JPH02280332A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02280332A JPH02280332A JP10284489A JP10284489A JPH02280332A JP H02280332 A JPH02280332 A JP H02280332A JP 10284489 A JP10284489 A JP 10284489A JP 10284489 A JP10284489 A JP 10284489A JP H02280332 A JPH02280332 A JP H02280332A
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- JP
- Japan
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- wiring
- semiconductor device
- contact window
- conductive organic
- organic compound
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- Pending
Links
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- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 5
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- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N (1s,2s,3s,5r)-1-(carboxymethyl)-3,5-bis[(4-phenoxyphenyl)methyl-propylcarbamoyl]cyclopentane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound O=C([C@@H]1[C@@H]([C@](CC(O)=O)([C@H](C(=O)N(CCC)CC=2C=CC(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C1)C(O)=O)C(O)=O)N(CCC)CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コンタクト部分に配線される電極配線を備え
た半導体装置に関するものである。
た半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来、第２図に示すように、半導体基板ｌの一生面上に
層間絶縁膜２をパターンニングしてコンタクト窓３を形
成し、その上にアルミニウム配線４を形成した電極配線
構造が知られている。
層間絶縁膜２をパターンニングしてコンタクト窓３を形
成し、その上にアルミニウム配線４を形成した電極配線
構造が知られている。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記従来の構成では、電極配線として使われて
いるアルミニウム配線４はコンタクト窓３の中央部で厚
くなるのに対し、コンタクト窓３の底部の周辺部の角３
ａで配線が薄くなるため、アルミニウム配線４の配線抵
抗が高くなったり、コンタクト窓３の周辺部の角３ａで
配線が断線しなり、さらに、コンタクト付近で半導体装
置の段差が大きくなるなどの問題を有していた。
いるアルミニウム配線４はコンタクト窓３の中央部で厚
くなるのに対し、コンタクト窓３の底部の周辺部の角３
ａで配線が薄くなるため、アルミニウム配線４の配線抵
抗が高くなったり、コンタクト窓３の周辺部の角３ａで
配線が断線しなり、さらに、コンタクト付近で半導体装
置の段差が大きくなるなどの問題を有していた。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、コンタクト
窓部分において断線が起こりにくく、配線抵抗の小さい
電極配線を有し、コンタクト付近で段差が大きくならな
い半導体装置を提供することを目的とするものである。
窓部分において断線が起こりにくく、配線抵抗の小さい
電極配線を有し、コンタクト付近で段差が大きくならな
い半導体装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の半導体装置は、コン
タクト窓部分に配線される電極配線を、前記窓部分にお
けるアルミニウム配線層により形成されな′凹部に導電
性の有機化合物で充填して構成したものである。
タクト窓部分に配線される電極配線を、前記窓部分にお
けるアルミニウム配線層により形成されな′凹部に導電
性の有機化合物で充填して構成したものである。
作用
上記構成により、コンタクト窓部分におけるアルミニウ
ム配線層により形成された凹部に導電性の有機化合物を
充填して電極配線を構成したので、半導体装置の平坦化
が図られるとともに、配線抵抗の低減が図られる。さら
に、コンタクト窓底部の周辺部角における配線の断線は
、その上部に充填された導電性の有機化合物によって救
済されることになる。
ム配線層により形成された凹部に導電性の有機化合物を
充填して電極配線を構成したので、半導体装置の平坦化
が図られるとともに、配線抵抗の低減が図られる。さら
に、コンタクト窓底部の周辺部角における配線の断線は
、その上部に充填された導電性の有機化合物によって救
済されることになる。
実施例
以下に、第１図を参照して本発明の一実施例を説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置におけるコ
ンタクト窓部分の断面図である。第１図において、半導
体基板１１の−１面上に層間絶縁膜１２をパターンニン
グしてコンタクト窓を形成し、その−Ｌに沿って第一ア
ルミニウム配線１３を形成し、この第一アルミニウム配
線１３により形成された凹部に導電性の有機化合物１４
を充填して平坦化を行い、この第一アルミニウム配線１
３および導電性の有機化合！）！ｆｉ１４の上部に第ニ
アルミニウム配線１５を形成する。
ンタクト窓部分の断面図である。第１図において、半導
体基板１１の−１面上に層間絶縁膜１２をパターンニン
グしてコンタクト窓を形成し、その−Ｌに沿って第一ア
ルミニウム配線１３を形成し、この第一アルミニウム配
線１３により形成された凹部に導電性の有機化合物１４
を充填して平坦化を行い、この第一アルミニウム配線１
３および導電性の有機化合！）！ｆｉ１４の上部に第ニ
アルミニウム配線１５を形成する。
このように、コンタクト窓部分における第一アルミニウ
ム配線１３により形成された凹部に導電性の有機化合物
１４を充填して構成した電極配線を用いることにより、
半導体装置の平坦化を図ることができるとともに、配線
抵抗を低減することができる。また、コンタクト窓底部
の周辺部の角における配線の断線は、その上部の導電性
の有機化合物およびさらに、その上部の第ニアルミニウ
ム配線１５によって救済することができる。
ム配線１３により形成された凹部に導電性の有機化合物
１４を充填して構成した電極配線を用いることにより、
半導体装置の平坦化を図ることができるとともに、配線
抵抗を低減することができる。また、コンタクト窓底部
の周辺部の角における配線の断線は、その上部の導電性
の有機化合物およびさらに、その上部の第ニアルミニウ
ム配線１５によって救済することができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、コンタクト窓部分におけ
るアルミニウム配線層の凹部に導電性の有機化合物を充
填して構成した電極配線を用いることにより、配線抵抗
を低減できるとともに、コンタクト付近での半導体装置
の平坦化を図ることができる。また、コンタクト周辺部
角における配線の断線も導電性の有機化合物によって救
済することができる。
るアルミニウム配線層の凹部に導電性の有機化合物を充
填して構成した電極配線を用いることにより、配線抵抗
を低減できるとともに、コンタクト付近での半導体装置
の平坦化を図ることができる。また、コンタクト周辺部
角における配線の断線も導電性の有機化合物によって救
済することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置におけるコ
ンタクト窓部分の断面図、第２図は従来の半導体装置に
おけるコンタクト窓部分の断面図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・層間絶縁膜、１３・
・・第一アルミニウム配線、１４・・・導電性の有機化
合物、１５・・・第ニアルミニウム配線。 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図
ンタクト窓部分の断面図、第２図は従来の半導体装置に
おけるコンタクト窓部分の断面図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・層間絶縁膜、１３・
・・第一アルミニウム配線、１４・・・導電性の有機化
合物、１５・・・第ニアルミニウム配線。 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図
Claims (1)
- １、コンタクト窓部分に配線される電極配線を、前記窓
部分におけるアルミニウム配線層により形成された凹部
に導電性の有機化合物で充填して構成した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10284489A JPH02280332A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10284489A JPH02280332A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280332A true JPH02280332A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14338273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10284489A Pending JPH02280332A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02280332A (ja) |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP10284489A patent/JPH02280332A/ja active Pending
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