JPH03201534A - 埋め込み金属からなる配線パターンの形成方法 - Google Patents
埋め込み金属からなる配線パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH03201534A JPH03201534A JP34361189A JP34361189A JPH03201534A JP H03201534 A JPH03201534 A JP H03201534A JP 34361189 A JP34361189 A JP 34361189A JP 34361189 A JP34361189 A JP 34361189A JP H03201534 A JPH03201534 A JP H03201534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- metal
- substrate
- wiring pattern
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は埋め込み金属からなる配線パターンの形成方法
に関するものである。
に関するものである。
従来、ＬＳＩや薄膜デバイス等の半導体製造プロセスに
おいて、ガラス等の絶縁基板上に埋め込み金属からなる
配線パターンを形成する場合、たとえば基板の表面に配
線用の溝または穴を形成し、この溝または穴に金属をリ
フトオフ法あるいは等速エッチバック法により埋め込ん
で配線パターンを形成する方法がとれらている。
おいて、ガラス等の絶縁基板上に埋め込み金属からなる
配線パターンを形成する場合、たとえば基板の表面に配
線用の溝または穴を形成し、この溝または穴に金属をリ
フトオフ法あるいは等速エッチバック法により埋め込ん
で配線パターンを形成する方法がとれらている。
しかしながら、リフトオフ法は第２図（ａ）（ｂ）に示
すように溝（または穴）１が形成された基板２上の配線
用金属４をレジスト３と共に取り除く方法であるため、
配線パターンのエツジ部にバリ５が発生しやすいという
問題がある。また、等速エッチバック法は第３図（ａ）
〜（Ｃ）に示すように配線用金属４の表面に平坦化用の
塗布剤６を塗布してエッチバックする方法であるため、
配線用金属４と平坦化用塗布剤６の等速エツチング条件
を見つけ出すのに困難を要するという問題があった。
すように溝（または穴）１が形成された基板２上の配線
用金属４をレジスト３と共に取り除く方法であるため、
配線パターンのエツジ部にバリ５が発生しやすいという
問題がある。また、等速エッチバック法は第３図（ａ）
〜（Ｃ）に示すように配線用金属４の表面に平坦化用の
塗布剤６を塗布してエッチバックする方法であるため、
配線用金属４と平坦化用塗布剤６の等速エツチング条件
を見つけ出すのに困難を要するという問題があった。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的は基板上に埋め込み金属からなる配線パターンを
形成することのできる埋め込み金属からなる配線パター
ンの形成方法を提供することにある。
の目的は基板上に埋め込み金属からなる配線パターンを
形成することのできる埋め込み金属からなる配線パター
ンの形成方法を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明は、溝または穴が形成
された基板上に配線用金属層を形成し、この金属層にレ
ーザ光を照射して前記金属層の表面を平坦化させた後、
前記金属層を厚さ方向にエツチングするものである。
された基板上に配線用金属層を形成し、この金属層にレ
ーザ光を照射して前記金属層の表面を平坦化させた後、
前記金属層を厚さ方向にエツチングするものである。
すなわち本発明では、配線用金属層の表面をレーザ光に
より平坦化（リフロー）した後、金属層を厚さ方向にエ
ツチングするので、基板に形成された溝または穴に配線
用金属を容易に埋め込むことができ、基板上に埋め込み
金属からなる配線パターンを形成することができる。
より平坦化（リフロー）した後、金属層を厚さ方向にエ
ツチングするので、基板に形成された溝または穴に配線
用金属を容易に埋め込むことができ、基板上に埋め込み
金属からなる配線パターンを形成することができる。
以下、第１図（ａ）〜（ｄ）を参照して本発明の一実施
例を説明する。
例を説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）において、１１はガラス等からな
る絶縁基板であり、この基板１１上に埋め込み金属から
なる配線パターンを形成するには、まず第１図（ａ）に
示すように基板１１の表面に所定パターンの溝（または
穴）１２を形成する。
る絶縁基板であり、この基板１１上に埋め込み金属から
なる配線パターンを形成するには、まず第１図（ａ）に
示すように基板１１の表面に所定パターンの溝（または
穴）１２を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように基板１１上にアルミ等か
らなる配線用金属層１３を蒸着等の方法により形成した
後、この金属層１３の表面にレーザ光を照射する。この
ように金属層１３の表面にレーザ光を照射すると、金属
層１３の表面部分が溶融し、第１図（Ｃ）に示すように
金属層１３の表面が平坦化される。
らなる配線用金属層１３を蒸着等の方法により形成した
後、この金属層１３の表面にレーザ光を照射する。この
ように金属層１３の表面にレーザ光を照射すると、金属
層１３の表面部分が溶融し、第１図（Ｃ）に示すように
金属層１３の表面が平坦化される。
次に金属層１３の表面部分の金属が固化した後、金属層
１３を厚さ方向にエツチングする。このように金属層１
３の表面を平坦化した後に金属層１３を厚さ方向にエツ
チングすると、第１図（ｄ）に示すように基板１１上の
金属層１３が除去され、基板１１上に埋め込み金属１４
からなる配線パターンが形成される。
１３を厚さ方向にエツチングする。このように金属層１
３の表面を平坦化した後に金属層１３を厚さ方向にエツ
チングすると、第１図（ｄ）に示すように基板１１上の
金属層１３が除去され、基板１１上に埋め込み金属１４
からなる配線パターンが形成される。
このように上記実施例では金属層１３の表面をレーザ光
により平坦化した後に金属層１３を厚さ方向にエツチン
グするので、基板１１に形成された溝１２に金属を容易
に埋め込むことができ、基板１１上に埋め込み金属１４
からなる配線パターンを形成することができる。
により平坦化した後に金属層１３を厚さ方向にエツチン
グするので、基板１１に形成された溝１２に金属を容易
に埋め込むことができ、基板１１上に埋め込み金属１４
からなる配線パターンを形成することができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形実施が可能
である。
