JPH03145113A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH03145113A JPH03145113A JP1283709A JP28370989A JPH03145113A JP H03145113 A JPH03145113 A JP H03145113A JP 1283709 A JP1283709 A JP 1283709A JP 28370989 A JP28370989 A JP 28370989A JP H03145113 A JPH03145113 A JP H03145113A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、誘電体磁器と少なくとも2つの電極とから成
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
[従来の技術]
従来、積層磁器コンデンサを製造する際には、誘電体磁
器原料粉末から成るグリーンシート(未焼結磁器シート
)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペーストを
所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、1300℃〜1600℃の酸化性雰囲気中で焼結させ
た。これにより、誘電体磁器と内部t[iとが同時に得
られる。
器原料粉末から成るグリーンシート(未焼結磁器シート
)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペーストを
所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、1300℃〜1600℃の酸化性雰囲気中で焼結させ
た。これにより、誘電体磁器と内部t[iとが同時に得
られる。
上述の如く、貴金属を使用すれば、酸化性雰囲気中で高
温で焼結させても目的とする内部電極を得ることかでき
る。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価である
ため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になった
。
温で焼結させても目的とする内部電極を得ることかでき
る。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価である
ため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になった
。
上述の問題を解決することができるものとして、本件出
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (Bak−x Mx)OkTiO2(但し、MはMg及
びZnの内の少なくとも1種)から成る基本成分と、L
i OとSiO2とから戒る添加成分とを含む誘電体
磁器組成物が開示されている。
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (Bak−x Mx)OkTiO2(但し、MはMg及
びZnの内の少なくとも1種)から成る基本成分と、L
i OとSiO2とから戒る添加成分とを含む誘電体
磁器組成物が開示されている。
また、特公昭61−14608号公報には、上記の特公
昭61−14607号公報のL1□Oと8102の代り
に、L120とSiO2とMO(但し、MOはBaO,
CaO及びSroの内の少なくとも1種)とから成る添
加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
昭61−14607号公報のL1□Oと8102の代り
に、L120とSiO2とMO(但し、MOはBaO,
CaO及びSroの内の少なくとも1種)とから成る添
加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特公昭61−14609号公報には、(Bak−
、−yM、Ly)OkTiO2(但し、MはMg及びZ
nの少なくとも1種、LはSr及びCaの内の少なくと
も1りから戒る基本成分とLi Oと810□とから
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
、−yM、Ly)OkTiO2(但し、MはMg及びZ
nの少なくとも1種、LはSr及びCaの内の少なくと
も1りから戒る基本成分とLi Oと810□とから
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
また、特公昭61−14610号公報には、上記の特公
昭61−14609号公報におけるLi2Oとsio
の代りに、L120とSiO2とMO(但し、MOは
Bad、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とか
ら成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
昭61−14609号公報におけるLi2Oとsio
の代りに、L120とSiO2とMO(但し、MOは
Bad、CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とか
ら成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
また、特公昭61−14611号公報には、(Ba1<
−x Mx)OkTiO2(但し、MはMg、7.n、
Sr及びCaの少なくとも1種)から成る基本成分と、
B2O3とSiO2とから成る添加成分とを含む誘電体
磁器組成物が開示されている。
−x Mx)OkTiO2(但し、MはMg、7.n、
Sr及びCaの少なくとも1種)から成る基本成分と、
B2O3とSiO2とから成る添加成分とを含む誘電体
磁器組成物が開示されている。
また、特公昭62−1595号公報には、(Ba
M ) OT i 02 (但し、MはMg、Z−
xxk n、Sr及びCaの内の少なくとも1種)から戒る基本
成分と、B203とMO(但しMOはBaOlMgO,
ZnO1SrO及びCaOの少なくとも1種)とから、
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
M ) OT i 02 (但し、MはMg、Z−
xxk n、Sr及びCaの内の少なくとも1種)から戒る基本
成分と、B203とMO(但しMOはBaOlMgO,
ZnO1SrO及びCaOの少なくとも1種)とから、
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
また、特公昭62−1596号公報には、上記の特公昭
