JPH02745U - - Google Patents

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JPH02745U
JPH02745U JP3021089U JP3021089U JPH02745U JP H02745 U JPH02745 U JP H02745U JP 3021089 U JP3021089 U JP 3021089U JP 3021089 U JP3021089 U JP 3021089U JP H02745 U JPH02745 U JP H02745U
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wiring
transistor
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は誤動作を起す従来の半導体装置の配線
パターン例、第３図及び第５図は本考案の実施例
の半導体装置の配線パターン構成図である。又、
第２図、第４図、第６図は各々第１図、第３図、
第５図の等価回路図を表わしたものであり、各々
の回路図及びパターン構成図に記されたトランジ
スターＴ１，Ｔ２は同一型状であり、又電流Ｉ１
，Ｉ２は各々のトランジスターＴ１，Ｔ２のエミ
ツター端子から流れる電流値として定義してある
。 ｃ１，ｅ１，ｂ１……各々トランジスターＴ１
のコレクター端子、エミツター端子、ベース端子
、ｃ２，ｅ２，ｂ２……各々トランジスターＴ２
のコレクター端子、エミツター端子、ベース端子
、Ｌ１，Ｌ１１，Ｌ２１……トランジスターＴ１
のコレクター端子、ベース端子とトランジスター
Ｔ２のベース端子へ接続される配線の総称、Ｌ２
，Ｌ１２，Ｌ２２……トランジスターＴ２のコレ
クター端子に接続される配線、Ｌ３，Ｌ１３，Ｌ
２３……トランジスターＴ１のエミツター端子と
、トランジスターＴ２のエミツター端子に接続さ
れる最低電位電極配線、Ｌ１４，Ｌ１５，Ｌ１６
……配線Ｌ１１において、各々トランジスターＴ
１のコレクター端子ｃ１、ベース端子ｂ１、及び
トランジスターＴ２のベース端子ｂ２に接続され
る配線、Ｌ２４，Ｌ２５，Ｌ２６……配線Ｌ２１
において、各々トランジスターＴ１のコレクター
端子ｃ１、ベース端子ｂ１、及びトランジスター
Ｔ２のベース端子ｂ２に接続される配線、ｒ１，
ｒ２，ｒ３，ｒ１４，ｒ１５，ｒ１６，ｒ２４，
ｒ２５，ｒ２６，ｒ２７……配線抵抗。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ベース端子とコレクター端子とを配線によ
    り短絡した第１トランジスターの該ベース端子と
    コレクター端子との短絡配線を、該第１トランジ
    スタに隣接した第２トランジスターのベース端子
    に接続し、これら第１および第２トランジスタの
    エミツタ同士を共通に配線した回路の配線パター
    ン構成において、該第１トランジスターのコレク
    ター端子へ接続される配線と該第１トランジスタ
    ーのベース端子へ接続される配線との接続点から
    前記第２トランジスターのベース端子への配線が
    分岐されて接続されており、かつ前記接続点から
    前記第１のトランジスターのベースへの配線抵抗
    と前記接続点から前記第２のトランジスターのベ
    ースへの配線抵抗をほぼ等しくされている事を特
    徴とする半導体装置。 (2) 前記配線が不純物をドープした多結晶シリ
    コン膜を用いて形成されている事を特徴とする特
    許請求の範囲第(1)項記載の半導体装置。 (3) 前記配線は前記不純物をドープした多結晶
    シリコン膜上に金属膜を有する事を特徴とする特
    許請求の範囲第(2)項記載の半導体装置。 (4) 前記配線は前記不純物をドープした多結晶
    シリコン膜上に導電性のケイ素化合物を有する事
    を特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載の半導
    体装置。
JP1989030210U 1989-03-16 1989-03-16 Expired - Lifetime JPH054285Y2 (ja)

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JPH02745U true JPH02745U (ja) 1990-01-05
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979486A (ja) * 1972-12-06 1974-07-31

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS4979486A (ja) * 1972-12-06 1974-07-31

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