JPH02303060A - 混成集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は集積回路基板に樹脂封止型の不揮発性メモリ、
例えばＥＦＲＯＭ（紫外線消去形プログラマブル・リー
ド・オンリ・メモリー）を実装してなるＥＦＲＯＭ内蔵
型の混成集積回路装置に関する。

（ロ）従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するＥＰ
ＲＯＭ素子は、各種電子機器に好んで用いられている。

このＥＰＲＯＭ素子は、制御用或は駆動用集積回路と共
に現在、その殆んどがプリント配線板に実装されており
、一旦書込んだ情報をその後書き直すために通常、着脱
容易なプリント配線板に実装されている。各種電子機器
で小型軽量化が要求される機器は、チップ・オン・ボー
ドと称される技法によってプリント配線板に半導体集積
回路（ＩＣ）チップが直接搭載され、所要の配線が施さ
れた後この配線部分を含んで前記ＩＣチップが合成樹脂
によって被覆され、極めて小形軽量化が達成されている
。

一方紫外線照射窓を必要と、するＥＰＲＯＭチップは、
この照射窓がネックとなり未だサーディツプ型パッケー
ジに組込まれて製造され、プリント配線板に実装されて
いるため小型軽量化が図れない。

かかる従来のＥＰＲＯＭ素子の実装構造を第１４図に従
って説明すると、第１４図は従来のＥＰＲＯＭ素子の一
部断面を有する斜視図であって、主表面上に導電性配線
パターン（４１）が形成されたガラス・エポキシ樹脂な
どから構成された絶縁性基板（４２）のスルーホール（
４３）にサーディツプ型パッケージに組込まれＥＰＲＯ
Ｍ素子（４４）が搭載されている。このＥＰＲＯＭ素子
（４４）はヘッダー（４５）およびキャップ（４６）を
有し、前記ヘッダー（４５）はセラミック基材（４７）
に外部導出リード（４８）か低融点ガラス材で接着され
ている。又このヘッダー（４５）はガラスに金粉が多量
に混入したいわゆる金ペーストを焼結した素子搭載部（
５０）が前記低融点ガラス材上或はセラミック基材（４
７）上に接着されており、この素子搭載部（５０）にＥ
ＰＲＯＭ°チップ（５１）が紫外線照射面を上にして装
着され、このチップ（５１）の電極と前記外部導出リー
ド（４８）とが金属線！（５２）によって接続されてい
る。前記キャップ（４６）は蓄部材であって、前記ＥＰ
ＲＯＭチップ（５１）の紫外線照射面と対向する部分に
窓（５３）を有するセラミック基材（５４）を含み、こ
のキャップ（４６）は低融点ガラスによってヘッダーく
４５）に配置されたＥＰＲＯＭチップ（５１）を密封し
ている。この様にＥＰＲＯＭチップ（５１）を密封した
ＥＰＲＯＭ素子（４４）は、前記絶縁性基板（４２）の
スルーホール（４３）に外部導出リード（４８）を挿通
啓せ半田によって固定される。このスルーホール（４３
）は導電性配線パターン（４１）によって所要の配線引
回しが施され、前記絶縁性基板の端部に設けられた雄型
コネクタ端子部（５５）から図示しない雌型コネクタへ
と接続される。

さて、かかる従来のＥＰＲＯＭ素子の実装構造は、ＥＰ
ＲＯＭチップ（５１）に比ベパッケージ外形が極めて大
きく、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さ
もチップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利であ
る。更にスルーホール（４３）に外部導出リードを挿通
した後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆す
べき大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってＥＰ
ＲＯＭ素子を一部パッケージに組立てることである。Ｅ
ＰＲＯＭ素子は紫外ａ照射用の窓を有するが故、そのパ
ッケージは、セラミックスを基材としたサーディツプ型
パッケージに組立てられるが、このパッケージは低融点
ガラスにより封止される為、高温（４００〜５００℃）
シールとなり、ＥＰＲＯＭチップの電極（アルミニウム
）と外部導出リードとを接続する金属細線を同種材料で
構成しないとアロイ化が起り配！ｌ抵抗の増加を来した
り、断線を生じたりする。この様な事態を回避する目的
で通常アルミニウム細線が用いられるが、このＥＰＲＯ
Ｍチップはサブストレートを接地電位にする必要上、Ｅ
　Ｐ　ＲＯ’Ｍチップの接地電極を金ペーストで形成さ
れたチップ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金ペ
ースト中の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウム
とで二次或は多元合金反応が進むことから、グランドダ
イスと呼ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリコ
ン小片をＥＰＲＯＭチップと別個に前記金ペーストより
成るチップ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部
とＥＰＲＯＭチップの接地電極とを接続するという極め
て煩雑な作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量
、低価格のいずれも不満足なものである。

