JPH02162810A

JPH02162810A - バイアス回路

Info

Publication number: JPH02162810A
Application number: JP63316987A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Kanba; 神庭　利彰
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1988-12-15
Filing date: 1988-12-15
Publication date: 1990-06-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は温度補償回路を備えたバイアス回路に関する
ものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来のバイアス回路を示す接続図である。図に
おいて、（旧）はゼナーダイオード、　（Ｅｌ）と（Ｒ
３）はゲートバイアス用端子、　（Ｒ２）と（Ｒ４）は
ドレインバイアス用端子、　（Ｒ５）と（Ｒ６）は電源
用端子。

（Ｒ７）はグランド用端子、（旧）から（Ｒ７）は抵抗
。

（ＲＴＩ）はポジスタ、　（ＴＲＩ）及び（ＴＲ２）は
電界効果トランジスタである。

従来のバイアス回路は次のように説明される。

第１の電界効果トランジスタ（ＴＲＩ）には、ゲートバ
イアス用端子（Ｅｌ）から負の電圧が供給される。

ゲートバイアス用端子（Ｅｌ）には第２図で示す点Ｐ′
における電圧をＶｐ’とすると、第１の抵抗（Ｒ１）と
第２の抵抗（Ｒ２）の合成抵抗値に対する第１の抵抗（
Ｒ１）の抵抗値の比に、電圧Ｖｐ′を掛けた値が加わる
。

同様に、第２の電界効果トランジスタ（ＴＲ２）のゲー
トバイアス用端子（Ｒ３）には第４の抵抗（Ｒ４）と第
５の抵抗（Ｒ５）の合成抵抗値に対する第４の抵抗（Ｒ
４）の抵抗値の比に、電圧Ｖｐ’を掛けた値が加わる。

この電圧ｖｐ′は第２図に示すゼナーダイオード（旧）
の特性であるゼナー電圧により決まる。

一方、第１の電界効果トランジスタ（ＴＲＩ）のドレイ
ンバイアス用端子（Ｒ２）には、プラス電源用端子（Ｒ
６）の電圧から第３の抵抗（Ｒ３）の電圧降下分を引い
た電圧が加わる。同様に、第２の電界効果トランジスタ
（ＴＲ２）には、プラス電源用端子（Ｒ６）からの正の
電圧が第６の抵抗（Ｒ６）とドレイン端子（Ｒ４）を通
じて供給される。なお、端子（Ｅｌ）はグランド端子で
ある。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記のような従来のバイアス回路では、温度補償をする
ポジスタの定数変更や電界効果トランジスタの段数変更
が生ずると、第１の電界効果トランジスタ（ＴＲＩＩ及
び第２の電界効果トランジスタ（ＴＲ２）のバイアス回
路の両方に影響が生じ、バイアス回路の調整を最初から
やりなおす課題があっに０この発明は係る課題を解消す
るためになされｔこもので、ポジスタの定数の変更や電
界効果トランジスタの段数変更によるバイアス回路の調
整を。

最小限に押える事を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るバイアス回路は、電界効果トランジスタ
のゲートバイアス回路に対して、抵抗が電気的に並行に
入るように挿入したものである。

〔作　用〕

この発明におけるバイアス回路は、電界効果トランジス
タのゲートバイアス回路に対して電気的に並行に押入し
た抵抗により、ゲートバイアス回路の合成抵抗値を調整
できる事により、ポジスタの定数の変更や電界効果トラ
ンジスタの変更に伴うバイアス回路の調整を最小限にな
るように作用する。

〔実施例〕

第１図はこの発明の実施例を示す接給図である。

図において、　（ＤＩ）はゼナーダイオード、　（Ｅｌ
）と（Ｒ３）はゲートバイアス用端子、　（Ｒ２）と（
Ｒ４）はドレインバイアス用端子、　（Ｒ５）と（Ｒ６
）はＴｉ源用端子。

（Ｅｌ）はグランド用端子、　（Ｒ１）から（Ｒ８）は
抵抗。

（ＲＴＩ）はポジスタ、（ＴＩ）及び（ＴＲ２）は電界
効果トランジスタである。

次に実施例について説明する。第１の電界効果トランジ
スタ（ＴＲＩ）及び第２の電界効果トランジスタ（ＴＲ
２）のゲートバイアス用端子（Ｅｌ）及び（Ｒ３）に加
える電圧の調整時において、ゲート側バイアスの抵抗、
つまり第１の抵抗（旧）、第２の抵抗（Ｒ２）及び第４
の抵抗（Ｒ４）、第５の抵抗の各々の合成抵抗ＲｒＢ及
びＲｒ４Ｂは一定となるようにＸＰＪ整される。

