JPH02123613A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH02123613A JPH02123613A JP63277807A JP27780788A JPH02123613A JP H02123613 A JPH02123613 A JP H02123613A JP 63277807 A JP63277807 A JP 63277807A JP 27780788 A JP27780788 A JP 27780788A JP H02123613 A JPH02123613 A JP H02123613A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、1000以上の高い誘電率を有する誘電体磁
器組成物に関するものである。
器組成物に関するものである。
従来の技術
従来、この種の高誘電率磁器組成物としては、チタン酸
バリウム(BaTiO3)系の磁器組成物を主成分にし
たものが広く実用化されている。
バリウム(BaTiO3)系の磁器組成物を主成分にし
たものが広く実用化されている。
発明が解決しようとする課題
然し、この誘電体磁器組成物では電圧印加による誘電率
の減少が大きくしかも破壊電圧も8kV/111と低い
。また、そのチタン酸バリウム系の磁器組成物でカラー
テレビやオシロスコープ等の高電圧回路に使用する高圧
コンデンサを製造する場合には、訓電時の電圧印加に伴
う静電容量の低下を考慮して設計しているところからコ
ンデンサ形状が大きくなることを免れ得ない。
の減少が大きくしかも破壊電圧も8kV/111と低い
。また、そのチタン酸バリウム系の磁器組成物でカラー
テレビやオシロスコープ等の高電圧回路に使用する高圧
コンデンサを製造する場合には、訓電時の電圧印加に伴
う静電容量の低下を考慮して設計しているところからコ
ンデンサ形状が大きくなることを免れ得ない。
韮において、本発明は誘電率が1000以上と高くても
電圧印加に伴ってお電率が殆ど減少せず、むしろ増加す
る傾向を呈ししかも破壊電圧の高い誘電体磁器組成物を
提供することを目的とする。
電圧印加に伴ってお電率が殆ど減少せず、むしろ増加す
る傾向を呈ししかも破壊電圧の高い誘電体磁器組成物を
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明に係る誘電体磁器組成物においては、チタン酸ス
トロンチウム(SrTiO3):25〜45重量% チタン酸カルシウム(CaTiOs ):11〜24重
量% チタン酸鉛(PbTiOs ): 20〜43重量% チタン酸ビスマス(Bia Os −nTio2);9
〜24重量% 但し、n:1〜5 の範囲からなる主組成物100重量%に対し、酸化クロ
ム(Cr* Os ): 0.05〜1重量% 酸化アルミニウム(Aj2z Os ) ’0〜1重量
% 酸化ケイ素(Si02):0〜1重量%の範囲からなる
添加物を含有させるようにされている。
トロンチウム(SrTiO3):25〜45重量% チタン酸カルシウム(CaTiOs ):11〜24重
量% チタン酸鉛(PbTiOs ): 20〜43重量% チタン酸ビスマス(Bia Os −nTio2);9
〜24重量% 但し、n:1〜5 の範囲からなる主組成物100重量%に対し、酸化クロ
ム(Cr* Os ): 0.05〜1重量% 酸化アルミニウム(Aj2z Os ) ’0〜1重量
% 酸化ケイ素(Si02):0〜1重量%の範囲からなる
添加物を含有させるようにされている。
作用
この誘電体磁器組成物では、
5rTiOs :25〜45重量%
CaTiO3: 11〜24重量%
PbTiOs :20〜43重量%
Bi、os 4 nTiO2:9〜24重量%但し、n
:1〜5 で主成分を配合することにより誘電率1000以上でt
anδ、バイアス特性、温度特性を所定値以下にでき、
また、その主成分100重量%に対してCr2O,を0
.05〜1!量%添加することにより内外絶縁抵抗(I
R)の差を小さくできると共に高温負荷寿命を良好に
でき更に、AIL20、と5i02を夫々0〜1重量%
添加することにより焼結性を良好にできて誘電率が10
00以上でも電圧印加に伴って誘電率が減少したとして
も小さく抑え得て、むしろ増加する傾向を呈すると共に
破壊電圧が高い誘電体磁器組成物が得られる。
:1〜5 で主成分を配合することにより誘電率1000以上でt
anδ、バイアス特性、温度特性を所定値以下にでき、
また、その主成分100重量%に対してCr2O,を0
.05〜1!量%添加することにより内外絶縁抵抗(I
R)の差を小さくできると共に高温負荷寿命を良好に
でき更に、AIL20、と5i02を夫々0〜1重量%
添加することにより焼結性を良好にできて誘電率が10
00以上でも電圧印加に伴って誘電率が減少したとして
も小さく抑え得て、むしろ増加する傾向を呈すると共に
