JPH0322557A - 混成集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ〉産業上の利用分野 本発明は集積回路基板にチップ型の不揮発性にモリ、例
えばＥＦＲＯＭ（紫外線消去形プログラマプル・リード
・才ンリ・メモリー）を実装してなる消去、書込み及び
再書込み可能なＥＰＲＯＭ内蔵型の混成集積回路装置に
関する。

（口）従来の技術 最近マイクロコンピュータを使用した電子機器はエレク
トロニクス、航空、機械及び自動車等の多分野に使用さ
れている。その背景はマイクロコンピュータを用いるこ
とで多機能の動作を容易に実現することができるからで
ある。その動作を決めるプログラム・データは電子機器
の多機能化に伴って年々大容量化になる傾向がある。更
にマイクロコンピュータを動作させるプログラム・デー
タは電子機器の設計から必らずしも一定でなく、電子機
器が完成するまでには数回あるいは数十回におよぶプロ
グラム設計変更が実際にはありうる。

上述の如き、電子機器分野において、ま１ますＥＰＲＯ
Ｍ搭載の集積回路が必要とされる傾向にある。

紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するＥＰ
ＲＯＭ素子は、各種電子機器に好んで用いられている。

このＥＦＲＯＭ素子は、制御用或は駆動用集積回路と共
に現在、その殆んどがプリント配線板に実装されており
、一旦書込んー３ だ情報をその後書き直すために通常、着脱容易なプリン
ト配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量化
が要求される機器は、チップ・オン・ボードと称される
技法によってプリント配線板に半導体集積回路（ＩＣ）
チップが直接搭載され、所要の配線が施された後この配
線部分を含んで前記ＩＣチップが合成樹脂によって被覆
され、極めて小形軽量化が達成されている。

一方紫外線照射窓を必要とするＥＰＲＯＭチップは、こ
の照射窓がネックとなり未だサーディップ型パッケージ
に組込まれて製造され、プリント配線板に実装されてい
るため小型軽量化が図れない。

かかる従来のＥＦＲＯＭ素子の実装構造を第１４図に従
って説明すると、第１４図は従来のＥＰＲＯＭ素子の一
部断面を有する刺視図であって、主表面上に導電性配線
パターン（４１）が形成されたガラス・エボキシ樹脂な
どから構成された絶縁性基板（４２）のスルーホール（
４３〉にザーディップ型パッケージに組込まれＥＰＲＯ
Ｍ素子（４４）が搭載ー４− されている。このＥＰＲＯＭ素子（４４）はヘッダー（
４５）およびキャップ（４６）を有し、前記へッダー〈
４５〉はセラミック基材（４７）に外部導出リード（４
８〉か低融点ガラス材で接着されている。又このヘツダ
ー（４５〉はガラスに金粉が多量に混入したいわゆる金
ペーストを焼結した素子搭載部（５０）が前記低融点ガ
ラス材上或はセラミック基材（４７〉上に接着されてお
り、この素子搭載部（５０〉にＥＰＲＯＭチップ（５１
）が紫外線照射面を上にして装着され、このチップ（５
１）の電極と前記外部導出リード（４８）とが金属細線
（５２）によって接続されている。前記キ勺ツブ（４６
）は蓄部材であって、前記ＥＰＲＯＭチップ（５１）の
紫外線照射面と対向する部分に窓（５３〉を有するセラ
ミック基材（５４）を含み、このキ〜ツブ（４６）は低
融点ガラスによってヘッダー（４５〉に配置されたＥＰ
ＲＯＭチップ（５１）を密封している。この様にＥＰＲ
ＯＭチップ（５１）を密封したＥＰＲＯＭ素子（４４）
は、前記絶縁性基板（４２）のスルーホール〈４３〉に
外部導出リード（４８〉を挿通させ半田によって固定さ
れる。このスルーホール（４３）は導電性配線パターン
（４１）によって所要の配線引回しが施され、前記絶縁
性基板の端部に設（づられた雄型コネクタ端子部（５５
〉から図示しない雌型コネクタへと接続される。

さて、かかる従来のＥＰＲＯＭ素子の実装構造は、ＥＰ
ＲＯＭチップ（５１）に比べパッケージ外形が極めて大
きく、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さ
もチップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利であ
る。更にスルーホール（４３）に外部導出リードを挿通
した後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆す
べき大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってＥＦ
ＲＯＭ素子を＝一旦パッケージに組立てることである。

ＥＦＲＯＭ素子は紫外線照射用の窓を有するが故、その
パッケージは、セラミックスを基材としたザーディップ
型パッケージに組立てられるが、このパッケージは低融
点ガラスにより封止される為、高温（４００〜５００゜
Ｃ）シールとなり、ＥＰＲＯＭチップの電極（アルミニ
ウム）と外部導出ノードとを接続する金属細線を同種材
料で構成しないとアロイ化が起り配線抵抗の増加を来し
たり、断線を生じたりする。この様な事態を回避する目
的で通常アルミニウム細線が用いられるが、このＥＰＲ
ＯＭチップはサブストレートを接地電位にする必要上、
ＥＦＲＯＭチップの接地電極を金ペーストで形成された
チップ搭載部とワイヤ接続する。ここに於でも金ペース
ト中の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウムとで
二次或は多元合金反応が進むことから、グランドダイス
と呼ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリコン小
片をＥＰＲＯＭチップと別個に前記金ペーストより戒る
チップ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部とＥ
ＰＲＯＭチップの接地電極とを接続するという極めて煩
雑な作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量、低
価格のいずれも不満足なものである。

