JPH0258258A - 高周波集積回路 - Google Patents

高周波集積回路

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JPH0258258A
JPH0258258A JP20897288A JP20897288A JPH0258258A JP H0258258 A JPH0258258 A JP H0258258A JP 20897288 A JP20897288 A JP 20897288A JP 20897288 A JP20897288 A JP 20897288A JP H0258258 A JPH0258258 A JP H0258258A
Authority
JP
Japan
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integrated circuit
capacitor
high frequency
pattern
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP20897288A
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English (en)
Inventor
Yoshinobu Kadowaki
門脇 好伸
Masahide Yamauchi
山内 眞英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高周波帯の#!積回路に関するものである
C従来の技術〕 以ド、高周波I!積回路として、モノリシックマイクロ
波実槓回路増幅器(MMIC増幅器)を例にとって説明
する。
第3図は従来のMMIG増幅器の一例を示す平面図であ
る、。
乙の図において、1は高周波トラノジスク、2は抵抗体
、3はコンデンサ、4は入力信号端子、5は出力信号端
子、6は的記高周波トランジスク1のIN!]欣バイア
ス印加端子であり、71.を乙れらの各素子が形成され
た集積口il!8基板である。。
次にMMIC増幅器の動作について説明ずろ。
入力信号端子4に印加された信号は高周波トラノジスタ
1により増幅され、出力信号端子5から取り出される1
、ここで、i11周波トラノジスタ1を動作させるため
の直流バイアスは、直流バイアス印加端子6より供給さ
れろ。コンデンサ3および抵抗体2は^周波トランジス
ク1の人、出力インピーダンスを所定の特性インピーダ
ンスにインピーダンス整合させるために用いられる。。
[発明が解決しようとする課題〕 以−Fのように構成された従来のMMIG増幅器では、
増幅器に要求される特性や使用周波数によってはコンデ
ンサ3と()て大容景のものが必要となる。その結果、
コンデンサ3の面積が増大し、MM(C増幅器パターン
の大部分がコンデンサパタンとなり、MMICチップの
大面積化によるコス1−アップの問題と、大面積のコン
デンサパタン配置によるMMLC回路設計が困難になる
等の問題点があった。
乙の発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、コンデンサの占有面積を減らした小型の高
周波集積回路を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段〕 乙の発明に係る高周波集積回路は、集積回路基板の1M
面に四部を設け、この凹部内にコンデンサ部分を形成し
、このコンデンサと集積回路基板表向の高周波1−ラン
ジスタや回路パターンと集積回路基板をvi通する導電
体で接続したものである。
(作用〕 この発明においては、コンデンサ部分を集積回路基板表
面から取り除き、!AM回路基板裏西OH部に形成した
ことから、iJL禎回路基板表面に占有していたコンデ
ンサパターンの面積が減少す−る。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面′について説明する。
。 第を図はこの発明の一実施例を示すMMIC増幅器の平
面図であり、第2図は、第1図のA −A′線での断面
図である。
これらの図において、1〜7(よ第3図と同じものを示
し、8ば前記集′!f4回路基板7の裏面に形成された
四部で、この四部8内にコンデンサ31が形成されてお
り、ij4積回路基板7を貫通する導電体32により集
積回路基板7上の高周波トランジスク1や他の回路パタ
ーンと電気的に接続されている。
このように構成することにより、従来は高周波集積回路
上に形成され、広い面積を占有していたコンデンサパタ
ーンを表向よりJMifi′iに移設がiIJ(mとな
り、電気的な特性は従来例と同等になる1、さらに、表
面の回路パターン配置でコンデンサパタンの制約が解消
もしくは少なくなり、集積回路パターン設計における自
由度が向上する。
なお、上記実施例ではMMIG増幅器について説明した
が、これに限定するものでなく、他の高周波集積回路に
適用しても同様の効果を奏することばいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、集積回路基板−ヒに形
成される回路パターンのうち、コンデンサ部分を集積回
路基板の裏面に設けられた四部に形成したので、集積回
路パターンの縮小化かり能となり、小型化した安価な高
周波集積回路が得られろ効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるMM[C増幅器のチ
ップパターンを示ず平向図、第2図は、第1図のA−A
’締における断餌図、第3図は従来のMMI(:増幅器
のチップパターンを示す平向図である。 図において、1は高周波トランジスタ、2は抵抗体、4
は入力信号端子、5は出力信号端子、6はトランンスク
の1α流バイアス印加端子、7は集積回路基板、8は凹
部、31は凹部に形成されたコンデンサ、32f;tQ
4積回路基板を貫通する導電体である、。 なお、各図中″の同一符号は同一または相当部分をボす
。 代理人 大 岩 増 雄   (外2名)第 図 第 図 η 尋電俸 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高周波トランジスタ、抵抗体、コンデンサなどの回路パ
    ターンを同一の集積回路基板に備えた高周波集積回路に
    おいて、前記集積回路基板の裏面に凹部を設け、この凹
    部内に前記コンデンサ部分を形成し、前記集積回路基板
    上面の回路パターンと前記コンデンサとを前記集積回路
    基板を貫通する導電体で接続したことを特徴とする高周
    波集積回路。
JP20897288A 1988-08-23 1988-08-23 高周波集積回路 Pending JPH0258258A (ja)

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