JPH0319261A - 半導体用リードフレーム - Google Patents
半導体用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0319261A JPH0319261A JP1153445A JP15344589A JPH0319261A JP H0319261 A JPH0319261 A JP H0319261A JP 1153445 A JP1153445 A JP 1153445A JP 15344589 A JP15344589 A JP 15344589A JP H0319261 A JPH0319261 A JP H0319261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- mesh
- stress
- metal
- mesh structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は集積回路の組み立てに用いる半導体用リートフ
レームに関するものである。
レームに関するものである。
従来の技術
従来、上記リードフレームは第３図に示すように半導体
敷置部１が穴のない長方形筐たは正方形の金属プレート
でできて釦９、これが結合部４に半導体敷置部１の支持
用リード線６で接続されていた。
敷置部１が穴のない長方形筐たは正方形の金属プレート
でできて釦９、これが結合部４に半導体敷置部１の支持
用リード線６で接続されていた。
発明が解決しようとする課題
従来のフレームによれば、集積回路ペレット６を半導体
敷置部１に固着して樹脂対じを行ない外部リード部３を
加工した後の完戊品に、熱によるストレスを加えると、
半導体敷置部１と封じ樹脂の熱膨張率の違いによって集
積回路ペレット６にクラックが入ったシ、集積回路ペレ
ット６が半導体敷置部１より剥離する、といった問題が
あった。
敷置部１に固着して樹脂対じを行ない外部リード部３を
加工した後の完戊品に、熱によるストレスを加えると、
半導体敷置部１と封じ樹脂の熱膨張率の違いによって集
積回路ペレット６にクラックが入ったシ、集積回路ペレ
ット６が半導体敷置部１より剥離する、といった問題が
あった。
これは、第２図において半導体敷置部１の集積回路ペレ
ット６よシはみ出した部分のみが外部の封じ樹脂によっ
て固定された状態で、封じ樹脂より大きな熱膨張率をも
つ半導体敷置部１が熱膨張を行なうと半導体敷置部１の
中心部に応力が発生し半導体敷置部１が第４図に示すよ
うに反ってし１うためである。このとき、集積回路ベレ
ット６を固着している接着剤の固着力が強ければ集積回
路ペレット６にはクラックが入シ、固着力が弱ければ集
積回路ペレット６が半導体敷置部１よシ剥離することに
なる。
ット６よシはみ出した部分のみが外部の封じ樹脂によっ
て固定された状態で、封じ樹脂より大きな熱膨張率をも
つ半導体敷置部１が熱膨張を行なうと半導体敷置部１の
中心部に応力が発生し半導体敷置部１が第４図に示すよ
うに反ってし１うためである。このとき、集積回路ベレ
ット６を固着している接着剤の固着力が強ければ集積回
路ペレット６にはクラックが入シ、固着力が弱ければ集
積回路ペレット６が半導体敷置部１よシ剥離することに
なる。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、半導体敷置部１
にメッシュ（網目）状の金属を使用しメッシュの構造を
正六角形（ノ１二カム状）としている。
にメッシュ（網目）状の金属を使用しメッシュの構造を
正六角形（ノ１二カム状）としている。
作用
半導体敷置部１をメッシュにすると、上記のように熱的
なストレスが掛かった場合でも、金属部が従来のものよ
う少ないので熱膨張による応力は小さくてすむし、また
、発生した応力もメッシュの１部が変形することによっ
て削減されてしまう。
なストレスが掛かった場合でも、金属部が従来のものよ
う少ないので熱膨張による応力は小さくてすむし、また
、発生した応力もメッシュの１部が変形することによっ
て削減されてしまう。
そして、メッシュの構造を正六角形とすることで、面全
体を単一角度の線構造という比較的単純なものとして構
成して、他のメッＶｓ構造をとった時よりも、使用金属
の面積を小さくしながら構造的にも強くすることを可能
としている。
体を単一角度の線構造という比較的単純なものとして構
成して、他のメッＶｓ構造をとった時よりも、使用金属
の面積を小さくしながら構造的にも強くすることを可能
としている。
実施例
第１図は本発明の一実施例による半導体用リードフレー
ムのパターン図である。第１図において、内部リード２
．外部リード３．結合部４，半導体敷置部１の支持用リ
ード線５は従来のものとかなしである。半導体敷置部１
は第２図に示すように周囲を均一の幅の金属とし、内部
も均一幅の金属による正六角形のメッシュ構造となって
いる。このメッシュ構造が熱によって発生する熱的な応
力を小さくする緩衝構造の役目をする。
ムのパターン図である。第１図において、内部リード２
．外部リード３．結合部４，半導体敷置部１の支持用リ
ード線５は従来のものとかなしである。半導体敷置部１
は第２図に示すように周囲を均一の幅の金属とし、内部
も均一幅の金属による正六角形のメッシュ構造となって
いる。このメッシュ構造が熱によって発生する熱的な応
力を小さくする緩衝構造の役目をする。
発明の効果
以上のように本発明によれば、樹脂封じの半導体製品に
