JPH0219962Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は製造歩留まりの向上に資する構造を有
する半導体集積装置に関する。

(ロ) 従来の技術 一般の半導体集積装置は、１つの半導体ウエハ
上に多数の装置を同時に形成し、各装置を各装置
相互間のスクライブ領域を用いて分離して形成す
るようにしている。第２図はこの従来装置の中間
品の部分縦断面図を示すものである。図中、Ａは
デバイス領域を示し、Ｂはスクライブ領域を示し
ている。デバイス領域Ａにはスクライブ領域に隣
接する部分に、半導体基板１上にロコス法による
絶縁膜２と、層間絶縁膜を構成する第２絶縁膜３
とを順次積み上げている。スクライブ領域Ｂの半
導体基板１の表面１ａは前記絶縁膜２下の半導体
基板の表面１ｂに比べて上位に形成されている。
これは図示省略しているゲート電極のパターニン
グや層間絶縁膜３へのコンタクトホール形成にあ
たつてウエツトエツチングを採用したからであ
り、更に集積化に適するRIE（反応性イオンエツ
チング）技術を適用した場合にはこのスクライブ
領域Ｂにおける半導体基板１の表面１a′位置が第
３図に示す如くストローク４だけ下方に形成され
る。RIE技術ではエツチングすべき材料と下地材
料との選択比をウエツトエツチング技術における
程大きくとることができないからである。

第３図に示す中間品の上に、アルミニウムより
なる配線パターンを形成する場合、第４図に示す
如くデバイス領域Ａ及びスクライブ領域Ｂにまた
がつてアルミニウム膜５を全面に付設し、このア
ルミニウム膜の上に更にレジスト膜６を全面に付
設し、このレジスト膜を露光してエツチングしパ
ターニングを行なう。するとアルミニウム膜５の
残したい部分の上にレジスト膜５ａが残される以
外に、段差が大きいために不必要なレジストの残
渣物５ｂが除去されずに残ることになる。この部
分においてレジスト膜５の膜厚が大きくなつて部
分的に露光不足となるからと考えられる。この状
態でアルミニウム膜４をRIE技術を使用してドラ
イエツチングを施こすと、このエツチングが異方
性であることと上記残渣物５ｂが存在することに
よつて必要な配線パターン４ａの他に不必要な導
体片４ｂが形成されることがある。この導体片４
ｂはその後の工程例えば超音波を用いる洗浄工程
中に受ける振動等によつて半導体基板１から遊離
するおそれがあり、遊離した導体片４ｂは上記第
２絶縁膜３上に再付着して配線パターン４ａの隣
接するものを短絡してしまうおそれがあつた。

(ハ) 考案が解決しようとする問題点 従来装置では上述の如く上記導体片が配線パタ
ーンの隣接するものどおしを短絡してしまうおそ
れがあるため製造歩留まりを低下させ、その結果
製品価格の低下を妨げていた。

本考案はこの点に鑑みなされたものであり、上
記導体片の遊離を防止する構造の半導体集積装置
を提供しようとするものである。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本考案はデバイス領域の絶縁物膜上からスクラ
イブ領域にかけて、配線パターンとは電気的に絶
縁されているダミーの配線を、該配線パターンを
構成する材料と同一材料で付設してなる半導体集
積装置である。

(ホ) 作用 本考案は上述の如くデバイス領域の絶縁物膜上
からスクライブ領域にかけてダミーの配線を付設
しているので、すなわちこのダミーの配線は従来
例の如くスクライブ領域を構成する半導体基板の
極く限られた領域にのみ導体片が付着するものと
は異なり広範囲に付設されるので、次工程以降の
洗浄工程等によつてこのダミーの配線は遊離せず
配線パターンの短絡事故を防止することができ
る。

(ヘ) 実施例 第１図は本考案装置の要部断面図を示してい
る。同図においてＡはデバイス領域、Ｂはスクラ
イブ領域である。半導体基板１はデバイス領域に
所属する主体部１１と、この主体部から延在し上
記スクライブ領域Ｂに所属する隣接部１２とを備
えている。基板材料はシリコン単結晶を使つてい
るが他の化合物半導体例えばGaAs結晶基板を使
用しても良い。

２は主体部１１上に形成された素子分離用の絶
縁物膜であり、通常、周知のロコス法で形成され
る。この絶縁物膜２はSiO₂によつて構成されて
いる。３はこの絶縁物膜２の上に形成された層間
絶縁用の第２絶縁物膜であり、例えば本装置が
MOSFETである場合この第２絶縁物膜はゲート
絶縁膜上に形成したゲート電極の上にも形成され
る。そして、この第２絶縁物膜にはこのゲート電
極に対向してコンタクトホールを設けている。４
ａはこの第２絶縁物膜３の上に形成してなる配線
パターンであり、アルミニウムで構成されてい
る。この配線パターン４ａは全面にアルミニウム
膜４を付設し、このアルミニウム膜４上の残した
い部分上にレジスト膜５を残し、次いでRIE技術
を用いてこのアルミニウム膜をエツチングして上
記配線パターン４ａと共に、デバイス領域Ａから
スクライブ領域Ｂにかけてダミーの配線４b′を残
すようにしている。このダミーの配線４b′は配線
パターン４ａからは離間して配設されており、電
気的に絶縁されている。尚、アルミニウムのエツ
チングガスは塩素系（BCl₃，CCl₄）とフレオン
系（CF₄）の混合ガスを使用しており、アルミニ
ウムとシリコンのエツチング比は３前後である。
このダミーの配線４b′は従来の上記導体片に比べ
て広範囲にわたつて半導体基板及び絶縁物膜上に
付着されているので、次工程以降において受ける
外力によつては脱落することはなく最終製品に残
される。尚、レジスト膜５は配線パターンの付設
後に除去され、又、その後必要な後処理を行なつ
て装置を完成させるがその説明は要旨外でもある
ので省略する。

(ト) 考案の効果 本考案装置は以上の如く構成されているので、
微細化加工のためRIE技術を使つてエツチングを
行なつても微細な導体片を遊離させこの遊離され
た導体片が配線パターンを短絡させるという欠点
を除去することができ、装置の製造歩留りを向上
させ低価格化に資することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案装置の１実施例の要部断面図、
第２図及び第３図は異なる従来装置の中間品の要
部断面図、第４図及び第５図は第３図の従来装置
のその後の工程説明図である。 １……半導体基板、Ａ……デバイス領域、Ｂ…
…スクライブ領域、２，３……絶縁物膜、４ａ…
…配線パターン、４b′……ダミーの配線。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体基板の主体部上に絶縁物膜と配線パター
   ンとを順番に積み上げてなる部分を有するデバイ
   ス領域と、前記半導体基板の主体部から延在する
   隣接部で構成されるスクライブ領域とを備える半
   導体集積装置において、前記デバイス領域の前記
   絶縁物膜上から前記スクライブ領域の前記隣接部
   上にかけて、前記配線パターンとは電気的に絶縁
   されているダミーの配線を、該配線パターンを構
   成する材料と同一材料で付設してなることを特徴
   とする半導体集積装置。