62−1595号公報の8203とMOの代りに、B2
03とSiO□とMO(但しMOはBad、MgO,Z
nO1SrO及びCaOの内の少なくとも1種〉とから
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
62−1595号公報の8203とMOの代りに、B2
03とSiO□とMO(但しMOはBad、MgO,Z
nO1SrO及びCaOの内の少なくとも1種〉とから
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
これらに開示されている誘電体磁器組成物は、還元性雰
囲気1200℃以下の条件の焼成で得ることができ、比
誘電率が2000以上、静電容量の温度変化率が一25
゛C〜+85℃で±10%の範囲にすることができるも
のである。
囲気1200℃以下の条件の焼成で得ることができ、比
誘電率が2000以上、静電容量の温度変化率が一25
゛C〜+85℃で±10%の範囲にすることができるも
のである。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、近年の電子回路の高密度化に伴い、積層コン
デンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
デンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気、1200℃
以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高い
誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の温
度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高い
誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の温
度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するための本発明は、誘電体磁器と、前
記磁器に接触している少なくとも2つの電極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器が100.0重量部
の基本成分と、0.01〜3.00重量部の第1の添加
成分と、0.2〜5゜0重量部の第2の添加成分とから
成り、前記基本成分が、(Ba(−x M、)ok’r
to2 (但し、MはMg、Znの内の少なくとも1種
の金属、kは1.00〜1.05、Xは、0.01〜0
.10の範囲内の数値〉であり、少なくとも1種の添加
成分がCr2O3とA I 203との内の少なくとも
1種の金属酸化物であり、前記第2の添加成分がB2O
3とSiO2とMO(但し、MOはBaO1SrO,C
ab、MgAl2O3の内の少なくとも1mの金属酸化
物)から代り、且つ前記B20 とSiO□と前記MO
との組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図にお
ける前記B2O3が1モル%、前記5lO2が80モル
%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記B2O3
が1モル%、前記SiO2が39モル%、前記MOが6
0モル%の点(B)と、前記B2O3が29モル%、S
iO□が1モル%、前記MOが70モル%の点(C)と
、前記B2O3が90モル%、前記SiO2が1モル%
、前記MOが9モル%の点(D)と、前記B2O3が9
0モル%、前記SiO2が9モル%、前記MOが1モル
%の点(E)と、前記B 203が19モル%、前記5
i02が80モル%、前記MOが1モル%の点(F)と
を順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであるコ
ンデンサに係わるものである。なお、基本成分を示す組
成式において、k−x、x、kは勿論それぞれの元素の
原子数を示し、Baはバリウム、0は酸素、Tiはチタ
ン、Mgはマグネシウム、Znは亜鉛である。第1の添
加成分のCr Oは酸化クロム、A l 203は酸
化アル3 ミニ゛ウムである。第2の添加成分におけるB2O3は
酸化ホウ素、SiO2は酸化けい素、BaOは酸化バリ
ウム、SrOは酸化ストロンチウム、CaOは酸化カル
シウム、MgOは酸化マグネシウム、ZnOは酸化亜鉛
である。
記磁器に接触している少なくとも2つの電極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器が100.0重量部
の基本成分と、0.01〜3.00重量部の第1の添加
成分と、0.2〜5゜0重量部の第2の添加成分とから
成り、前記基本成分が、(Ba(−x M、)ok’r
to2 (但し、MはMg、Znの内の少なくとも1種
の金属、kは1.00〜1.05、Xは、0.01〜0
.10の範囲内の数値〉であり、少なくとも1種の添加
成分がCr2O3とA I 203との内の少なくとも
1種の金属酸化物であり、前記第2の添加成分がB2O
3とSiO2とMO(但し、MOはBaO1SrO,C
ab、MgAl2O3の内の少なくとも1mの金属酸化
物)から代り、且つ前記B20 とSiO□と前記MO
との組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図にお
ける前記B2O3が1モル%、前記5lO2が80モル
%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記B2O3
が1モル%、前記SiO2が39モル%、前記MOが6
0モル%の点(B)と、前記B2O3が29モル%、S
iO□が1モル%、前記MOが70モル%の点(C)と
、前記B2O3が90モル%、前記SiO2が1モル%
、前記MOが9モル%の点(D)と、前記B2O3が9
0モル%、前記SiO2が9モル%、前記MOが1モル
%の点(E)と、前記B 203が19モル%、前記5
i02が80モル%、前記MOが1モル%の点(F)と
を順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであるコ
ンデンサに係わるものである。なお、基本成分を示す組
成式において、k−x、x、kは勿論それぞれの元素の
原子数を示し、Baはバリウム、0は酸素、Tiはチタ
ン、Mgはマグネシウム、Znは亜鉛である。第1の添
加成分のCr Oは酸化クロム、A l 203は酸
化アル3 ミニ゛ウムである。第2の添加成分におけるB2O3は
酸化ホウ素、SiO2は酸化けい素、BaOは酸化バリ
ウム、SrOは酸化ストロンチウム、CaOは酸化カル
シウム、MgOは酸化マグネシウム、ZnOは酸化亜鉛