斯る問題を解決するために第１５図に示したＥＰＲＯＭ
実装構造がある。

以下に第１５図に示したＥＰＲＯＭ実装構造について説
明する。

主表面（６０ａ）に導電性配線パターン（６０ｂ）が形
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板（６
０）は、ＥＰＲＯＭチップ（６１）を載置するチップ搭
載エリヤ（６０ｃ）を有し、前記配線パターン（６０ｂ
）は、このエリヤ近傍から主表面（６０ａ）上を引回さ
れて図示しない雄型コネクタ端子部に接続されている。

前記エリヤ（６０ｃ）には、ＥＰＲＯＭチップ（６１）
が搭載され、このチップ（６１）の表面電極と前記配線
パターン（６０ｂ）とが金属細線（６２）により接続さ
れている。勿論金属細線（６２）の１本は前記チップク
ロ１）のサブストレートと接続する為に、このチップ（
６１）が搭載された配線パターン（６０ｂ）とワイヤリ
ングされている。前記ＥＰＲＯＭチップ（６１）の紫外
線照射面（６１ａ）上には紫外線透過性樹脂（６３）　
（例えば東し社製、型名ＴＸ−９７８）を介して、紫外
線透過性窓材（６４）が固着されている。この窓材（６
４）は、石英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性材
料である。そして、前記窓材（６４）の頂部面（６４ａ
）は、ＥＰＲＯＭチップ＜６１）の紫外線照射面に光を
導入する面であるから、この頂部面（６４ａ）を除いた
残余の窓材（６４）部分と、金属細線（６２）と、この
金属細線（６２）と前記配線パターン（６０ｂ）との接
続部分とが合成樹脂（６５）（例えば日東電工社製、型
名ＭＰ−１０）で被覆されている。もし、絶縁性基板（
６０）と、Ｅ　Ｐ−ＲＯＭチップ（６１）と窓材（６４
）とを加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれば
、前記基板（６０）のチップ搭載エリヤ（６０ｃ）をザ
グリ穴としてこの基板（６０）の厚さの半分程度握れば
良い、又この様なザグリ穴としておけば、合成樹脂（６
５）の流れ止めダムが形成され湿気などの浸入に対して
有効に作用する。

第１４図および第１５図で示したＥＰＲＯＭ実装構造は
特開昭６０−８３３９３号公報（ＨＯ５に１／１８）に
記載されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題 第１５図で示したＥＰＲＯＭ実装構造ではＥＦＲＯＭの
チップをプリント基板上にダイボンディングしているた
め、小型化となることはいうまでもない、しかしながら
、ここでいう小型化はあくまでＥＰＲＯＭ自体の小型化
である。即し、第１５図からは明らかにされていないが
ＥＦＲＯＭの周辺に固着されているマイクロコンピュー
タおよびその周辺回路素子はディスクリート等の電子部
品で構成されているために、ＥＦＲＯＭを搭載しタブリ
ント基板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合
なんら小型化とはならず従来通りプリント基板の大型化
、即らシステム全体が大型化になる問題がある。更に第
１．５図に示したＥＦＲＯＭ構造ではＥＦＲＯＭのプロ
グラムデータを消去する場合、プリント基板上に紫外線
を照射し消去した後、ＥＦＲＯＭから延在された引回し
線の導電パターン上にプローブ等の書込み用の端子を当
接して再書込みを行わなければならず、従来の一般的な
ＲＯＭライターを使用することができずＥＦＲＯＭの再
書込みという点で煩雑となる問題がある。

また、第１４図に示したＥＰＲＯＭ実装構造では消去後
の再書込みという点ではＥＦＲＯＭをプリント基板から
着脱することが可能であるために、一般的なＲＯＭライ
ターを用いての書込みが行えるために比較的容易に行え
る。しかしながら、第１２図に示した実装構造において
も第１４図と同様にＥＦＲＯＭの周辺の回路、即ち、マ
イクロコンピュータやその゛周辺ＬＳＩ、ＩＣ等の回路
素子がディスクリート等の電子部品で構成されているた
め、プリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型化
となりユーザが要求される軽薄短小のＥＰＲＯＭ搭載の
集積回路を提供することができない大きな問題がある。

更に第１４図および第１５図で示したＥＰＲＯＭ実装構
造では、上述した様にシステム全体が大型化になると共
にＥＦＲＯＭおよびその周辺の回路素子を互いに接続す
る導電パターンが露出されているため信頼性が低下する
問題がある。

更に第１４図および第１５図で示したＥＰＲＯＭ実装構
造ではＥＦＲＯＭと、その周辺のマイクロコンピュータ
およびＩＣ，ＬＳＩ等の回路素子が露出されているため
、基板上面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低下す
る問題がある。

