JPH02215181A - プリプレグおよびそれを用いた配線基板 - Google Patents
プリプレグおよびそれを用いた配線基板Info
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- JPH02215181A JPH02215181A JP3667389A JP3667389A JPH02215181A JP H02215181 A JPH02215181 A JP H02215181A JP 3667389 A JP3667389 A JP 3667389A JP 3667389 A JP3667389 A JP 3667389A JP H02215181 A JPH02215181 A JP H02215181A
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Landscapes
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器、電気機器、コンピューター通信ａＳ
Ｓ等に用いられる高周波用配線基板およびそれに用いる
プリプレグに関するものである。
Ｓ等に用いられる高周波用配線基板およびそれに用いる
プリプレグに関するものである。
従来、電子ｍ器、電ｇＣ晴器等に用いられる配線基板お
よびプリプレグはフェノ−／％／樹脂やエボキン樹脂を
紙、布基材（含浸、乾燥したプリプレグおよびそれを用
いた配線基板であるが、誘電率、誘電正接が大きく高周
波用には問題があった。この為高周波性に優れたフッ素
樹脂やポリフェニレンオキサイド樹脂を用いた配線基板
が試用されたが、これ等樹脂のガラス転移温度は１８０
〜２００℃と低いためスルホール加工時にスミアを発生
し、配線板の信頼性を低下させる問題があった。
よびプリプレグはフェノ−／％／樹脂やエボキン樹脂を
紙、布基材（含浸、乾燥したプリプレグおよびそれを用
いた配線基板であるが、誘電率、誘電正接が大きく高周
波用には問題があった。この為高周波性に優れたフッ素
樹脂やポリフェニレンオキサイド樹脂を用いた配線基板
が試用されたが、これ等樹脂のガラス転移温度は１８０
〜２００℃と低いためスルホール加工時にスミアを発生
し、配線板の信頼性を低下させる問題があった。
従来の技術で述べたようにフェノール樹脂、エポキＶｗ
脂を用いたプリプレグ、配線基板の高周波性はｇ＜、フ
ッ素Ｓ！脂やポリフェニレンオキサイド樹脂を用いたも
のはスルホール信頼性が低四本発明は従来の技術におけ
る上述の問題点に＠みてなされたもので、その目的とす
るところはスルホール信頼性、高周波性に優れたプリプ
レグ、配線基板を提供するととに４る。
脂を用いたプリプレグ、配線基板の高周波性はｇ＜、フ
ッ素Ｓ！脂やポリフェニレンオキサイド樹脂を用いたも
のはスルホール信頼性が低四本発明は従来の技術におけ
る上述の問題点に＠みてなされたもので、その目的とす
るところはスルホール信頼性、高周波性に優れたプリプ
レグ、配線基板を提供するととに４る。
本発明はポリ芳香族Ｖアネートとジンアンジアミドとを
反応してなるアミン化合物とビスイミド類とを反応させ
てなる樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプリプレ
グおよび該プリプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該
プリプレグ間の所要位置に内層回路材を介在せしめてか
ら、最外、！＃に外１ｇ１回路材を配設した積層体を積
層一体化してなることを特徴とする配線基板のため、上
記目的を達成することができたもので、以下本発明の詳
細な説明する。
反応してなるアミン化合物とビスイミド類とを反応させ
てなる樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプリプレ
グおよび該プリプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該
プリプレグ間の所要位置に内層回路材を介在せしめてか
ら、最外、！＃に外１ｇ１回路材を配設した積層体を積
層一体化してなることを特徴とする配線基板のため、上
記目的を達成することができたもので、以下本発明の詳
細な説明する。
本発明に用いるポリ芳香族ンアネートとしては好ましく
は下記一般式（１）で示されるものであることが高周波
性向上のために望ましいことであも但し Ａｒは芳香族 ＢはＣ？−３゜の多環式脂肪族置換基 りは各々独立に活性水素を含まない置換基 ｑ、ｒ、ｓは独立に０．１．２又は３の整数 Ｘは０〜５の数 ポリ芳香族ンアネートとジシアンジアミドとの反応に際