斯る問題を解決するために第１５図に示したＥＦＲＯＭ
実装構造がある。

以下に第１５図に示したＥＰＲＯＭ実装構造について説
明する。

７ 主表面（６０ａ）に導電性配線パターン（６０ｂ）が形
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板（６
０〉は、ＥＰＲＯＭチップ（６１）を載置するチップ搭
載エリャ（６０ｃ）を有し、前記配線パターン（６０ｂ
）は、このエリャ近傍から主表面（６０ａ）上を引回さ
れて図示しない雄型コネクタ端子部に接続されている。

前記エリャ（６０ｃ）には、ＥＰＲＯＭチップ（６１）
が搭載され、このチップ（６ｌ〉の表面電極と前記配線
パターン（６０ｂ）とが金属細線（６２）により接続さ
れている。勿論金属細線（６２）の１本は前記チップ（
６１）のサブストレートと接続する為に、このチップ（
６１）が搭載された配線パターン（６０ｂ）とワイヤリ
ングされている。前記ＥＰＲＯＭチップ（６１）の紫外
線照射面（６１ａ）上には紫外線透過性樹脂（６３）　
（例えば東レ社製、型名ＴＸ−　９　７　８　）を介し
て、紫外線透過性窓材（６４）が固着されている。この
窓材〈６４）は、石英、透明アルミナ等、公知の紫外線
透過性材料である。そして、前記窓材（６４）の頂部面
（６４ａ）は、ＥＰＲＯＭチップ（６１）の紫外線照射
面に光を導入する面であるから、このー８ 頂部面（６４ａ）を除いた残余の窓材（６４）部分と、
金属細線（６２）と、この金属細線（６２）と前記配線
パターン（６０ｂ）との接続部分とが合成樹脂（６５）
　（例えば日東電工社製、型名ＭＰ−１０）で被覆され
ている。もし、絶縁性基板（６０〉と、ＥＦＲＯＭチッ
プ（６１）と窓材（６４）とを加えた総合厚さ寸法を更
に低くする必要があれば、前記基板（６０）のチップ搭
載エリャ（６０ｃ）をザグリ穴としてこの基板（６０〉
の厚さの半分程度掘れば良い。又この様なザグリ穴とし
ておけば、合成樹脂（６５〉の流れ止めダムが形成され
湿気などの浸入に対して有効に作用する。

第１４図および第１５図で示したＥＰＲＯＭ実装構造は
特開昭６０−８３３９３号公報（ＩＯ５Ｋ１／１８）に
記載されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題 第１５図で示したＥＦＲＯＭ実装構造ではＥＰＲＯＭの
ヂップをプリント基板上にダイボンディングしているた
め、小型化となることはいうまでもない。しかしながら
、ここでいう小型化はあく９ までＥＰＲＯＭ自体の小型化である。即ち、第１５図か
らは明らかにされていないがＥＰＲＯＭの周辺に固着さ
れているマイクロコンピュータオよびその周辺回路素子
はディスクリート等の電子部品で構成されているために
、ＥＰＲＯＭを搭載したプリント基板用の集積回路とし
てのシステム全体を見た場合なんら小型化とはならず従
来通りプリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型
化になる問題がある。

更に第１５図で示したＥＦＲＯＭ実装構造ではＥＦＲＯ
ＭチップがダイボンディングされているのでＥＦＲＯＭ
チップのプログラム・データの消去は容易に行えるが、
消去後に再書込みする場合の書込みが非常に困難である
ため、例えば、ＥＦＲＯＭチップ及びマイクロコンピュ
ータを搭載した多機能の集積回路を完成するまでには、
上述した様に数回あるいは、数十回の設計変更、即ち、
プログラム・データの変更があり、その都度に消去・書
込みの作業があるために設計変更時、即ち、プログラム
・データ変更時に容易に対応することができない大きな
問題がある。

更に、第１４図に示した実装構造においても第１５図と
同様にＥＦＲＯＭの周辺の回路、即ち、マイクロコンピ
ュータやその周辺ＬＳＩ，ＩＣ等の回路素子がディスク
リート等の電子部品で構成されているため、プリント基
板の大型化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが
要求される軽薄短小のＥＰＲＯＭ搭載の集積回路を提供
することができない大きな問題がある。

更に第１４図および第１５図で示したＥＦＲＯＭ実装構
造では、上述した様にシステム全体が大型化になると共
にＥＦＲＯＭおよびその周辺の回路素子を互いに接続す
る導電パターンが露出されているため信頼性が低下する
問題がある。

更に第１４図および第１５図で示したＥＦＲＯＭ実装構
造ではＥＰＲＯＭと、その周辺のマイクロコンピュータ
およびＩＣ，ＬＳＩ等の回路素子が露出されているため
、基板上面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低下す
る問題がある。

（二〉課題を解決するための手段 １ｉ 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板上にチップ型のＥＦＲＯＭを搭載すると共にモのＥＦ
ＲＯＭチップと接続されるマイクロコンピュータおよび
その周辺の回路素子を搭載し、且つ、ケース材によって
マイクロコンピュータおよびその周辺の回路素子全てが
密封封止されてＥＦＲＯＭチップだけがケース材に設け
られた孔によって露出された基板上に搭載された構造を
有し、且つ、ＥＰＲＯＭチップに所定のプログラム・デ
ータを書込みする書込み動作時に用いる書込み専用モー
ドとＥＰＲＯＭチップからデータを読出し通常動作時に
用いる通常専用モードとを任意に変換する複数のスイッ
チを基板上の導電路に接続すると共に基板上に書込み専
用モードと通常専用モードに用いる夫々の導電路が形成
され、書込み専用の導電路を用いて並列・直列変換回路
を介してシリアル信号でＥＰＲＯＭにプログラムデータ
を書込むことを特徴とする。