り二）課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板の所定位置に孔を設け、その孔内に基板上に形成され
た導電路と接続されたソケットを固着し、そのソケット
にシングルインライン型の不揮発性メモリーを挿入して
不揮発性メモリーだけを露出する様に、マイクロコンピ
ュータおよび他の全ての回路素子を基板とケース材とで
形成された封止空間に封止する構造を特徴とする。

従ってＥＦＲＯＭを搭載した混成集積回路を小型化でし
かも高密度実装のＥＦＲＯＭ内蔵の混成集積回路装置を
提供することができる。また、不揮発性メモリーは孔が
設けられた基板の露出面の孔内に固着されたソケットに
挿入されて実装されているため不揮発性メモリーの挿脱
が自由自在に行える。

（＊）作用 この様に本発明に依れば、基板の所定位置に孔を設け、
その孔に固着させ基板上に形成された導電路と接続され
たソケットにシングルインライン型の不揮発性メモリー
を挿入して導電路との接続を行っているため、シングル
インライン型の不揮発性メモリーの載置位置を任意に設
定でき、内蔵するマイクロコンピュータとの電気的接続
を考慮して、効率良＜ＥＦＲＯＭとマイクロコンピュー
タとを接続することができ、信号線即ち導電路の引回し
線を不要にすることができる。

更にＥＦＲＯＭの隣接する位置に最も関連の深いマイク
ロコンピュータを配置でき、ＥＦＲＯＭとマイクロコン
ピュータ間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距
離あるいは最小距離で実現でき、データ線の引回しによ
る実装密度のロスを最小限に抑制することになり、高密
度の実装が行える。

更に本発明では不揮発性メモリーだけが基板の所定位置
に設けた孔に固着されたソケットに挿入されて外部に露
出されており、他の全ての回路素子は基板とケース材で
形成された封止空間内に収納されているため小型化で高
密度実装の混成集積回路装置を提供することができる。

（へ）実施例 以下に第１図乃至第１３図に示した実施例に基づいて本
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。

第１図乃至第３図には、本発明の一実施例の混成集積回
路装置（１）が示されている。この混成集積回路装置（
１）は独立した電子部品として用いられコンピュータ等
の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として用
いられる。

この混成集積回路装置（１〉は第１図乃至第３図に示す
様に、集積回路基板り２）と、集積回路基板（２）の所
定位置に設けられた孔〈４〉と、集積回路基板（２）上
に形成された所望形状の導電路（５）と、孔（４）に固
着され導電路（５）と接続されたソケット（１６）と、
ソケット（１６）に挿入され導電路（５）と接続された
シングルインライン型樹脂モールドされた不揮発性メモ
リー（６）と、そのメモリー（６）からデータを供給さ
れたマイクロコンピュータ（７）およびその周辺の回路
素子（８）と、基板（２）と一体化するケース材（９）
とをから構成される。

集積回路基板（２）はセラミックス、ガラスエポキシあ
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。

金属基板としては例えば０．５〜１．０１１１！ｌ厚の
アルミニウム基板を用いる。その基板（２）の表面には
第４図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニ
ウム膜（９）（アルマイト層）が形成され、その−主面
側に１０〜７０μ厚のエポキシおよびポリイミド等の絶
縁樹脂層（１０）が貼着される。更に絶縁樹脂層（１０
）上には１０〜７０μ厚の銅箔（１１）が絶縁樹脂層（
１０）と同時にローラーあるいはホットプレス等の手段
により貼着されている。

基板（２）の−主面上に設けられた銅箔（１１）表面上
にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出し
てレジストでマスクされ、貴金属（金、銀、白金）メッ
キ層が銅箔〈１１）表面にメッキされる。然る後、レジ
ストを除去して貴金属メッキ層をマスクとして銅箔（１
１）のエツチングを行い所望の導電路（５）が形成され
る。ここでスクリーン印刷による導電路（５）の細さは
ｏ、ｓｕｎが限界であるため、極細配線パターンを必要
とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約２μまでの極
細導電路（５）の形成が可能となる。

基板（２）上の導電路（５）にはシングルインライン型
の不揮発性メモリー（６）とそのメモリー（６）からデ
ータを供給されるマイクロコンピュータ（７）およびそ
の周辺の回路素子＜８）が搭載されている。

また基板（２）の−側辺あるいは対向する側辺周端部に
導電路（５）が延在され外部リード端子（１２）を固着
するための複数のパッドが形成されている。

このパッドには外部リード端子（１２）が半田によって
固着され、水平に導出されてその中央部分で略直角に折
曲られている。

不揮発性メモリー＜６）としてＥ　Ｐ　ＲＯＭ　（Ｅｒ
ａｓ−ａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　
０ｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）が用いられる（以下不揮発性
メモリー（６）をＥＦＲＯＭという）、このＥ　Ｆ　Ｒ
ＯＭ（６）は周知の如く、ＥＦＲＯＭ（６）のペレット
に形成されているフローティングゲートに蓄積されてい
る電子（プログラム・データ）を光を照射して励起させ
て未記憶状態のベレットに戻し再書込みして利用できる
素子である。

