JPH0216245Y2 - - Google Patents

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JPH0216245Y2
JPH0216245Y2 JP12977983U JP12977983U JPH0216245Y2 JP H0216245 Y2 JPH0216245 Y2 JP H0216245Y2 JP 12977983 U JP12977983 U JP 12977983U JP 12977983 U JP12977983 U JP 12977983U JP H0216245 Y2 JPH0216245 Y2 JP H0216245Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、特に、光学式デイスクの信号溝で
ある信号ピツト(以下、単にピツトという。)の
深さの測定に最適な測定器に関するものである。
〔従来の技術〕
ビデイオ・デイスク、D.A.D(デイジタル・オ
ーデイオ・デイスク)などの光学式デイスクは、
ガラス板の表面にフオト・レジスト液を塗布した
フオト・レジスト原盤にレーザ光を照射して渦巻
状の凹部からなるピツトを形成してマスタ原盤を
形成し、次いで、このマスタ原盤にニツケル電鋳
を行なつてニツケル・スタンパを形成する。
そして、このニツケル・スタンパに樹脂モール
ドすることによつてプラスチツク・モールド盤を
形成し、さらに、このプラスチツク・モールド盤
の表面にアルミニウムを蒸着して反射膜を形成す
るとともに、この反射膜の上面にアクリル樹脂な
どの透明度の高いプラスチツクを接着することに
より、市販されている光学式デイスクを形成す
る。
上述のような工程を経て光学式デイスクは製造
されるが、マスタ原盤からのニツケル・スタンパ
の転写、また、ニツケル・スタンパからプラスチ
ツク・モールド盤への転写がそれぞれ精密に行な
われないと、再生時における忠実度が劣化するこ
とになる。
そこで、従来、これらデイスクの半製品毎の転
写における忠実度を測定する方法として、ピツト
の深さを測定することで忠実度を測定できること
が知られている。
すなわち、この方法は、第1図に示すように、
ニツケル・スタンパ、プラスチツク・モールド盤
などの半製品としてのデイスク1のピツト1a面
に、例えばレーザ光を照射して生ずる回折現象に
より、レーザ光の強さを測定してピツト1aの深
さを間接的に知る方法である。
なお、ξはピツト1aの短辺の中点を通つてピ
ツト列に沿つて伸びるトラツク(タンジエンシヤ
ル)方向の座標軸を、ηは座標軸ξと直交してピ
ツト1aの長辺の中点を通つて伸びるラジアル
(トラツキング)方向の座標軸を、Zは2つの座
標軸ξ,ηが形成する面に対して直交方向に伸び
る座標軸を、pはピツト1aの波長を、βはピツ
ト1aの長さを、rはピツト1aの幅を、qはピ
ツト1aのトラツク・ピツチをそれぞれ表わす。
そして、光線の強さを測定してピツト1aの深
さを間接的に知る方法としては、第2図に示すよ
うに、デイスク1に照射した透過光のうち、屈曲
度の異なる0次光2a、1次光2b、2次光2c
…の強度をそれぞれ測定することによつてピツト
1aの深さを間接的に知る透過式測定法と、第3
図に示すように、デイスク1に照射した反射光の
うち、反射率の異なる0次光2a、1次光2b、
2次光2cの強度をそれぞれ測定することによつ
てピツト1aの深さを間接的に知る反射式測定法
がある。
このうち、第4図に基づいて透過式測定法にお
ける装置の詳細を説明すると、発光器3から、
1mW、λ=6328Åのレーザ光(He−Neレーザ
光)4をチヨツパ5を介して変調することによ
り、外来光の影響を受けないようにしてデイスク
1に照射し、ピツト1aの有無によつて生ずる回
折現象で透過度が異なる±1次光2b,2′bの
強度を受光素子などの受光器6で光−電気変換し
た後、アンプ7で増幅し、これをシンクロ・スコ
ープ8に表われる波形によつてレベル表示させ、
その波高からピツト1aの深さを測定する。
これを式で示すと、 1次回折効率=1次回折光強度/0次光強度 =1次光光電流/0次光光電流 =f(d,a,h) となる。
ここで、fは関数、dはデユーテイ、aはピツ
ト1aの幅、hはピツト1aの深さを示し、デユ
ーテイd、幅aが分かれば、ピツト1aの深さh
を知ることができる。
ところで、デユーテイd、幅aはマスタリング
などの条件でほぼ一定しているので、1次回折効
率を被測定物としての各々のデイスク1について
比較することにより、インジエクシヨン法によつ
て成型されるピツト1aの深さhの相対比較が可
能となる。
〔考案が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記のような従来の装置ではデ
イスク1の測定場所が一定しないため、再現性に
乏ぼしく、しかも測定を行なうには、例えば0次
光2aと1次光2bの2種類のレーザ光を測定す
る必要があるが、受光器6は1つしか装備されて
いない。
従つて、測定の都度、受光器6を移動させて個
別に測定を繰り返さなければならないので、安定
した測定値を得ることができずに測定精度が低下
する。
これは、測定距離が一定しないと、光レベルは
距離の2乗で変わつて精度が低下すること、測定
者間による測定値の読取り誤差が大きいことに起
因する。
そして、受光器6を移動させて個別に測定を繰
