JPH027452A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH027452A JPH027452A JP15734088A JP15734088A JPH027452A JP H027452 A JPH027452 A JP H027452A JP 15734088 A JP15734088 A JP 15734088A JP 15734088 A JP15734088 A JP 15734088A JP H027452 A JPH027452 A JP H027452A
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- silicon oxide
- oxide film
- silicon nitride
- silicon
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Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 9
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。
従来の半導体装置の半導体チップ保護膜の構造を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
第２図は従来の半導体チップの一例の断面図である。
シリコン基板の上にシリコン酸化膜２を設け、第１アル
ミニウム配線３を形成する。全面にシリコン酸化膜４を
被覆し、アルミニウム配線３の上のシリコン酸化膜４を
開口し、層間接続用のスルーホール５を設け、第２アル
ミニウム配線６を形成する。この上にシリコン酸化膜７
、シリコン窒化膜８を順次堆積する。
ミニウム配線３を形成する。全面にシリコン酸化膜４を
被覆し、アルミニウム配線３の上のシリコン酸化膜４を
開口し、層間接続用のスルーホール５を設け、第２アル
ミニウム配線６を形成する。この上にシリコン酸化膜７
、シリコン窒化膜８を順次堆積する。
上述した従来の半導体装置は、スルーホール５において
、シリコン窒化膜７のカバレッジが悪化し、膜厚が薄く
なって、この半導体チップをモールドパッケージに組ん
だ時、耐湿性が劣化するという欠点があった。
、シリコン窒化膜７のカバレッジが悪化し、膜厚が薄く
なって、この半導体チップをモールドパッケージに組ん
だ時、耐湿性が劣化するという欠点があった。
本発明は、半導体基板上に形成された多層配線と、該多
層配線を保護する保護膜とが形成されている半導体装置
において、前記保護膜が第１絶縁膜と、該第１絶縁膜の
凹部にのみ選択的に残存せしめな塗布膜と、前記第１絶
縁膜上に形成された耐湿性の第２絶縁膜とから成るもの
である。
層配線を保護する保護膜とが形成されている半導体装置
において、前記保護膜が第１絶縁膜と、該第１絶縁膜の
凹部にのみ選択的に残存せしめな塗布膜と、前記第１絶
縁膜上に形成された耐湿性の第２絶縁膜とから成るもの
である。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
シリコン基板１上に膜厚１．０μｍのシリコン酸化膜２
を形成する。次に、膜厚０．６μｍ程度のアルミニウム
を被着し、パターニングして第１アルミニウム配線３を
形成する。その上に膜厚０．８μｍ程度のシリコン酸化
膜４を形成し、層間接続用のスルーホール５を形成する
。次に、膜厚１．０μｍ程度のアルミニウムを被着し、
パターニングして第２アルミニウム配線６を形成する。
を形成する。次に、膜厚０．６μｍ程度のアルミニウム
を被着し、パターニングして第１アルミニウム配線３を
形成する。その上に膜厚０．８μｍ程度のシリコン酸化
膜４を形成し、層間接続用のスルーホール５を形成する
。次に、膜厚１．０μｍ程度のアルミニウムを被着し、
パターニングして第２アルミニウム配線６を形成する。
次に、膜厚０．５μｍ程度のシリコン酸化膜７を形成す
る。そして、塗布膜９を塗布法で形成し、異方性エッチ
バックをする事によりシリコン酸化膜７の凹部にのみ塗
布膜９を残存せしめる。
る。そして、塗布膜９を塗布法で形成し、異方性エッチ
バックをする事によりシリコン酸化膜７の凹部にのみ塗
布膜９を残存せしめる。
最後に、膜厚０．５μｍ程度のシリコン窒化膜８を形成
する。
する。
上記実施例においては第１絶縁膜としてシリコン酸化膜
を用いたが、シリコン酸化膜の代りに、シリコン窒化膜
を用いることができ、より一層耐湿性効果を高めること
ができる。
を用いたが、シリコン酸化膜の代りに、シリコン窒化膜
を用いることができ、より一層耐湿性効果を高めること
ができる。
以上説明したように、本発明は、シリコン酸化膜の凹部
に塗布膜を選択的に残存せしめ、その上にシリコン窒化
膜を形成するので、その膜厚は、均一となり、半導体チ
ップをモールドパッケージに組んだ時にも耐湿性を確保
できる効果がある。
に塗布膜を選択的に残存せしめ、その上にシリコン窒化
膜を形成するので、その膜厚は、均一となり、半導体チ
ップをモールドパッケージに組んだ時にも耐湿性を確保
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の半
導体チップの一例の断面図である。 １・・・シリコン基板、２，４．７・・・シリコン酸化
膜、３・・・第１アルミニウム配線、５・・・スルーホ
ール、６・・・第２アルミニウム配線、８・・・シリコ
ン窒化膜、９・・・塗布膜。
導体チップの一例の断面図である。 １・・・シリコン基板、２，４．７・・・シリコン酸化
膜、３・・・第１アルミニウム配線、５・・・スルーホ
ール、６・・・第２アルミニウム配線、８・・・シリコ
ン窒化膜、９・・・塗布膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された多層配線と、該多層配線を保
護する保護膜とが形成されている半導体装置において、
前記保護膜が第１絶縁膜と、該第１絶縁膜の凹部にのみ
選択的に残存せしめた塗布膜と、前記第１絶縁膜上に形
成された耐湿性の第２絶縁膜とから成ることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15734088A JPH027452A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15734088A JPH027452A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027452A true JPH027452A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15647550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15734088A Pending JPH027452A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027452A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150852A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15734088A patent/JPH027452A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150852A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
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