従ってＥＦＲＯＭチップを搭載した混成集積回路を極め
て小型化にでき且つＥＰＲＯＭチップの−１２ 消去が容易に行えるＥＰＲＯＭチップ内蔵の混成集積回
路装置を提供することができる。

また、書込み・通常の各専用モードに変換するスイッチ
が設けられているので、そのスイッチの変換で各専用モ
ードの設定ができ、書込み専用モード時に基板に固着さ
れている書込み専用の外部リードを用いてＥＰＲＯＭに
所定のプログラム・データを書込みすることができる。

更にＥＰＲＯＭにデータを書込みする場合、導電路上に
接続された並列・直列変換回路を介してデータの書込み
をシリアル信号で行うことができるため、書込み専用の
外部リード端子を最小限にすることができる。

（ホ）作用 この様に本発明に依れば、基板上の導電路にＥＰＲＯＭ
チップを接続し、隣接する導電路とワイヤ線で接続して
いるのでＥＰＲＯＭチップの載置位置を任意に設定でき
るので、内蔵するマイクロコンピュータとの電気的接続
を考慮して、効率良＜ＥＦＲＯＭとマイクロコンピュー
タとを接続することかでき、信号線即ち導電路の引回し
線を不要にすることができる。更にＥＦＲＯＭチップの
隣接する位置に最も関連の深いマイクロコンピュータを
配置でき、ＥＦＲＯＭチップとマイクロコンピュータ間
のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離あるいは
最小距離で゛実現でき、データ線の引回しによる実装密
度のロスを最小限に抑制することになり、高密度の実装
が行える。

更に本発明ではＥＰＲＯＭチップ以外の全ての素子がチ
ップ状で且つケース材と基板で形成された封止空間内に
収納されるため小型化でしかも取扱い性の優れた混成集
積回路装置を提供することができる。

更に本発明では基板上に書込み・通常各専用モードに変
換するスイッチが設けられているので、書込み専用モー
ド時に変換されたときに書込み専用の外部リードを用い
てプログラム・データを書込みすることができると共に
並列・直列変換回路を備えていることによりシリアル信
号でＥＰＲＯＭ内にプログラム・データを書込むことが
できる。

（へ〉実施例 以下に第１図乃至第１３図に示した実施例に基づいて本
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。

第１図および第２図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置（１）が示されている。この混成集積回路装置
〈１）は独立した電子部品として用いられコンピュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。

この混成集積回路装置（１）は第１図および第２図に示
す様に、集積回路基板（２）と、集積回路基板（２）上
に形成された所望形状の導電路（３〉と、導電路（３）
と接続された不揮発性メモリーチツブ（４）と、メモリ
ーチップ（４）からデータを供給され且つ基板（２）上
の導電路（３〉と接続されたマイクロコンピュータ（５
〉およびその周辺回路素子（６）と、メモリーチップ（
４）に所定のプログラム・データを書込みする書込み動
作時に用いる書込みモードとメモリーチップ（４）から
データを読出し通常動作−１５ 時に用いる通常モードとを変換する複数のスイッチ（１
７〉と、シリアル信号で書込みを可能とする並列・直列
変換回路（１０１）と基板（２）に一体化され所定の位
置に孔（７〉が設けられたケース材（８〉とをから構成
されている。

集積回路基板（２）はセラミックス、ガラスエポキシあ
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。

金属基板としては例えば０．５〜１．０ｍ厚のアルミニ
ウム基板を用いる。その基板（２）の表面には第３図に
示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜（
９〉（アルマイト層）が形或され、その一生面側に１０
〜７０μ厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹脂
層（１０）が貼着される。更に絶縁樹脂層（１０〉上に
は１０〜７０μ厚の銅箔（１１）が絶縁樹脂層（１０〉
と同時にローラーあるいはホットプレス等の手段により
貼着されている。

基板（２）の一生面上に設けられた銅箔（１１）表面ー
１６ 上にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出
してレジストでマスクされ、貴金属（金、銀、白金）メ
ッキ層が銅箔（１１）表面にメッキされる。然る後、レ
ジストを除去して貴金属メッキ層をマスクとして銅箔（
１１）のエッチングを行い所望の導電路（３〉が形成さ
れる。ここでスクリーン印刷による導電路（３）の細さ
は０．５ｍｌｌｌが限界であるため、極細配線パターン
を必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約２μま
での極細導電路〈３〉の形成が可能となる。

導電路（３〉上の所定の位置には不揮発性メモリーチッ
プ（４）とメモリーチップ（４）からデータを供給され
るマイクロコンピュータ《５〉とその周辺の回路素子（
６）と、メモリーチップ（４）にデータを書込みする場
合に用いる書込み専用モードとメモリーチップ（４）か
らデータを読出して通常動作時に用いる通常専用モード
との各専用モードを切替える複数のスイッチ〈１７〉及
び並列・直列変換回路が搭載され導電路（３〉と接続さ
れている。導電路（３）は基板〈２）の略全面に延在形
成され、基板（２）の周端部に延在される導電路（３〉
の先端部はリド固着パッドが形成され、そのパッドには
外部リード端子（１２）が固着されている。その外部リ
ド（１２）は取付け基板に取付けるために略直角に折曲
げ形成されている。ところで、基板（２）上に形成され
た導電路（３）は書込み専用の導電路（３）と読出し専
用の導電路（３）が基板（２）上に延在形或されている
。夫々の導電路（３〉の延在される先端部には書込み専
用の外部リード（１２ａ）と読出し専用の外部リード（
１２ｂ）が固着されている。また、書込み専用の導電路
（３）上にはシリアル信号で書込みをするための並列・
直列変換回路（１０１）が接続されている。並列・直列
変換回路（１０１）はシリアル信号をパラレル信号に変
換するものであり、マイコン等のＬＳＩにより構成され
ている。本実施例ではインテル社の８０５１ワンチップ
マイコンを使用するものとする。

