JPH03220392A - 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 - Google Patents
結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチタニル7りロシアニンの結晶構造を特定の有
用な形に変換するための方法に関するものである。
用な形に変換するための方法に関するものである。
電子写真感光体としては、古くからセレン、酸化亜鉛、
硫化カドミウム等の無機光導電性物質を主安分とする感
光層を設けた無機感光体が広く使ばセレンは熱や指紋の
汚れ等によって結晶化するために特性が劣化しやすく、
硫化カドミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛もま
た耐久性に劣る等の問題があって、近年は種々の利点を
有する有機光導電性物質が広く電子写真感光体に用いら
れるようになってきた。なかでもフタロシアニン化合物
は光電変換の量子効率が高く、また近赤外領域まで高い
分光感度を示すため、特に半導体レーザ光源に対応する
電子写真感光体用として注目されてきた。
硫化カドミウム等の無機光導電性物質を主安分とする感
光層を設けた無機感光体が広く使ばセレンは熱や指紋の
汚れ等によって結晶化するために特性が劣化しやすく、
硫化カドミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛もま
た耐久性に劣る等の問題があって、近年は種々の利点を
有する有機光導電性物質が広く電子写真感光体に用いら
れるようになってきた。なかでもフタロシアニン化合物
は光電変換の量子効率が高く、また近赤外領域まで高い
分光感度を示すため、特に半導体レーザ光源に対応する
電子写真感光体用として注目されてきた。
そのような目的に対して、銅7りロシアニン、無金属フ
タロシアニン、クロロインジウムフタロシアニン、クロ
ロガリウムフタロシアニンなどを用いた電子写真感光体
が報告されているが、近年特にチタニルフタロシアニン
が注目されるようになり、例えば特開昭61−2392
48号、同62−670943号、同62−27227
2号、同63−116158号のようにチタニルフタロ
シアニンの種々の結晶型を用いた電子写真感光体が多く
技術公開されている。
タロシアニン、クロロインジウムフタロシアニン、クロ
ロガリウムフタロシアニンなどを用いた電子写真感光体
が報告されているが、近年特にチタニルフタロシアニン
が注目されるようになり、例えば特開昭61−2392
48号、同62−670943号、同62−27227
2号、同63−116158号のようにチタニルフタロ
シアニンの種々の結晶型を用いた電子写真感光体が多く
技術公開されている。
一般に7りロシアニン化合物を電子写真感光体に用いる
場合、その結晶状態によって特性は著しく変化するI;
め結晶状態の制御が重要な技術となる。このためチタニ
ルフタロシアニンにおいても上述の公開公報に見られる
ように種々の結晶型のものが開発されている。前記のよ
うに電子写真感光体としての特性は結晶型によって著し
く変化し、また製造条件によっても変化するため、電子
写真感光体用のチタニルフタロシアニンとしては高感度
で帯電能に優れた結晶型が必要であると同時にそれが安
定した状態で製造できることが必要である。そのような
状況のなかで、Cu−にσ線に対するX線回折スペクト
ルの9.5±0.2°、24.1±0.2°、27.2
±0.26にピークを示す結晶状態において、特に著し
く高い感度が達成されることが見いだされた。しかしな
がらこの特定の結晶状態は通常の溶媒処理やミリングで
は安定した製造をすることができなかった。
場合、その結晶状態によって特性は著しく変化するI;
め結晶状態の制御が重要な技術となる。このためチタニ
ルフタロシアニンにおいても上述の公開公報に見られる
ように種々の結晶型のものが開発されている。前記のよ
うに電子写真感光体としての特性は結晶型によって著し
く変化し、また製造条件によっても変化するため、電子
写真感光体用のチタニルフタロシアニンとしては高感度
で帯電能に優れた結晶型が必要であると同時にそれが安
定した状態で製造できることが必要である。そのような
状況のなかで、Cu−にσ線に対するX線回折スペクト