一般的なＥＦＲＯＭ＜６）の構造は第５図および第６図
に示す様に５ＩＰ（シングル・イン・ライン）型であり
、大別すると樹脂モールド型パッケージタイプとセラミ
ックス型パッケージタイプとがある。樹脂モールド型あ
るいはセラミックス型のいずれのタイプにおいてもペレ
ット（１４）のメモリーを消去するために光を照射する
必要があるため、ベレット（１４）の上面にあたる部分
で樹脂モールドの側面にはエネルギーの高い光（紫外線
）を透過する透過部材〈１５）が配置されている。

本実施例ではＳＩＰ型のＥＦＲＯＭ（６）であれば樹脂
モールド型あるいはセラミックス型のどちらのタイプの
パッケージを用いてもよい、この様なＥＦＲＯＭ装置は
特開昭５３−７４３５８号公報および特開昭６２−２９
０１６０号公報に開示されている。

一方、本発明では、基板（２）の所定位置に孔（４）が
設けられている。この孔（４）は第１図および第２図か
ら明らかな如く、ＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）のリードピ
ンの導出方向と同じ数だけの孔（４）が設けられている
。即ち、本実施例で用いるＥＦＲＯＭ（６）はＳＩＰ型
タイプのために、基板（２）には１つの長形状の孔（４
）が形成されている。この孔（４）は上述で説明した導
電路（５）の形成前にブレス打抜工程によって形成され
て、いるものとする。

その孔（４）には後述するソケット（１６）の一部分が
嵌合されて基板（２）と一体化される。斯る孔（４）の
周端部には基板（２）上に形成された一部分の導電路（
５）の先端部が延在して形成されており、その導電路（
５）の先端部とソケット＜１６）の電極は所定の半田リ
フロ一工程により半田（１７）で固着接続されている。

ソケット（１６）は第２図に示す如く、突出した１つの
突出部（１８）が孔（４）内に嵌合されすき間ができる
こと無く完全にハメチックシールされている。そのソケ
ット（１６）の接続用電極は孔（４）の周端部に延在形
成された導電路（５）と半田（１７〉で接続される。孔
（４）内にソケット（１６）を嵌合するとソケット（１
６）の突出部（１８）の上面は基板（２）の上面と同一
面かあるいは若干突出する様に配置設定されている。Ｓ
ＩＰ型ＥＰＲＯＭ（６）は断るソケット（１６）の突出
部（１８）に挿入されて導電路（５）と接続されること
になる。更にＳＩＰ型ＥＰＲＯＭ（６）はリードピンを
９０°折り曲げてソケット（１６）に差し込まれており
、透過部材（１５）を下面にして基板（２）と平行で且
つ当接する様に配置される。

一方、ＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）のプログラム・データ
を選択して供給されるマイクロコンピュータ（７）およ
びその周辺の回路素子（８）のＩＣ，トランジスタ、チ
ップ抵抗およびチップコンデンサー等はチップ部品で所
望の導電路（５）上に半田付けあるいはＡｇペースト等
のろう材によって付着され、マイクロコンピュータ（７
）および回路素子（８）は近傍の導電路（５）にボンデ
ィング接続されている。更に導電路（５）間にはスクリ
ーン印刷によるカーボン抵抗体あるいはニッケルメッキ
によるニッケルメッキ抵抗体が抵抗素子として形成され
ている。

基板（２）はケース材（９）と固着一体化される。

ケース材（９）は絶縁部材としての熱可塑性樹脂から形
成され、第２図及び第３図に示す如く、基板（２）と固
着した際空間部が形成される様に箱状に形成されている
。その箱状のケース材（９）の周端部は基板（２）の略
周端部に配置されて接着性を有したシール剤（Ｊシート
：商品名）によって基板（２）と強固に固看一体化され
る。この結果、基板（２）とケース材（９）間に所定の
封止空間部（２１）が形成されることになる。

ところで、孔（４）の周端部には上述した様に複数の導
電路（５）の一端が延在され、その導電路（５）と孔（
４）内に嵌合されたＳＩＰ型ＥＰＲＯＭ＜６）が挿入さ
れるソケット（１６）が固着される。ソケッ１〜（１６
）が固着された導電路（５）の他端はマイクロコンピュ
ータ（７）の近傍に延在されチップ状のマイクロコンピ
ュータ（７）とボンディングワイヤで電気的に接続され
ている。