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形実施が可能
である。
以上説明したように本発明は、溝または穴が形成された
基板上に配線用金属層を形成し、この金属層にレーザ光
を照射して前記金属層の表面を平坦化させた後、前記金
属層を厚さ方向にエツチングするものである。したがっ
て、基板に形成された溝または穴に配線用金属を容易に
埋め込むことができ、基板上に埋め込み金属からなる配
線パターンを形成することができる。
基板上に配線用金属層を形成し、この金属層にレーザ光
を照射して前記金属層の表面を平坦化させた後、前記金
属層を厚さ方向にエツチングするものである。したがっ
て、基板に形成された溝または穴に配線用金属を容易に
埋め込むことができ、基板上に埋め込み金属からなる配
線パターンを形成することができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す配線パ
ターンの形成工程図、第２図（ａ）（ｂ）はリフトオフ
法の説明図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は等速エッチバック
法の説明図である。 １１・・・基板、１２・・・溝、１３・・・配線用金属
層、１４・・・埋め込み金属。 第１ 叉 ム ロ 第３
ターンの形成工程図、第２図（ａ）（ｂ）はリフトオフ
法の説明図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は等速エッチバック
法の説明図である。 １１・・・基板、１２・・・溝、１３・・・配線用金属
層、１４・・・埋め込み金属。 第１ 叉 ム ロ 第３
Claims (1)
- 溝または穴が形成された基板上に配線用金属層を形成
し、この金属層にレーザ光を照射して前記金属層の表面
を平坦化させた後、前記金属層を厚さ方向にエッチング
することを特徴とする埋め込み金属からなる配線パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34361189A JPH03201534A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 埋め込み金属からなる配線パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34361189A JPH03201534A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 埋め込み金属からなる配線パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201534A true JPH03201534A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18362876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34361189A Pending JPH03201534A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 埋め込み金属からなる配線パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201534A (ja) |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP34361189A patent/JPH03201534A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03201534A (ja) | 埋め込み金属からなる配線パターンの形成方法 | |
| CN1050693C (zh) | 半导体器件薄膜的平面化方法 | |
| JPH01292829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6392042A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5918858B2 (ja) | ホトレジスト被膜の埋込方法 | |
| JP3039447B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH036814A (ja) | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 | |
| JPH0546612B2 (ja) | ||
| JPS592351A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6155943A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6279629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63161645A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5984550A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JP2734881B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6226843A (ja) | 電極金属配線パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0476838A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JPS62117342A (ja) | 多層配線構造の形成方法 | |
| JPH03268328A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPS63253648A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH0574733A (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JPH07106753A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JPS6088443A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59115588A (ja) | 立体配線形成方法 | |
| JPH06151422A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61180456A (ja) | 半導体装置の製造方法 |