ルの9.5±0.2°、24.1±0.2°、27.2
±0.26にピークを示す結晶状態において、特に著し
く高い感度が達成されることが見いだされた。しかしな
がらこの特定の結晶状態は通常の溶媒処理やミリングで
は安定した製造をすることができなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、電子写真感光体に有用な、Cu−Ka
線に対するX線回折スペクトルの9.5±0.2°、2
4.1±0.2°、27.2±0.2°にピークを示す
結晶状態を有するチタニル7タロシアニンの製造法を提
供することにある。
線に対するX線回折スペクトルの9.5±0.2°、2
4.1±0.2°、27.2±0.2°にピークを示す
結晶状態を有するチタニル7タロシアニンの製造法を提
供することにある。
本発明の目的とする製造法はチタニルフタロシアニンを
アモルファス状態もしくはその他の熱的に非平衡な結晶
状態にした後、水の存在下に複素環系有機溶媒で処理す
るものである。
アモルファス状態もしくはその他の熱的に非平衡な結晶
状態にした後、水の存在下に複素環系有機溶媒で処理す
るものである。
チタニルフタロシアニンは次の一般式で表される。
一般式
但し、XI X2 X3 X4は水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、或はアルコキシ基を表し、nS
m%Q、にはO〜4の整数を表す。
ゲン原子、アルキル基、或はアルコキシ基を表し、nS
m%Q、にはO〜4の整数を表す。
X線回折スペクトルは次の条件で測定され、ここでのピ
ークは、明瞭にノイズとは異なった鋭角の錐状突起であ
る。
ークは、明瞭にノイズとは異なった鋭角の錐状突起であ
る。
X線管球 Cu
電 圧 40.Okv電 流
100 mAスタート角度
6.0 tleg。
100 mAスタート角度
6.0 tleg。
ストップ角度 35.Odeg。
ステップ角度 0.02 deg。
測定時間 0.50 sec。
本発明において、アモルファス状態とは、X線回折スペ
クトルにおいて全体にピークがブロードであるか若しく
はピークがみられない状態であり、例えばチタニルフタ
ロシアニンを硫酸に溶解させた後、水中にあけて析出さ
せることによって得ることができる。この方法はアシッ
ドペースト処理と呼ばれるが、アシッドペースト処理に
よって得られたアモルファスのチタニル7りロシアニン
は一般に、X線回折スペクトルの6〜8°の領域にピー
クをもつことが多い。
クトルにおいて全体にピークがブロードであるか若しく
はピークがみられない状態であり、例えばチタニルフタ
ロシアニンを硫酸に溶解させた後、水中にあけて析出さ
せることによって得ることができる。この方法はアシッ
ドペースト処理と呼ばれるが、アシッドペースト処理に
よって得られたアモルファスのチタニル7りロシアニン
は一般に、X線回折スペクトルの6〜8°の領域にピー
クをもつことが多い。
使用水量は広い範囲に選ぶことができる。水はチタニル
フタロシアニンの直ぐ近傍での濃度が重要であり、した
がってアシッドペースト処理直後のウェットペースト(
通常固形分濃度5〜50%)を用いた場合などは、チタ
ニル7タロシアニンの表面が水で潤されているため溶媒
全体量に対して非常に少量の水で十分となる。
フタロシアニンの直ぐ近傍での濃度が重要であり、した
がってアシッドペースト処理直後のウェットペースト(
通常固形分濃度5〜50%)を用いた場合などは、チタ
ニル7タロシアニンの表面が水で潤されているため溶媒
全体量に対して非常に少量の水で十分となる。
本発明に係る複素環系有機溶媒ではなくて芳香族炭化水
素溶媒を用いて同様の結晶型に変換する方法がすでに知
られている。しかしながら、芳香族炭化水素溶媒を用い
て得た、本発明と同様の結晶型のチタニル7タロシアニ
ンは、複素環系有機溶媒を用いて得たものより、電子写
真感光体にした時の性能が悪い。これは、複素環系有機
溶媒による洗浄効果によって、微量の不純物の残留が少
ないためと思われる。
素溶媒を用いて同様の結晶型に変換する方法がすでに知
られている。しかしながら、芳香族炭化水素溶媒を用い
て得た、本発明と同様の結晶型のチタニル7タロシアニ
ンは、複素環系有機溶媒を用いて得たものより、電子写