ここでＥ　Ｆ　ＲＯＭ＜６）とマイクロコンピュータ（
７）との位置関係について述べる。第７図はＳＩＰ型Ｅ
ＦＲＯＭ＜６）を挿入するソケット（１６）とマイクロ
コンピュータ（７）とを基板（２）上に配置したときの
要部拡大図であり、ＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）が挿入さ
れるソケット〈１６）とチップ状のマイクロコンピュー
タ（７〉とは第７図に示す如く、多数本の導電路（５）
を介して接続されるため、その導電路（５）の引回しを
短くするためにＳＩＰ型ＥＰＲＯＭ（６）を挿入するソ
ケット（１６）とマイクロコンピュータ（７）は夫々、
隣接する位置かあるいはできるだけ近傍に位置する様に
配置される。

従ってＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）を挿入するソケット（
１６）とマイクロコンピュータ（７）との導電路（５）
の引回しは最短距離で形成でき基板上の実装面積を有効
に使用することができる。ＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）と
その近傍あるいは隣接した位置に配置されたチップ状の
マイクロコンピュータ（７）は第７図の如く、マイクロ
コンピュータ（７）の近傍に延在された導電路（５）先
端部とワイヤ線によってボンディング接続されＥＦＲＯ
Ｍ（６）を挿入するソケット（１６）と電気的に接続さ
れる。

ところで、ＳＩＰ型Ｅ　Ｆ　ＲＯＭ（６）はソケット（
１６）に挿入されて基板（２）の露出面上に搭載される
ことになり、ＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）の全体が外部に
露出することになる。即ち、ＳＩＰ型ＥＰＲＯＭ（６）
だけが基板外に搭載されることになり、ＳＩＰ型Ｅ　Ｆ
　ＲＯＭ（６）以外のマイクロコンピュータ（７）およ
びその周辺回路素子（８）は基板（２）とケース材（９
）とで形成された封止空間（２１）内に配置されること
になる。

上述の如く、ＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）と接続されるマ
イクロコンピュータ（７）およびその周辺の回路素子（
８）は基板（２）とケース材（９）で形成された封止空
間部（２１）に配置する様に設定されている。更に述べ
ると、チップ状の電子部品および印刷抵抗、メッキ抵抗
等の抵抗素子の全ての素子が封と空間部（２１）内に設
けられている。

一方、Ｅ　Ｆ　ＲＯＭ（６）の全体が露出されているが
、透過部材（１５）を基板（２）と対向させることによ
り光を完全に遮光できる。

本実施例でＥＦＲＯＭ（６）のデータ消去を行う場合は
ソケット（１６）からＥＦＲＯＭ（６）を離脱して紫外
線を照射するケースがある。また、再占込みの場合はＥ
ＦＲＯＭ（６）をソケットから離脱して一般的なＲＯＭ
ライターを使用して電気的に書込みを行い、書込み後、
ソケット（１６）に挿入すればよい。

以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。

先ず、モデム（ＭＯＤＥＭ）とはパーソナルコンピュー
タなどのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電
話回線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行
うデータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能
はデジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波
数を使って、データによる変調を行いアナログ信号にし
て電話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデ
ータで変調されるアナログ信号を復調してデジタル化し
たデータに戻す機能を持つ。

第９図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。

第９図は集積回路基板（２）上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。

モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するＤＴＥインター
フェース＜３１）と、ＤＴＥインターフェース（３１）
より出力された、データに基づいて所定の出力信号を出
力するマイクロコンピュータ（７）と、マイクロコンピ
ュータ（７）からアドレスされるデータを内蔵したＥ　
Ｐ　ＲＯＭ（６）と、マイクロコンピュータ（７）から
の出力信号を変復調しＮＣＵ（ＮＥＴＷＯＲＫ　　Ｃ０
ＮＴＲ０Ｌ　　ＵＮＩＴ）に出力する第１および第２の
変復調回路（３２）（３３）と、マイクロコンピュータ
（７）からの出力信号に応じて所望のＤＴＭＦ信号（ト
ーン信号）を発生するＤＴＭＦ発生器（３４）とをから
構成されている。

ＤＴＥインターフェース（３１）は例えば５ＴＣ９６１
０（セイコーエプソン）等のＩＣより成り、第１０図の
如く、パソコンの出力信号を供給し、その出力信号を内
蔵メモリー内に蓄積してマイクロフンピユータ（７）へ
出力する送信メモリ一部（３５）と、マイクロコンピュ
ータ（７）からの出力信号が供給される信号を内蔵メモ
リー内に蓄積してパソコン（３８）へ出力する受信メモ
リ一部（３６）と、送信メモリ一部（３５）および受信
メモリ一部（３６）を介して入出力される夫々の信号を
切替える制御部（３７）とからなり、パソコン（３ｇ）
とマイクロコンピュータ（７）とを接続するための所定
の機能を有するものである。

