JPH03220760A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH03220760A
JPH03220760A JP2015545A JP1554590A JPH03220760A JP H03220760 A JPH03220760 A JP H03220760A JP 2015545 A JP2015545 A JP 2015545A JP 1554590 A JP1554590 A JP 1554590A JP H03220760 A JPH03220760 A JP H03220760A
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JP
Japan
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lead frame
resin
die pad
semiconductor device
frame die
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Pending
Application number
JP2015545A
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English (en)
Inventor
Ichiro Okumura
一郎 奥村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH03220760A publication Critical patent/JPH03220760A/ja
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/50—Bond wires
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関するものである。
従来の技術 従来より、樹脂封止型半導体装置を半田リフローする際
、リードフレームダイパッド裏面に存在する水分の気化
膨脹によりリードフレームダイパッド裏面外周部から発
生ずる樹脂クラックを防止するため、樹脂特性の検討お
よび樹脂とり一トフレームダイパッドとの密着性を向上
させるためノートフレームダイパッド裏面に凹凸を設け
るなどの検討がなされているが、リードフレームダイパ
ッド裏面外周部はリードフレームが成形された時のまま
であり、その断面は直角もしくは鋭利な形状どなってい
る。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来のような構成では、リードフレ
ームダイパッド裏面外周部が直角もしくは鋭利な形状と
なっているため、この部分で応力集中が起こり樹脂クラ
ックが容易に発生ずるという課題を有していた。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、半田リフ
ロー時にリードフレームダイパッド裏面外周部からの樹
脂クラックが発生しにくい、半田耐熱性を向上させた樹
脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この課題を解決するために本発明の樹脂封止型半導体装
置は、リードフレームダイパッド裏面外周部を滑らかに
テーパ加工したリードフレームダイパッドを使用してい
る。
作用 この構成によって、樹脂クラックの起点となるリードフ
レームダイパッド裏面外周部での応力集中を防止し、結
果として樹脂クラックを発生しにくくさせ、樹脂封止型
半導体装置の半田耐熱性を向上させることができること
となる。
実施例 以下本発明の一実施例について図面を参考にしながら説
明する。
第１図は、本発明の一実施例における樹脂封止型半導体
装置の断面図を示すもので、１はリードフレームダイパ
ッド２に固着された半導体チップ３と、リードフレーム
インナーリード４を電気的に接続する結線ワイヤ、５は
リードフレームダイパッド裏面外周部で、全体を樹脂６
で封止している。第２図は、第１図のリードフレームダ
イパッド部の拡大図である。第３図は従来のリードフレ
ームダイパッド部の拡大図である。なお、第２図および
第３図の各部分の符号は第１図と同様である。
以上のように構成された本実施例の樹脂封止型半導体装
置について、以下その動作を説明する。
第工図および第２図のとおり、使用するリードフレーム
ダイパッド裏面外周部が滑らかにテーパ加工されている
ことにより、第３図の直角もしくは鋭利な形状では発生
するこの部分での応力集中が発生しないため、樹脂クラ
ックが発生しにくい状態となり樹脂封止型半導体装置の
半田耐熱性を向上させることができる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、リードフレームダイパッ
ド裏面外周部を滑らかにテーパ加工したリードフレーム
ダイパッドを使用することにより、半田リフロー時に樹
脂クラックが発生しにくい、半田耐熱性が向上した樹脂
封止型半導体装置を実現できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における樹脂封止型半導体装
置の断面図、第２図は本発明の樹脂封止型半導体装置で
使用されるリードフレームのダイパッド部の拡大−ｍ１
図、第３図は従来の樹脂封止２・・・・・・リードフレ
ームダイパッド、５・・・・・・リードフレームダイパ
ッド裏面外周部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームダイパッド裏面外周部を滑らかにテーパ
    加工したリードフレームを使用した樹脂封止型半導体装
    置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7755192B2 (en) 2008-03-25 2010-07-13 Tohoku University Copper interconnection structure, barrier layer including carbon and hydrogen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7755192B2 (en) 2008-03-25 2010-07-13 Tohoku University Copper interconnection structure, barrier layer including carbon and hydrogen
US8163649B2 (en) 2008-03-25 2012-04-24 Advanced Interconnect Materials, Llc Copper interconnection structure, semiconductor device, and method for forming copper interconnection structure

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