り返すため、測定時間が長くなり、また、繰り返
し測定中に光源光量レベルが変化すれば、前記1
次回折効率の値はその精度が低下する。
さらに、上述した欠点を解消するために、複数
の受光器を透過式測定法、反射式測定法、および
複数種デイスク(被測定物)、回折光に対応させ
て設けると、装置が大型化する欠点がある。
この考案は、上述の如き欠点に鑑みてなされた
ものであり、短時間で安定して光線の強さが測定
でき、被測定物の被測定場所を一定した再現性で
測定読取誤差を少なくして測定でき、透過式測定
法、反射式測定法にも使用でき、複数種の被測定
物を測定するものに対応させても小型化が容易な
光学式デイスクのピツト測定器を提供するもので
ある。
〔課題を解決するための手段〕
この考案にかかる光学式デイスクのピツト測定
器は、測定台の中心軸を中心とした円上を回動す
るとともに、円上の任意な位置に固定可能な2つ
の支持体と、この2つの支持体にそれぞれ取り付
けられ、被測定物を透過した、または被測定物で
反射された光を受光するための2つの受光器を備
えたものである。
〔作用〕
この考案における光学式デイスクのピツト測定
器は、2つの支持体を回動させて所定の位置に固
定させることにより、被測定物から光を2つの受
光器で受光することができる。
従つて、測定距離を一定とした測定ができ、2
つの支持体を回動させて固定することにより、透
過式測定法、反射式測定法にも対応させることが
できる。
〔実施例〕
以下、この考案の一実施例を第5図および第6
図に基づいて説明する。
なお、第5図、第6図において、第1図〜第4
図と同一部分には同一符号が付してある。
この実施例では基本的に、ビデイオ・デイス
ク、D.A.Dなどの光デイスクの半製品としてのニ
ツケル・スタンパ、またはプラスチツク・モール
ド盤などの被測定物10と、この被測定物10を
測定に供するためにセツトする測定台11と、被
測定物10を一定速度で回転させるためのモータ
12と、被測定物10を、測定台11上を往復移
動させるための送り機構13と、被測定物10に
レーザ光4を照射させるための発光器3と、被測
定物10の中心を中心とした円上を移動自在で、
被測定物10に照射されたレーザ光4を検知する
ために受光素子で形成された受光器14,15
と、この受光器14,15を測定台11の周囲の
任意な位置に固定するための位置決め手段16か
ら形成される。
測定台11は基本ベース17に嵌入固定された
固定ボス18を介して基本ベース17上に間隙1
9を存して固定される。
20は固定ボス18にボルト21により固定さ
れた取付枠である。
また、送り機構13は取付枠20の側面に設け
たモータ22のモータ・シヤフト22aにジヨイ
ント22bを介して同軸に取り付けられたスクリ
ユ・シヤフト23と、このスクリユ・シヤフト2
3に螺合されてモータ12が固定されたスクリユ
筒24と、スクリユ・シヤフト23を回転自在に
支持するために取付基板25上に立設された支柱
26,27から形成される。
28はスクリユ筒24を一定距離移動させるた
めのストツパ機構であり、このストツパ機構28
はスクリユ筒24の下端に突設された突片24a
と、この突片24aから間隔をあけるように取付
基板25上に対設された位置規制スイツチ29,
30から形成される。
32は発光器3を被うシールド函である。
また、受光器14,15は測定台11の外周に
回動自在に立設された支柱33,34に取り付け
られ、支柱33,34を測定台11に回転自在に
取り付ける手段としては、測定台11と基本ベー
ス17の間隙19内に支柱33,34の下端に直
角に固着した取付片33a,34aを移動自在に
差し込むとともに、取付片33a,34aにコイ
ルばね35を介して装設した突起36を測定台1
1の下面外周に設けた環状溝37内に挿入してい
る。
さらに、受光器14,15を測定台11の周囲
の任意な位置に固定するための位置決め手段16
としては、環状溝37に、コイルばね35によつ
てばね附勢された突起36が落ち込む凹陥部37
aを設ける。
受光器14,15は支柱33,34に対する取
付高さを調整するために、支柱33,34に設け
たスリツト38内に移動自在にしたビス39によ
つて固定されている。
40は発光器3から照射されるレーザ光4の光
路を変更するためのミラー、5はミラー40と被
測定物10の間に配置されたチヨツパであり、こ
のチヨツパ5は多数設けたスリツト内にレーザ光
4が投射されると、レーザ光4を変調光として被
測定物10に供給し、周囲からの外来光の影響を
受けないようにして測定を精密にするためのもの
である。
41は電源およびコンピユータなどが内蔵され
ている操作部である。
この考案の一実施例は上述のように構成され、
測定を行なうにはビデイオ・デイスク、D.A.Dな
どの光デイスクの半製品としてのニツケル・スタ
ンパ、またはプラスチツク・モールド盤などから
なる被測定物10をクランパによつてモータ12
のモータ・シヤフト12aにクランプする。
そして、発光器3からレーザ光4を放出してミ
ラー40によつて光路を変えた後、チヨツパ5の
スリツト内に投射して変調光とし、外来光の影響
を受けないようにしてから被測定物10に照射
し、測定を行なうが、以下に測定方法を詳述す
る。
まず、被測定物10はモータ12によつて定速
回転され、送り機構13のスクリユ・シヤフト2
