JPH0287638A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JPH0287638A JPH0287638A JP24041188A JP24041188A JPH0287638A JP H0287638 A JPH0287638 A JP H0287638A JP 24041188 A JP24041188 A JP 24041188A JP 24041188 A JP24041188 A JP 24041188A JP H0287638 A JPH0287638 A JP H0287638A
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- semiconductor device
- resin
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Links
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は回路基板のリードの構造に関する。
［従来の技術］
従来の回路基板のリードの表面状態は、リードとして使
用している金属箔の表面状態により決まり、圧延箔を使
用した場合、第４図の様にリード２の上下面共に平滑で
あり、電解箔を使用した場合、第５図の様に片面が粗く
、一方が平滑なり−ド２の表面状態となり、この状態は
、通常のコンマ故ミクロンから数ミクロンの金属メツキ
を表面に施しても、太き（は変わらない。
用している金属箔の表面状態により決まり、圧延箔を使
用した場合、第４図の様にリード２の上下面共に平滑で
あり、電解箔を使用した場合、第５図の様に片面が粗く
、一方が平滑なり−ド２の表面状態となり、この状態は
、通常のコンマ故ミクロンから数ミクロンの金属メツキ
を表面に施しても、太き（は変わらない。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、粗いリード表面の場合と
比べ、平滑なリード表面状態だと、モールド樹脂のリー
ドへの密着力が弱くなり、その部分を通して、外部の水
分や、イオン性物質等が工Ｃ表面へ容易に達するように
なる。半導体装置の耐湿性能を決定する最も大きな要因
は、外部の水分やイオン性物質の１０表面への侵入し易
さであり、前記の様に、モールド樹脂のリードへの密着
力が弱いと、モールド樹脂とリードの界面を伝って外部
の水分やイオン性物質が工Ｃ表面に達し易くなり、半導
体装置の耐湿性能が損なわれると（・５課題を有する。
比べ、平滑なリード表面状態だと、モールド樹脂のリー
ドへの密着力が弱くなり、その部分を通して、外部の水
分や、イオン性物質等が工Ｃ表面へ容易に達するように
なる。半導体装置の耐湿性能を決定する最も大きな要因
は、外部の水分やイオン性物質の１０表面への侵入し易
さであり、前記の様に、モールド樹脂のリードへの密着
力が弱いと、モールド樹脂とリードの界面を伝って外部
の水分やイオン性物質が工Ｃ表面に達し易くなり、半導
体装置の耐湿性能が損なわれると（・５課題を有する。
そこで本発明はこのような課題を解決するものでその目
的とするところは耐湿性能の高い半導体装置を提供する
ことである。
的とするところは耐湿性能の高い半導体装置を提供する
ことである。
口課題を解決するための手段］
本発明の回路基板は、半導体装置の外部接続部に直接接
合されるリードを有し、前記半導体装置の外部接続部と
、前記リードを接合後、樹脂モールド剤で半導体装置と
その近辺のリードが封止される回路基板において、リー
ド表面が、化学的にあるいは機械的に粗されていること
を特徴とする［実施例］ 第１図は本発明の実施例を示す半導体装置のボッティン
グモールド樹脂封止後の断面図であって１は工Ｃチップ
、２はリード、３はボッティング用樹脂封止剤、４は半
導体装置あるいはリード側へ予め形成、してあったバン
プである。ここで、ポツティング用樹脂封止剤３と、リ
ード２との間の密着力は、リード２０表面が粗れている
ことにより、高まり、界面から水分やイオン性物質が工
Ｃチップ１に達するのを難しくする。したがって、この
樹脂封止後の半導体装置を含む回路基板を考えた場合、
リード２０表面を粗くしたことにより、耐湿性が向上し
たことになる。
合されるリードを有し、前記半導体装置の外部接続部と
、前記リードを接合後、樹脂モールド剤で半導体装置と
その近辺のリードが封止される回路基板において、リー
ド表面が、化学的にあるいは機械的に粗されていること
を特徴とする［実施例］ 第１図は本発明の実施例を示す半導体装置のボッティン
グモールド樹脂封止後の断面図であって１は工Ｃチップ
、２はリード、３はボッティング用樹脂封止剤、４は半
導体装置あるいはリード側へ予め形成、してあったバン
プである。ここで、ポツティング用樹脂封止剤３と、リ
ード２との間の密着力は、リード２０表面が粗れている
ことにより、高まり、界面から水分やイオン性物質が工
Ｃチップ１に達するのを難しくする。したがって、この
樹脂封止後の半導体装置を含む回路基板を考えた場合、
リード２０表面を粗くしたことにより、耐湿性が向上し
たことになる。
第２図は本発明の他の実施例を示す、半導体装置を別の
基板にアウターリードポンディングした場合の断面図で
あって、５はＩＣチップ１がアウターリードボンディン
グされる基板、６は基板５上のパターン、７はリード２
と基板上のパターン６を接合するはんだ付部を示し、８
はリード８がばらばらにならない様に設けられている絶
縁性樹脂よりなるサスペーンダーである。この実装構造