不揮発性メモリーチップ（４）としてＥＰＲＯＭ（　Ｅ
ｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　
Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ　）チップが用いられる（以下
不揮発性メモリーチップ（４）をＥＦＲＯＭチップとい
う）。このＥＰＲＯＭチップ（４）は周知の如く、フロ
ーテイングゲートに蓄積されている電子（プログラム・
データ）を光を照射して励起させて未記憶状態のペレッ
トに戻し再書込みして利用できる素子である。ＥＰＲＯ
Ｍチップ（４）は市販されているもので、その形状はチ
ップ型であれば限定されるものではなく、本実施例では
ＥＰＲＯＭチップ（４）の説明を省略する。

一方、ケース材（８〉は絶縁部材としての熱可塑性樹脂
から形成され、基板（２）と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その箱状のケース材（
８）の周端部は基板（２）の略周端部に配置されて接着
性を有したシール剤（Ｊシ一ト：商品名）によって基板
（２）と強固に固着一体化される。この結果、基板（２
）とケース材〈８〉間に所定の封止空間部（１４）が形
成されることになる。更に本実施例のケース材（８）の
所定位眞には孔（７〉が設けられている。その孔（７）
はＥＰＲＯＭチツプ（４）及びＥＰＲＯＭチップ（４）
と導電路（３〉とを接１９ 続するポンディングワイヤ線を露出する様な大きさで形
成されている。即ち、ＥＰＲＯＭチップ（４）よりも大
きく形成されることになる。

ケース材（８〉の孔（７〉で露出した基板（２）上の導
電路〈３〉にはＥＰＲＯＭチップ（４）がＡｇペースト
、半田等のろう材によって固着搭載され、孔（７）で露
出した基板（２）に番まＥＦＲＯＭチップ（４）と接続
される複数の導電路（３）の一端が形成される。その導
電路（３〉の一端とＥＰＲＯＭチップ（４）とはＡｌワ
イヤ等のボンディングワイヤ線で超音波ボンディング接
続が行われる。ＥＦＲＯＭチップ（４）とポンディング
接続された導電路（３〉の他端はＥＰＲＯＭチップ〈４
）に接続して配置されたマイクロコンピュータ（５〉の
近傍に効率よく引回しされチップ状のマイクロコンピュ
ータ〈５〉とＡｊ２ボンディングワイヤを用いて超音波
接続され電気に接続される。

ここでＥＦＲＯＭチップ〈４）とマイクロコンピュータ
（５〉との位置関係について述べる。第１図に示す如く
、ＥＰＲＯＭチップ（４）とマイクロ−２０一 コンピュータ（５〉とは多数本の導電路（３）を介して
接続されるため、その導電路（３）の引回しを短くする
ためにＥＦＲＯＭチップ（４）とマイクロコンピュータ
（５）は夫々、隣接する位置かあるいはできるだけ近傍
に位置する様に配置される。従ってＥＰＲＯＭチップ（
４）とマイクロコンピュータ（５）との導電路（３）の
引回しは最短距離で形成でき基板上の実装面積を有効に
使用することができる。

ＥＰＲＯＭチップ（４）とその近傍あるいは隣接した位
置に配置されたチップ状のマイクロコンピュータ（５）
は第１図の如く、マイクロコンピュータ（５〉の近傍に
延在された導電路（３〉の先端部とＡｌワイヤ線によっ
て超音波ボンディング接続されＥＦＲＯＭチップ（４）
と電気的に接続される。

ＥＦＲＯＭチップ（４）は第１図及び第２図から明らか
な如く、ケース材（８）に設けた孔（７〉で露出した基
板（２）上に搭載され、孔（７〉を形戒する壁体（７ａ
〉によって周囲を囲まれた構造となる。更に詳述すると
壁体（７ａ）によって囲まれるのはＥＰＲＯＭチップ（
４）とそのＥＰＲＯＭチップ（４）と近傍の導電路（３
）とボンディング接続するワイヤ線が囲まれることにな
る。

更に壁体く７ａ〉によって囲まれた空間（７ｂ〉には１
層以上の樹脂が充填され、ＥＰＲＯＭチップ（４）及び
ワイヤ線がその樹脂によって完全に樹脂被覆されている
。ＥＰＲＯＭチップ（４）上に直接被覆される第１層目
の樹脂はＥＰＲＯＭチップ（４）のデータを消去する場
合に紫外線を透過する必要があるため紫外線透過性樹脂
（１５ａ）が用いられる。

紫外線透過性樹脂（１５ａ）は非芳香族系であれは限定
されず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリコン
ゲルが用いられる。