しては触媒としてアルカリ、アミン、ルイスｍｉｓを用
いジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメ
チルピロリドン等の溶媒中で５０〜２００°Ｃで合成し
下記一般式〔２〕で示されるアミン化合物を得るもので
ある。
は下記一般式（１）で示されるものであることが高周波
性向上のために望ましいことであも但し Ａｒは芳香族 ＢはＣ？−３゜の多環式脂肪族置換基 りは各々独立に活性水素を含まない置換基 ｑ、ｒ、ｓは独立に０．１．２又は３の整数 Ｘは０〜５の数 ポリ芳香族ンアネートとジシアンジアミドとの反応に際
しては触媒としてアルカリ、アミン、ルイスｍｉｓを用
いジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメ
チルピロリドン等の溶媒中で５０〜２００°Ｃで合成し
下記一般式〔２〕で示されるアミン化合物を得るもので
ある。
式（１）
ビスイミド類としては下記一般式〔３〕で示されるもの
であることが好ましい。
であることが好ましい。
上記アミン化合物とビスイミド類との反応はジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等の溶媒中で■〜１
３０°Ｃでマイケル付加を行ないビスアミノマレイミド
樹脂を得るもので、該樹脂は必要に応じて粘度調整のた
めジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、ジオキ
サン、ジメチルホルムアミド、メチルセロソルブ等を添
加することができ樹脂ワニスとするものである。基材と
してはガラス、アスベスト等の無機繊維やポリエステル
、ポリアクリル、ポリビニルアルコ−〃、ポリアクリル
、ポリアクリル等の有機合成繊維や木綿等の天然繊維か
らなる織布、不織布、マット或は紙又はこれらの組合せ
基材である。必要に応じて用いる内層回路材としては両
面又は片面金属張積層板の金属面Ｋ［ｆｆ回路を形成し
たもので必要に応じプリプレグ間に所要枚数挿入し多層
配線基板とするものである。外ＭＪ回路材としては片面
金属張積層板や鋼、アルミニウム、ニッケル、亜鉛等の
単独、合金、複合からなる金属箔が用いられるが好まし
くは厚さ迅〜１０５ミクロンの両面粗化鋼箔、更に好ま
しくはアルミキャリア付銅箔であることが望ましいこと
である。上記樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプ
リプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間
の所要位置に内層回路材を介在せしめてから、最外層に
外層回路材を配設した積層体を多段プレス法、ダブルベ
ルト法、マルチロール法、ドラム法等で１７０〜２３０
℃で積層一体化するが必要に応じて積層一体化後、更に
ω〜１２０分間アフターキュアーすることもできる。
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等の溶媒中で■〜１
３０°Ｃでマイケル付加を行ないビスアミノマレイミド
樹脂を得るもので、該樹脂は必要に応じて粘度調整のた
めジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、ジオキ
サン、ジメチルホルムアミド、メチルセロソルブ等を添
加することができ樹脂ワニスとするものである。基材と
してはガラス、アスベスト等の無機繊維やポリエステル
、ポリアクリル、ポリビニルアルコ−〃、ポリアクリル
、ポリアクリル等の有機合成繊維や木綿等の天然繊維か
らなる織布、不織布、マット或は紙又はこれらの組合せ
基材である。必要に応じて用いる内層回路材としては両
面又は片面金属張積層板の金属面Ｋ［ｆｆ回路を形成し
たもので必要に応じプリプレグ間に所要枚数挿入し多層
配線基板とするものである。外ＭＪ回路材としては片面
金属張積層板や鋼、アルミニウム、ニッケル、亜鉛等の
単独、合金、複合からなる金属箔が用いられるが好まし
くは厚さ迅〜１０５ミクロンの両面粗化鋼箔、更に好ま
しくはアルミキャリア付銅箔であることが望ましいこと
である。上記樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプ
リプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間
の所要位置に内層回路材を介在せしめてから、最外層に
外層回路材を配設した積層体を多段プレス法、ダブルベ
ルト法、マルチロール法、ドラム法等で１７０〜２３０
℃で積層一体化するが必要に応じて積層一体化後、更に