マイクロコンピュータ（７）は例えば５ＴＣ９６２０（
セイコーエプソン）等のＩＣより成り、第１１図の如く
、ＤＴＥインターフェース（３１）から出力される出力
信号を認識するコマンド認識部と、コマンド認識部によ
って認識された出力信号を解読するコマンド解読部と、
コマンド解読部で解読された信号に基づいてメモリ一部
のデータと比較し変復調回路へデータを供給するコマン
ド実行部と、コマンド解読部のデータとメモリ一部内の
データとの比較結果、誤ったデータがコマンド実行部に
供給された際にＤＴＥインターフェース（３１）に出力
信号を出力する応答コード生成部とからなる。

変復調回路（３８）はマイクロコンピュータ（７）から
送信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してＮＣ
Ｕ部に送信する。また反対にＮＣＵ部から送信されたア
ナログ信号を、デジタル信号に変換してマイクロコンピ
ュータ（７）へ送信するものであり、低速および中速夫
々のタイプの回路を備えている。第１の変復調回路（３
２）は３００ｂｐｓの低速変復調回路であり、第２の変
復調回路〈３３）は１２００ｂｐＳの中速変復調回路で
ある。夫々の第１および第２の変復調回路（３２）（３
３）はマイクロコンピュータ（７）により、いずれか一
方の変復調回路が選択される。

ＤＴＭＦ発生器（３４）はマイクロコンピュータ（７）
のコマンド実行部より出力されたデータをＣＯＬ、ＲＯ
Ｗ夫々の入力端子に入力することで所定のＤＴＭＦ信号
を発生し送信ＡＭＰ（３９）に出力して電話回線へ信号
を供給する。

ＥＦＲＯＭ（６）内にはモデムの各種のモードを設定す
るためのプログラムデータがメモリーされており、マイ
クロコンピュータ（７）のアドレスに基づいてマイクロ
コンピュータ（７）に供給される。

次にモデムの動作について簡単に説明する。

先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ〈３８）からの読出し信号に基づいて制御スイッ
チ（４０）が動作し、所定のアドレスデータがＥＦＲＯ
Ｍ（７）に供給され、そのアドレスに基づいたＥＦＲＯ
Ｍ（６）のプログラム・データがマイクロコンピュータ
（７）に供給され、通信を行う夫々のモデムの通信規格
（ＢＥＬＬ／ＣＣＩＴＴ規格）、通信速度（３００／１
２００ｂｐｓ）、データファーマットの一致、デツプス
イッチモードの切替等の各種のモードが一致しているか
が確認される。

各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー人力する。

その電話番号はパソコンとのインターフェース用のＤＴ
Ｅインターフェース（３１）に入力され、電話番号を解
読する為にマイクロコンピュータ（７）に転送跡れる。

その解読した結果をＤＴＭＦ発生器（３４）に送信し、
ＤＴＭＦ発生器り３４）からＤＴＭＦ信号が発信されそ
の信号は送信ＡＭＰ（３９）、ライントランス（４１）
を介して一般電話回線へ転送される。

転送されたＤＴＭＦ信号は応答側のモデムに対して呼出
し信号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信し
て自動看信する。すると応答側のモデムは接続手順の為
のアンサ−トーンを起呼側のモデムに対して送出する。

起呼側のモデムではライントランス（４１）、受信アン
プ（４２）を通り低速変復調回路（３２）でそのアンサ
−トーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサ−トー
ンであるか否かを検出する。所定のアンサ−トーンであ
れば通信状態に入る。

通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー人力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルデータをＤＴＥインターフェース（３１）に入力し、
そのデータをマイクロコンピュータ（７）に転送する。

ここでパラレルデータをシリアルデータに変換する。シ
リアルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調回
路り３２）に送信される。ここでデジタル信号はアナロ
グ信号に変換され、それに対応した通信規格に基づいて
周波数変調ＦＳＸされ、送信ＡＭＰ（３９）、ライント
ランス（４１）を介して応答側のモデムに送信される。

一方、応答側のパソコンのキー人力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス（４１〉、受信ＡＭ　Ｐ　（４２）
を介して低速変復調回路（３２）に入力される。ここで
アナログ信号はデジタル信号に変換されＤＴＥインター
フェース（３１）に入力され、シリアルデジタル信号か
らパラレルデジタル信号に変換されて起呼側のパソコン
に入力される。その結果起呼側ヘパソコンと応答側のパ
ソコンは全二重通信ができる様になりパソコン通信が実
現する。

第１２図は第９図で示したモデム回路を本実施例で用い
た基板〈２）上に実装した場合の平面図でありミ実装さ
れる回路素子の符号は同一番号とする。ＥＰＲＯＭ（６
）とマイクロコンピュータ（７）との接続はパスライン
で示す。尚、複数の回路素子を接続する導電路は煩雑の
ため省略する。

