JPH02215182A - プリプレグおよびそれを用いた配線基板 - Google Patents
プリプレグおよびそれを用いた配線基板Info
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- JPH02215182A JPH02215182A JP3668089A JP3668089A JPH02215182A JP H02215182 A JPH02215182 A JP H02215182A JP 3668089 A JP3668089 A JP 3668089A JP 3668089 A JP3668089 A JP 3668089A JP H02215182 A JPH02215182 A JP H02215182A
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Landscapes
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器、電気機器、コンピューター通信機器
等に用−られる高周波用配線基板およびそれに用いるプ
リプレグに関するものである。
等に用−られる高周波用配線基板およびそれに用いるプ
リプレグに関するものである。
従来、電子機器、電気機器等に用いられる配線基板およ
びプリプレグはフェノール樹脂やエポキシ樹脂を紙、布
基材に含浸、乾燥したプリプレグおよびそれを用いた配
線基板であるが誘電高、誘電正接が大きく高周波用には
問題があった。この為ポリ芳香族シアネートと触媒とか
らなる樹脂ワニスを用−たプリプレグ、配線基板が試用
されたが難燃性が悪いと帆う問題があった。
びプリプレグはフェノール樹脂やエポキシ樹脂を紙、布
基材に含浸、乾燥したプリプレグおよびそれを用いた配
線基板であるが誘電高、誘電正接が大きく高周波用には
問題があった。この為ポリ芳香族シアネートと触媒とか
らなる樹脂ワニスを用−たプリプレグ、配線基板が試用
されたが難燃性が悪いと帆う問題があった。
従来の技術で述べたようにフェノール樹脂、エポキシ樹
脂を用いたプリプレグ、配線基板の高周波性は悪く、芳
香族シアネートと触媒とからなるものは難燃性が悪す０
本発明は従来の技術における上述の問題点に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは難燃性、高周波性
に優れたプリプレグ、配線基板を提供することにある。
脂を用いたプリプレグ、配線基板の高周波性は悪く、芳
香族シアネートと触媒とからなるものは難燃性が悪す０
本発明は従来の技術における上述の問題点に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは難燃性、高周波性
に優れたプリプレグ、配線基板を提供することにある。
本発明はポリ芳香族シアネート、含臭素ビスフェノール
Ａカーボネートオリゴマー、含臭素ビスフェノールＡ、
触媒からなる樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプ
リプレグおよび該プリプレグを所要枚数重ね、必要に応
じて該プリプレグ間の所要位置に内層回路材を介在せし
めてから、最外層に外層回路材を配設した積層体を積層
一体化してなることを特徴とする配線基板のため、上記
目的を達成することができたもので、以下本発明の詳細
な説明する。
Ａカーボネートオリゴマー、含臭素ビスフェノールＡ、
触媒からなる樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプ
リプレグおよび該プリプレグを所要枚数重ね、必要に応
じて該プリプレグ間の所要位置に内層回路材を介在せし
めてから、最外層に外層回路材を配設した積層体を積層
一体化してなることを特徴とする配線基板のため、上記
目的を達成することができたもので、以下本発明の詳細
な説明する。
本発明に用いるポリ芳香族シアネートとしては好ましく
は下記一般式〔１〕で示されるものであることが高周波
性向上のために望ましｂことである。
は下記一般式〔１〕で示されるものであることが高周波
性向上のために望ましｂことである。
但し Ａｒは芳香族
Ｂは０７〜２０の多環式脂肪族置換基
りは各々独立に活性水素を含まない置換基ｑ＊ｒａ８は
独立にＱ、１，２．又は３の整数Ｘは０〜５の数 含臭素ビスフェノールＡカーボネートオリゴマーとして
は好ましくは下記一般式〔２〕で示されるものであるこ
とが難燃性向上のために望ましいことである。