である。
製造方法に係わる発明は、上記の基本成分と添加成分と
の混合物を用意する工程と、少なくとも2つの電極部分
を有する前記混合物の成形物を作る工程と、前記電極部
分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼成する工程
と、前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理
する工程とを含む磁器コンデンサの製造方法に係わるも
のである。
の混合物を用意する工程と、少なくとも2つの電極部分
を有する前記混合物の成形物を作る工程と、前記電極部
分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼成する工程
と、前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理
する工程とを含む磁器コンデンサの製造方法に係わるも
のである。
し作用効果]
上記発明の磁器コンデンサにおける誘電体磁器を非酸化
性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ることができる。
性雰囲気、1200℃以下の焼成で得ることができる。
従って、ニラゲル等の卑金属の導電性ペーストをグリー
ンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる。誘電体磁器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が3000以
上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρがl
X106MO・01以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が一55℃〜125℃で一15%〜+15%(25
℃を基準〉、−25℃〜85℃で10%〜+10%(2
0℃を基準〉の範囲に収まる誘電体磁器を備えたコンデ
ンサを提供することができる。
ンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる。誘電体磁器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が3000以
上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρがl
X106MO・01以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が一55℃〜125℃で一15%〜+15%(25
℃を基準〉、−25℃〜85℃で10%〜+10%(2
0℃を基準〉の範囲に収まる誘電体磁器を備えたコンデ
ンサを提供することができる。
[実施例コ
次に、本発明に従う実施例及び比較例について説明する
。
。
まず、本発明に従う基本成分の組成式
%式%
1のx、にの欄に示す割合で得るため、換言すれば、(
B a M ) OT i 02 、更に詳0
.96 0.06 1.02 48]4こは、M = MgO,05znO,01で
あるので、0.06 (Ba0.96Mgo、osZnO,01) 01.0
2T” 2を得るために、純度99.0%以上のB a
CO3〈炭酸バリウム) 、MgO(iR化マグネシ
ウム)、Zn0(酸化亜鉛〉、及びTiO□ く酸化チ
タン)を用意し、不純物を目方に入れないで BaC0:1044.09g(0,96モル部相当) MgO: 11.11g (0,05モル部相当)Zn
O:4.48g (0,01モル部相当)TiO2:4
40.32g <1.00モル部相当)を秤量した。
B a M ) OT i 02 、更に詳0
.96 0.06 1.02 48]4こは、M = MgO,05znO,01で
あるので、0.06 (Ba0.96Mgo、osZnO,01) 01.0
2T” 2を得るために、純度99.0%以上のB a
CO3〈炭酸バリウム) 、MgO(iR化マグネシ
ウム)、Zn0(酸化亜鉛〉、及びTiO□ く酸化チ
タン)を用意し、不純物を目方に入れないで BaC0:1044.09g(0,96モル部相当) MgO: 11.11g (0,05モル部相当)Zn
O:4.48g (0,01モル部相当)TiO2:4
40.32g <1.00モル部相当)を秤量した。
次に、秤量されたこれ等の原料をポットミル<1)ot
l1ill)に入れ、更にアルミナボールと水2゜5
1とを入れ、15時時間式攪拌した後、攪拌物をステン
レスポットに入れて熱風式乾燥器で150′C14時間
乾燥した0次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物を
トンネル炉にて大気中で1200℃、2時間仮焼し、上
記組成式の基本成分を得た。
l1ill)に入れ、更にアルミナボールと水2゜5
1とを入れ、15時時間式攪拌した後、攪拌物をステン
レスポットに入れて熱風式乾燥器で150′C14時間
乾燥した0次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物を
トンネル炉にて大気中で1200℃、2時間仮焼し、上
記組成式の基本成分を得た。
一方、第2表の試料Nα1の第2の添加成分を得るため
に、B2O3を0.99g (1モル部)と、S i
O2を68.38g (80モル部)と、BaCO3を
10.63g (3,8モル部)と、SrCO3を7.
98g (3,8モル部)と、CaCO3を5.41g
(3,8モル部)と、MgOを2.18g <3.8
モル部)と、ZnOを4.40g (3,8モル部)を
それぞれ秤量し、この混合物にアルコールを300cc
加え、ポリエチレンポットにてアルミナボールを用いて
10時間攪拌した後、大気中1000℃で2時間仮焼成
し、これを300ccの水と共にアルミナポットに入れ
、アルミナボールで15時間粉砕し、しかる後、150
℃で4時間乾燥させてB 203が1モル%、SiO2
が80モル%、MOが19モル%(Ba03.8モル%
+SrO3,8モル%+CaO3,8モル%+Mg03
.8モル%十ZnO3,8モル%〉の組成の添加成分の
粉末を得た。なお、MOの内容であるBaOとSrOと
CaOとMgOとZnOとの割合は第2表に示すように
いずれも20モル%となる。
に、B2O3を0.99g (1モル部)と、S i
O2を68.38g (80モル部)と、BaCO3を
10.63g (3,8モル部)と、SrCO3を7.
98g (3,8モル部)と、CaCO3を5.41g
(3,8モル部)と、MgOを2.18g <3.8
モル部)と、ZnOを4.40g (3,8モル部)を
それぞれ秤量し、この混合物にアルコールを300cc
