JPH0311761A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0311761A
JPH0311761A JP14771889A JP14771889A JPH0311761A JP H0311761 A JPH0311761 A JP H0311761A JP 14771889 A JP14771889 A JP 14771889A JP 14771889 A JP14771889 A JP 14771889A JP H0311761 A JPH0311761 A JP H0311761A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
ferroelectric
insulating film
electrodes
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14771889A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP14771889A priority Critical patent/JPH0311761A/ja
Publication of JPH0311761A publication Critical patent/JPH0311761A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置に形成する強誘電体コンデンサーの
構造に関する。
［従来の技術］ 従来、半導体装置に形成された強誘電体コンデンサーは
、半導体基板上に絶縁膜上に第一の電極が形成され、該
第−のＩＥ極上に強＠電体膜が形成され、該強訴電体膜
上に第二の電極が形成されて［課題を解決するための手
段］ 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、目的を達成
するために、半導体装置に関し、半導体基板上の絶縁膜
表面に形成した二つの電極間に強訴電体を挾んで形成す
る手段を取る。
［実施例コ 以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図乃至第３図は本発明の実施例を示す半導体装置に
おける強誘電体コンデンサー要部の断面図である。
第１図では、半導体基板１の上に形成されたＳｉＯ□膜
等から成る絶縁膜２の表面に形成された二つの電極３，
３′のギャップ間にＴａｇ。
ＰｂＺｒＴｉＯ３、ＴｉＢａＯ，等から成る強誘電体４
が挾まれて形成されて成る。
第２図では、半導体基板１１の上に形成された絶縁膜１
２に形成された溝の側壁を含む表面に溝部でギャップを
形成した二つの電極１５．１５’のギャップ間に強誘電
体１４が形成されて成る。
第５図では、半導体基板２１の上に形成された二つの電
極２３．２３’のギャップ部を凸状となし、該凸状電極
ギャップ間に強誘電体２４が形成されて成る。
［発明の効果］ 本発明により、強誘電体コンデンサーの専有面積を小と
することができ、強誘電体コンデンサーを用いた半導体
装置の高集積化を計る事ができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は本発明の実施例を示す半導体装置に
おける強誘電体コンデンサー要部の断面図である。 １．１１，２１・・・・・・・・・半導体基板２．１２
，２２・・・・・・・・・絶縁膜３．１５，２５・・・
・・・・・・電　極４．１４，２４・・・・・・・・・
強誘電体以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上の絶縁膜表面に形成された二つの電極間に
    は強誘電体が挾まれて形成されて成る事を特徴とする半
    導体装置。
JP14771889A 1989-06-09 1989-06-09 半導体装置 Pending JPH0311761A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14771889A JPH0311761A (ja) 1989-06-09 1989-06-09 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14771889A JPH0311761A (ja) 1989-06-09 1989-06-09 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0311761A true JPH0311761A (ja) 1991-01-21

Family

ID=15436622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14771889A Pending JPH0311761A (ja) 1989-06-09 1989-06-09 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0311761A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5313089A (en) * 1992-05-26 1994-05-17 Motorola, Inc. Capacitor and a memory cell formed therefrom
US5585998A (en) * 1995-12-22 1996-12-17 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor with dual dielectric
US5633781A (en) * 1995-12-22 1997-05-27 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode
US5712759A (en) * 1995-12-22 1998-01-27 International Business Machines Corporation Sidewall capacitor with L-shaped dielectric
US5914851A (en) * 1995-12-22 1999-06-22 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor
US8272820B2 (en) 2007-11-19 2012-09-25 Yukio Numata Rope fastening device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5313089A (en) * 1992-05-26 1994-05-17 Motorola, Inc. Capacitor and a memory cell formed therefrom
US5405796A (en) * 1992-05-26 1995-04-11 Motorola, Inc. Capacitor and method of formation and a memory cell formed therefrom
US5585998A (en) * 1995-12-22 1996-12-17 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor with dual dielectric
US5633781A (en) * 1995-12-22 1997-05-27 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode
US5701647A (en) * 1995-12-22 1997-12-30 International Business Machines Corporation Method for making an isolated sidewall capacitor having a compound plate electrode
US5712759A (en) * 1995-12-22 1998-01-27 International Business Machines Corporation Sidewall capacitor with L-shaped dielectric
US5914851A (en) * 1995-12-22 1999-06-22 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor
US6027966A (en) * 1995-12-22 2000-02-22 International Business Machines Corporation Isolated sidewall capacitor
US8272820B2 (en) 2007-11-19 2012-09-25 Yukio Numata Rope fastening device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2002025700A3 (en) Semiconductor device and method of forming a semiconductor device
WO2002009178A3 (en) Semiconductor device and a process for forming the same
JPH0311761A (ja) 半導体装置
JPH0573273B2 (ja)
JPS61170057A (ja) 縦型キヤパシタ−
JPH0338895A (ja) 部品搭載用回路基板
JPS63177435A (ja) 半導体素子の電極構造
JPS60201653A (ja) 半導体装置
JPH02118954U (ja)
JPH01205559A (ja) 電気容量体
JPH0619346Y2 (ja) 光透過性静電吸着板
JPH05152587A (ja) Ｍｉｓダイオード
SE0102476D0 (sv) Bonding method and product
JPH03257856A (ja) 半導体装置
JPH0443889U (ja)
JPH04201872A (ja) エンボスタイプキャビティテープ
JPS6365250U (ja)
JPH04146672A (ja) 薄膜半導体装置
JPH03293768A (ja) 電界効果トランジスタ
JPH01183146A (ja) 半導体装置
JPH02119189A (ja) 電界効果型ジョセフソン・トランジスタ
JPH02170576A (ja) 半導体装置
JPS639959A (ja) ポリシリコン高抵抗製造法
JPS61279176A (ja) Ｍｏｓ電界効果トランジスタ
JPH04179127A (ja) 半導体装置