JPH08102016A

JPH08102016A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH08102016A
Application number: JP21649795A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Nakamura; 和男中村; Toshiya Suzuki; 利弥鈴木; Hisashi Miyaji; 永宮路; Hirofumi Mochizuki; 広文望月; Toshiharu Suzuki; 敏晴鈴木; Toshiyuki Koketsu; 敏幸纐纈
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 1994-08-05
Filing date: 1995-08-03
Publication date: 1996-04-16

Abstract

(57)【要約】【課題】下部シールド層の側面で段差をなくし、その
後の所定層を高精度、高品質に形成することのできる薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること【解決手段】基板１の表面全面に基板保護層２を形成
し（図（Ａ））、その基板保護層の表面に形成した下部
シールド層用膜３´の表面に露光現像によりレジスト２
０を形成した状態でイオンミルを行ない所定形状の下部
シールド層３を形成する（図（Ｂ））。次いで、基板保
護層，下部シールド層を覆うようにして、その全面に所
定の材料を成膜する（図（Ｃ））。この状態で、その表
面を平坦化して下部シールド層の表面と面一の表面から
なる補助保護層２１を形成する（図（Ｄ））。その後所
定パターンの層を順次積層形成するが、下部シールド層
の側面で段差がないため、非常に薄い層を形成するため
に全面に成膜してもその下部シールド層の側面で切断な
どされずに、所望の層が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関するもので、特に、下部シールド層の形成
プロセスの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＭＲ素子を用いた複合型の薄膜磁気ヘッ
ドの典型的な製造プロセスには次のような工程が含まれ
ている。図９に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃ＴｉＣからなる
基板１の表面全面にＡｌ₂Ｏ₃からなる基板保護層２を
形成し、その基板保護層２の表面全面に真空成膜法等Ｆ
ｅＮまたはＦｅＡｌＳｉからなる所定形状の下部シール
ド層用膜３´を形成する。次いで、フォトレジストＭ等
をマスクとして所定部位を覆い、イオンミルにより露出
した成膜を除去することにより所定形状（マスクＭと同
形状）の下部シールド層３が形成される。

【０００３】この後は、下部シールド層３の表面全面に
Ａｌ₂Ｏ₃からなる下部ギャップ層を形成し、その下部
ギャップ層と下部シールド層３の積層膜を所定形状にパ
ターニングし、さらにその上にＭＲ素子や中間ギャップ
層、引き出し配線層、上部ギャップ層などを積層的に順
次造り込んでいく。

【０００４】その具体例を示すと図１０〜図１２に示す
ように、上記のようにして形成された熱処理後の下部シ
ールド層３の上にＡｌ₂Ｏ₃膜よりなる下部ギャップ層
４、ＮｉＦｅＲｈ，Ｔａ，ＮｉＦｅ膜よりなるリード素
子積層部５、Ａｌ₂Ｏ₃膜よりなる中間ギャップ層６、
ＮｉＦｅ，ＦｅＭｎ，Ｔａ，Ｗ膜，または、ＣｏＣｒＰ
ｔ，Ｗ，Ｔａ膜よりなる引出し線積層部７、Ａｌ₂Ｏ₃
膜よりなる上部ギャップ層８、ＮｉＦｅ膜よりなる上部
シールド層９、Ａｌ₂Ｏ₃膜よりなるライトギャップ層
１０、熱硬化させたフォトレジスト膜よりなる下部絶縁
層１１、Ｃｕ膜よりなるコイル層１２、熱硬化させたフ
ォトレジスト膜よりなる上部絶縁層１３、ＮｉＦｅ膜よ
りなる上部磁極層１４、Ｃｕ膜よりなる端子盛り上げ層
１５、Ａｌ₂Ｏ₃膜よりなる加工保護膜（図示せず）、
Ａｕ膜よりなる端子層１７を順次積層することにより薄
膜磁気ヘッドが製造される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法では、以下に示す問題を有している。
すなわち、上記各層、より具体的には下部シールド層３
のように、全面に成膜後フォトレジストにより必要部分
をマスクした後イオンミルにより不要部分を除去するこ
とにより所定のパターン形状に形成される層の側面は、
基板１の平面に対して９０度で立ち上がった垂直壁とな
っている。