第１２図に示す如く、基板（２）の対向する周端部には
外部リード端子（１２）が固着される複数の固着用バッ
ド（５ａ）が設けられている。固着パッド（５ａ）から
延在される導電路（５）上所定位置には複数の回路素子
（８）およびＥＰＲＯＭ（６）を搭載するソケッ）（１
６）が固着される。斯る基板（２）上にはＥＰＲＯＭ＜
６）以外のマイクロコンピュータ（７）を含む複数の回
路素子（８）が固着されており、（３１）はＤＴＥイン
ターフェース、＜３２）（３３）は第１および第２の変
復調回路、（３４）はＤＴＭＦ発生回路、（４０〉はＥ
　Ｆ　ＲＯＭ（６）を制御する制御スイッチ、（７）は
マイクロコンピュータ、（８）はコンデンサー等のチッ
プ部品である。

第１２図に示す如く、マイクロコンピュータ（７）の近
傍あるいは隣接する位置にＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）が
搭載されるソケット（１６）が固着される。マイクロコ
ンピュータ（７）の近傍あるいは隣接する位置にソケッ
ト（１６）、を固着することで、マイクロコンピュータ
（７）とＥＰＲＯＭ（６）とのパスライン、即ち導電路
（６〉の引回し線の距離を最短でしかも最小の距離で引
回すことができ、他の実装パターンを有効に使用できる
と共に高密度実装が行える。尚、一点鎖線で囲まれた領
域は接着シートでケース材（９）が固着される領域を示
す。

第１３図は第１２図で示した基板（２）上にケース材（
９）を固着したときのモデム用の混成集積回路装置の完
成品の平面図であり、基板（２）の上面からはＳＩＰ型
ＥＦＲＯＭ（６）だけが露出跡れた状態となる。即ち、
ＥＦＲＯＭ（６）以外の他の素子は全てケース材（９）
と基板（２）とで形成された封止空間（２１）内に封止
されＥＦＲＯＭ（６）だけが基板外に搭載されるのでＳ
ＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）の挿脱が必要に応じて自由自在
に行うことができる。

以上に詳述したモデム用の混成集積回路装置のＥＦＲＯ
Ｍ（６）には製品仕様の多様化に備え、仕向地、ＯＥＭ
、自社販売等セットメーカ（ユーザ）が要望する仕様変
更に対して容易に対応することができる。即ち、ＥＦＲ
ＯＭ（６）以外の回路構成はあらかじめ各種の仕様変更
に対応する様に設計されていたが、特定のユーザの仕様
に基づいて混成集積回路を設計すると１、他のユーザ仕
様と一致しないことがあった場合、従来では混成集積回
路自体の設計を見なおす必要があった。

しかし本発明の混成集積回路装置ではＳＩＰ型ＥＦＲＯ
Ｍ（６）がソケット（１６）を介して基板（２）の露出
表面上に搭載されているため、ＳＩＰ型ＥＦＲＯＭ　（
６）の離脱が行えるのでユーザ側でＥＦＲＯＭを選択し
て実装するだけで１つの混成集積回路装置で多機種の混
成集積回路装置の実現が行える。

断る本発明に依れば、基板（２）の所望位置に孔（４）
を設け、導電路（５）と接続すると共に孔（４）内にリ
ードビン挿入部が外側方向になる様にソウ′ツ）−（１
６）を嵌合し、そのソケット（１６）にＳＩＰ型ＥＰＲ
ＯＭ（６）を挿入して基板〈２〉とケース材（９）とで
形成された封止空間（２１）にマイクロコンピュータ（
７）およびその他の回路素子（８）を配置することによ
り、混成集積回路とＥＦＲＯＭとが一体化し且つ小型化
となるシステムが提供できると共にＥＦＲＯＭ（６）の
挿脱が自由自在に行える。

（ト）発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第１に基板（２
）の所望位置に孔（４）を設け、その孔（４）に固着し
基板（２）上の所望の導電路（５）に接続された’）　
’ｙ　ット（１６）４：　Ｓ　Ｉ　Ｐ型ＥＰＲＯＭ（６
）を挿入接続しているノーｃ’、ＳＩＰ型ＥＰＲＯＭ（
６）（７）載置位置を任意に選定できる利点を有する。

このため内蔵するマイクロコンピュータ（７）との電気
的接続を考慮して、効率良＜ＥＦＲＯＭ（６）とマイク
ロコンピュータ（７）とを接続でき信号線の引回しを不
要にできる。更に詳述すると、ＥＰＲＯＭ（６）の隣接
する位置に最も関連の深いマイクロコンピュータ（７）
を配置でき、その結果ＥＦＲＯＭ（６）とマイクロコン
ピュータ（７）間のデータのやりとりを行うデータ線を
最短距離あるいは最も設計容易なレイアウトで実現でき
、データ線の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑
制できる。

