JPH03123045A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

配線基板の製造方法

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JPH03123045A JP1261693A JP26169389A JPH03123045A JP H03123045 A JPH03123045 A JP H03123045A JP 1261693 A JP1261693 A JP 1261693A JP 26169389 A JP26169389 A JP 26169389A JP H03123045 A JPH03123045 A JP H03123045A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえばＬ　Ｓ　Ｉ　（Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａ
ｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ　；大規模
集積回路）などが接続される配線基板の製造方法に関す
る。
従来の技術 集積回路なとては、その大略的に集積回路素子の一表面
に、突起状の電極であるバンプが形成されており、この
バンプに配線基板上の導体を加熱および超音波加工など
によって電気的に接続する。
配線基板の導体が設けられている合成樹脂の基板に、集
積回路が導体と重なる位置に合成樹脂に開口部を設け、
配線基板上の集積回路素子のバンプと導体とを重ね、加
熱および超音波加工を行って導体とバンプとの電気的接
続を行っている。
第５図は、従来の配線基板の製造方法を示す断面図であ
る。第５図（１）に示すように、まず基板である樹脂フ
ィルム１に穴加工を施して開口部４を形成し、第５図（
２）に示すように導体である導電性金属箔２を樹脂フィ
ルム１の一方表面に接着する。樹脂フィルノ、１の他方
表面には、第５図（３）に示すように、保護フィルｌ＼
３を貼付ける。その後、第５図（４）に示すように、導
電性金属箔２にエツチングを施すことによって必要な配
線形状を作成し、第５図（５）に示すように保護フィル
ム３を剥離させて配線基板が完成する。
第６図は、他の配線基板の製造方法を示す断面図である
。第６図（１）に示すように、まず基板であるポリイミ
ドフィルム５の一方表面に銅フラッジメツキによって導
体膜６を作成し、第６図（２）に示すように、導体膜６
上とポリイミドフイルム５の他方表面とにレジス１へ７
をコーティングし、露光および現像によってレジストア
をイ、メージングする。その後、第６図（３）に示すよ
うに、導体膜６上に銅アディティブメツキによって回路
パターン８を形成する。
次に第６図（４）に示すように、ポリイミドフィルム５
にエツチングを施すことによって開口部９を形成し、第
６図（５）に示すようにレジスト７を除去し、最終的に
第６図（６）に示すように導体膜６の不要部分をフラッ
ジュエツヂングによって除去し、配線基板が完成する。
発明が解決しようとする課題 」二連のように、第１の製造方法においては、樹脂フィ
ルム１のプレスによる穴加工、保護フィルム３の貼付け
および剥離作業に手間がかかり、また第２の製造方法に
おいては、導体膜６わよび回路パターン８のメツキ加工
、レジスト７のコーティング、露光、現像および剥離作
業に手間がかがるという問題があった。
また、第５図（５）および第６図（６）において参照符
号１０で示されるＬＳＩチップ接続用のインナーリード
が変形しやすいという欠点があった。
本発明の目的は、製造工程を簡素化することができる配
線基板の製造方法を提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、可撓性合成樹脂の基板の少なくとも一方表面
に導体が設けられ、 前記導体上およびその付近を選択的にレーザ加工して前
記基板を昇華させ、導体が横切る開口部を形成すること
を特徴とする配線基板の製造方法である。
作　　用 本発明に従えば、可撓性合成樹脂の基板の少なくとも一
方表面に導体を設け、その導体上およびその付近を選択
的にレーザ加工することによって基板を昇華させる。こ
のとき、たとえば保護フィルムあるいはレジストなどを
貼付けることによって基板を保護する必要がなく、作業
工程が簡素化される。このようにして、導体が横切る開
口部が基板」二に形成された配線基板が形成される。し