本実施例で番ま第１層目の紫外線透過性樹脂（１５ａ〉
上に第２層目の樹脂層（１５ｂ）が充填されている。第
２層目の樹脂層は第１層とは異なりＥＰＲＯＭチップ（
４）誤消去を防止するために紫外線を遮断する紫外線不
透過性樹脂（１５ｂ）が用いられる。この紫外線性不透
過性樹脂（１５ｂ）は芳香環（ベンゼン環）を含んだ樹
脂であれば限定されず、例えばエポキシ系あるいはポリ
イミド系の樹脂が用いられ、ケース材（８）の上面と略
一致するまで充填されている。

従ってＥＰＲＯＭチップ（４）だけが壁体（７ａ）によ
って囲まれ且つ樹脂被覆されて、他のマイクロコンピュ
ータ（５〉およびその周辺の回路素子（６）はケース材
（８〉と基板（２）とで形成される封止空間（１４）内
に配置されることになる。

上述の如＜ＥＰＲＯＭチップ（４）と接続されるマイク
ロコンピュータ（５〉と、その周辺の回路素子（６）と
スイッチ（１７〉及び並列・直列変換回路（１０１）は
基板（２）とケース材（８）で形成された封止空間部（
１４）に配置する様に設定されている。即ち、チップ状
の電子部品および印刷抵抗、メッキ抵抗等の抵抗素子の
全ての素子が封止杢間部（ｌ４）内に設けられている。

ところで、本実施例では壁体く７ａ〉で囲まれた空間（
７ｂ）に紫外線透過性樹脂（１５ａ）及び不透過性樹脂
（１５ｂ）の２層の樹脂構造からなるが、不透過性樹脂
（１５ｂ）の代りに第４図に示す如く、遮光用のシール
材（ｌ６）をケース材（８）の孔（７〉上に接着して２
３ も不透過性樹脂（１５ｂ）と同様に紫外線を完全に遮断
することができる。

本実施例でＥＰＲＯＭチップ（４）のデータ消去を行う
場合は紫外線不透過性樹脂（１５ｂ）あるいはシール材
（１６）を剥して紫外線を所定の時間照射して消去する
。紫外線透過性樹脂（１５ａ）を剥す場合、樹脂（１５
ａ）は弱い接着力のためにワイヤ線が切断することはな
い。

次にＥＰＲＯＭチップ（４）のデータ消去後の再書込み
について説明する。

第５図は上述した混成集積回路を示すブロック図である
。

■〜Ｏは外部リード（１２）が接続される入出力端子、
（５〉はマイクロコンピュータ、（４）はＥＰＲＯＭ，
　（１８）は周辺回路、（１９〉は書込み用電源回路、
（１７〉はスイッチ、（ｔｏｉ）は並列・直列変換回路
である。

スイッチ（１７）は第６図に示す如く、１回路２接点を
有する素子で構成され、本実施例ではモトローラ社のＣ
ＭＯＳ　ＭＣ　　１４０５３のマルチプ−２４− レクサーが使用される。

スイッチ（１７）はＥＰＲＯＭ（４）とマイクロコンピ
ュータ（５）との間に接続され、Ｅ　Ｐ　Ｒ　ＯＭ（４
）が通常動作を行う時にマイクロコンピュータ（５〉と
電気的に接続し、ＥＰＲＯＭ（４）にデータを書込む時
にはマイクロコンピュータ（５〉とは電気的に切り離な
される。

スイッチ（１７）はＥＦＲＯＭ（４）にプログラム・デ
ータを書込みする際に必要な数だけを有しており、例え
ば、１２８ＫビットＥＦＲＯＭの場合、アドレスＡφ〜
Ａ．．（　１　４本）、データＤφ〜Ｄ，（８本）の書
込み・読出しのための制御と電源のＶ，，，ＰＧＭ，Ｏ
Ｅ，ＣＥ（４本）の合計２６個のスイッチ（１７〉が必
要となるが、ここでは、既製のＭＣ　　Ｉ４０５３を使
用しているために基板上に実装されるスイッチ素子は実
際には８石となる。また実装するスイッチ素子の素子数
を減らす必要がある場合にはＣＭＯＳゲートアレー又は
スタンダードセルの如きＡＳＩＣ　　ＩＣを利用した方
が基板の小型化を図れる。

一方、一端がマイクロコンピュータ（５〉と接続された
スイッチ（１７）の他端は並列・直列変換回路（１０１
）に接続され、並列・直列変換回路（１０１）からシリ
アル信号で書込むための２本の書込み用端子００に接続
されている。即ち、端子■〜［相］は読出し（通常動作
時）専用の端子となり、端子＠＠は書込み専用の端子と
なる。また端子［相］はスイッチ（１７〉を変換するた
めの変換入力専用の端子であり、端子［相］はＥＰＲＯ
Ｍ（４）にデータを書込みするときの専用の電源端子で
ある。

スイッチ（１７〉の数はいうまでもないがＥＦＲＯＭの
データ容量あるいは書込み方法によって多くなったり少
なくなったりする。

次に実際の書込み方を説明する。

Ｅ　Ｐ　Ｒ　ＯＭ（４）の電源Ｖ，，．！：ＧＮＤを除
いた端子のアドレス端子Ａφ〜Ａｌｓデータ端子Ｄφ〜
Ｄ，、書込み、読出し制御端子ＣＥ，ＯＥ，ＰＧＭ　，
　Ｖ　ｐｐ合計２６端子は例えば１回路２接点のスイッ
チ（１７）の２６個に接続されている。

Ａφ〜Ａ，．，Ｄφ〜Ｄ，，ＣＥ，ＯＥの２４個のスイ
ッチ（１７〉の通常モード側端子はマイクロコンピュー
タ（５〉からの、ＥＦＲＯＭデータ読出し動作に必要な
信号線の２４本と接続されている。