加え、ポリエチレンポットにてアルミナボールを用いて
10時間攪拌した後、大気中1000℃で2時間仮焼成
し、これを300ccの水と共にアルミナポットに入れ
、アルミナボールで15時間粉砕し、しかる後、150
℃で4時間乾燥させてB 203が1モル%、SiO2
が80モル%、MOが19モル%(Ba03.8モル%
+SrO3,8モル%+CaO3,8モル%+Mg03
.8モル%十ZnO3,8モル%〉の組成の添加成分の
粉末を得た。なお、MOの内容であるBaOとSrOと
CaOとMgOとZnOとの割合は第2表に示すように
いずれも20モル%となる。
次に、100重量部(1000g)の基本成分に2重量
部(20g)の第2の添加成分を添加し、更に、第1の
添加成分として平均粒径が0.5μmでよく粒の揃った
純度99.0%以上のCr 203を0.1重量部(1
g)添加し、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン、縮合リン酸塩の水溶液から戊る有機バインダを
基本成分と第1及び第2の添加成分との合計重量に対し
て15重量%添加し、更に、50重量%の水を加え、こ
れ等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原料の
スラリーを作製した。
部(20g)の第2の添加成分を添加し、更に、第1の
添加成分として平均粒径が0.5μmでよく粒の揃った
純度99.0%以上のCr 203を0.1重量部(1
g)添加し、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン、縮合リン酸塩の水溶液から戊る有機バインダを
基本成分と第1及び第2の添加成分との合計重量に対し
て15重量%添加し、更に、50重量%の水を加え、こ
れ等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原料の
スラリーを作製した。
次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡し、この
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100℃に
加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シート
を得た。このシートは長尺なものであるが、これをl0
CI角の正方形に裁断して使用する。
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100℃に
加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シート
を得た。このシートは長尺なものであるが、これをl0
CI角の正方形に裁断して使用する。
一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均1.5μ
mのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0.9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、10時間攪拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ14−1@7圓のパターンを50個有
するスクリーンを介して上記未焼結磁器シートの片開に
印刷した後、これを乾燥させた。
mのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0.9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、10時間攪拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ14−1@7圓のパターンを50個有
するスクリーンを介して上記未焼結磁器シートの片開に
印刷した後、これを乾燥させた。
次に、上記印刷面を上にして未焼結磁器シートを2枚積
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した6次いで
、この積層物を約50℃の温度−で厚さ方向に約40ト
ンの荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を
格子状に裁断し、50個の積層チップを得た。
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した6次いで
、この積層物を約50℃の温度−で厚さ方向に約40ト
ンの荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を
格子状に裁断し、50個の積層チップを得た。
次に、この積層体を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、大気
雰囲気中で100℃/hの速度で600℃まで昇温して
、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気を
大気からH2(2体積%)+N2 (98体積%)の雰
囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気と
した状態を保って、積層体加熱温度を600℃から焼結
温度の1150℃まで、100℃/hの速度で昇温して
1150℃(最高温度)を3時間保持した後、100℃
/hの速度で600’Cまで降温し、雰囲気を大気雰囲
気〈酸化性雰囲気〉におきかえて、600℃を30分間
保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して積
層焼結体チップを作製した。
雰囲気中で100℃/hの速度で600℃まで昇温して
、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気を
大気からH2(2体積%)+N2 (98体積%)の雰
囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気と
した状態を保って、積層体加熱温度を600℃から焼結
温度の1150℃まで、100℃/hの速度で昇温して
1150℃(最高温度)を3時間保持した後、100℃
/hの速度で600’Cまで降温し、雰囲気を大気雰囲
気〈酸化性雰囲気〉におきかえて、600℃を30分間
保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して積
層焼結体チップを作製した。
次に、第1図に示す積層磁器コンデンサ10を得るため
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部@[!14と