破壊電圧が高い誘電体磁器組成物が得られる。
実施例
以下、本発明に係る誘電体磁器組成物と共に詳細に説明
すれば、次の通りである。
すれば、次の通りである。
この誘電体磁器組成物は、チタン酸ストロンチウム(S
rTiO3)、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、
チタン酸鉛(PbTiO3)、チタン酸ビスマス(BA
* Os ’ nTio’ )を主成分として組成され
ている。その各成分はS rT i o、を25〜45
重量%、CaTiOsを11〜24皿量%、PbTi0
aを20〜43重量%、Bi、o、−nTio、を9〜
24重量%で範囲からなるものであり、B12on・n
TiO2のnは1〜5に設定するとよい、この主成分で
は誘電率が1000以上となり、tanδが2%未満で
バイアス特性も一10%より良くすることができ、また
、温度特性を一30%より良くすることができるように
なる。それに対し、5rT103が25重量%よりも少
ないとtanδが2%以上となり、45重量%を超える
とバイアス特性が一10%より悪くなる。また、CaT
i0゜が11重量%より少ないと上述したと同様にta
nδが2%以上になり、24重量%を超えると誘電率が
1000以下になってしまう。それと同様にP b T
i Osが20重量%よりも少ないと誘電率が100
0以下となり、43重量%を超えるとtanδが2%以
上になる。また、Bi2O,・nTiO2が9重量%よ
り少ないと温度特性が一30%より悪くなり、24重量
%を超えるとバイアス特性が一10%より悪くなってし
まう。このBiz Os ・nTio2でnの値が1よ
り小さいと焼結性が悪くなり、5を超えると焼成時素地
が付着し易くなって好ましくない。
rTiO3)、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、
チタン酸鉛(PbTiO3)、チタン酸ビスマス(BA
* Os ’ nTio’ )を主成分として組成され
ている。その各成分はS rT i o、を25〜45
重量%、CaTiOsを11〜24皿量%、PbTi0
aを20〜43重量%、Bi、o、−nTio、を9〜
24重量%で範囲からなるものであり、B12on・n
TiO2のnは1〜5に設定するとよい、この主成分で
は誘電率が1000以上となり、tanδが2%未満で
バイアス特性も一10%より良くすることができ、また
、温度特性を一30%より良くすることができるように
なる。それに対し、5rT103が25重量%よりも少
ないとtanδが2%以上となり、45重量%を超える
とバイアス特性が一10%より悪くなる。また、CaT
i0゜が11重量%より少ないと上述したと同様にta
nδが2%以上になり、24重量%を超えると誘電率が
1000以下になってしまう。それと同様にP b T
i Osが20重量%よりも少ないと誘電率が100
0以下となり、43重量%を超えるとtanδが2%以
上になる。また、Bi2O,・nTiO2が9重量%よ
り少ないと温度特性が一30%より悪くなり、24重量
%を超えるとバイアス特性が一10%より悪くなってし
まう。このBiz Os ・nTio2でnの値が1よ
り小さいと焼結性が悪くなり、5を超えると焼成時素地
が付着し易くなって好ましくない。
また、その主成分に対しては添加物として酸化クロム(
Crab3)、酸化アルミニウム(Aj!*O3)、酸
化ケイ素(SiO2)が含有される。この割合は主成分
100重量%に対し、Cr、03を0.05〜1重量%
添加すると、第1図で示すように磁器の表面層1゜2と
内部層3の85’における絶縁抵抗(!R)の差[IR
不均−性・log(RI/ R* ) ]を小さくでき
て高温負荷寿命も良好にでき、それに加えて/12 o
sを0〜1重量%、5illを0〜1重量%添加すると
焼結性が良好なものになる。韮で、Cr。
Crab3)、酸化アルミニウム(Aj!*O3)、酸
化ケイ素(SiO2)が含有される。この割合は主成分
100重量%に対し、Cr、03を0.05〜1重量%
添加すると、第1図で示すように磁器の表面層1゜2と
内部層3の85’における絶縁抵抗(!R)の差[IR
不均−性・log(RI/ R* ) ]を小さくでき
て高温負荷寿命も良好にでき、それに加えて/12 o
sを0〜1重量%、5illを0〜1重量%添加すると
焼結性が良好なものになる。韮で、Cr。
03が0.05重量%よりも少ないと絶縁抵抗(IR)
不均一性が大きくなって高温負荷寿命が損なわれ、1重
量%を超えると素地が付着し易くなる。また、Al12
osが1重量%を超えると焼成温度が高くなり、5i
Oaが1重量%を超えると素地が付着し易くなる不具合
を招く。
不均一性が大きくなって高温負荷寿命が損なわれ、1重
量%を超えると素地が付着し易くなる。また、Al12
osが1重量%を超えると焼成温度が高くなり、5i