真感光体にした時の性能が悪い。これは、複素環系有機
溶媒による洗浄効果によって、微量の不純物の残留が少
ないためと思われる。
本発明で用いる複素環系溶媒としては、例えば、チオフ
ェン、7ラン、N〜メチルピロリドン、ピリジン、キノ
リン、2−メチルピラジン、3−メチルピラゾール、3
−メチルピリダジン、l−メチル−2−ピリドン、6−
メチル−2−ピリジンカルボキシアルデヒド、l−メチ
ルピロール、6−メチルキノリン、2アセチルピリジン
、■−アセチルー4−ピリドン、4−アミノモル7オリ
ン、アナバシン、アンスラニル、1.3−ベンゾジオキ
ソール、l、4−ベンゾジオキサン、2.3−ベンゾフ
ラン、ベンゾチアゾール、チアゾール、オキサゾール、
ベンゾオキサゾール、2.2’ビチオフエン、3−ブロ
モ−2−クマラノン、クマリン、3−ブロモ7ラン、ブ
ロモマレイックアンバイトラド、5−ブロム−1,3−
ベンゾジオキソール、2−ブロムプリジン、2−ブロム
チアゾール、2−ブロムチオフェン、1.4−ブタンス
ルトン、γ−ブチロラクトン、カテコールポラン、5−
クロル−1,3−ベンゾオキソール、2−クロルベンゾ
チアゾール、2−クロルベンゾオキサゾール、3−クロ
ル−2,5−ジメチルピラジン、クロルエチレンカルボ
ネート、2−クロル−6〜メトキシピリジン、クロルピ
ラジン、2クロルチオフエン、4−クロマノン、シトラ
コニックアンハイドライド、2.3−シクロヘキセノピ
リジン、シクロヘキセンオキサイド、シクロヘキセンス
ルフィド、2.5−ジブロモチオフェン、2.6−ジフ
ルオルビリジン、2.3−ジヒドロベンゾフラン、ジヒ
ドロクラリン、cis−4,7−シヒドロー1.3−ジ
オキセピン、2.3−ジヒドロフラン、2.5−ジヒド
ロ7ラン、5.6−シヒドロー4−メトキン−2H−ピ
ラン、4,5−ジヒドロ−2−メチル7ラン、3.4−
ジヒドロ−6−メチル−2H−ピラン−2−オン、3.
4−ジヒドロ−2H−ピラン、5.6−シヒドロー2H
−ピラン−2−オン、3,6−ジヒドロ4.6.6−1
−ジメチル−2H−ビランー2−オン、2.6−シメト
キシーピリジン、テトラヒドロフラン、1.4−ジオキ
サン、2.5−ジメトキシテトラヒドロフラン、4−
[2−(ジメチルアミノ)エチル]モル7オリン、2−
(ジメチルアミノメチル)チオフェン、2.5−ジメチ
ルフラン、3.5−ジメチルイソオキサゾール、2.5
−ジメチルチオフェン、l、3−ジオキサン、1.7−
シオキサスピロ[5,5]ウンデセンエピクロルヒドリ
ン、エビフルオルヒドリン、l、2−エピオキソブタン
、1.4−エポキシ−1,2,3,4−テトラヒドロナ
フタレン、エチレントリチオカーボネート、グリコール
スルフィド、3−ヒドロキシテトラヒドロフラン、イミ
ダゾロ[1,2−a]ピリジン、2−ヨードチオフェン
、インクロマン、ジュロリジン、5−メチルイソオキサ
ゾール、1−モルフォリン−1−シクロヘキセン、フタ
ラン、2−ピコリン、3−ピコリン、4−ピコリン、4
H−ピラン−4−オン、 2B−ピラン−2〜オン、ピ
リジンd3、ピラゾール、ピリミジン、ピロールなどが
挙げられる。
ェン、7ラン、N〜メチルピロリドン、ピリジン、キノ
リン、2−メチルピラジン、3−メチルピラゾール、3
−メチルピリダジン、l−メチル−2−ピリドン、6−
メチル−2−ピリジンカルボキシアルデヒド、l−メチ
ルピロール、6−メチルキノリン、2アセチルピリジン
、■−アセチルー4−ピリドン、4−アミノモル7オリ
ン、アナバシン、アンスラニル、1.3−ベンゾジオキ
ソール、l、4−ベンゾジオキサン、2.3−ベンゾフ
ラン、ベンゾチアゾール、チアゾール、オキサゾール、
ベンゾオキサゾール、2.2’ビチオフエン、3−ブロ
モ−2−クマラノン、クマリン、3−ブロモ7ラン、ブ
ロモマレイックアンバイトラド、5−ブロム−1,3−
ベンゾジオキソール、2−ブロムプリジン、2−ブロム
チアゾール、2−ブロムチオフェン、1.4−ブタンス
ルトン、γ−ブチロラクトン、カテコールポラン、5−
クロル−1,3−ベンゾオキソール、2−クロルベンゾ
チアゾール、2−クロルベンゾオキサゾール、3−クロ
ル−2,5−ジメチルピラジン、クロルエチレンカルボ
ネート、2−クロル−6〜メトキシピリジン、クロルピ
ラジン、2クロルチオフエン、4−クロマノン、シトラ
コニックアンハイドライド、2.3−シクロヘキセノピ