から成る積層焼結体チップ15に一対の外部tf#11
6を形成した。なお、外部を極16は、電極が露出する
焼結体チップ15の側面に亜鉛とガラスフリット(gl
as frit)とビヒクル(vehicle)とか
ら成る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中
で550℃の温度で15分間焼付け、亜鉛電極層18を
形成し、更にこの上に無電解メツキで法で銅層20を形
成し、更にこの上に電気メツキ法でpb−sn半田層2
2を設けたものから戒る。
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部@[!14と
から成る積層焼結体チップ15に一対の外部tf#11
6を形成した。なお、外部を極16は、電極が露出する
焼結体チップ15の側面に亜鉛とガラスフリット(gl
as frit)とビヒクル(vehicle)とか
ら成る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中
で550℃の温度で15分間焼付け、亜鉛電極層18を
形成し、更にこの上に無電解メツキで法で銅層20を形
成し、更にこの上に電気メツキ法でpb−sn半田層2
2を設けたものから戒る。
このコンデンサ10の誘電体磁器層12の厚さは0.0
2m+、一対の内部電極14の対向面積は5間×5間=
2511f12である。なお、焼結後の磁器112の組
成は、焼結前の基本成分と添加成分との混合組成と実質
的に同じである。
2m+、一対の内部電極14の対向面積は5間×5間=
2511f12である。なお、焼結後の磁器112の組
成は、焼結前の基本成分と添加成分との混合組成と実質
的に同じである。
次に、コンデンサ10の電気特性を測定し、その平均値
を求めたところ、第3表に示す如く、比誘電率ε、が3
820.tanδが1.1%、抵抗率ρが3.9X10
6MΩ・cl、25℃の静電容量を基準にした一55℃
及び+125℃の静電容量の変化率ΔC−55、ΔC1
□5が−10,9%、+3.7%、20℃の静電容量を
基準にした一25℃、+85℃の静電容量の変化率ΔC
、Δ25 C85は−5,1%、−6,2%であった。
を求めたところ、第3表に示す如く、比誘電率ε、が3
820.tanδが1.1%、抵抗率ρが3.9X10
6MΩ・cl、25℃の静電容量を基準にした一55℃
及び+125℃の静電容量の変化率ΔC−55、ΔC1
□5が−10,9%、+3.7%、20℃の静電容量を
基準にした一25℃、+85℃の静電容量の変化率ΔC
、Δ25 C85は−5,1%、−6,2%であった。
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
(A) 比誘電率ε、は、温度20℃、周波数1 k
Hz、電圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を測定
し、この測定値一対の内部電極14の対向面積25關2
と一対の内部電極14間の磁器層12の厚さ0.02a
uaから計算で求めた。
Hz、電圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を測定
し、この測定値一対の内部電極14の対向面積25關2
と一対の内部電極14間の磁器層12の厚さ0.02a
uaから計算で求めた。
(B) 誘電体損失tanδ(%)は比誘電率と同一
条件で測定した。
条件で測定した。
(C) 抵抗率p<MΩ・cll)は、温度20’C
においてDClooVを1分間印加した後に一対の外部
電極16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。
においてDClooVを1分間印加した後に一対の外部
電極16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。
<D) 静電容量の温度特性は、恒温槽の中に試料を
入れ、−55℃、−25℃、0℃、+20℃、25℃、
+40℃、+60℃、+85℃、+105℃、+125
℃の各温度において、周波数1 kHz、電圧(実効値
)1.OVの条件で静電容量を測定し、20″C及び2
5℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求
めることによって得た。
入れ、−55℃、−25℃、0℃、+20℃、25℃、
+40℃、+60℃、+85℃、+105℃、+125
℃の各温度において、周波数1 kHz、電圧(実効値
)1.OVの条件で静電容量を測定し、20″C及び2
5℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求
めることによって得た。
以上、試料11QIの作製方法及びその特性について述
べたが、試料11Q2〜100についても、基本成分及
び添加成分の組成、これ等の割合、及び還元性雰囲気で
の焼成温度を第1表〜第3表に示すように変えた池は、
試料馳1と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作製
し、同一方法で電気的特性を測定した。
べたが、試料11Q2〜100についても、基本成分及
び添加成分の組成、これ等の割合、及び還元性雰囲気で
の焼成温度を第1表〜第3表に示すように変えた池は、
試料馳1と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作製
し、同一方法で電気的特性を測定した。
第1表は、それぞれの試料の基本成分と第1の添加成分
との組成及び第2の添加成分の添加量を示し、第2表は
それぞれの試料の第2の添加成分の組成を示し、第3表
はそれぞれの試料の焼成温度、及び電気的特性を示す、
なお、第1表の基本成分の欄のx、には組成式の各元素
の原子数、即ちTiの原子数をlとした場合の各元素の
原子数の割合を示す、Xの欄のMg、Znは、一般式の
Mの内容を示し、これ等の欄にはこれ等の原子数が示さ
れ、この合計の欄にはこれ等の合計値(X値)が示され
ている。第1及び第2の添加成分の添加量は基本成分1
00重量部に対する重量部で示されている。第2表の第
2の添加成分のMOの内容の潤には、BaO1Mg01
ZnO,5rO5CaOの割合がモル%で示されている
。第3表において、静電容量の温度特性は、25℃の静
電容量を基準にした一55℃及び+125℃の静電容量
変化率ΔC(%)及びΔC(%)と、−55125 20℃の静電容量を基準にした一25℃及び+85℃の
静電容量変化率ΔC(%)及びΔC8525 〈%〉で示されている。
との組成及び第2の添加成分の添加量を示し、第2表は
それぞれの試料の第2の添加成分の組成を示し、第3表
はそれぞれの試料の焼成温度、及び電気的特性を示す、