たがって、たとえばＬＳＩチップなどを前記配線基板に
接続する際に、基板の導体が設けられていない他方表面
側から、ＬＳＩ端子パッドと導体との超音波ボンディン
グ接続を行うことができる。
実施例 第１図は、本発明の一実施例を示す断面図である。第１
図（１）に示ずように、ポリエステル、ポリイミドなど
の基板である合成樹脂フィルノ＼１１の一方表面に、銅
、アルミニウムなどの導体である金属箔１２を接着し、
第１図（２）に示すように金属箔１２にエツチングを施
して必要な配線形状を作成する。続いて第１図（３）に
示すように、ガラス、ステンレスなどで構成される治具
マスク１３．１４を、合成樹脂フィルム１１の両面に置
き、レーザ光１５を合成樹脂フィルム１１に当てて、合
成樹脂フィルム１１を昇華させる。これによって、開口
部１６が形成される。治具マスク１３．１４は、開口部
１６に対応した形状であり、開口部１６以外の部分が加
熱されることを防止し、また６成樹脂フイルム１１が動
かないように固定する。
レーザ光１５の温度は、合成樹脂フィルム１１だけを昇
華させることができる温度に選ばれる。
たとえば、６成樹脂フイルム１１がポリエステルであり
、金属箔１２がアルミニウムである場合は、ポリエステ
ルの融点が約２７０℃であり、アルミニウムの融点は約
６６０℃であるので、２７０℃〜６６０℃のうちの適当
な温度、たとえば４００℃に選ばれる。レーザ光１５は
、それが照射される物質を昇華させる。このようにして
第１図（４）および第２図に示される配線基板１７が形
成される。
第３図は、配線基板１７とＬ　Ｓ　Ｉチップ１８との接
続状態を示す断面図である。ＬＳＩチップ１８の一表面
には、電極であるバッド］９が形成されている。このパ
ッド１つに配線基板１．７上の金属箔１２が超音波接続
によって電気的に接続されている。超音波接続は、配線
基板１７」−のＬ　Ｓ　Ｔチップ１８とは反対側から超
音波ヘッド２１を用いて行う。
開口部１６を形成する工程において、し−ザ光１５とと
もに窒素ガス、アルゴンガスなどを吹き付けることによ
って、昇華された合成樹脂フィルム１］の除去の促進と
同時に開口部１６周辺の冷却を行うことができる。また
、金属箔］２の酸化防１１−効果をも有するガスとして
、上記ガス以外に目的に適合したガスが選択される。ま
た、レーザ光１５による開口部１６に適合したレーザ光
幅の連続照射およびビームパルスレーザを数値制御（Ｎ
ｕ＋ｎｃｒｉｃａｌ　Ｃｏｎｔｒｏｌ）することによっ
て、治具マスク］、３．１．４を使用せずに、開口部１
６を形成することも可能である。
以−Ｆのように本実施例によれば、従来び）ように保護
フィルム３あるいはレジス１〜７などを１由川する必要
がなく、製造工程数を大幅に削減することがてきる。し
たがって、配線基板の製造工程を簡素化することができ
る。
第４図は、他の実施例を示す断面図である。本実施例は
前述の実施例に類似しており、対応する構成には同一の
参照符号を付す。本実施例の特徴は、治具マスク１４の
かわりに平らなステージ２２を使用したことである。こ
のとき、ステージ２２全体を冷却することによって、金
属箔１２によって形成される回路パターンを冷却し、回
路パターンのダメージを少なくすることもできる。また
、ステージ２２に設けられた多数の微小な穴２３から大
気を吸引することによって、合成樹脂フィルム１１を固
定するようにしてもよい。本実施例においても、前述の
実施例と同様の効果がある。
発明の効果 以上のように本発明によれば、配線基板の製造工程を簡
素化することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示ず断面図、第２図は配線
基板１７の平面図、第３図は配線基板１７とＬＳＩチッ
プ１８との接続状態を示す断面図、第４図は他の実施例
を示す断面図、第５図は第１の従来技術を説明するため
の断面図、第６図は第２の従来技術を説明するための断
面図である。 １１・・・合成樹脂フィルム、 １２・・金属箔、１５

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 可撓性合成樹脂の基板の少なくとも一方表面に導体が設
    けられ、 前記導体上およびその付近を選択的にレーザ加工して前
    記基板を昇華させ、導体が横切る開口部を形成すること
    を特徴とする配線基板の製造方法。
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