独立にＱ、１，２．又は３の整数Ｘは０〜５の数 含臭素ビスフェノールＡカーボネートオリゴマーとして
は好ましくは下記一般式〔２〕で示されるものであるこ
とが難燃性向上のために望ましいことである。
式〔２〕
Ｒ１は活性水素を含まない置換基でｍ ＝ Ｑ〜３の整
数例えば ＣＨ＊ 、 Ｃ鵞Ｈｓ等 ｎ ＝ １０〜２０ 含臭素ビスフェノールＡとしては下記一般式〔３〕で示
されるものであることが難燃性向上のために望ましいこ
とである。
数例えば ＣＨ＊ 、 Ｃ鵞Ｈｓ等 ｎ ＝ １０〜２０ 含臭素ビスフェノールＡとしては下記一般式〔３〕で示
されるものであることが難燃性向上のために望ましいこ
とである。
式〔３〕
但し
くｎ”０ｓｌｏ又は２の整数 ）
上記ポリ芳香族シアネート、含臭素ビスフェノールＡカ
ーボネートオリゴマー、含臭素ビスフェノールＡの比車
は、ポリ芳香族シアネートに対する含臭素ビスフェノー
ルＡカーボネートオリゴマーと含臭ＸビスフェノールＡ
の合計がポリ芳香族シアネート６５〜８０重量部（以下
単に部と記す）に対し２０〜３５部であることが難燃性
、相溶性の点で好まし論、更に含臭素ビスフェノールＡ
力＋ボネートオリゴマーに対する含臭素ビスフェノール
Ａの北本は含臭素ビスフェノールＡカーボネート）リボ
マー２ Ａ−２０部に対し１部であることが相溶性の点
で奸才しい。触媒としてはナフテン酸コバルト、オクチ
ル酸コバルト等の有機金属塩類、イミダゾール類、第３
級アミン等を用することがで舎る。基材としてはガラス
、アスベスト等ノ無機繊維やポリエステル、ポリアクリ
ル、ポリビニルアルコール、ポリアクリル、ポリアラミ
ド等の有機合成繊維や木綿等の天然繊維からなる織布、
不織布、マ９ト或は紙又はこれらの組合せ基材である。
ーボネートオリゴマー、含臭素ビスフェノールＡの比車
は、ポリ芳香族シアネートに対する含臭素ビスフェノー
ルＡカーボネートオリゴマーと含臭ＸビスフェノールＡ
の合計がポリ芳香族シアネート６５〜８０重量部（以下
単に部と記す）に対し２０〜３５部であることが難燃性
、相溶性の点で好まし論、更に含臭素ビスフェノールＡ
力＋ボネートオリゴマーに対する含臭素ビスフェノール
Ａの北本は含臭素ビスフェノールＡカーボネート）リボ
マー２ Ａ−２０部に対し１部であることが相溶性の点
で奸才しい。触媒としてはナフテン酸コバルト、オクチ
ル酸コバルト等の有機金属塩類、イミダゾール類、第３
級アミン等を用することがで舎る。基材としてはガラス
、アスベスト等ノ無機繊維やポリエステル、ポリアクリ
ル、ポリビニルアルコール、ポリアクリル、ポリアラミ
ド等の有機合成繊維や木綿等の天然繊維からなる織布、
不織布、マ９ト或は紙又はこれらの組合せ基材である。
必要に応じて用いる内層回路材としては両面又は片面金
属張積層板の金属面に電気回路を形成したもので必要に
応じプリプレグ間に所要枚数挿入し多層配線基板とする
ものである。外層回路材としては片面金属張積層板や銅
、アルミニウム、二重ケル、亜鉛等の単独、合金、積台
からなる金属箔が用いられるが好ましくは厚さ１８〜１
０５ミクロンの両面粗化、銅箔、更に好ましくはアルミ
キャリア付鋼箔であることが望まし層ことである。
属張積層板の金属面に電気回路を形成したもので必要に
応じプリプレグ間に所要枚数挿入し多層配線基板とする
ものである。外層回路材としては片面金属張積層板や銅
、アルミニウム、二重ケル、亜鉛等の単独、合金、積台
からなる金属箔が用いられるが好ましくは厚さ１８〜１
０５ミクロンの両面粗化、銅箔、更に好ましくはアルミ
キャリア付鋼箔であることが望まし層ことである。
かくして上記樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプ
リプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間
の所要位置に内１回路材を介在せしめてから、最外層に
外層回路材を配設した積層体を多段プレス法、ダブルベ
ルト法、マルチロール法、Ｖラム法等で１７０〜２３０
℃で積層一体化するが必要に応じてｆｆ層一体化後、更
に６０〜１２０分間アフターキューすることもできる。
リプレグを所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間
の所要位置に内１回路材を介在せしめてから、最外層に
外層回路材を配設した積層体を多段プレス法、ダブルベ
ルト法、マルチロール法、Ｖラム法等で１７０〜２３０
℃で積層一体化するが必要に応じてｆｆ層一体化後、更
に６０〜１２０分間アフターキューすることもできる。