なお、第1表の基本成分の欄のx、には組成式の各元素
の原子数、即ちTiの原子数をlとした場合の各元素の
原子数の割合を示す、Xの欄のMg、Znは、一般式の
Mの内容を示し、これ等の欄にはこれ等の原子数が示さ
れ、この合計の欄にはこれ等の合計値(X値)が示され
ている。第1及び第2の添加成分の添加量は基本成分1
00重量部に対する重量部で示されている。第2表の第
2の添加成分のMOの内容の潤には、BaO1Mg01
ZnO,5rO5CaOの割合がモル%で示されている
。第3表において、静電容量の温度特性は、25℃の静
電容量を基準にした一55℃及び+125℃の静電容量
変化率ΔC(%)及びΔC(%)と、−55125 20℃の静電容量を基準にした一25℃及び+85℃の
静電容量変化率ΔC(%)及びΔC8525 〈%〉で示されている。
第1表〜第3表から明らかな如く、本発明に従う試料で
は、非酸化性雰囲気、1200℃以下のMΩ・C11以
上、静電容量の温度変化率ΔC−55及びΔCが−15
%〜+15%、ΔC125及び25 ΔC85は一10%〜+10%の範囲となり、所望特性
のコンデンサを得ることが出来る。一方、試料NQ7〜
10,26.31.32.37.38.46.47.5
5.56.64〜68.73.74.78.79.89
〜92.99.100では本発明の目的を達成すること
ができない、従って、これ等は本発明の範囲外のもので
ある。
は、非酸化性雰囲気、1200℃以下のMΩ・C11以
上、静電容量の温度変化率ΔC−55及びΔCが−15
%〜+15%、ΔC125及び25 ΔC85は一10%〜+10%の範囲となり、所望特性
のコンデンサを得ることが出来る。一方、試料NQ7〜
10,26.31.32.37.38.46.47.5
5.56.64〜68.73.74.78.79.89
〜92.99.100では本発明の目的を達成すること
ができない、従って、これ等は本発明の範囲外のもので
ある。
第3表にはΔC1、ΔC125、ΔC−25、Δ5
Cのみが示されているが、本発明の範囲に属す5
る試料の一25℃〜+85°Cの範囲の種々の静電容量
の変化率へ〇は、−10%〜+10%の範囲に収まり、
また、−55℃〜+125℃の範囲の種々の静電容量の
変化率ΔCは、−15%〜+15%の範囲に収まってい
る。
の変化率へ〇は、−10%〜+10%の範囲に収まり、
また、−55℃〜+125℃の範囲の種々の静電容量の
変化率ΔCは、−15%〜+15%の範囲に収まってい
る。
次に、組成の限定理由について述べる。
Xの値が、試料11Q38.47.56に示す如く、零
の場合には、ΔC−55が一15%〜+15%の範囲外
となるが、試料NQ39.40.48.49.57.5
8に示す如く、Xの値が0.01の場合には、所望の電
気的特性を得ることができる。従って、Xの値の下限は
0.01である。一方、試料間46.55.64.65
.66.67に示す如く、Xの値が0.12の場合には
、Δc85が一10%〜+10%の範囲外となるが、試
料NQ44.45.52.53.54.61.62.6
3に示す如く、Xの値が0.10の場合には、所望の電
気的特性を得ることができる。従って、Xの値の上限は
0.10である。なお、M成分のMgとZnとはほぼ同
様に働き、これ等から選択された1つを使用しても、又
は複数を使用しても同様な結果が得られる。そして、M
成分の1種又は複数種の何れの場合においてもXの値を
0.01〜0゜10の範囲にすることが望ましい。
の場合には、ΔC−55が一15%〜+15%の範囲外
となるが、試料NQ39.40.48.49.57.5
8に示す如く、Xの値が0.01の場合には、所望の電
気的特性を得ることができる。従って、Xの値の下限は
0.01である。一方、試料間46.55.64.65
.66.67に示す如く、Xの値が0.12の場合には
、Δc85が一10%〜+10%の範囲外となるが、試
料NQ44.45.52.53.54.61.62.6
3に示す如く、Xの値が0.10の場合には、所望の電
気的特性を得ることができる。従って、Xの値の上限は
0.10である。なお、M成分のMgとZnとはほぼ同
様に働き、これ等から選択された1つを使用しても、又
は複数を使用しても同様な結果が得られる。そして、M
成分の1種又は複数種の何れの場合においてもXの値を
0.01〜0゜10の範囲にすることが望ましい。
kの値が、試料NQ68.74に示す如く、1.0より
も小さい場合には、ρがlX106MΩ・cm未満とな
り、大幅に低くなるが、試料NQ69.75に示す如く
、kの値がi、ooの場合には、所望の電気的特性が得
られる。従って、kの値の下限は1.00である。一方
、kの値が、試料間73.78に示す如く、1.05よ
り大きい場合には緻密な焼結体が得られないが、試料間
72.77に示す如く、kの値が1.05の場合には所
望の電気的特性が得られる。従って、kの値の上限は1
.05である。
も小さい場合には、ρがlX106MΩ・cm未満とな
り、大幅に低くなるが、試料NQ69.75に示す如く
、kの値がi、ooの場合には、所望の電気的特性が得
られる。従って、kの値の下限は1.00である。一方
、kの値が、試料間73.78に示す如く、1.05よ
り大きい場合には緻密な焼結体が得られないが、試料間
72.77に示す如く、kの値が1.05の場合には所
望の電気的特性が得られる。従って、kの値の上限は1
.05である。
第1の添加成分であるCr2O3及び/又はAl2O3
の添加量が試料NQ79.92に示す如く零の場合は、
ΔC−55が一15%以下となるが、試料N1181.
93.94に示す如く添加量が100′!jL量部の基
本成分に対して0.01重量部の場合には所望の特性を
得ることができる。従って第1の添加成分の下限は0.
01である。一方、試料間89.90.91.99.1
00に示す如く添加1が3.10等の様に3.0重量部
よりも多い場合には1250℃で焼成しても緻密な焼結
体が得られないが、試料11Q86.87.88.98
に示す如く添加量が3.0重量部の場合には所望の特性
を得ることができる。従って第1の添加成分の上限は3
.0重量部である。なお、第1の添加成分のCr O
とAl2O3とはほぼ同様に3 働き、これ等から選択された1つを使用しても、又は複
数を使用しても同様な結果が得られる。そして、第1の
添加成分が1種又は複数種の何れの場合に於いても、添
加量は0.01〜3.0の範囲にすることが望ましい、
なお、この第1の添加成分は、静電容量の温度特性の改
善に寄与する。
の添加量が試料NQ79.92に示す如く零の場合は、
ΔC−55が一15%以下となるが、試料N1181.
93.94に示す如く添加量が100′!jL量部の基
本成分に対して0.01重量部の場合には所望の特性を
得ることができる。従って第1の添加成分の下限は0.
