JPH0243745A - 透明樹脂でモールドした光電変換素子の製造方法 - Google Patents
透明樹脂でモールドした光電変換素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0243745A JPH0243745A JP63194903A JP19490388A JPH0243745A JP H0243745 A JPH0243745 A JP H0243745A JP 63194903 A JP63194903 A JP 63194903A JP 19490388 A JP19490388 A JP 19490388A JP H0243745 A JPH0243745 A JP H0243745A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- transparent resin
- tape
- conversion element
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ホトトランジスタ等の光電変換素子とその
周辺回路とから構成された半導体集積回路素子を透明樹
脂でモールドしてパフケージとするものに関する。
周辺回路とから構成された半導体集積回路素子を透明樹
脂でモールドしてパフケージとするものに関する。
（従来の技術〕
第３図は従来の技術例の断面図、第４図は異る従来の技
術例の断面図である。
術例の断面図である。
これらの図面において、マウント部１と外部リード２と
からなるリードフレーム３のマウント部１には光電変換
素子とその周辺回路とからなる半導体集積回路素子４が
装着されている。この半導体集積回路素子４は金属線５
で外部リード２に接続され、全体が透明樹脂６でモール
ドされてパッケニジとなる。矢印は光線を示し、センサ
部である光電変換素子が正面から受光すべき本来の光の
ほかに様々な方向からも受光する。
からなるリードフレーム３のマウント部１には光電変換
素子とその周辺回路とからなる半導体集積回路素子４が
装着されている。この半導体集積回路素子４は金属線５
で外部リード２に接続され、全体が透明樹脂６でモール
ドされてパッケニジとなる。矢印は光線を示し、センサ
部である光電変換素子が正面から受光すべき本来の光の
ほかに様々な方向からも受光する。
後者の従来の技術例では図示するように透明樹脂６の裏
面に黒色被膜７を施して裏面からの無駄な受光をさえぎ
っている。
面に黒色被膜７を施して裏面からの無駄な受光をさえぎ
っている。
また特に図示しないが、半導体集積回路素子を透明樹脂
でモールドし、その外表面のうち、センサ部である光電
変換素子部分に対応する受光面のみを透明で平滑にし、
その他の表面を梨地加工するものもある。梨地加工した
表面から入射する光を減少させるためである。
でモールドし、その外表面のうち、センサ部である光電
変換素子部分に対応する受光面のみを透明で平滑にし、
その他の表面を梨地加工するものもある。梨地加工した
表面から入射する光を減少させるためである。
前記の従来の技術において、センサ部である光電変換素
子が正面から受光すべき本来の光取外の光は、迷光又は
乱光ともいわれて光電変換作用の感度の低下や、誤動作
をもたらすことがある。これは光電変換素子の周辺にあ
る周辺回路に光が当る時にも生じることがある。従って
前記のようにパッケージを透明樹脂でモールドするもの
は、様々な方向からの迷光又は乱光が光電変換特性の低
下や、誤動作の原因となる。そして裏面に黒色被膜を施
しても、或は受光面を透明で平滑にして他の外面を梨地
加工しても大幅な改善にならない。
子が正面から受光すべき本来の光取外の光は、迷光又は
乱光ともいわれて光電変換作用の感度の低下や、誤動作
をもたらすことがある。これは光電変換素子の周辺にあ
る周辺回路に光が当る時にも生じることがある。従って
前記のようにパッケージを透明樹脂でモールドするもの
は、様々な方向からの迷光又は乱光が光電変換特性の低
下や、誤動作の原因となる。そして裏面に黒色被膜を施
しても、或は受光面を透明で平滑にして他の外面を梨地
加工しても大幅な改善にならない。
この発明の目的は、センサ部である光電変換素子の受光
面以外からの迷光や乱光を確実に防止し、光電変換特性
を向上させることにある。
面以外からの迷光や乱光を確実に防止し、光電変換特性
を向上させることにある。