Ｅ　Ｐ　Ｒ　ＯＭ（４）のＰ　Ｇ　Ｍ　，　Ｖ　ｐｐに
接続されている２個のスイッチク１７）の通常動作モー
ド側端子はＧＮＤに接地しており、通常モードではＥＦ
ＲＯＭ（４）動作が読出し動作だけに限られ、書込みに
よる事故を防ぐようにしている。

２６個のスイッチ（１７）の書込みモード側端子のうち
Ｅ　Ｐ　Ｒ　ＯＭ（４）のＶ．に接続しているスイッチ
（ｌ７）以外の２５個のスイッチ（１７）の書込みモー
ド端子は、並列・直列変換回路（１０１）に接続されて
いる。

並列・直列変換回路はシリアル信号をパラレル信号に変
換する機能を有した回路であることは既に周知である。

本実施例で上述した様にインテル社のワンチップマイコ
ン８０５１を用いるが、シリアル信号をパラレル信号に
変換する機能を有するものであれば複数の素子を組合せ
てその機能を有するものであればよい。しかし、集積回
路基板２７ 上に形成する場合にはできるだけ１つの素子でその機能
を有するものが好ましい。

ところで、並列・直列変換回路（１０１）からは２本の
入出力線が導出されて端子■０に接続されている。この
端子００がシリアル信号書込み専用の端子となる。いう
までもないが、通常動作専用端子■〜＠は周辺回路〈１
８〉に接続されている。

一方、並列・直列変換回路（１０１）は通常動作時、即
ち、読出し状態ではオフした映態にあり、ＥＰＲＯＭ（
４＞にデータを書込みするタイミングでオン状態となる
様に設計しておく。この電源は内部回路の電源と同電位
であれば内部回路から供給させ、単独で別途に電源端子
を設けてもよい。

ところでハイブリッドＩＣを通常動作モードにするか、
書込みモードにするかの切りかえは、モード変換専用の
入力端子の０にｒ　Ｈ　，　ｒ　Ｌ　」レベルの信号を
入れることで行う。モード変換専用の入力端子にｒＨ，
レベルの信号が供給されると、スイッチ（１７〉の２６
個の接続は書込みモード側に変換されて接続される。

一２８ さらに同時に、Ｅ　Ｆ　Ｒ　ＯＭ（４＞のデータ書込み
時に必要となるＶＰＰ入力へはトランジスタＱ１ベース
にｒＨＪレベルの入力信号が供給されることによりトラ
ンジスタＱ，はＯＮ状態になり、トランジスタＱ，のベ
ースが接地されトランジスタＱ，がＯＮ状態となり、入
出力端子　から＋２１■が通電され、スイッチ（１７〉
を径由してｖｐＰ入力に書込み用の＋２１Ｖが供給され
書込み状態がリセットされる。

Ｅ　Ｐ　Ｒ　ＯＭ（４）へのプログラム・データの書込
み操作はまず第１にハイブリッドＩＣに内蔵されている
、ＥＰＲＯＭチップのデータ消去から行う。

データの消去は紫外線発生機、通常ＥＦＲＯＭイレサー
を準備しハイブリッドＩＣのパッケージにつけている紫
外線照射孔（７〉に向って、紫外線の照射を３０分程度
行うことでＥ　Ｐ　Ｒ　ＯＭ（４）に書込まれたデータ
は全て「１，のレベルとなる。

普通データの消去もれが無いように照射時間は十分余裕
をもって行われる。

次に、通称、ＥＰＲＯＭ　ＷＲＩＴＥＲを準備し、Ｅ−
　Ｆ　Ｒ　ＯＭ（４）に記憶させたいプログラム・デー
タを入力する。本実施例で使用ずるＲＯＭＷＲＩＴＥＲ
はシリアル信号を出力するシリアル信号専用のＲＯＭ　
ＷＲＩＴＥＲであることが重要である。

通常ＲＯＭ　ＷＲＩＴＥＲはパラレル信号出力であるが
前者のものでは外部リード数が多くなるために本実施例
では、あえて積極的にシリアル信号用のＲＯＭ　ＷＲＩ
ＴＥＲを用いるものとする。この結果、あとで述べるが
書込み用の外部リードを減少することができる。

ＲＯＭ　ＷＲＩＴＥＲをシリアル専用にするには装置の
設計変更で容易に行えるため何んら本実施例に影響する
ものではない。

ＥＰＲＯＭ　ＷＲＩＴＥＲへデータを入力するのはＥＰ
ＲＯＭのアドレスに対しデータを１つづつ手操作で入力
することも可能であるが時間的にまた操作の信頼性から
、普通はプログラムを開発するホストコンピュータとＲ
ＯＭ　ＷＲＩＴＥＲを電気的に接続して、コンピュータ
から直接ＲＯＭＷＲＩＴＥＲ内部のメモリにデータを転
送しデータを蓄える。ハイブリッドＩＣとＲＯＭ　ＷＲ
ＩＴＥＨの接続は、第７図に示す如く、ＲＯＭＷＲ　Ｉ
　Ｔ　Ｅ　Ｒ（２０ａ）に接続されているハイブリッド
接続用ソケット（２０〉との間で行う。

通常、ハイブリッドＩＣではな＜ＥＰＲＯＭ単体の書込
みであれば書込みたいＥＰＲＯＭｆ！：ＲＯＭＷＲＩＴ
ＥＨのソケットに挿入して、即時データ書込み動作に入
れる。しかし、ハイブリッドＩＣの場合、ＲＯＭ　ＷＲ
ＩＴＥＲについているＥＦＲＯＭソケット（２０）と少
なくとも書込み専用端子０＠を接続する。