01である。一方、試料間89.90.91.99.1
00に示す如く添加1が3.10等の様に3.0重量部
よりも多い場合には1250℃で焼成しても緻密な焼結
体が得られないが、試料11Q86.87.88.98
に示す如く添加量が3.0重量部の場合には所望の特性
を得ることができる。従って第1の添加成分の上限は3
.0重量部である。なお、第1の添加成分のCr O
とAl2O3とはほぼ同様に3 働き、これ等から選択された1つを使用しても、又は複
数を使用しても同様な結果が得られる。そして、第1の
添加成分が1種又は複数種の何れの場合に於いても、添
加量は0.01〜3.0の範囲にすることが望ましい、
なお、この第1の添加成分は、静電容量の温度特性の改
善に寄与する。
即ち、第1の添加成分の添加によって一55°C〜12
5℃の範囲での静電容量の温度変化率ΔC−55〜ΔC
1□5を一15%〜+15%の範囲に容易に収めること
が可能になると共に、−25°C〜85℃の範囲での静
電容量の温度変化率ΔC−25〜ΔC85を一10%〜
+10%の範囲に容易に収めることが可能になり、且つ
各温度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を小
さくすることができる。また、第1の添加成分は抵抗率
ρを太きくする作用を若干有する。
5℃の範囲での静電容量の温度変化率ΔC−55〜ΔC
1□5を一15%〜+15%の範囲に容易に収めること
が可能になると共に、−25°C〜85℃の範囲での静
電容量の温度変化率ΔC−25〜ΔC85を一10%〜
+10%の範囲に容易に収めることが可能になり、且つ
各温度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を小
さくすることができる。また、第1の添加成分は抵抗率
ρを太きくする作用を若干有する。
第2の添加成分の添加量が零の場合には、試料NQ26
.32から明らかな如く、焼成温度が1250℃であっ
ても緻密な焼結体が得られないが、試料NQ27.33
に示す如く、添加量が100重量部の基本成分に対して
0.2重量部の場合には、1190℃の焼成で所望の電
気的特性を、有する焼結体が得られる。従って、第2の
添加成分の下限は0.2重量部である。一方、試料NO
,31,37に示す如く、第2の添加成分の添加量が7
.0重量部の場合には、ε が3000未満となり、更
にΔCあるいはΔC125が一15%〜+1555 %の範囲外となるが、試料NQ30.36に示す如く、
添加量が5.0重量部の場合には所望特性を得ることが
できる。従って、添加量の上限は5゜0重量部である。
.32から明らかな如く、焼成温度が1250℃であっ
ても緻密な焼結体が得られないが、試料NQ27.33
に示す如く、添加量が100重量部の基本成分に対して
0.2重量部の場合には、1190℃の焼成で所望の電
気的特性を、有する焼結体が得られる。従って、第2の
添加成分の下限は0.2重量部である。一方、試料NO
,31,37に示す如く、第2の添加成分の添加量が7
.0重量部の場合には、ε が3000未満となり、更
にΔCあるいはΔC125が一15%〜+1555 %の範囲外となるが、試料NQ30.36に示す如く、
添加量が5.0重量部の場合には所望特性を得ることが
できる。従って、添加量の上限は5゜0重量部である。
第2の添加成分の好ましい組成は、第2図のB2B20
3−8tO2−の組成比を示す三角図に基づいて決定す
ることができる。三角図の第1の点(A)は、試料11
QIのB 203が1モル%、SiO2が80モル%、
MOが19モル%の組成を示し、第2の点(B)は、試
料NQ2のB2O3が1モル%、SiO2が39モル%
、MOが60モル%の組成を示し、第3の点(C)は、
試料馳3のB2O3が29モル%、S iO2が1モル
%、MOが70モル%の組成を示し、第4の点(D)は
、試料NQ4のB2O3が90モル%、SiO2が1モ
ル%、MOが9モル%の組成を示し、第5の点(E)は
、試料NQ5の8203が90モル%、SiO2が9モ
ル%、MOが1モル%の組成を示し、第6の点(F)は
試料NQ6の8203が19モル%、SiO2が80モ
ル%、MOが1モル%の組成を示す。
3−8tO2−の組成比を示す三角図に基づいて決定す
ることができる。三角図の第1の点(A)は、試料11
QIのB 203が1モル%、SiO2が80モル%、
MOが19モル%の組成を示し、第2の点(B)は、試
料NQ2のB2O3が1モル%、SiO2が39モル%
、MOが60モル%の組成を示し、第3の点(C)は、
試料馳3のB2O3が29モル%、S iO2が1モル
%、MOが70モル%の組成を示し、第4の点(D)は
、試料NQ4のB2O3が90モル%、SiO2が1モ
ル%、MOが9モル%の組成を示し、第5の点(E)は
、試料NQ5の8203が90モル%、SiO2が9モ
ル%、MOが1モル%の組成を示し、第6の点(F)は
試料NQ6の8203が19モル%、SiO2が80モ
ル%、MOが1モル%の組成を示す。
本発明の範囲に属する試料の添加成分の組成は三角図の
第1〜6の点(A)〜(F)を順に結ぶ6本の直線で囲
まれた領域内の組成になっている。
第1〜6の点(A)〜(F)を順に結ぶ6本の直線で囲
まれた領域内の組成になっている。
この領域内の組成とすれば、所望の電気的特性を得るこ
とができる。一方、試料NQ7〜lOのように、第2の
添加成分の組成が本発明で特定した範囲外となれば、緻
密な焼結体を得ることができない、なお、MO酸成分例
えば試料81117〜21に示す如<BaOlMgO,
ZnO1SrO1CaOのいずれか1つであってもよい
し、又は他の試料で示すように適当な比率としてもよい
。
とができる。一方、試料NQ7〜lOのように、第2の
添加成分の組成が本発明で特定した範囲外となれば、緻
密な焼結体を得ることができない、なお、MO酸成分例
えば試料81117〜21に示す如<BaOlMgO,
ZnO1SrO1CaOのいずれか1つであってもよい
し、又は他の試料で示すように適当な比率としてもよい
。
[変形例]
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
(a) 基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲で微量のMn07(好ましくは0.05〜0.1重
量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよい
、tた、その他の物質を必要に応じて添加してもよい。
範囲で微量のMn07(好ましくは0.05〜0.1重
量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよい
、tた、その他の物質を必要に応じて添加してもよい。
(b) 出発原料を、実施例で示したもめ以外の酸化
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
(c) 焼成時の非酸化性雰囲気での処理の後の酸化
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温度より
も低い温度(好ましくは500℃〜1000℃の範囲)
としてもよい、即ち、ニッケル等の電極材料と磁器の酸
化とを考慮して種々変更することが可能である。
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温度より
も低い温度(好ましくは500℃〜1000℃の範囲)
としてもよい、即ち、ニッケル等の電極材料と磁器の酸
化とを考慮して種々変更することが可能である。
(d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、ti材料を
考慮して種々変えることができる。ニッケルを内部電極