上記合成抵抗Ｒｒ１２とＲｒｔｓ及び第８の抵抗（Ｒ８
）の合成抵抗をＲｒ、図１に示すゼナーダイオード（Ｄ
Ｉ）の端子電圧をＶｚ、ポジスタ（ＲＴＩ）の抵抗をＲ
ｒ５とすると２点Ｐの電圧Ｖｐは次式で表わされる。

Ｒ「 ■ｐ　＝　　　　　　Ｖｚ　　・　・・　　・　　・　
（１）Ｒｒｔｌ＋Ｒｒ上式において９合成抵抗値Ｒｒとゼナー電圧Ｖｚは一定
であるため、環境温度が変化した場合、電圧Ｖｐは抵抗
値Ｒｒｔｌの温度変化に関係して制御される。

さらに、ゲートバイアス用端子（Ｅｌ）及び（Ｒ３）の
端子電圧をそれぞれｖｇｌ及びＶｇａとすると、電圧ｖ
ｐを用いて次式で表わされる。

上式においてｐ　ＲＩＲ４＊ＲｒＬ！及びＲｒ４Ｂは一
定であるため、環境温度が変化した場合、電圧ｖｐの温
度変化に関係して制御される。

ここで、上記バイアス回路において、温度補償用ポジス
タの定数変更が生じた場合には、ポジスタの定数変更前
と変更後でゲートバイアス用端子（Ｅｌ）及び（Ｒ３）
の電圧を同じくする必要がある。今回の回路ではポジス
タの定数変更後において、第８の抵抗（Ｒ８）により電
圧Ｖｐが変更前と同じ電圧になるように調整すれば式（
２）２式（３）によりポジスタの定数変更前後でＶｇ＋
及びｖｇ２は等しくなる。

また、電界効果トランジスタの段数を変更する場合にお
いても、変更前後でＶに１及びＶｇｚを等しくする必要
が生じるが２合成抵抗Ｒｒが一定となるように第８の抵
抗（Ｒ８）−ケ所を調整するだけで、Ｔｉ電界効果トラ
ンジスタ段数変更前後でＶｐは変化しないため、結宋的
にＶｇ＋及びＶｇｚは変化しない事になる。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、電界効果トランジスタ
のゲートバイアス回路の合成抵抗値が。

そのゲートバイアス回路に並列に挿入された抵抗で調整
できるように構成したので、ポジスタの定数の変更ある
いは電界効果トランジスタの段数変更が生じた場合、抵
抗−ケ所のみで再７Ａ整が出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明によるバイアス回路の実施例を示す接
続図、第２図は従来のバイアス回路を示す接続図である
。図中、（旧）はゼナーダイオード、　　（Ｅｌ）から（
Ｒ７）は端子、（旧）から（Ｒ８）は抵抗、　（ＲＴＩ
）はポジスタ。（ＴＲＩ）と（ＴＲ２）は電界効果トランジスタである
。なお１図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

第１の電界効果トランジスタと、前記第１の電界効果ト
ランジスタのゲート端子に接続したゲートバイアス用端
子と、前記ゲートバイアス用端子に一方を接続するとと
もに、他方をアースに接地した第１の抵抗と、前記ゲー
トバイアス用端子に一方を接続した第２の抵抗と、前記
第１の電界効果トランジスタのドレイン端子に接続した
ドレインバイアス用端子と、前記ドレインバイアス用端
子に一方を接続した第３の抵抗からなる第１基本バイア
ス回路と、前記第１基本バイアス回路と同様な構成で、
ゲートバイアス端子、第４の抵抗、第５の抵抗、ドレイ
ンバイアス用端子および第６の抵抗を設けた第２基本バ
イアスと、第１基本バイアス回路の第２の抵抗の他方及
び第２基本バイアス回路の第５の抵抗の他方に一方を接
続するとともに他方をアースに接地した第８の抵抗と、
前記第８の抵抗の一方に一方を接続したポジスタと、前
記ポジスタの他方に一方を接続するとともに、他方の端
子をアースに接地したゼナーダイオードと、前記ポジス
タの他方に接続した第７の抵抗と、前記第７の抵抗に接
続したマイナス電源用端子と、前記第１基本バイアス回
路の第３の抵抗の他方及び前記第２基本バイアス回路の
第６の抵抗の他方に接続したプラス電源用端子と、グラ
ンド用端子を備えたバイアス回路。