【０００６】すると、下部シールド層３の上方には、上
記のごとく多数の各層が積層配置され、そのうちの所定
層を製造する際には、下部シールド層３と同様に、全面
に成膜した後、所定パターンのフォトレジストでマスク
するとともにイオンミルなどで不要部分を除去すること
により形成する。しかし、基板保護層２の表面と下部シ
ールド層３の表面とは、上記垂直壁により急激な段差が
形成されているため、本来全面に均一に成膜すべきとこ
ろ、当該部分で窪みを生じてしまい、上方の層になるほ
どその段差の程度は大きくなるため、連続した成膜を形
成することができなくなる。また、リード素子積層部５
のように膜厚の非常に薄い層の場合には、全面に形成す
る成膜の厚さも薄いために、上記窪みを吸収できず、高
品質高精度に形成することができなくなる。

【０００７】さらにＭＲ層のように非常薄い膜を形成す
る場合には、使用するレジストも例えば０．５μｍ程度
となり、下部シールド層３の厚さ（約２μｍ）に比べて
も非常に薄くなる。すると、ＭＲ層形成に先だち全面に
レジストを塗布すると、その下部シールド層３の側縁の
立上がり部分でレジストの塗れ性が悪くなり、均一にレ
ジスト塗布ができないばかりか、部分的にレジストがつ
かず孔部が発生するおそれがある。そして、係る孔部が
形成された部分が本来ＭＲ層を形成しない部分である
と、その後のＭＲ膜のスパッタにより当該不要部分にも
ＭＲ膜が形成されてしまい、不良品となるので歩留まり
が低下する。

【０００８】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、下部シールド層の側面をできるだけ緩やかな傾斜
面としたり、或いは下部シールド層の側面で段差をなく
すことができ、その後の所定層を高精度、高品質に形成
することのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法（第１の
発明）では、基板の表面全面に基板保護層を形成し、そ
の基板保護層の表面所定位置に所定形状の下部シールド
層を形成し、前記基板保護層及び下部シールド層を覆う
ようにして、その全面に所定の材料を成膜するととも
に、その表面を平坦化して前記下部シールド層の表面と
面一の表面からなる補助保護層を形成し、その後所定パ
ターンの層を順次積層形成するようにした（請求項
１）。

【００１０】そして好ましくは、前記基板保護層の上に
前記下部シールド層を形成するに際し、最終製品で要求
される膜厚よりも厚く形成しておき、前記平面化処理の
際に、前記成膜とともに前記下部シールド層の上方部位
を除去することにより、前記下部シールド層及び前記補
助保護層の膜厚を所望の厚さに形成することである（請
求項２）。

【００１１】また別の解決手段（第２の発明）として
は、基板の表面全面に基板保護層を形成し、その基板保
護層の所定部位に下部シールド層と略同一形状の穴部を
形成し、次いでその穴部内に所定材料を成膜することに
より下部シールド層を形成し基板表面を平坦に加工す
る。その後所定パターンの層を順次積層形成するように
してもよい（請求項３）。

【００１２】さらに別の解決手段（第３の発明）として
は、基板の表面全面に基板保護層を形成し、その基板保
護層の全面に、下部シールド層用膜を成膜するととも
に、その下部シールド層用膜の表面に露光・現像により
所定形状のレジストを形成し、次いで、熱処理をして前
記レジストを熱硬化させてその側面を傾斜させ、その状
態でイオンミルにより前記下部シールド層用膜の露出部
位を除去するとともに、少なくとも前記レジストの傾斜
した側面の先端側に覆われている部位の表面から所定深
さ部分を除去することにより、側面が所定角度に傾斜し
た下部シールド層を形成し、その後所定パターンの層を
順次積層形成するようにしてもよい（請求項４）。

【００１３】そして、上記請求項４において露光現像し
て所定パターンのレジストを形成後、熱処理する前に再
度フラッド露光を行い少なくとも前記レジストの全面を
再露光すると、その後請求項４と同一条件で熱処理を行
ってもレジストの側面の傾斜角度が小さくなり、より傾
斜角度の小さい下地シールド層が形成されるので好まし
い（請求項５）。ここでフラッド露光とは、通常のパタ
ーンニングを行う際のマスクを用いることなく、全面に
照射する露光のことをいう。