リジン、シクロヘキセンオキサイド、シクロヘキセンス
ルフィド、2.5−ジブロモチオフェン、2.6−ジフ
ルオルビリジン、2.3−ジヒドロベンゾフラン、ジヒ
ドロクラリン、cis−4,7−シヒドロー1.3−ジ
オキセピン、2.3−ジヒドロフラン、2.5−ジヒド
ロ7ラン、5.6−シヒドロー4−メトキン−2H−ピ
ラン、4,5−ジヒドロ−2−メチル7ラン、3.4−
ジヒドロ−6−メチル−2H−ピラン−2−オン、3.
4−ジヒドロ−2H−ピラン、5.6−シヒドロー2H
−ピラン−2−オン、3,6−ジヒドロ4.6.6−1
−ジメチル−2H−ビランー2−オン、2.6−シメト
キシーピリジン、テトラヒドロフラン、1.4−ジオキ
サン、2.5−ジメトキシテトラヒドロフラン、4−
[2−(ジメチルアミノ)エチル]モル7オリン、2−
(ジメチルアミノメチル)チオフェン、2.5−ジメチ
ルフラン、3.5−ジメチルイソオキサゾール、2.5
−ジメチルチオフェン、l、3−ジオキサン、1.7−
シオキサスピロ[5,5]ウンデセンエピクロルヒドリ
ン、エビフルオルヒドリン、l、2−エピオキソブタン
、1.4−エポキシ−1,2,3,4−テトラヒドロナ
フタレン、エチレントリチオカーボネート、グリコール
スルフィド、3−ヒドロキシテトラヒドロフラン、イミ
ダゾロ[1,2−a]ピリジン、2−ヨードチオフェン
、インクロマン、ジュロリジン、5−メチルイソオキサ
ゾール、1−モルフォリン−1−シクロヘキセン、フタ
ラン、2−ピコリン、3−ピコリン、4−ピコリン、4
H−ピラン−4−オン、 2B−ピラン−2〜オン、ピ
リジンd3、ピラゾール、ピリミジン、ピロールなどが
挙げられる。
処理の方法としては一般的な撹拌装置で撹拌するもので
あるが、その他にホモミキサー ディスパーザ、アジタ
ー或はボールミル、サンドミル、アトライタ、超音波分
散装置等を用い機械的な力を利用することもできる。
あるが、その他にホモミキサー ディスパーザ、アジタ
ー或はボールミル、サンドミル、アトライタ、超音波分
散装置等を用い機械的な力を利用することもできる。
このようにして得られたチタニル7タロシアニンは電子
写真感光体のキャリア発生物質として用いた時に特に優
れた特性を発揮する。そのような用途においては、まず
、チタニル7タロシアニンを適当な溶媒中にサンドミル
、ボールミル等を用いて分散し、導電性の支持体上に塗
布してキャリア発生層を形成し、その上にキャリア輸送
物質をバインダとともに溶媒に溶解した液を塗布してキ
ャリア輸送層を形成して電子写真感光体を作ることがで
きる。
写真感光体のキャリア発生物質として用いた時に特に優
れた特性を発揮する。そのような用途においては、まず
、チタニル7タロシアニンを適当な溶媒中にサンドミル
、ボールミル等を用いて分散し、導電性の支持体上に塗
布してキャリア発生層を形成し、その上にキャリア輸送
物質をバインダとともに溶媒に溶解した液を塗布してキ
ャリア輸送層を形成して電子写真感光体を作ることがで
きる。
次に本発明における具体的な実施例をしめす。
(チタニルフタロシアニンの合成)
1.3−ジイミノイソインドリン; 29.2gとα−
クロルナフタレン; 200+affを混合し、チタニ
ウムテトラブトキシド;20.4gを加えて、窒素雰囲
気下に140〜150°Cで2時間加熱し、続いて18
0℃で3時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、
σクロルナフタレンで洗浄、次いでクロロホルムで洗浄
し、さらに2%塩酸水溶液で洗浄、水洗、最後にメタノ
ール洗浄して、乾燥の後26.2g(91,0%)のチ
タニル7タロシアニンを得た。
クロルナフタレン; 200+affを混合し、チタニ
ウムテトラブトキシド;20.4gを加えて、窒素雰囲
気下に140〜150°Cで2時間加熱し、続いて18
0℃で3時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、
σクロルナフタレンで洗浄、次いでクロロホルムで洗浄
し、さらに2%塩酸水溶液で洗浄、水洗、最後にメタノ
ール洗浄して、乾燥の後26.2g(91,0%)のチ
タニル7タロシアニンを得た。
(実施例1)
チタニル7タロシアニン; 100gを2kgの濃硫酸