においても前記第１図と同様、リード２０表面が粗れて
いることにより半導体装置を含む回路基板の耐湿性は向
上する。
基板にアウターリードポンディングした場合の断面図で
あって、５はＩＣチップ１がアウターリードボンディン
グされる基板、６は基板５上のパターン、７はリード２
と基板上のパターン６を接合するはんだ付部を示し、８
はリード８がばらばらにならない様に設けられている絶
縁性樹脂よりなるサスペーンダーである。この実装構造
においても前記第１図と同様、リード２０表面が粗れて
いることにより半導体装置を含む回路基板の耐湿性は向
上する。
第６図は本発明のさらに他の実施例を示す半導体装置の
トランスファーモールド樹脂封止後の断面図であって９
はトランスファーモールド剤である。この実装構造にお
いても前記第１図と同様、リード２０表面が粗れている
ことにより、半導体装置を含む回路基板の耐湿性は向上
する。
トランスファーモールド樹脂封止後の断面図であって９
はトランスファーモールド剤である。この実装構造にお
いても前記第１図と同様、リード２０表面が粗れている
ことにより、半導体装置を含む回路基板の耐湿性は向上
する。
リード表面を粗すには、金属箔表面を機械的に研摩する
ことにより粗らしてから、バターニングしてリードを形
成する方法と、特殊なマスクを使いハーフエツチングを
行い、それにより、金属箔表面を粗す方法がある。粗さ
の程度は５μｍ以上は必要で、３５μｍ厚の銅箔だと、
１０〜１５μｍｆ）″−最適な粗さであり、これ以上粗
いと、リード部の機械的強度が著しく低下する。
ことにより粗らしてから、バターニングしてリードを形
成する方法と、特殊なマスクを使いハーフエツチングを
行い、それにより、金属箔表面を粗す方法がある。粗さ
の程度は５μｍ以上は必要で、３５μｍ厚の銅箔だと、
１０〜１５μｍｆ）″−最適な粗さであり、これ以上粗
いと、リード部の機械的強度が著しく低下する。
［発明の効果コ
半導体装置の外部接続部に直接接合されるリードを有し
、前記半導体装置の外部接続部と、前記リードを接合後
、樹脂モール４ド剤で半導体装置と、その近辺のリード
が封止される回路基板においてリード表面を化学的に、
あるいは機械的に粗したため、モールド樹脂と、リード
の密着力が向上し、半導体装置を含む回路基板の耐湿性
向上という効果が得られる。
、前記半導体装置の外部接続部と、前記リードを接合後
、樹脂モール４ド剤で半導体装置と、その近辺のリード
が封止される回路基板においてリード表面を化学的に、
あるいは機械的に粗したため、モールド樹脂と、リード
の密着力が向上し、半導体装置を含む回路基板の耐湿性
向上という効果が得られる。
第１図は本発明の回路基板の一実施例を示す主要断面図
。 第２図は本発明の回路基板の他の実施例を示す主要断面
図。 第６図は本発明の回路基板のさらに他の実施例を示す主
要断面図。 第４図は従来の回路基板一実施例を示す主要断面図。 第５図は従来の回路基板の他の実施例を示す主要断面図
。 １・・・・・・ＩＣチップ ２・・・・・・リード ３・・・・・・ボッティング用樹脂封止剤４ ・・・
・・・ ）（ン プ ５・・・・・・基 板 ６・・・・・・基板上のパターン ７・・・・・・はんだ付部 ８・・・・・・サスペンダー 第 図 第 図 第３ 図 第４ 図 第９図
。 第２図は本発明の回路基板の他の実施例を示す主要断面
図。 第６図は本発明の回路基板のさらに他の実施例を示す主
要断面図。 第４図は従来の回路基板一実施例を示す主要断面図。 第５図は従来の回路基板の他の実施例を示す主要断面図
。 １・・・・・・ＩＣチップ ２・・・・・・リード ３・・・・・・ボッティング用樹脂封止剤４ ・・・
・・・ ）（ン プ ５・・・・・・基 板 ６・・・・・・基板上のパターン ７・・・・・・はんだ付部 ８・・・・・・サスペンダー 第 図 第 図 第３ 図 第４ 図 第９図
Claims (1)
- 半導体装置の外部接続部に直接接合されるリードを有し
、前記半導体装置の外部接続部と、前記リードを接合後
、樹脂モールド剤で半導体装置と、その近辺のリードが
封止される回路基板において、リード表面が、化学的に
、あるいは機械的に粗されていることを特徴とする回路
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24041188A JPH0287638A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24041188A JPH0287638A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287638A true JPH0287638A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17059070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24041188A Pending JPH0287638A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287638A (ja) |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24041188A patent/JPH0287638A/ja active Pending
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