Oaが1重量%を超えると素地が付着し易くなる不具合
を招く。
以下余白
これは第1表で示すような成分割合で適宜配合し、その
組成物で誘電体磁器を製造することにより電気的特性を
調べた結果で実証されている。
組成物で誘電体磁器を製造することにより電気的特性を
調べた結果で実証されている。
まず、出発原料として5rTiO,、CaTiO3,P
bTiOs 、Biz Os ’ nTiotを用意
し、それニCr203 、 AIL20S 、 S 1
02のうちで適宜選択したものを添加し或いは添加せず
に試料1〜28として配合した。
bTiOs 、Biz Os ’ nTiotを用意
し、それニCr203 、 AIL20S 、 S 1
02のうちで適宜選択したものを添加し或いは添加せず
に試料1〜28として配合した。
次に、各試料を湿式混合で攪拌し、脱水乾燥後1000
〜1100℃で2時間仮焼成した後に粗粉砕した。再び
ボールミルで湿式混合させて粉砕を行い、脱水乾燥後に
ポリビニルアルコール(PVA)をバインダとして加え
て造粒した。これを16.5miφx4.7mmtの円
板状に3 ton/am”の圧力で成形した後、116
0〜1240tの温度で焼成して誘電体磁器を得た。そ
の各誘電体磁器の両面に銀電極を800℃で焼付け、リ
ード線を取付けて粉体塗装した。これを測定用試料とし
、その電気的諸特性を測定した。この特性の測定にあた
っては、誘電率(εS)及び誘電損失(tanδ)は周
波数1 kHzで測定した。温度特性は一25℃におけ
る誘電率と+85℃における誘電率を測定し、20℃の
誘電率に対する変化率として示した。バイアス特性は、
試料に4 kV/amの直流電圧を印加したときの誘電
率の変化率を測定した。破壊電圧は、試料の直流破壊電
圧を測定し、それを試料厚みで割り単位厚み当たりの破
壊電圧(Eb)とした。!R不不一−性、試料磁器の表
面層及び内部層を切出し、85℃で夫々の!R値(絶縁
抵抗値)を測定し、この内外の絶縁抵抗差を示した。高
温負荷寿命は、85℃の温度下で直流20kVの電圧を
印加することにより調べた。
〜1100℃で2時間仮焼成した後に粗粉砕した。再び
ボールミルで湿式混合させて粉砕を行い、脱水乾燥後に
ポリビニルアルコール(PVA)をバインダとして加え
て造粒した。これを16.5miφx4.7mmtの円
板状に3 ton/am”の圧力で成形した後、116
0〜1240tの温度で焼成して誘電体磁器を得た。そ
の各誘電体磁器の両面に銀電極を800℃で焼付け、リ
ード線を取付けて粉体塗装した。これを測定用試料とし
、その電気的諸特性を測定した。この特性の測定にあた
っては、誘電率(εS)及び誘電損失(tanδ)は周
波数1 kHzで測定した。温度特性は一25℃におけ
る誘電率と+85℃における誘電率を測定し、20℃の
誘電率に対する変化率として示した。バイアス特性は、
試料に4 kV/amの直流電圧を印加したときの誘電
率の変化率を測定した。破壊電圧は、試料の直流破壊電
圧を測定し、それを試料厚みで割り単位厚み当たりの破
壊電圧(Eb)とした。!R不不一−性、試料磁器の表
面層及び内部層を切出し、85℃で夫々の!R値(絶縁
抵抗値)を測定し、この内外の絶縁抵抗差を示した。高
温負荷寿命は、85℃の温度下で直流20kVの電圧を
印加することにより調べた。
この表から明らかなように、本発明に係る誘電体磁器組
成物の配合範囲にある試料1〜4,7゜10.14〜1
フ、20.23〜25では、誘電率がi ooo以上で
しかも電圧印加によって誘電率が増加し若しくは減少が
殆どなく、更に破壊電圧の高い誘電体磁器として得られ
た。
成物の配合範囲にある試料1〜4,7゜10.14〜1
フ、20.23〜25では、誘電率がi ooo以上で
しかも電圧印加によって誘電率が増加し若しくは減少が
殆どなく、更に破壊電圧の高い誘電体磁器として得られ
た。
これに対し、試料5.6.11のように5vTie、が
25重量%より少ないとtanδが2%以上となり、4
5!i量%を超えるとバイアス特性が一10%以上とな
っている。また、試料8.12の如<CaTi0.が1
1重量%より少ないとtanδが2%以上となり、24
1量%を超えると誘電率が1000以下となってしまう
。これと同様に、試料5.9のようにP b T i
O3が20重量%より少ないと誘電率が1000以下と
なり、431量%を超えるとtanδが2%以上となる
。
25重量%より少ないとtanδが2%以上となり、4
5!i量%を超えるとバイアス特性が一10%以上とな
っている。また、試料8.12の如<CaTi0.が1
1重量%より少ないとtanδが2%以上となり、24
1量%を超えると誘電率が1000以下となってしまう
。これと同様に、試料5.9のようにP b T i
O3が20重量%より少ないと誘電率が1000以下と
なり、431量%を超えるとtanδが2%以上となる
。
また、試料13.18の如<Bi2O5・nTiO2が