【００１４】上記した各発明の作用について説明する
と、第１の発明では、通常の方法により下部シールド層
まで形成する。従って、下部シールド層の側面は、従来
通りほぼ垂直壁となる。そして、この下部シールド層を
覆うようにして基板保護層の表面全面に所定材料からな
る成膜がされる。その後、この成膜された表面を機械加
工などにより削って平面化し、先に形成した下部シール
ド層を露出させるとともに、その露出した表面と補助保
護層の表面を面一にする。よって、下部シールド層の側
面で段差を生じない。以後、従来と同様の処理を行い、
下部シールド層の上に順次所定パターンの層を形成する
ことにより複合型の磁気ヘッドが製造される。そして、
上記のように下部シールド層の側面で段差を生じていな
いため、超薄膜のリード素子積層部を含めた各層が、高
品質，高性能に形成される。

【００１５】第２の発明では、従来と同様の方法により
基板保護層を製造した後、その基板保護層の表面に所定
の穴部を形成し、穴部内に所定材料を成膜することによ
り下部シールド層を形成する。すなわち、従来では基板
保護層の上に下部シールド層を形成していたが、基板保
護層内に下部シールド層を形成するようにした。これに
より、下部シールド層と基板保護層の表面とは面一にな
り、下部シールド層の側面で段差を生じない。

【００１６】一方、第３の発明では、従来と同様に基板
保護層の上面全面に所定の材料を成膜し下部シールド層
用膜を形成する。この後、露光現像処理により所定パタ
ーンのレジストを形成する。従来であれば、この状態で
イオンミルにより下部シールド層用膜のうち露出した部
分を除去するのであるが、本発明ではそれに先立ち熱処
理をして、レジストをポストベークする。すると、レジ
ストは熱硬化してその側面は傾斜面となる。この後、イ
オンミルを行なう。

【００１７】すると、レジストで覆われていない下部シ
ールド層用膜は、イオンミル開始当初から削られて除去
される。またレジストもイオンミルにより徐々に削りと
られるため、膜厚の薄い先端部ではイオンミル終了前に
レジストが完全に除去されてしてまい、当初覆われてい
た下部シールド層用膜が露出する。よって、その後継続
してイオンミルが行なわれることにより、新たに露出し
た下部シールド層用膜もイオンミルにより削られる。そ
して、レジストの側面が傾斜しているため、時間経過に
ともない徐々にその先端側から完全に除去されて下方に
位置する下部シールド層用膜が露出していく。

【００１８】すると、下部シールド層の上面と基板保護
層の上面とは、下部シールド層の傾斜した側面によって
なだらかな連続面となり、その後に各層を形成する際に
は、係る側面で大きく窪んだり、切断されたりすること
なく全面になだらかに連続した成膜を形成することがで
きる。

【００１９】さらに請求項５のように熱処理（ポストベ
ーク）する前にレジストに対して再露光すると、熱処理
することにより傾斜する側面の傾斜角度がより小さくな
る。よって、その後に行うイオンミルにより形成される
下部シールド層の側面の傾斜角度も、より小さくなる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の好適な実施の形態を添付図面を参照にし
て詳述する。図１は本発明の第１の実施の形態、すなわ
ち、第１の発明の要部を示している。同図（Ａ）に示す
ように、Ａｌ₂Ｏ₃ＴｉＣからなる基板１の表面全面
に、真空スパッタ法を用いてＡｌ₂Ｏ₃膜を約１８μｍ
成膜し、次いでその表面を機械加工により平面化して約
１０μｍの膜厚にし、基板保護層２を形成する。

【００２１】次いで、その基板保護層２の表面全面に真
空スパッタ法を用いてＦｅＮまたはＦｅＡｌＳｉからな
る下部シールド層用膜３´を形成し、さらにその上面所
定位置に、フォトリソグラフィ技術を用いて所定パター
ンのフォトレジスト２０を形成する（同図（Ｂ））。