次にハイブリッドＩＣの入出力端子０（８ｌとＲＯＭ　
Ｗ　Ｒ　Ｉ　Ｔ　Ｅ　Ｒ（２０ａ）のソケット（２０）
と接続した入出力端子以外を接続する。即ち、通常専用
モードから書込み専用モードへ変換する必要があるため
、端子０に「Ｈ」「Ｌ」レベルの信号を供給しモードを
書込み専用モードに変換するために所定の接続部に接続
されている。モード変換専用の端３１ 千〇から入力されたｒ　Ｈ　，レベルの入力信号スイッ
チ＜１７）をＲＯＭ書込みモード側に接続する。

このとき、ＥＰＲＯＭ（４）のＶＰＰ入力端子に端子［
相］から＋２１Ｖが供給される。

この状態の電気的接続状態杜、ＲＯＭ　ＷＲ　ＩＴＥＲ
で単体のＥＰＲＯＭを書込み、読出しを行う時と全く等
価の状態となっており次の操作からは、通常のＲＯＭ　
ＷＲＩＴＥＲ操作と同じになるだけであり、ただ書込み
信号がシリアルであるがこのシリアル信号は並列・直列
変換回路（１０１）で随時パラレル信号に変換されＥＰ
ＲＯＭ（４）に書込まれる。

次に、ＲＯＭ　ＷＲ　Ｉ　ＴＥＲ（２０ａ）側の操作と
して、既にＲ　ＯＭ　ＷＲ　Ｉ　Ｔ　Ｅ　Ｒ（２０ａ）
のメモリ内にはＥＦＲＯＭに書込みたいデータは準備さ
れていることからデータ書込みをスタートをする。

実際のＲＯＭ　ＷＲＩＴＥＨの書込み動作は、次の手順
で自動的に行なわれる。

ここで述べるＲＯＭライターは上述した様にシノアル対
応の装置である。ＲＯＭライターは、２−３２ 木の信号ラインがあり、一方は送信用、他方は受信用で
ある。この２木のラインはＨＩＣの書込み専用端子と接
続され、データの送受信を行う。すなわち、通常のＲＯ
Ｍライターと異なるのは、ＰＧＭ，ＯＥ，ＣＥ端子のタ
イミング制御は、ＨＩＣ内部のシリアルパラレル変換回
路によって行ワれるものとする。本実施例ではインテル
社の８０５１ワンチップマイコンを使用しているので、
書込み、読出しタイミング発生回路の機能も付加するこ
とが可能である。このタイミング制御は、書込み、読出
しとで番よ異なるので、ＲＯＭライターより、どちらか
の制御である事を司令しなければならない。これは、ア
ドレス、データといっしょに、書込みか読出しかを区別
する信号を送ればよい。

先ず、 （ｉ）ＥＦＲＯＭの全メモリが完全に消えているかの確
認し、ＲＯＭライターより、読出し信号とアドレスを与
える。ＨＩＣ内で、シリアルデータを受けとり、アドレ
スをパラレルに変換して、ＥＰＲＯＭに与える。読出し
であるから、各制御信号を読出し状態にして（ＰＧＭを
Ｈ，ＯＥ，ＣＥをアクティブｒｌ，」にする）、ＥＰＲ
ＯＭよりデータを読出す。読出されたデータは、シリア
ルに変換されて、ＲＯＭライターへ送られる。ＲＯＭラ
イターでは、データをみて、消去されているか確認する
。これを若いアドレスより順次カウントアップして行い
、消去されていない所があるとＲＯＭライターは警告音
を発し、次のステップへは入らないものとする。

（ｉ）ＥＰＲＯＭのアドレスの若い順からデータの書込
みを開始する。ＲＯＭライターからアドレスＡφ〜Ａ　
ｌｓ　ｒデータＤφ〜Ｄ７と書込み信号をシリアルにて
送る。ＨＩＣ内では、これらをパラレルデータに変換し
ＥＦＲＯＭに与える。書込みであるから８０５１は、δ
ｉをＨ，Ｃ玉をＬにしてさらに１　ｍｓｅｃ幅のＰＧＭ
のパルスを印加する。

（ｉ）（ｉ）と同一アドレステ、ＥＰＲＯＭを読出し状
態（（Ｉ〉と同じ状態）にして、（ｉｉ）で書込まれた
データの読出しを行い、読出されたデータが（ｉ）で書
込んだものと同じになったかどうか比較する。

同じデータになっていない時は（Ｈ）の動作にもどり同
一のアドレスとデータで書込みを行う。書込んだデータ
と書込まれたデータが同一になると、ＥＰＲＯＭのデー
タ保持の安定性、信頼性向上のためのマージン確保のた
めにさらに（ｉ）の書込み動作を何回か自動的に行ない
、一つのアドレスの書込みを終了する。

（ｉｖ＞アドレスを１カウントアップし、そのデータの
書込みを、（ｉ）の手順から繰り返す。

（ｉ）　〜（ｉｖ）の書込み動作はＲＯＭＷＲＩＴＥＲ
が自動的に進行し、Ｅ　Ｆ　Ｒ　ＯＭの全アドレスデー
タ書込みが終了確認出来ると自動的にＲＯＭＷＲＩＴＥ
Ｈの動作は停止する。

