JPH0188528U - - Google Patents

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JPH0188528U
JPH0188528U JP18465387U JP18465387U JPH0188528U JP H0188528 U JPH0188528 U JP H0188528U JP 18465387 U JP18465387 U JP 18465387U JP 18465387 U JP18465387 U JP 18465387U JP H0188528 U JPH0188528 U JP H0188528U
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JP
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resistor
circuit
discharge
light
driven
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JP18465387U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案にかかる半導体リレーの一実施
例の構成図、第２図は第１図のリレーの動作説明
図、第３図および第４図は本考案にかかる半導体
リレーの他の実施例の構成図、第５図は従来にお
ける半導体リレーの構成例を示した図である。 ＬＤ…発光ダイオード、ＰＤ…フオトダイオー
ド、Ｒ１…放電用抵抗、Ｒ２…抵抗、Ｄ…ダイオ
ード、Ｑ１，Ｑ２…ＭＯＳ ＦＥＴ、Ｑ３…デイ
プレツシヨン型ＭＯＳ ＦＥＴ、ＣＧＳ…寄生キ
ヤパシタ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 セレクト信号で駆動される発光素子に、入射光
    に応じた電圧信号を出力する受光素子を対向配置
    させた電圧出力型光アイソレータと、 前記受光素子に並列に接続された放電用抵抗と
    、 前記受光素子と放電用抵抗の並列回路と直列に
    接続されていて、抵抗と後述する寄生キヤパシタ
    の放電電流の方向を順方向とするダイオードの並
    列回路が等価回路になる放電回路と、 ソースどうしとゲートどうしが接続されていて
    、ドレインが接続端子になつた２個のＭＯＳ Ｆ
    ＥＴであつて、前記発光素子が駆動されていると
    きは、ゲート・ソース間の寄生キヤパシタが前記
    放電回路の抵抗の抵抗値に基づく時定数で充電さ
    れてオンになり、発光素子が駆動されていないと
    きは、ゲート・ソース間の寄生キヤパシタは前記
    放電用抵抗の抵抗値に基づく時定数で放電されて
    オフになるＭＯＳ ＦＥＴ、 を具備した半導体リレー。
JP18465387U 1987-12-03 1987-12-03 Pending JPH0188528U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04227114A (ja) * 1990-10-03 1992-08-17 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 自己バイアス・タイミング回路
JPH05315925A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Matsushita Electric Works Ltd 半導体リレー

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57107633A (en) * 1980-09-12 1982-07-05 Setaajiei Corp Solid state switching device
JPS6126328B2 (ja) * 1983-03-14 1986-06-20 Sooi Kk

Patent Citations (2)

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