ω〜１２０分間アフターキュアーすることもできる。
以下本発明を実施例にもとづいて説明する。
実施例
ポリ芳香族Ｖアネート（ダクケミカ〜社！１）１モルに
対しジノアンジアミド２モルを加えアルカリ性下、ジメ
チルホルムアミド溶液中で１５０°Ｃでω分間反応させ
て得たアミン化合物１モルに対し、ビスマレイミド２モ
ルを加えジメ千〃ホルムアミド溶液中で１００°Ｃでω
分間反応してビスアミノマレイミド樹脂を得た。次にｆ
ｆ樹脂をゾメチ〃アセトアミドのω重ＪＩＸ（以下単に
％と記すンワニスとし、該ワニスに厚さｏ、１ｓＨＩの
がフス布を乾燥後樹脂量が５０％になるように含浸、乾
燥してプリプレグを得た。次に該プリプレグ８枚を重ね
た上下面に厚さ９ミクロンのアルミキャリア付鋼箔を夫
々配設した積層体を成形圧力５０ ＃／ｃｉ、１７０’
ｃで９０分間加勢加圧成形後、更に２２０℃でω分間無
圧下アフターキュアーして厚さ１，６＃の配線基板を得
九。
対しジノアンジアミド２モルを加えアルカリ性下、ジメ
チルホルムアミド溶液中で１５０°Ｃでω分間反応させ
て得たアミン化合物１モルに対し、ビスマレイミド２モ
ルを加えジメ千〃ホルムアミド溶液中で１００°Ｃでω
分間反応してビスアミノマレイミド樹脂を得た。次にｆ
ｆ樹脂をゾメチ〃アセトアミドのω重ＪＩＸ（以下単に
％と記すンワニスとし、該ワニスに厚さｏ、１ｓＨＩの
がフス布を乾燥後樹脂量が５０％になるように含浸、乾
燥してプリプレグを得た。次に該プリプレグ８枚を重ね
た上下面に厚さ９ミクロンのアルミキャリア付鋼箔を夫
々配設した積層体を成形圧力５０ ＃／ｃｉ、１７０’
ｃで９０分間加勢加圧成形後、更に２２０℃でω分間無
圧下アフターキュアーして厚さ１，６＃の配線基板を得
九。
比較例１
厚さ１．６ｆｆのがフス基材エポキシ樹脂両面鋼張積層
板を比較例１とした。
板を比較例１とした。
比較例２
厚さ１，６１１１のガラス基材フッ素樹脂両面鋼張積層
板を比較例２とした。
板を比較例２とした。
実施例及び比較例１と２のＩＳ３線基板の性能は第１表
のようである。
のようである。
第 １
表
〔発明の効果〕
本発明は上迷した如く構成されている。特許請求の範囲
に記載した構成を有するプリプレグおよびそれを用すた
配線基板においてはスルホ−〜信頼性、高周波性が向上
する効果がある。
に記載した構成を有するプリプレグおよびそれを用すた
配線基板においてはスルホ−〜信頼性、高周波性が向上
する効果がある。
Claims (3)
- （１）ポリ芳香族シアネートとジシアンジアミドとを反
応してなるアミン化合物とビスイミド類とを反応させて
なる樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなることを特徴
とするプリプレグ。 - （２）ポリ芳香族シアネートとジシアンジアミドとを反
応してなるアミン化合物とビスイミド類とを反応させて
なる樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプリプレグ
を所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間の所要位
置に内層回路材を介在せしめてから、最外層に外層回路
材を配設した積層体を積層一体化してなることを特徴と
する配線基板。 - （３）外層回路材が金属箔であることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3667389A JPH02215181A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3667389A JPH02215181A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215181A true JPH02215181A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12476375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3667389A Pending JPH02215181A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215181A (ja) |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP3667389A patent/JPH02215181A/ja active Pending
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