JPH02170529A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02170529A JPH02170529A JP32663688A JP32663688A JPH02170529A JP H02170529 A JPH02170529 A JP H02170529A JP 32663688 A JP32663688 A JP 32663688A JP 32663688 A JP32663688 A JP 32663688A JP H02170529 A JPH02170529 A JP H02170529A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- contact
- resistance
- semiconductor device
- aluminum wiring
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コンタクト部０分において断線が起こりに（
（、配線抵抗、コンタクト抵抗の小さい電極配線を備え
た半導体装置に関するものである。
（、配線抵抗、コンタクト抵抗の小さい電極配線を備え
た半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来、第２図に示す様に半導体基板２１の一生面上に眉
間絶縁膜２２をパターンニングしてコンタクト窓を形成
し、その上にアルミニウム配線２３を形成した電極配線
構造が知られている。
間絶縁膜２２をパターンニングしてコンタクト窓を形成
し、その上にアルミニウム配線２３を形成した電極配線
構造が知られている。
発明が解決しようとする課題
従来、第２図に示す様に電極配線として使われているア
ルミニウム配線はコンタクトの底部の中央部２４で厚く
なるのに対し、コンタクトの底部の周辺部の角２５で配
線が薄くなる。その為、配線抵抗、コンタクト抵抗が高
くなったり、時には周辺部の角で配線が断線することも
見られる。また、コンタクト付近で半導体装置の段差が
大きくなるなどの問題が発生する。
ルミニウム配線はコンタクトの底部の中央部２４で厚く
なるのに対し、コンタクトの底部の周辺部の角２５で配
線が薄くなる。その為、配線抵抗、コンタクト抵抗が高
くなったり、時には周辺部の角で配線が断線することも
見られる。また、コンタクト付近で半導体装置の段差が
大きくなるなどの問題が発生する。
課題を解決するための手段
本発明は、前記目的を達成するために、コンタクト部分
において導電層の内部に絶縁物を設けた電極配線を用い
る。
において導電層の内部に絶縁物を設けた電極配線を用い
る。
作用
この構成によって、半導体装置の平坦化が図れるととも
に、配線抵抗、コンタクト抵抗を低減することができる
。また、コンタクト底部での配線の断線は、上部の導電
層によって救済される。
に、配線抵抗、コンタクト抵抗を低減することができる
。また、コンタクト底部での配線の断線は、上部の導電
層によって救済される。
実施例
以下に、第１図を参照にして本発明の半導体装置につい
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
第１図は本発明の半導体装置における一実施例のコンタ
クト部分を示す断面図である。
クト部分を示す断面図である。
図示するように、半導体基板１１の一生面上に眉間絶縁
膜１２をパターンニングし、コンタクト窓を形成した上
に第１のアルミニウム配線１３を形成し、この第１のア
ルミニウム配線１３の凹部に絶縁物として５ＯＧ１４を
設は平坦化を行い、同第１のアルミニウム配線１３及び
５ＯＧ１４の上部に第２のアルミニウム配＄１１１５を
形成する。
膜１２をパターンニングし、コンタクト窓を形成した上
に第１のアルミニウム配線１３を形成し、この第１のア
ルミニウム配線１３の凹部に絶縁物として５ＯＧ１４を
設は平坦化を行い、同第１のアルミニウム配線１３及び
５ＯＧ１４の上部に第２のアルミニウム配＄１１１５を
形成する。
以上のように本実施例によれば、コンタクト部分におい
て導電層の内部に絶縁物を設けた電極配線を用いること
により、半導体装置の平坦化が図れるとともに、配線抵
抗、コンタクト抵抗を低減することができる。また、コ
ンタクト底部での配線の断線は、上部の導電層によって
救済される。
て導電層の内部に絶縁物を設けた電極配線を用いること
により、半導体装置の平坦化が図れるとともに、配線抵
抗、コンタクト抵抗を低減することができる。また、コ
ンタクト底部での配線の断線は、上部の導電層によって
救済される。
発明の効果
以上のように本発明は、コンタクト部分において導電層
の内部に絶縁物を設けた電極配線を用いることにより、
配線抵抗、コンタクト抵抗を低減するとともに、コンタ
クト付近での半導体装置の平坦化が図れる。
の内部に絶縁物を設けた電極配線を用いることにより、
配線抵抗、コンタクト抵抗を低減するとともに、コンタ
クト付近での半導体装置の平坦化が図れる。
第１図は本発明の一実施例にかがる半導体装置のコンタ
クト部分を示す断面図、第２図は従来の半導体装置のコ
ンタクト部分を示す断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・層間絶
縁膜、１３・・・・・・第１のアルミニウム配線、１４
・・・・・・絶縁物としてのＳＯＧ、１５・・・・・・
第２のアルミニウム配線、２１・・・・・・半導体基板
、２２・・団・層間絶縁膜、２３・・・・・・アルミニ
ウム配線、２４・・・・・・コンタクト中央でアルミニ
ウム配線が厚くなっている部分、２５・・・・・・コン
タクト周辺でアルミニウム配線が薄（なっている部分。
クト部分を示す断面図、第２図は従来の半導体装置のコ
ンタクト部分を示す断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・層間絶
縁膜、１３・・・・・・第１のアルミニウム配線、１４
・・・・・・絶縁物としてのＳＯＧ、１５・・・・・・
第２のアルミニウム配線、２１・・・・・・半導体基板
、２２・・団・層間絶縁膜、２３・・・・・・アルミニ
ウム配線、２４・・・・・・コンタクト中央でアルミニ
ウム配線が厚くなっている部分、２５・・・・・・コン
タクト周辺でアルミニウム配線が薄（なっている部分。
Claims (1)
- コンタクト部分において、導電層の内部に絶縁物が設け
られた電極配線を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32663688A JPH02170529A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32663688A JPH02170529A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170529A true JPH02170529A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18190002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32663688A Pending JPH02170529A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170529A (ja) |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32663688A patent/JPH02170529A/ja active Pending
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