に溶解し、20Qの水にあけて析出させて濾取し、アモ
ルファス状態のウェットペーストを得た。
に溶解し、20Qの水にあけて析出させて濾取し、アモ
ルファス状態のウェットペーストを得た。
またこのウェットペーストの一部を乾燥させてアモルフ
ァス状態の乾燥粉を得た。乾燥粉のX線回折スペクトル
を第1図に示す。
ァス状態の乾燥粉を得た。乾燥粉のX線回折スペクトル
を第1図に示す。
アモルファス状態のウェットペースト(固形分濃度lO
%);100gに7ラン; 200aαを加え室温にお
いて2時間撹拌した。その後メタノールi 400tm
(lで希釈して濾過しメタノールで洗浄して乾燥し、第
2図のX線回折パターンをもつ結晶を得た。
%);100gに7ラン; 200aαを加え室温にお
いて2時間撹拌した。その後メタノールi 400tm
(lで希釈して濾過しメタノールで洗浄して乾燥し、第
2図のX線回折パターンをもつ結晶を得た。
(実施例2)
実施例1で用いたアモルファス状態のウェットペースト
;20gに2−ピコリン; 200+m12を加え、水
冷下に1時間の撹拌を行った。メタノールで希釈して濾
過し、メタノール洗浄後乾燥して第3図のX線回折パタ
ーンをもつ結晶を得た。
;20gに2−ピコリン; 200+m12を加え、水
冷下に1時間の撹拌を行った。メタノールで希釈して濾
過し、メタノール洗浄後乾燥して第3図のX線回折パタ
ーンをもつ結晶を得た。
(実施例3)
実施例1で得たアモルファス状態の乾燥粉1gにチオフ
ェン;100鳳Qを加え、撹拌下に水; 100tQを
滴下した後50℃で3時間撹拌した。放冷の後メタノー
ル; 400m11で希釈して濾過しメタノール洗浄し
て乾燥し、第4図のX線回折パターンをもつ結晶を得た
。
ェン;100鳳Qを加え、撹拌下に水; 100tQを
滴下した後50℃で3時間撹拌した。放冷の後メタノー
ル; 400m11で希釈して濾過しメタノール洗浄し
て乾燥し、第4図のX線回折パターンをもつ結晶を得た
。
(比較例)
実施例1で用いた7ランを、ベンゼンにかえた他は、同
様に処理を行い、第5図のX線回折パターンをもつ結晶
を得た。
様に処理を行い、第5図のX線回折パターンをもつ結晶
を得た。
(応用例)
実施例1で得た第2図のチタニル7タロシアニン;2g
とシリコーン樹脂r KR−5240,15%キシレン
−ブタノール溶液」(信越化学社製)の30gをインプ
ロパツール; 10G+aa中にサンドミルを用いて分
散し、これをアルミニウムを蒸着したポリエステルベー
ス上にワイヤバーで塗布して厚さ0.3μlのキャリア
発生層を形成した。次いで、その上にキャリア輸送物質
としてN、N−ジエチルアミノ−p−ベンズアルデヒド
ジフェニルヒドラゾン;1.2gとポリカーボネート樹
脂「ニーピロ:/ Z−200J(三菱瓦斯化学社製)
;1.5gとを1.2−ジクロルエタン;1OIIQに
溶かした液をブレード塗布機で塗布して厚さ20μ■の
キャリア輸送層を形成して、電子写真感光体とした。
とシリコーン樹脂r KR−5240,15%キシレン
−ブタノール溶液」(信越化学社製)の30gをインプ
ロパツール; 10G+aa中にサンドミルを用いて分
散し、これをアルミニウムを蒸着したポリエステルベー
ス上にワイヤバーで塗布して厚さ0.3μlのキャリア
発生層を形成した。次いで、その上にキャリア輸送物質
としてN、N−ジエチルアミノ−p−ベンズアルデヒド
ジフェニルヒドラゾン;1.2gとポリカーボネート樹
脂「ニーピロ:/ Z−200J(三菱瓦斯化学社製)
;1.5gとを1.2−ジクロルエタン;1OIIQに
溶かした液をブレード塗布機で塗布して厚さ20μ■の
キャリア輸送層を形成して、電子写真感光体とした。
このようにして得られI;感光体は、ペーパアナライザ
EPA−8100(川口電気社製)を用いて次のような
評価を行った。すなわち、表面に負のコロナ帯電を行っ
て約1200Vとし、5秒間の電位減衰率りを求め、統
いて表面照度が2(lux)となるような露光を行って
、表面電位を露光開始時の172値まで低下させるのに
必要な露光量El/□を求めた。
EPA−8100(川口電気社製)を用いて次のような
評価を行った。すなわち、表面に負のコロナ帯電を行っ
て約1200Vとし、5秒間の電位減衰率りを求め、統
いて表面照度が2(lux)となるような露光を行って