【００２２】そして、その状態でイオンミルを行うこと
によりフォトレジスト２０で覆われていない下部シール
ド層用膜３´を除去することにより、下部シールド層３
を形成する。この下部シールド層３の側面３ａの形状
は、同図（Ｃ）に示すように、従来と同様に垂直壁とな
っている。ここまでの工程は、従来のものと基本的に同
様である。但し、下部シールド層３の膜厚は従来のも
の、すなわち、最終製品として必要な膜厚よりも若干厚
くしている。

【００２３】ここで本発明では、同図（Ｃ）に示すよう
に、露出した表面全面に対して基板保護層２と同一材料
のＡｌ₂Ｏ₃膜２１´を真空スパッタ法により約１０μ
ｍ成膜する。すると、下部シールド層３の側面近傍で窪
み２１´ａが生じるが、膜層が厚いので切断されること
はなく、少なくとも下部シールド層３の表面位置までは
均一に成膜される。すなわち、その窪み２１´ａの最深
部が、下部シールド層３の表面よりも上方に位置する。

【００２４】この状態でその表面を機械加工し、同図
（Ｃ）中一点鎖線で示す位置（下部シールド層３の膜厚
が２．３μｍになる位置）まで平面加工する。これによ
り、同図（Ｄ）に示すように、基板保護層２の上に下部
シールド層３，補助基板保護層２１が形成され、両層
３，２１の表面は面一となる。すなわち、下部シールド
層３の側面３ａで段差を生じない。

【００２５】以後、従来と同様の処理を行い、下部シー
ルド層３の上に順次所定パターンの層を形成することに
より図１０〜図１２に示したような複合型の磁気ヘッド
が製造される。そして、上記のように下部シールド層３
の側面で段差を生じていないため、超薄膜のリード素子
積層部５を含めた各層が、高品質，高性能に形成され
る。そして、各層を形成後最終的には露出面全面を所定
の保護膜で覆うとともに、その表面を平坦化する処理を
行うが、係る保護膜も通常は上記基板保護層２や補助基
板保護層２１と同様のＡｌ₂Ｏ₃を用いられる。そして
従来の薄膜磁気ヘッドでは、その保護膜が各層の表面及
び側面に位置するので下部シールド層２の側面にも存在
する。一方、本実施の形態のものでは、保護膜は補助基
板保護層２１の上面までで下部シールド層３の側面には
最終工程で形成される保護膜は位置しないものの、同一
材料の補助基板保護層２１が位置しているため、実質的
に同一の機能を発揮し、補助基板保護層２１を設けるこ
とによる性能上への影響は何等なく、上記したその後の
各層の製造プロセス上の効果の分だけ製品の特性が向上
する。なお、以下に示す各発明もこの工程は同様である
ので、以後その説明は省略する。

【００２６】なおまた、本実施の形態では、補助基板保
護層２１の製造プロセスが増えるものの、平面加工は最
上方に形成する保護膜に対して行なう工程をそのまま適
用できるので、製造設備としては何等新しいものを使用
する必要がなく、従来のものをそのまま用いることがで
きる。

【００２７】図２は本発明の第２の実施の形態、すなわ
ち、第２の発明の要部を示している。同図（Ａ）に示す
ように、Ａｌ₂Ｏ₃ＴｉＣからなる基板１の表面全面
に、真空スパッタ法を用いてＡｌ₂Ｏ₃膜を約１８μｍ
成膜し、次いでその表面を平面研磨加工して約１０μｍ
の膜厚にし、基板保護層２を形成する。この点では上記
第１の実施の形態と同様である。

【００２８】ここで本実施の形態では、同図（Ｂ）に示
すように、フォトリソグラフィ技術を用いて基板保護層
２の表面に所定パターンのレジスト２２を形成する。こ
のレジスト２２は、後工程で下部シールド層を形成する
部位が透孔２２ａとなり、当該部位の基板保護層２が露
出するようにパターン形成されている。