熱によるストレスを掛けた場合に発生する集積回路ペレ
ットのクラックや剥離を防ぐことができるという効果が
得られる。
熱によるストレスを掛けた場合に発生する集積回路ペレ
ットのクラックや剥離を防ぐことができるという効果が
得られる。
第１図は本発明の一実施例による半導体用リードフレー
ムを示す平面図、第２図は本発明の半導体敷置部の拡大
図、第３図は従来の半導体用リードフレームを示す平面
図、第４図は熱による半導体敷置部の変形を示す図であ
る。 １・・・・・・半導体敷置部，２・・・・・・内部リー
ド部、３・・・・・・外部リード部、４・・・・・・結
合部、６・・・・・・半導体敷置部の支持用リード線、
６・・・・・・集積回路ペレット、７・・・・・・金属
メッシュ、８・・・・・・接着剤、９・・・・・・応力
によるたわみ。 第２図 ｌ 図
ムを示す平面図、第２図は本発明の半導体敷置部の拡大
図、第３図は従来の半導体用リードフレームを示す平面
図、第４図は熱による半導体敷置部の変形を示す図であ
る。 １・・・・・・半導体敷置部，２・・・・・・内部リー
ド部、３・・・・・・外部リード部、４・・・・・・結
合部、６・・・・・・半導体敷置部の支持用リード線、
６・・・・・・集積回路ペレット、７・・・・・・金属
メッシュ、８・・・・・・接着剤、９・・・・・・応力
によるたわみ。 第２図 ｌ 図
Claims (1)
- 半導体敷置部、内部リード部および外部リード部を有す
る半導体用リードフレームに於いて、前記半導体敷置部
がハニカム状の金属メッシュ（正六角形のメッシュ構造
の金属）により構成されることを特徴とする半導体用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153445A JPH0319261A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153445A JPH0319261A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319261A true JPH0319261A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15562705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1153445A Pending JPH0319261A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 半導体用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319261A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655782A3 (en) * | 1993-11-29 | 1995-10-18 | Toshiba Kk | Synthetic resin sealed semiconductor device and its manufacturing process. |
| DE10139681A1 (de) * | 2001-08-11 | 2003-03-06 | Infineon Technologies Ag | Bauelement mit einem auf einem Träger montierten Halbleiterkörper |
| WO2006131776A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Infineon Technologies Ag | Leadframe, semiconductor package and methods of producing the same |
| JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1153445A patent/JPH0319261A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655782A3 (en) * | 1993-11-29 | 1995-10-18 | Toshiba Kk | Synthetic resin sealed semiconductor device and its manufacturing process. |
| DE10139681A1 (de) * | 2001-08-11 | 2003-03-06 | Infineon Technologies Ag | Bauelement mit einem auf einem Träger montierten Halbleiterkörper |
| WO2006131776A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Infineon Technologies Ag | Leadframe, semiconductor package and methods of producing the same |
| JP2009032906A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置パッケージ |
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