この発明は、マウント部に装着して外部リードに接続を
施した光電変換素子を透明樹脂でモールドするものにお
いて、前記光電変換素子の受光面に対応する前記透明樹
脂の表面に剥離性のあるテープを貼り付け、このテープ
ごと前記透明樹脂の外表面に不透光性の樹脂膜を薄く被
着し、その後に前記テープをこのテープの表面に被着し
た樹脂膜とともに剥離して前記受光面に開口部を形成す
るものである。
施した光電変換素子を透明樹脂でモールドするものにお
いて、前記光電変換素子の受光面に対応する前記透明樹
脂の表面に剥離性のあるテープを貼り付け、このテープ
ごと前記透明樹脂の外表面に不透光性の樹脂膜を薄く被
着し、その後に前記テープをこのテープの表面に被着し
た樹脂膜とともに剥離して前記受光面に開口部を形成す
るものである。
光電変換素子をモールドした透明樹脂６の外表面に被着
された不透光性の薄い樹脂膜９．９ａはテープ８を剥離
すると、このテープ８の表面に被着した樹脂膜９ａのみ
がテープ８とともに剥離して受光面に対応した開口部１
０が形成され、透明樹脂６の他の面は不透光性の樹脂膜
９で依然層われて迷光・乱光の入射が確実に防止される
。
された不透光性の薄い樹脂膜９．９ａはテープ８を剥離
すると、このテープ８の表面に被着した樹脂膜９ａのみ
がテープ８とともに剥離して受光面に対応した開口部１
０が形成され、透明樹脂６の他の面は不透光性の樹脂膜
９で依然層われて迷光・乱光の入射が確実に防止される
。
第１図は実施例の断面図、第２図は第１図の平面図であ
る。
る。
図面において、前述の従来の技術を示す図面と同一符号
を付したものはおよそ同一機能を持つ。
を付したものはおよそ同一機能を持つ。
すなわちマウント部１と外部リード２とからなるノード
フレーム３のマウント部１には光電変換素子とその周辺
回路とからなる半導体集積回路素子４が装着され、金属
線５で接続後に透明樹脂６でモールドされる。なお、バ
ンブを持った素子をフレキシブルなテープにボンディン
グするテープアセンブリの方法で装着するなど他の装着
方法を用いてもよい。次に前記の透明樹脂６でモールド
した半導体集積回路素子４の外部リード２をフレキシブ
ルプリント基板２ａにはんだ付けする。
フレーム３のマウント部１には光電変換素子とその周辺
回路とからなる半導体集積回路素子４が装着され、金属
線５で接続後に透明樹脂６でモールドされる。なお、バ
ンブを持った素子をフレキシブルなテープにボンディン
グするテープアセンブリの方法で装着するなど他の装着
方法を用いてもよい。次に前記の透明樹脂６でモールド
した半導体集積回路素子４の外部リード２をフレキシブ
ルプリント基板２ａにはんだ付けする。
さて、半導体集積回路素子４の表面は、例えばそのごく
一部が光電変換素子とされ、他の大部分が周辺回路とさ
れ、光電変換素子に対応する受光面にのみ光を照射する
ことが望ましい。そこで前記透明樹脂６の受光面に対応
する表面に受光面と同一の形状のテープ８を貼り付け、
このテープ８ごと透明樹脂６の表面に黒又は他の色で着
色した不透光性の樹脂膜９を薄く被着する。前記テープ
８は粘着テープのように剥離性があり、また樹脂膜９は
樹脂液を滴下させて対象物の表面に被着させるポツティ
ングの技術が適するが、フレキシブルプリント基板２ａ
を持たないもの等の場合には樹脂液に消すデイピング又
は粉体塗装、噴霧塗装等の公知の技術が使用できる。樹
脂膜９の硬化又は半硬化後に前記テープ８をこのテープ
の表面の樹脂膜９ａとともに剥離して受光面に対応する
開口部ｌＯを透明樹脂６の表面に形成する。
一部が光電変換素子とされ、他の大部分が周辺回路とさ
れ、光電変換素子に対応する受光面にのみ光を照射する
ことが望ましい。そこで前記透明樹脂６の受光面に対応
する表面に受光面と同一の形状のテープ８を貼り付け、
このテープ８ごと透明樹脂６の表面に黒又は他の色で着
色した不透光性の樹脂膜９を薄く被着する。前記テープ
８は粘着テープのように剥離性があり、また樹脂膜９は
樹脂液を滴下させて対象物の表面に被着させるポツティ
ングの技術が適するが、フレキシブルプリント基板２ａ
を持たないもの等の場合には樹脂液に消すデイピング又
は粉体塗装、噴霧塗装等の公知の技術が使用できる。樹
脂膜９の硬化又は半硬化後に前記テープ８をこのテープ
の表面の樹脂膜９ａとともに剥離して受光面に対応する
開口部ｌＯを透明樹脂６の表面に形成する。
この発明は、マウント部に装着して外部リードに接続を
施した光電変換素子を透明樹脂でモールドするものにお