【００２９】この状態で、約６０℃のリン酸液中に所定
時間浸漬し、ウエットエッチングを行なう。すると、同
図（Ｃ）等に示すように、基板保護層２の表面に側面傾
斜状の穴部２ａ（深さが約２．３μｍ）が形成される。
次いで、上記レジスト２２を除去後、少なくとも係る穴
部２ａ内に下部シールド層用膜３´が成膜されるよう
に、同図（Ｃ）に示すように基板保護層２の全面或いは
同図（Ｄ）に示すように係る穴部２ａ及びその周辺に所
定材料からなる下部シールド層用膜３´を成膜する。

【００３０】次いで、同図（Ｅ）に示すように、機械加
工により穴部２ａ以外に形成された下部シールド層用膜
３´を除去して平面化する。これにより、穴部２ａ内に
残った成膜が下部シールド層３となる。よって、下部シ
ールド層３の側面には基板保護層２が存在しているた
め、両層３，２の表面は面一となり、下部シールド層３
の側面で段差を生じない。

【００３１】図３は本発明の第３の実施の形態、すなわ
ち、第３の発明の要部を示している。同図（Ａ）に示す
ように、Ａｌ₂Ｏ₃ＴｉＣからなる基板１の表面全面
に、真空スパッタ法を用いてＡｌ₂Ｏ₃膜を約１８μｍ
成膜し、次いでその表面を平面研磨加工して約１０μｍ
の膜厚にし、基板保護層２を形成する。

【００３２】次いで、その基板保護層２の表面全面に真
空スパッタ法を用いてＦｅＮまたはＦｅＡｌＳｉからな
る下部シールド層用膜（本例ではＦｅＡｌＳｉを使用し
ている）３´を形成し、さらにその上面所定位置に、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて所定パターンのフォトレ
ジスト２３を形成する（同図（Ｂ））。ここまでの工程
では上記第１の実施の形態と同様である。

【００３３】次に、約２３０℃の温度で約７２分間熱処
理（ポストベーク）をし、レジスト２３を熱硬化させ
る。すると、レジスト２３は、同図（Ｃ）に示すよう
に、その側面２３ａが傾斜面となる。なお、この側面２
３ａの傾斜角度θは、熱処理の温度や時間等により適宜
変更されるが、上記の熱処理条件の場合には３５度前後
の角度になる。

【００３４】この後、イオンミルを行なう。すると、レ
ジスト２３で覆われていない下部シールド層用膜３´
は、イオンミル開始当初から削られて除去されるが、レ
ジスト２３もイオンミルにより徐々に削りとられる。従
って、膜厚の薄い端部ではイオンミル終了前にレジスト
が完全に除去されてしてまい、当初覆われていた下部シ
ールド層用膜３´が露出する。その結果、その後継続し
てイオンミルが行なわれることにより、係る新たに露出
した下部シールド層用膜３´もイオンミルにより削られ
る。よって、同図（Ｄ）に示すように、イオンミル終了
後残レジストを除去すると、側面が所定角度で傾斜した
下部シールド層３が形成される。

【００３５】そして、レジスト２３のエッチング速度
は、ＦｅＡｌＳｉからなる下部シールド層用膜３´のそ
れに比べほぼ同じであるので、最終的にイオンミルによ
り形成される下部シールド層３の側面３ａの傾斜角度
は、レジスト２３の傾斜角度とほぼ同じ約３０度前後と
なる。よって、下部シールド層３の上面と基板保護層２
の上面とは、下部シールド層３の傾斜した側面３ａによ
ってなだらかな連続面となり、下部シールド層３の側面
で急激な段差を生じない。その結果、その後に各層を形
成する際には、係る側面３ａで大きく窪んだり、切断さ
れたりすることなく全面になだらかに連続した成膜を形
成することができる。

【００３６】図４は本発明の第４の実施の形態を示して
おり、本実施の形態は基本的には上記した第３の実施の
形態と同様で、異なる点は露光現像して所定パターンの
レジストを形成後、熱処理する前に再度フラッド露光を
行い少なくとも前記レジストの全面を再露光する工程を
行うようにしている。

