのまゝ利用で
き、(3)作業が容易で、しかも信頼性の高い半導電
性ポリオレフイン層を架橋成形でき、そして(4)高
性能のモールド接続部またはポリオレフイン部品
を得ることができるなどの効果がある。
層のみを短時間に架橋温度に到達させることがで
き従つて作業時間を短縮でき、(2)通常のポリオレ
フイン絶縁体に用いる半導電層をそのまゝ利用で
き、(3)作業が容易で、しかも信頼性の高い半導電
性ポリオレフイン層を架橋成形でき、そして(4)高
性能のモールド接続部またはポリオレフイン部品
を得ることができるなどの効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明する概略図、
そして第２図は他の実施例を説明する概略図であ
る。 １：CVケーブル、２：成形体、３：金型、
４：加圧装置、５：加圧媒体、６：移動式加熱電
極、７：高周波電力発振器、８：加圧シール部、
９：ポリオレフイン絶縁体部品、１０：半導電性
ポリオレフイン層。
そして第２図は他の実施例を説明する概略図であ
る。 １：CVケーブル、２：成形体、３：金型、
４：加圧装置、５：加圧媒体、６：移動式加熱電
極、７：高周波電力発振器、８：加圧シール部、
９：ポリオレフイン絶縁体部品、１０：半導電性
ポリオレフイン層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリオレフイン絶縁体に半導電性ポリオレフ
イン層を設けた成形体に、前記半導電性ポリオレ
フイン層のみを架橋成形する方法において、加圧
媒体が封入された金型中または気中に前記成形体
を配置すると共に前記成形体から一定間隔離れた
所に加熱電極を配置し、この加熱電極を前記成形
体の長さ方向または円周方向に移動させながら或
は前記成形体をその長さ方向または円周方向に移
動させながら前記加熱電極に高周波電力を加え、
前記半導電性ポリオレフイン層のみを誘電加熱し
て架橋成形することを特徴とする半導電性ポリオ
レフインの架橋成形法。 ２ 成形体がCVケーブルモールド接続部および
この上に設けた半導電性ポリオレフイン層から成
る特許請求の範囲第１項記載の半導電性ポリオレ
フインの架橋成形法。 ３ 成形体がポリオレフイン絶縁体部品およびこ
の上に設けた半導電性ポリオレフイン層から成る
特許請求の範囲第１項記載の半導電性ポリオレフ
インの架橋成形法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084715A JPS61243676A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導電性ポリオレフインの架橋成形法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084715A JPS61243676A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導電性ポリオレフインの架橋成形法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243676A JPS61243676A (ja) | 1986-10-29 |
| JPH0145186B2 true JPH0145186B2 (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13838366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60084715A Granted JPS61243676A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導電性ポリオレフインの架橋成形法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243676A (ja) |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60084715A patent/JPS61243676A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61243676A (ja) | 1986-10-29 |
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