、表面電位を露光開始時の172値まで低下させるのに
必要な露光量El/□を求めた。
その結果、D−21%であり、E ryz−0−7C1
ux−sec)であって、帯電能、感度ともに優れた特
性を示しt;。
ux−sec)であって、帯電能、感度ともに優れた特
性を示しt;。
(比較応用例)
応用例で用いた実施例1で得た第2図のチタニルフタロ
シアニンを、比較例で得た第5図のチタニルフタロシア
ニンにかえた他は、同様にして分散液■を得、感光体を
作成した。
シアニンを、比較例で得た第5図のチタニルフタロシア
ニンにかえた他は、同様にして分散液■を得、感光体を
作成した。
同様に評価しt;結果、D−25%+EI/□−1,0
(1ux−sec)であった0
(1ux−sec)であった0
アニンのX線回折図、第2図〜第4図は本発明に係るチ
タニルフタロシアニンのX線回折図である。 第5図は比較試料のX線回折図である。
タニルフタロシアニンのX線回折図である。 第5図は比較試料のX線回折図である。
Claims (1)
- 水の存在下に、アモルファスのチタニルフタロシアニン
を複素環系有機溶媒で処理することにより、Cu−Ka
線に対するX線回折スペクトルの9.5±0.2°、2
4.1±0.2°、27.2±0.2°にピークを示す
ような結晶状態に変換することを特徴とするチタニルフ
タロシアニンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1442890A JP2873597B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1442890A JP2873597B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220392A true JPH03220392A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2873597B2 JP2873597B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=11860753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1442890A Expired - Lifetime JP2873597B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873597B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100513952B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2005-12-21 | 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 | 전하발생재,전자사진감광체및그의제조방법 |
| JP2013209672A (ja) * | 2006-03-20 | 2013-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | フタロシアニン結晶、電子写真感光体、並びにそれを用いた電子写真感光体カートリッジ及び画像形成装置 |
| WO2016159317A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 公立大学法人大阪市立大学 | 還元型グルタチオンの結晶 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1442890A patent/JP2873597B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100513952B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2005-12-21 | 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 | 전하발생재,전자사진감광체및그의제조방법 |
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