【００３７】すなわち、図３（Ａ）と同様に基板１の表
面全面に、真空スパッタ法を用いてＡｌ₂Ｏ₃膜を約１
８μｍ成膜し、次いでその表面を平面研磨加工して約１
０μｍの膜厚にし、基板保護層２を形成する。その後、
その基板保護層２の表面全面に真空スパッタ法を用いて
ＦｅＮまたはＦｅＡｌＳｉからなる下部シールド層用膜
（本例ではＦｅＡｌＳｉを使用している）３´を形成
し、さらにその上面所定位置に、フォトリソグラフィ技
術を用いて所定パターンのフォトレジスト２３を形成す
る（図４（Ａ）参照）。ここまで、工程は第３の実施の
形態と同様である。

【００３８】次に、フラッド露光を行い、レジスト２３
の全面を照射する。この時の露光条件は、前工程の露光
現像時に行った露光と同一条件としている。すなわち、
光源とレジストとの間にマスクを介在させているか否か
が異なる。なお、条件を変えてももちろんよい（同図
（Ｂ））。

【００３９】この後、所定の温度条件（具体的な条件は
後述する）で熱処理（ポストベーク）をし、レジスト２
３を熱硬化させる。すると、レジスト２３は、同図
（Ｃ）に示すように、その側面２３ａが傾斜面となる。
なお、この側面２３ａの傾斜角度θも熱処理の温度や時
間等により適宜変更されるが、第３の実施の形態と同一
とすると、傾斜角度は小さくなる。

【００４０】この後、イオンミルを行なう。すると、レ
ジスト２３で覆われていない下部シールド層用膜３´
は、イオンミル開始当初から削られて除去されるが、レ
ジスト２３もイオンミルにより徐々に削り取られる。従
って、膜厚の薄い端部ではイオンミル終了前にレジスト
が完全に除去されてしてまい、当初覆われていた下部シ
ールド層用膜３´が露出する。その結果、その後継続し
てイオンミルが行なわれることにより、係る新たに露出
した下部シールド層用膜３´もイオンミルにより削られ
る。よって、同図（Ｄ）に示すように、イオンミル終了
後残レジストを除去すると、側面が所定角度で傾斜した
下部シールド層３が形成される。同図（Ｃ）に示すよう
に、レジスト２３の傾斜角度θが小さくなることから、
最終的に形成される下部シールド層３の傾斜角度も第３
の実施の形態に比べて小さい角度となる。

【００４１】次に、熱処理条件と傾斜角度との相関につ
いて説明する。基本的には加熱温度を高くするほど傾斜
角度も小さくなる。そして、係る効果を立証するため、
以下のような実験を行った。すなわち、露光現像を行い
図５に示すような所定形状のレジストパターン２０を形
成する。そして、熱処理条件を変えて同一パターンを形
成し、図５中破線で示す部分の断面段差測定（ＤＥＫＴ
ＡＫ：商品名）を行った。

【００４２】まず、フラッド露光を１８秒行い、ポスト
ベークを１９０℃−６０分行った。その結果を図６中実
線で示す。そして、図６中で示す領域（レジスト２０
の側面部分）を拡大すると図７に示すようになる。一
方、フラッド露光を行うことなくポストベークを２３０
℃−７２分行った（第３の実施の形態に相当する方
法）。その結果を図６，図７中破線で示す。そして、図
示するように実線で示すフラッド露光を行ったものの方
が傾斜角度が小さいことがわかる。そして、この時の傾
斜角度はレーザ顕微鏡で観察したところ、フラッド露光
を行ったものは約１０度で、フラッド露光を行わないも
のは約３５度となった。

【００４３】さらに、フラッド照射を行う本実施の形態
において、温度条件のみ異ならせる実験を行い、上記と
同様の方法により断面段差測定，レーザ顕微鏡観察を行
い、そのときの傾斜角度を換算し、温度に対する傾斜角
度の関係を求め、その結果を図８に示す。図から明らか
なように、１５０℃を越えた温度では、フラッド露光を
行わないものと同一または小さい傾斜角度のレジストを
形成することができ、１８５℃を越えるとほとんど変わ
らなくなり、この実験結果では傾斜角度は約１０度に収
束した。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法では、第１の発明，第２の発明では、い
ずれも下部シールド層の側方にはその表面と面一な補助
保護層または基板保護層が存在し、平坦面となるため、
下部シールド層の側面で急激な段差を生じない。また、
第３の発明では平坦面とまではならないが、下部シール
ド層の側面を傾斜面とすることができ、その角度は、ポ
ストベークされたレジストの斜面に依存されるため、係
る角度を小さくすることにより最終的な下部シールド層
の側面の傾斜角度も小さくすることができる。そして、
熱処理する前にフラッド露光するとさらに傾斜角度を小
さくすることができる。

