JPH02302075A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02302075A JPH02302075A JP12351589A JP12351589A JPH02302075A JP H02302075 A JPH02302075 A JP H02302075A JP 12351589 A JP12351589 A JP 12351589A JP 12351589 A JP12351589 A JP 12351589A JP H02302075 A JPH02302075 A JP H02302075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- frequency signal
- wirings
- high frequency
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
第２図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の一例の平面
図及びＢ−Ｂ’線断面図である。
図及びＢ−Ｂ’線断面図である。
Ｎ型シリコン基板１の上にＰ型頭域２を設け、表面に酸
化膜４を設ける。酸化膜４の上に配線６．７、ボンディ
ング用パッド９を設け、酸化膜５を被覆する。
化膜４を設ける。酸化膜４の上に配線６．７、ボンディ
ング用パッド９を設け、酸化膜５を被覆する。
配線６は高周波信号を流すのに使用し、配線７は使用電
位中の最低電位の配線である。
位中の最低電位の配線である。
このように、高周波信号を流す配線６を並行に配置する
ときは、その間に最低電位の配線７を通していた。
ときは、その間に最低電位の配線７を通していた。
上述した従来の半導体装置は、外部端子への接続用パッ
ド９より使用上最低電位の配線７を、前述した互いに高
周波信号を流す複数の並行した配線６の間に通している
だけとなっているので、高周波信号の配線の向い合う辺
同士の容量は小さくなるが、その他の辺の容量は小さく
ならない。
ド９より使用上最低電位の配線７を、前述した互いに高
周波信号を流す複数の並行した配線６の間に通している
だけとなっているので、高周波信号の配線の向い合う辺
同士の容量は小さくなるが、その他の辺の容量は小さく
ならない。
又、外来ノイズにも弱いという欠点がある。
本発明は、高周波信号を流す複数の並行した下層配線と
前記高周波信号以外の信号を流す上層配線とを多層構造
で有する半導体装置において、前記高周波信号用の配線
の隣りに間隔をおいて、かつ同層で配置され、拡散領域
に接続される第１配線と、前記高周波信号用の配線の並
行している部分と前記第１配線とを絶縁膜を介して覆い
、前記第１配線と電気的に接続され、かつ使用する電位
中の最低電位の端子に接続される第２配線とを設けたこ
とを特徴とする。
前記高周波信号以外の信号を流す上層配線とを多層構造
で有する半導体装置において、前記高周波信号用の配線
の隣りに間隔をおいて、かつ同層で配置され、拡散領域
に接続される第１配線と、前記高周波信号用の配線の並
行している部分と前記第１配線とを絶縁膜を介して覆い
、前記第１配線と電気的に接続され、かつ使用する電位
中の最低電位の端子に接続される第２配線とを設けたこ
とを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図である。
Ａ−Ａ’線断面図である。
Ｎ型シリコン基板１にＰ壁領域２を堆積し、Ｎ型領域３
で囲んで絶縁分離する。表面に酸化膜４を設け、窓あけ
して配線７を形成すると同時に酸化膜４の表面にも配線
６を形成する。配線６は高周波信号を流すための配線で
ある。配線７はＰ型頭域６に接続される。
で囲んで絶縁分離する。表面に酸化膜４を設け、窓あけ
して配線７を形成すると同時に酸化膜４の表面にも配線
６を形成する。配線６は高周波信号を流すための配線で
ある。配線７はＰ型頭域６に接続される。
全面を酸化膜５で覆い、配線７の上部に窓をあけた後、
配線８を設けて、配線８と配線７とを接続する。これに
より配線８はＰ型頭域３に電気的に接続される。
配線８を設けて、配線８と配線７とを接続する。これに
より配線８はＰ型頭域３に電気的に接続される。
配線８を最低電位端子に接続することにより、高周波信
号を流す配線６は最低電位の配線７，８により囲まれ遮
蔽されることになる。これにより外来ノイズに対して強
くなる。
号を流す配線６は最低電位の配線７，８により囲まれ遮
蔽されることになる。これにより外来ノイズに対して強
くなる。
上記実施例において、配線はアルミニウム等の金属で形
成しても多結晶シリコンで形成しても良い。
成しても多結晶シリコンで形成しても良い。
以上説明したように、本発明は、多属配線構想の半導体
装置において、互いに高周波信号を流す複数の並行した
下層配線を、該配線に隣接且つ同層で配置され拡散領域
と接続した配線と該下層配線を覆い且つ該拡散領域と同
電位の上層配線及び該拡散領域で囲むことにより、高周
波信号の流れる複数の配線の並行した部分の全周を遮蔽
したので、外来ノイズ等に強くなる効果を有している。
装置において、互いに高周波信号を流す複数の並行した
下層配線を、該配線に隣接且つ同層で配置され拡散領域
と接続した配線と該下層配線を覆い且つ該拡散領域と同
電位の上層配線及び該拡散領域で囲むことにより、高周
波信号の流れる複数の配線の並行した部分の全周を遮蔽
したので、外来ノイズ等に強くなる効果を有している。
図面の簡単な説明
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）。
Ａ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）。
（ｂ）は従来の半導体装置の一例の平面図及びＢ−Ｂ’
線断面図である。
線断面図である。
１・・・Ｎ型シリコン基板、２・・・Ｐ壁領域、３・・
・Ｎ型領域、４，５・・・酸化膜、６，７．８・・・配
線、９・・・パッド。
・Ｎ型領域、４，５・・・酸化膜、６，７．８・・・配
線、９・・・パッド。
Claims (1)
- 高周波信号を流す複数の並行した下層配線と前記高周波
信号以外の信号を流す上層配線とを多層構造で有する半
導体装置において、前記高周波信号用の配線の隣りに間
隔をおいて、かつ同層で配置され、拡散領域に接続され
る第１配線と、前記高周波信号用の配線の並行している
部分と前記第１配線とを絶縁膜を介して覆い、前記第１
配線と電気的に接続され、かつ使用する電位中の最低電
位の端子に接続される第２配線とを設けたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12351589A JPH02302075A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12351589A JPH02302075A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302075A true JPH02302075A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14862522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12351589A Pending JPH02302075A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302075A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574765A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP12351589A patent/JPH02302075A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574765A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI236045B (en) | Non-repeated and non-uniform width seal ring | |
| US5331200A (en) | Lead-on-chip inner lead bonding lead frame method and apparatus | |
| JP2000223653A (ja) | チップ・オン・チップ構造の半導体装置およびそれに用いる半導体チップ | |
| JPH0151065B2 (ja) | ||
| JPS6054461A (ja) | 集積回路装置 | |
| JP2938344B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58154254A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01125956A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2982182B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3742692B2 (ja) | ノイズフィルタ | |
| JPS60263451A (ja) | 集積回路パツケ−ジ | |
| JPH0666351B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0430541A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58199533A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS614265A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH03180052A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2994167B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04124844A (ja) | 半導体装置のボンディングパッド電極の構造 | |
| JPS6081852A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63278356A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH04121739U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5984551A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61114558A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02125632A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0578194B2 (ja) |