とする場合には、1050℃〜1200℃の範囲で二ヴ
ゲル粒子の凝集がほとんど生じない。
考慮して種々変えることができる。ニッケルを内部電極
とする場合には、1050℃〜1200℃の範囲で二ヴ
ゲル粒子の凝集がほとんど生じない。
(e) 焼結を中性雰囲気で行ってもよい。
(f) 積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層の磁
器コンデンサにも勿論適用可能である。
器コンデンサにも勿論適用可能である。
第1図は本発明の実施例に係わる積層型磁器コンデンサ
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図である。 12・・・磁器層、14・・・内部電極、16・・・外
部電極。
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図である。 12・・・磁器層、14・・・内部電極、16・・・外
部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1] 誘電体磁器と、前記磁器に接触している少なく
とも2つの電極とから成る磁器コンデンサにおいて、 前記磁器が100.0重量部の基本成分と、0.01〜
3.00重量部の第1の添加成分と、0.2〜5.0重
量部の第2の添加成分とから成り、 前記基本成分が、 (Ba_k_−_x M_x)O_kTiO_2(但し
、MはMg、Znの内の少なくとも1種の金属、 kは1.00〜1.05、 xは0.01〜0.10の範囲内の数値)であり、 前記第1の添加成分がCr_2O3とAl_2O_3の
内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記第2の添
加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し、MO
はBaO、SrO、CaO、MgO及びZnOの内の少
なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前記B_2
O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成範囲がこれ
等の組成をモル%で示す三角図における 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記B_2
O_3が1モル%、前記SiO_2が39モル%、前記
MOが60モル%の点(B)と、前記B_2O_3が2
9モル%、前記SiO_2が1モル%、前記MOが70
モル%の点(C)と、前記B_2O_3が90モル%、
前記SiO_2が1モル%、前記MOが9モル%の点(
D)と、前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_
2が9モル%、前記MOが1モル%の点(E)と、前記
B_2O_3が19モル%、前記SiO_2が80モル
%、前記MOが1モル%の点(F) を順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであるこ
とを特徴とするコンデンサ。 [2]100.0重量部の基本成分と、0.01〜3.
00重量部の第1の添加成分と、0.2〜5.0重量部
の第2の添加成分とから成り、前記基本成分が、 (Ba_k_−_xM_x)O_kTiO_2(但し、
MはMg、Znの内の少なくとも1種の金属、kは1.
00〜1.05、Xは0.01〜0.10の範囲内の数
値)であり、前記第1の添加成分がCr_2O_3とA
l_2O_3の内の少なくとも1種の金属酸化物であり
、前記第2の添加成分がB_2O_3とSiO_2とM
O(但し、MOはBaO、SrO、CaO、MgO及び
ZnOの内の少なくとも1種の金属酸化物)から成り、
且つ前記B_2O_3と前記SiO_2と前記MOとの
組成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図における
前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記B_2
O_3が1モル%、前記SiO_2が39モル%、前記
MOが60モル%の点(B)と、前記B_2O_3が2
9モル%、前記SiO_2が1モル%、前記MOが70
モル%の点(C)と、前記B_2O_3が90モル%、
前記SiO_2が1モル%、前記MOが9モル%の点(
D)と、前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_
2が9モル%、前記MOが1モル%の点(E)と、前記
B_2O_3が19モル%、前記SiO_2が80モル
%、前記MOが1モル%の点(F)とを順に結ぶ6本の
直線で囲まれた領域内のものであることを特徴とする混
合物を用意する工程と、 少なくとも2つの電極部分を有する前記混合物の成形物
を作る工程と、 前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼
成する工程と、 前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理する
工程と を含む磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283709A JPH03145113A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| EP90120256A EP0425970B1 (en) | 1989-10-31 | 1990-10-22 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
| US07/601,945 US5051863A (en) | 1989-10-31 | 1990-10-22 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
| DE69009000T DE69009000T2 (de) | 1989-10-31 | 1990-10-22 | Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung. |
| KR1019900017530A KR930004740B1 (ko) | 1989-10-31 | 1990-10-31 | 자기콘덴서 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283709A JPH03145113A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145113A true JPH03145113A (ja) | 1991-06-20 |
| JPH0525374B2 JPH0525374B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=17669067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1283709A Granted JPH03145113A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03145113A (ja) |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1283709A patent/JPH03145113A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0525374B2 (ja) | 1993-04-12 |
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