【００４５】その結果、その後の所定の層を形成するた
めに、その途中で全面に非常に薄い成膜やレジストを形
成するような場合があっても、下部シールド層の側面で
大きく窪んだり、切断されたりすることがなくなる。よ
って、その後の所定層を高精度、高品質に形成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第１
の実施の形態の要部を示す図である。

【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２
の実施の形態の要部を示す図である。

【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３
の実施の形態の要部を示す図である。

【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第４
の実施の形態の要部を示す図である。

【図５】第４の実施の形態の効果を立証する図である。

【図６】第４の実施の形態の効果を立証する図である。

【図７】第４の実施の形態の効果を立証する図である。

【図８】第４の実施の形態の効果を立証する図である。

【図９】従来の方法を示す説明図である。

【図１０】本発明及び従来の製造方法により製造される
ＭＲ型複合ヘッドの一例を示す分解斜視図の一部であ
る。

【図１１】本発明及び従来の製造方法により製造される
ＭＲ型複合ヘッドの一例を示す分解斜視図の一部であ
る。

【図１２】本発明及び従来の製造方法により製造される
ＭＲ型複合ヘッドの一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１基板２基板保護層３下部シールド層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者望月広文東京都港区新橋５丁目36番11号富士電気化学株式会社内 (72)発明者鈴木敏晴東京都港区新橋５丁目36番11号富士電気化学株式会社内 (72)発明者纐纈敏幸東京都港区新橋５丁目36番11号富士電気化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面全面に基板保護層を形成し、その基板保護層の表面所定位置に所定形状の下部シール
ド層を形成し、前記基板保護層及び下部シールド層を覆うようにして、
その全面に所定の材料を成膜するとともに、その表面を
平坦化して前記下部シールド層の表面と面一の表面から
なる補助保護層を形成し、その後所定パターンの層を順次積層形成するようにした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】前記基板保護層の上に前記下部シールド
層を形成するに際し、最終製品で要求される膜厚よりも
厚く形成しておき、前記平面化処理の際に、前記成膜とともに前記下部シー
ルド層の上方部位を除去することにより、前記下部シー
ルド層及び前記補助保護層の膜厚を所望の厚さに形成す
るようにした請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項３】基板の表面全面に基板保護層を形成し、その基板保護層の所定部位に下部シールド層と略同一形
状の穴部を形成し、次いでその穴部内に所定材料を成膜することにより下部
シールド層を形成し、基板表面を平坦に加工し、その後所定パターンの層を順次積層形成するようにした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】基板の表面全面に基板保護層を形成し、その基板保護層の全面に、下部シールド層用膜を成膜す
るとともに、その下部シールド層用膜の表面に露光・現
像により所定形状のレジストを形成し、次いで、熱処理をして前記レジストを熱硬化させてその
側面を傾斜させ、その状態でイオンミルにより前記下部シールド層用膜の
露出部位を除去するとともに、少なくとも前記レジスト
の傾斜した側面の先端側に覆われている部位の表面から
所定深さ部分を除去することにより、側面が所定角度に
傾斜した下部シールド層を形成し、その後所定パターンの層を順次積層形成するようにした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】基板の表面全面に基板保護層を形成し、その基板保護層の全面に、下部シールド層用膜を成膜す
るとともに、その下部シールド層用膜の表面に露光・現
像により所定形状のレジストを形成し、その現像後に再度、少なくとも前記レジストの全面に対
して露光を行い、次いで、熱処理をして前記レジストを熱硬化させてその
側面を傾斜させ、その状態でイオンミルにより前記下部シールド層用膜の
露出部位を除去するとともに、少なくとも前記レジスト
の傾斜した側面の先端側に覆われている部位の表面から
所定深さ部分を除去することにより、側面が所定角度に
傾斜した下部シールド層を形成し、その後所定パターンの層を順次積層形成するようにした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。