9重量%より少ないと温度特性が一30%以上となって
24重量%を超えるとバイアス特性が一10%以上とな
り、nの値が1より小さいと焼結性が悪くて5を超える
と素地が付着し易くなってしまう、添加物としては試料
19,21゜22のようにCr2O3が0.05重量%
より少ないとIR不不一−性大きくて高温負荷寿命が悪
く、1!量%を超えると素地が付着し易くなる。
9重量%より少ないと温度特性が一30%以上となって
24重量%を超えるとバイアス特性が一10%以上とな
り、nの値が1より小さいと焼結性が悪くて5を超える
と素地が付着し易くなってしまう、添加物としては試料
19,21゜22のようにCr2O3が0.05重量%
より少ないとIR不不一−性大きくて高温負荷寿命が悪
く、1!量%を超えると素地が付着し易くなる。
また、Aj2.O,が1!i量%を超えると焼成温度が
高くなり、Sin、が1!!量%を超えると焼成時素地
が付着し易くなってしまう。
高くなり、Sin、が1!!量%を超えると焼成時素地
が付着し易くなってしまう。
nで、上述した如き諸欠点を有する試料を表中で*印で
示し、これを本発明に係る誘電体磁器組成物の請求範囲
から除外した。
示し、これを本発明に係る誘電体磁器組成物の請求範囲
から除外した。
なお、本発明に係る組成物の範囲内にある試料3と従来
例に係る組成物から得た誘電体磁器の直流バイアス特性
を調べたところ、第2図で示す通りであった。
例に係る組成物から得た誘電体磁器の直流バイアス特性
を調べたところ、第2図で示す通りであった。
発明の効果
以上の如く、本発明に係る誘電体磁器組成物によれば誘
電率1000以上を有し、しかも電圧印加時に誘電率が
増加するか減少しても減少量が小さく、更には破壊電圧
が高い誘電体磁器組成物としてカラーテレビやオシロス
コープ等の高電圧回路に使用するのに好適な小型の高圧
コンデンサを可能にするものである。
電率1000以上を有し、しかも電圧印加時に誘電率が
増加するか減少しても減少量が小さく、更には破壊電圧
が高い誘電体磁器組成物としてカラーテレビやオシロス
コープ等の高電圧回路に使用するのに好適な小型の高圧
コンデンサを可能にするものである。
第1図は本発明に係る誘電体磁器組成物で形成した磁器
の表面層と内部層を示す断面図、第2図は本発明に係る
誘電体磁器組成物の試料3と従来例に係るB a T
i Os系磁器組成物から得た誘電体磁器の直流バイア
ス特性を比較して示すグラフである。 特 許 出 願 人 ティーデイ−ケイ株式会社 第 図 第 図 Jla−ノシ7ス電尺(KV/mm)
の表面層と内部層を示す断面図、第2図は本発明に係る
誘電体磁器組成物の試料3と従来例に係るB a T
i Os系磁器組成物から得た誘電体磁器の直流バイア
ス特性を比較して示すグラフである。 特 許 出 願 人 ティーデイ−ケイ株式会社 第 図 第 図 Jla−ノシ7ス電尺(KV/mm)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタン酸ストロンチウム(SrTiO_3):25〜4
5重量% チタン酸カルシウム(CaTiO_3): 11〜24重量% チタン酸鉛(PbTiO_3): 20〜43重量% チタン酸ビスマス(Bi_2O_3・nTiO_2):
9〜24重量% 但し、n:1〜5 の範囲からなる主組成物100重量%に対し、酸化クロ
ム(Cr_2O_3): 0.05〜1重量% 酸化アルミニウム(Al_2O_3): 0〜1重量% 酸化ケイ素(SiO_2):0〜1重量% の範囲からなる添加物を含有させてなることを特徴とす
る誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277807A JPH02123613A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277807A JPH02123613A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123613A true JPH02123613A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17588539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63277807A Pending JPH02123613A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02123613A (ja) |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP63277807A patent/JPH02123613A/ja active Pending
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