JPH0319231A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0319231A JPH0319231A JP15343789A JP15343789A JPH0319231A JP H0319231 A JPH0319231 A JP H0319231A JP 15343789 A JP15343789 A JP 15343789A JP 15343789 A JP15343789 A JP 15343789A JP H0319231 A JPH0319231 A JP H0319231A
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- JP
- Japan
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- wiring
- wiring layer
- electrode wiring
- wirings
- layer
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、保護絶縁膜からの応力による電極配線層のず
れが生じにくい構造を有する半導体装置に関するもので
ある。
れが生じにくい構造を有する半導体装置に関するもので
ある。
従来の技術
一般に半導体装置は電極配線層を保護するために電極配
線層の上に絶縁膜を形成する。しかし、この絶縁膜によ
って電極配線層に応力が加わシ、電極配線層がずれてし
１うことがある。この傾向は、応力集中の生じ易い幅の
広い配線パターンに多く見られる，すなわち、電源配線
等の幅の広い配線パターンがずれ、隣接している信号線
と短絡し不良に到る。この応力による配線のずれは微細
化による配線間の間隔の縮少に伴い、増々重大な問題と
なってきている。
線層の上に絶縁膜を形成する。しかし、この絶縁膜によ
って電極配線層に応力が加わシ、電極配線層がずれてし
１うことがある。この傾向は、応力集中の生じ易い幅の
広い配線パターンに多く見られる，すなわち、電源配線
等の幅の広い配線パターンがずれ、隣接している信号線
と短絡し不良に到る。この応力による配線のずれは微細
化による配線間の間隔の縮少に伴い、増々重大な問題と
なってきている。
この応力による電極配線のずれを緩和する従来の技術に
ついて以下に図面を用いて説明する。
ついて以下に図面を用いて説明する。
第２図は従来の半導体装置における幅の広い電極配線層
のパターン例であり、第２図ａが平面図、第２図（ｂ）
が、（ａ）のＸ・・・・・・Ｘ′部の断面図である。図
中１がシリコン基板、２が層間絶縁膜であ９、３がアノ
レミニウム配線、４がアルミニウム配線層に設けられた
スリット、６が保護膜である。
のパターン例であり、第２図ａが平面図、第２図（ｂ）
が、（ａ）のＸ・・・・・・Ｘ′部の断面図である。図
中１がシリコン基板、２が層間絶縁膜であ９、３がアノ
レミニウム配線、４がアルミニウム配線層に設けられた
スリット、６が保護膜である。
図からもわかるように、幅の広い電極配線層にスリット
を１本又は複数本設けることによって、保護膜からの応
力を緩和する構造となっている。
を１本又は複数本設けることによって、保護膜からの応
力を緩和する構造となっている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構造では、応力を緩和するた
めに幅の広い電極配線層にスリットを設ける必要がある
ため、実質的に電極配線層の幅が狭くなることになる。
めに幅の広い電極配線層にスリットを設ける必要がある
ため、実質的に電極配線層の幅が狭くなることになる。
すなわち効果的に応力を緩和するためには、スリットの
数を増す必要があるため、電極配線の幅が狭〈なシ、電
流駆動能力の低下あるいは、配線抵抗による電源電圧の
低下を引き起こすことになるという欠点を有していた。
数を増す必要があるため、電極配線の幅が狭〈なシ、電
流駆動能力の低下あるいは、配線抵抗による電源電圧の
低下を引き起こすことになるという欠点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、電極配線
層の幅を狭くすることなく、保護膜からの応力による電
極配線層のずれを抑えることのできる半導体装置を提供
することを目的とする。
層の幅を狭くすることなく、保護膜からの応力による電
極配線層のずれを抑えることのできる半導体装置を提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達或するために本発明の半導体装置は、電極
配線層の下に前記電極配線層とは異なる電極配線層にて
ダミーのパターンを設けた構造を有している。
配線層の下に前記電極配線層とは異なる電極配線層にて
ダミーのパターンを設けた構造を有している。
作 用
本発明の半導体装置によれば、第一の電極配線層の下に
第二の電極配＃！層にてダミーパターンを設けることに
よって、前記第一の電極配線層に凹凸が生じ、保護膜か
らの応力によってもずれを生じにくくなる。さらに、第
一の電極配線層にスリットを入れる必要がないため、配
線幅の減少による悪影響もなくなる。
第二の電極配＃！層にてダミーパターンを設けることに
よって、前記第一の電極配線層に凹凸が生じ、保護膜か
らの応力によってもずれを生じにくくなる。さらに、第
一の電極配線層にスリットを入れる必要がないため、配
線幅の減少による悪影響もなくなる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の半導体装置の一実施例であシ
、第１図（−）は平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