いて、前記光電変換素子の受光面に対応する前記透明樹
脂の表面に剥離性のあるテープを貼り付け、このテープ
ごと前記透明樹脂の外表面に不透光性の樹脂膜を薄く被
着し、その後に前記テープをこのテープの表面に被着し
た樹脂膜とともに剥離して前記受光面に開口部を形成す
るようにしたので、半導体集積回路素子は周辺回路を除
くセンサ部である光電変換素子に対応した受光面のみか
ら受光して、迷光又は乱光の入射が確実に防止されると
いう効果があり、経済的な工程によって感度の低下や誤
動作が阻止されて光電変換特性が向上するという効果が
ある。
施した光電変換素子を透明樹脂でモールドするものにお
いて、前記光電変換素子の受光面に対応する前記透明樹
脂の表面に剥離性のあるテープを貼り付け、このテープ
ごと前記透明樹脂の外表面に不透光性の樹脂膜を薄く被
着し、その後に前記テープをこのテープの表面に被着し
た樹脂膜とともに剥離して前記受光面に開口部を形成す
るようにしたので、半導体集積回路素子は周辺回路を除
くセンサ部である光電変換素子に対応した受光面のみか
ら受光して、迷光又は乱光の入射が確実に防止されると
いう効果があり、経済的な工程によって感度の低下や誤
動作が阻止されて光電変換特性が向上するという効果が
ある。
第１図は実施例の断面図、第２図は第１図の平面図であ
り第３図は従来の技術例の断面図、第４図は異る従来の
技術例の断面図である。 １・・・マウント部、３・・・リードフレーム、４・・
・半導体集積回路素子、６・・・透明樹脂、８・・・テ
ープ、９・・・樹脂膜、１０・・・開口部。
り第３図は従来の技術例の断面図、第４図は異る従来の
技術例の断面図である。 １・・・マウント部、３・・・リードフレーム、４・・
・半導体集積回路素子、６・・・透明樹脂、８・・・テ
ープ、９・・・樹脂膜、１０・・・開口部。
Claims (1)
- １）マウント部に装着して外部リードに接続を施した光
電変換素子を透明樹脂でモールドするものにおいて、前
記光電変換素子の受光面に対応する前記透明樹脂の表面
に剥離性のあるテープを貼り付け、このテープごと前記
透明樹脂の外表面に不透光性の樹脂膜を薄く被着し、そ
の後に前記テープをこのテープの表面に被着した樹脂膜
とともに、剥離して前記受光面に開口部を形成すること
を特徴とする透明樹脂でモールドした光電変換素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194903A JPH0243745A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明樹脂でモールドした光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194903A JPH0243745A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明樹脂でモールドした光電変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243745A true JPH0243745A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16332253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194903A Pending JPH0243745A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明樹脂でモールドした光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911353B2 (en) * | 1997-03-10 | 2005-06-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP63194903A patent/JPH0243745A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911353B2 (en) * | 1997-03-10 | 2005-06-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
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