3がモータ22によつて回転され、スクリユ・シ
ヤフト23に螺合しているスクリユ筒24が移動
することにより、レーザ光4は被測定物10の半
径方向に照射される。
そして、送り機構13は被測定物10の半径方
向に往復移動可能であるが、スクリユ筒24の下
端に突設された突片24aが位置規制スイツチ2
9,30をオンさせる距離だけ移動自在である。
さらに、円形状の測定台11の外周には支柱3
3,34に取り付けられた受光器14,15が移
動自在に取り付けられているので、受光器14,
15を、被測定物10を境に発光器3と反対側に
移動させた場合には透過式測定器として使用で
き、被測定物10を境として発光器3と同じ側に
受光器14,15を移動させた場合には反射式測
定器として使用できる。
また、測定にあたつて発光器3から放出され、
ミラー40によつて光路を変えられたレーザ光4
の光軸は、常に、測定台11の中心を通るように
してその延長線上に1つの受光器14を移動、セ
ツトさせて透過式測定器として使用した場合、受
光器14によつて検知される光が0次光となり、
受光器14から任意の角度でセツトされた受光器
15によつて検知される光が1次光となる。
この場合、2つの受光器14,15のセツト位
置は、コイルばね35によつて附勢された突起3
6が環状溝37内の所定位置、例えば光軸の延長
線上と任意の角度に設けられた凹陥部37a,3
7aに落ち込むので、受光器14,15を取り付
けた支柱33,34を所定の位置に位置決めさせ
てセツトできる。
また、反射式測定器の場合にも同様に所定位置
に設けた突起36が凹陥部37a,37aに落ち
込むことにより、支柱33,34の位置が簡単に
位置決めできる。
そして、受光器14,15の取付高さはビス3
9を緩めてスリツト38内で移動させた後、ビス
39を締め付けることにより、簡単に調整でき
る。
なお、受光器14,15で検知される被測定物
10に対する透過光、または被測定物10からの
反射光の処理は公知のものと同様に行なう。
〔考案の効果〕
以上のように、この考案によれば、測定台の中
心軸を中心とした円上を回動するととももに、円
上の任意な位置に固定可能な2つの支持体に被測
定物を透過した、または被測定物で反射された光
を受光するための受光器をそれぞれ取り付けたの
で、同一条件の下で、短時間で安定して光線の強
さが測定できるとともに、被測定物の被測定場所
を一定した再現性で測定読取誤差を少なくして測
定できる。
また、透過式測定法、反射式測定法にも使用で
き、複数種の被測定物を測定するものに対応させ
ても小型化が容易になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はデイスク表面を拡大した状態の説明
図、第2図は従来の透過式測定法を示す説明図、
第3図は同じく反射式測定法を示す説明図、第4
図は透過式測定法を採用した従来装置の概略図、
第5図はこの考案の光学式デイスクのピツト測定
器の一実施例を示す平面図、第6図は同じく側面
図である。 3…発光器、4…レーザ光、10…被測定物、
11…測定台、14,15…受光器、16…位置
決め手段、33,34…支柱。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 光デイスクなどの被測定物をセツトするための
    測定台と、 この測定台の中心軸上に載置された前記被測定
    物に光を照射するための光源と、 前記測定台の中心軸を中心とした円上を回動す
    るとともに、前記円上の任意な位置に固定可能な
    2つの支持体と、 この2つの支持体にそれぞれ取り付けられ、前
    記被測定物を透過した、または前記被測定物で反
    射された光を受光するための2つの受光器と、 を備えた光学式デイスクのピツト測定器。
JP12977983U 1983-08-24 1983-08-24 光学式デイスクのピツト測定器 Granted JPS6037807U (ja)

Priority Applications (1)

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JP12977983U JPS6037807U (ja) 1983-08-24 1983-08-24 光学式デイスクのピツト測定器

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JP12977983U JPS6037807U (ja) 1983-08-24 1983-08-24 光学式デイスクのピツト測定器

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Publication Number Publication Date
JPS6037807U JPS6037807U (ja) 1985-03-15
JPH0216245Y2 true JPH0216245Y2 (ja) 1990-05-02

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JP12977983U Granted JPS6037807U (ja) 1983-08-24 1983-08-24 光学式デイスクのピツト測定器

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