のＸ・・・・・・Ｘ′部の断面図である。第１図におい
て、６がポリシリコン配線であり、１ ，２，３，６は
第２図の説明と同様である。第２図と異なるのは、アノ
レミニウム配線のヌリットをなくし代わりに、アノレミ
ニウム配線３の下にダミーのポリシリコン配線６を配置
したことである，図に示すとおジ、ダミーのポリシリコ
ン配線６を配置したことによシ、アノレミニウム配線３
に凹凸が生じ、保護膜からの応力によってもアノレミニ
ウム配線３にずれは生じにくくなる。１たアノレミニウ
ム配Ｉｓ３にスリットを設けていないため、配線幅が狭
くなることもなく、特性劣化を引き起こさない。
明する。第１図は本発明の半導体装置の一実施例であシ
、第１図（−）は平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）
のＸ・・・・・・Ｘ′部の断面図である。第１図におい
て、６がポリシリコン配線であり、１ ，２，３，６は
第２図の説明と同様である。第２図と異なるのは、アノ
レミニウム配線のヌリットをなくし代わりに、アノレミ
ニウム配線３の下にダミーのポリシリコン配線６を配置
したことである，図に示すとおジ、ダミーのポリシリコ
ン配線６を配置したことによシ、アノレミニウム配線３
に凹凸が生じ、保護膜からの応力によってもアノレミニ
ウム配線３にずれは生じにくくなる。１たアノレミニウ
ム配Ｉｓ３にスリットを設けていないため、配線幅が狭
くなることもなく、特性劣化を引き起こさない。
なお、６のポリシリコン配線はポリサイド配線やシリサ
イド配線でもよく、１た、多層アルミニウム配線の場合
は、３のアルミニウム配線とは異なる層のアノレミニウ
ムに配線でもよい。
イド配線でもよく、１た、多層アルミニウム配線の場合
は、３のアルミニウム配線とは異なる層のアノレミニウ
ムに配線でもよい。
１た、アルミニウム配線は、シリコンや銅を含むアノレ
ミニウム合金線でもよい。
ミニウム合金線でもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、第１の電極配線層の下に、ダミ
ーの第２の電極配線層を設けることによ９、保護膜から
の応力によっても第１の電極配線層のずれの生じにくい
信頼性の高い優れた半導体装置を実現できるものである
。
ーの第２の電極配線層を設けることによ９、保護膜から
の応力によっても第１の電極配線層のずれの生じにくい
信頼性の高い優れた半導体装置を実現できるものである
。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例の図であシ、第
１図（ａ）が平面図、第１図（ｂ）が第１図（ａ）のＸ
・・・・・・Ｘ′部のｆ？面図、第２図は従来例を説明
するための図であ９、第２図（＆）が平面図、第２図申
）は第２図（ａ）のＸ・・・・・・Ｘ′部の断面図であ
る。 １・・・・・・シリコン基板、３・・・・・・アノレミ
ニウム配線層、４・・・・・・アノレミニウム配線層に
設けられたスリット、６・・・・・・保護絶縁膜、６・
・・・・・ポリシリコン配線、２１．２２・・・・・・
層間絶縁１模。
１図（ａ）が平面図、第１図（ｂ）が第１図（ａ）のＸ
・・・・・・Ｘ′部のｆ？面図、第２図は従来例を説明
するための図であ９、第２図（＆）が平面図、第２図申
）は第２図（ａ）のＸ・・・・・・Ｘ′部の断面図であ
る。 １・・・・・・シリコン基板、３・・・・・・アノレミ
ニウム配線層、４・・・・・・アノレミニウム配線層に
設けられたスリット、６・・・・・・保護絶縁膜、６・
・・・・・ポリシリコン配線、２１．２２・・・・・・
層間絶縁１模。
Claims (1)
- 第１の電極配線層を保護する絶縁膜を有する半導体装置
において、前記第１の電極配線層の下に、第２の電極配
線層によってダミーのパターンを設け、前記第１の電極
配線層に凹凸を形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15343789A JPH0319231A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15343789A JPH0319231A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319231A true JPH0319231A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15562506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15343789A Pending JPH0319231A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007247078A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Aderans Co Ltd | かつら用ネットと該かつら用ネットを用いたかつら |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15343789A patent/JPH0319231A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007247078A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Aderans Co Ltd | かつら用ネットと該かつら用ネットを用いたかつら |
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