第２に基板（２）の所望位置の孔〈４）に嵌合されたソ
ケット（１６）にＳＩＰ型Ｅ　Ｆ　ＲＯＭ（６）を挿入
配置しているので、一体化した小型の混成集積回路装置
として取り扱える利点を、有する。更に集積回路基板（
２）上の組み込むマイクロコンピュータおよびその周辺
回路素子の実装密度を向上することにより、従来必要と
されたプリント基板を廃止でき、１つの小型化されたＳ
ＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）を着脱自在に内蔵する混成集積
回路装置を実現できる。更にＳＩＰ型Ｅ　Ｆ　ＲＯＭ（
６）が基板露出面上に配置されることになり、ＥＦＲＯ
Ｍ着脱が容易に行える。

第３に集積回路基板（２）として金属基板を用いること
により、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に向
上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電路
（５）として銅箔（１１）を用いることにより、導電路
（５）の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき、実
装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる。

第４にＥＦＲＯＭ（６）としてシングルインライン型を
用いることができるので、混成集積回路装置へのＥＦＲ
ＯＭ（６）の実装が極めて容易に実現でき且つＥ　Ｐ　
ＲＯＭ（６）の透過部材（１５〉を基板（２）と当接き
せて遮光できる利点を有する。

第５にＥＦＲＯＭ（６）と接続されるマイクロコンピュ
ータ（７）およびその周辺回路素子（８）はケース材（
９）と集積回路基板（２）とで形成される封止空間（２
１）にダイ形状あるいはチップ形状で組み込まれるので
、従来のプリント基板の様に樹脂モールドしたものに比
較して極めて占有面積が小さくなり、実装密度の大幅に
向上できる利点を有する。

第６にケース材（９）と集積回路基板（２）の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板（２）のほ
ぼ全面を封止空間（２１）として利用でき、実装密度の
向上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を
実現できる。

第７に集積回路基板（２）の−辺あるいは相対向する辺
から外部リード端子（１２）を導出でき、極めて多ビン
の混成集積回路装置を実現できる利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例を示す斜視図、第２図は第１図のＩ−
Ｉ断面図、第３図は第１図のｎ−Ｉ断面図、第４図は本
実施例で用い、る基板断面図、第５図は本実施例で用い
るＥＦＲＯＭを示す斜視図、第６図は第５図の断面図、
第７図はＥＦＲＯＭが挿入されるソケットとマイクロコ
ンビエータとの位置関係を示す斜視図、第８図は第７図
で示した他の実施例を示す斜視図、第９図は本実施例で
用いるモデム回路を示すブロック図、第１０図は第９図
で示したモデムのＤＴＥインターフェースを示すブロッ
ク図、第１１図は第９図で示したモデムのマイクロコン
ピュータを示すブロック図、第１２図は第９図で示した
ブロック図を基板上に実装したときの平面図、第１３図
は第１２図で示した基板上にケース材を介して他方の基
板を同者したときの平面図、第１４図および第１５図は
従来のＥＰＲＯＭ実装構造を示す斜視図である。 （１）・・・混成集積回路装置、　（２）・・・集積回
路基板、　り５）・・・導電路、　（６）・・・ＳＩＰ
型ＥＰＲＯＭ、　　（７）・・・マイクロコンピュータ
、（８）・・・回路素子、　（４）・・・孔、　（９）
・・・ケース材、　（１６）・・・ソケット。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）集積回路基板と、 前記基板の一主面に形成された所望パターンを有する導
   電路と、 前記導電路に接続されたシングルインライン型樹脂モー
   ルドされた不揮発性メモリーと、 前記メモリーからデータを供給され且つ前記基板上の導
   電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその周辺
   回路素子と、 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、前記基板
   の所望位置に孔を設け、前記孔に固着し前記基板上の所
   望の導電路に接続されたソケットに前記不揮発性メモリ
   ーを挿入し、前記基板と前記ケース材で形成された封止
   空間に前記マイクロコンピュータおよびその周辺回路素
   子を配置したことを特徴とする混成集積回路装置。
2. （２）前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
   を用いたことを特徴とする請求項１記載の混成集積回路
   装置。
3. （３）前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
   請求項１記載の混成集積回路装置。
4. （４）前記孔と前記ソケットはハメチックシールされて
   いることを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置
   。
5. （５）前記マイクロコンピュータは前記導電路上にダイ
   形状で組み込まれることを特徴とする請求項１記載の混
   成集積回路装置。
6. （６）前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チップコン
   デンサーを用いることを特徴とする請求項１記載の混成
   集積回路装置。
7. （７）前記ケース材の周端部を前記基板の周端部とほぼ
   一致させたことを特徴とする請求項１記載の混成集積回
   路装置。
8. （８）前記ソケットは前記導電路と接続されていること
   を特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置。