なお樹脂ワニスには必要に応じてメチルエチルケトン、
ジメチルホルムアミド等を粘度調整として用−ることが
できる。
ジメチルホルムアミド等を粘度調整として用−ることが
できる。
以下本発明を実施例にもとづｂで説明する。
実施例
ポリ芳香族シアネート（ダウケミカル社製）７０部に対
ジフェノ＋シターミネーテ・ラドテトラブロムビスフェ
ノールＡカーボネートオリゴマー（グレートレーク社製
）２５部、テトラブロムビスフェノールＡＳ部、ナフテ
ン酸コバルト１部、メチルエチルケトン３５部からなる
樹脂ワニスに厚さ０．１５Ｕのガラス布を乾燥後樹脂社
が５０重量係（以下単に壬と記す）になるように含浸、
乾燥してプリプレグを得た。次に核プリプレグ８枚を重
ねた上下面に厚さ９ミクロンのアルミキャリア付鋼箔を
夫々配設した積層体を成形圧力５０Ｋｑ／ｄ 、 １７
０℃で９０分間加熱加圧成形後、更に２２０℃で６０分
間無圧下アフターキュアーして厚さｌ、 ６ ｆｆ１ｌ
の配線基板を得た。
ジフェノ＋シターミネーテ・ラドテトラブロムビスフェ
ノールＡカーボネートオリゴマー（グレートレーク社製
）２５部、テトラブロムビスフェノールＡＳ部、ナフテ
ン酸コバルト１部、メチルエチルケトン３５部からなる
樹脂ワニスに厚さ０．１５Ｕのガラス布を乾燥後樹脂社
が５０重量係（以下単に壬と記す）になるように含浸、
乾燥してプリプレグを得た。次に核プリプレグ８枚を重
ねた上下面に厚さ９ミクロンのアルミキャリア付鋼箔を
夫々配設した積層体を成形圧力５０Ｋｑ／ｄ 、 １７
０℃で９０分間加熱加圧成形後、更に２２０℃で６０分
間無圧下アフターキュアーして厚さｌ、 ６ ｆｆ１ｌ
の配線基板を得た。
比較例１
厚さ１．６ ｆｌＯ紙基材フェノール樹脂両面銅張積層
板を比較例１とした。
板を比較例１とした。
比較例２
厚さ１．６鶴のガラス基材エポキシ樹脂両面鋼張積層板
を比較例２とした。
を比較例２とした。
実施例及び比較例１と２の配線基板の性能は第１表のよ
うである。
うである。
本発明は上述した如く構成されている。特許請求の範囲
に記載した構成を有するプリプレグおよびそれを用すた
配線基板においては難燃性、高周波性が向上する効果が
ある。
に記載した構成を有するプリプレグおよびそれを用すた
配線基板においては難燃性、高周波性が向上する効果が
ある。
Claims (3)
- （１）ポリ芳香族シアネート、含臭素ビスフェノールＡ
カーボネートオリゴマー、含臭素ビスフェノールＡ、触
媒からなる樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなること
を特徴とするプリプレグ。 - （２）ポリ芳香族シアネート、含臭素ビスフェノールＡ
カーボネートオリゴマー、含臭素ビスフェノールＡ、触
媒からなる樹脂ワニスを基材に含浸、乾燥してなるプリ
プレグを所要枚数重ね、必要に応じて該プリプレグ間の
所要位置に内層回路材を介在せしめてから、最外層に外
層回路材を配設した積層体を積層一体化してなることを
特徴とする配線基板。 - （３）外層回路材が金属箔であることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3668089A JPH02215182A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3668089A JPH02215182A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215182A true JPH02215182A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12476565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3668089A Pending JPH02215182A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | プリプレグおよびそれを用いた配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215182A (ja) |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP3668089A patent/JPH02215182A/ja active Pending
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