以上の動作でハイブリッドＩＣの中のＥＰＲＯＭにシリ
アル信号で新らたなデータを書込むことが出来、Ｒ　Ｏ
ＭＷＲ　Ｉ　Ｔ　Ｅ　Ｒ（２０ａ）のソケット（２０〉
から各端子に接続された外部リード（１２）を取り３５ はずせばハイブリッドＩＣの内に搭載されたＥＦＲＯＭ
（４）のデータ書込みは終了する。

以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。

先ず、モデム（ＭＯＤＥＭ）とはパーソナルコンピュー
タなどのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電
話回線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行
うデータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能
はデジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波
数を使って、データによる変調を行いアナログ信号にし
て電話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデ
ータで変調されるアナログ信号を復調してデジタル化し
たデータに戻す機能を持つ。

第８図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。

第８図は集積回路基板（２）上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。

モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力する３６ ＤＴＥインターフェース（２１）と、ＤＴＥインターフ
ェース（２ｌ〉より出力されたデータに基づいて所定の
出力信号を出力するマイクロコンピュータ（５〉と、マ
イクロコンピュータ（５）からアドレスされるデータを
内蔵したＥＰＲＯＭチップ（４）と、マイクロコンピュ
ータ（５）からの出力信号を変復調しＮＣＵ（ＮＥＴＷ
ＯＲＫ　　ＣＯＮＴＲＯＬＵＮＩＴ）に出力する第１お
よび第２の変復調回路（２２）（２３）と、マイクロコ
ンピュータ（５）からの出力信号に応じて所望のＤＴＭ
Ｆ信号（トーン信号）を発生するＤＴＭＦ発生器（２４
）とをから構成されている。更に本実施例のモデム回路
内にはＥＰＲＯＭ（４＞のデータを読出して通常動作時
に用いる通常動作専用モードとＥＰＲＯＭ（４）にプロ
グラム・データを書込みする際に用いる書込み専用モー
ドとを変換するスイッチ（１７）と、通常動作モードと
書込みモード時の各電圧を変換する電圧切替回路（１７
ｃ）及びシリアル信号でデータの書込みを行うための並
列・直列変換回路（１０１）を有している。

３Ｂ ＤＴＥインターフェースは例えばＳＴＣ９　６　１０（
セイ１−エプソン）等のＩＣより成り、第９図の如く、
パソコンの出力信号を供給し、その出力信号を内蔵メモ
リー内に蓄積してマイクロコンピュータ（５〉へ出力す
る送信メモリ一部（２５）と、マイクロコンピュータク
５〉からの出力信号が供給される信号を内蔵メモリー内
に蓄積してパソコンへ出力する受信メモリ一部（２６）
と、送信メモリ部（２５〉および受信メモリ一部（２６
）を介して入出力される夫々の信号を切替える制御部（
２７）とからなり、パソコン（２８）とマイクロコンピ
ュータ（５）とを接続するための所定の機能を有するも
のである。

マイクロコンピュータ（５）Ｉｔ例えばＳＴＣ９　６２
０（セイコーエプソン）等のＩＣより成り、第１０図の
如く、ＤＴＥインターフェース（２１）から出力される
出力信号を認識するコマンド認識部と、コマンド認識部
によって認識された出力信号を解読するコマンド解読部
と、コマンド解読部で解読された信号に基づいてメモリ
一部のデータと比較し変復調回路へデータを供給するコ
マンド実行部と、コマンド解読部のデータとメモリ一部
内のデータとの比較結果、誤ったデータがコマンド実行
部に供給された際にＤＴＥインターフェース（２１）に
出力信号を出力する応答コード生成部とからなる。

変復調回路ク２８）はマイクロコンピュータ（５〉から
送信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してＮＣ
Ｕ部に送信する。また反対にＮＣｔＪ部から送信された
アナログ信号をデジタル信号に変換してマイクロコンピ
ュータ（５）へ送信するものであり、低速および中速夫
々のタイプの回路を備えている。第１の変復調回路（２
２）は３００ｂｐｓの低速変復調回路であり、第２の変
復調回路（２３〉は１２００ｂｐ８の中速変復調回路で
ある。夫々の第１および第２の変復調回路（２２）（２
３）はマイクロコンピュータ（５）により、いずれか一
方の変復調回路が選択される。

ＤＴＭＦ発生器（２４）はマイクロコンピュータ（５）
のコマンド実行部より出力されたデータをＣ−３９− ＯＬ，ＲＯＷ夫々の入力端子に入力することで所定のＤ
ＴＭＦ信号を発生し送信Ａ　Ｍ　Ｐ　（２９ａ）に出力
して電話回線へ信号を供給する。

スイッチ（１７〉は例えば上述した様にモトローラ社の
マルチブレクサ−ＣＭＯＳ　ＭＣ　　１４０５３が用い
られる。スイッチ（ｌ７）はマイクロコンピュータ〈５
〉とＥ　Ｆ　Ｒ　ＯＭ（４）間に接続される。

ＥＰＲＯＭチップ（４）内にはモデムの各種のモードを
設定するためのプログラムデータがメモノーされており
、マイクロコンピュータ（５）のアドレスに基づいてマ
イクロコンピュータ（５〉に供給される。

次にモデムの動作について簡単に説明する。モデムの動
作を説明するにあたり通常・書込みの各専用モードを変
換するスイッチ（１７〉は通常動作を行う通常専用モー
ド側に選択されている。

先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ〈５〉からの読出し信号に基づいてスイッチ（１
７）を介して、所定のアドレスデータがＥＰＲＯＭチッ
プ（４）に供給され、そのアドレス４０− に基づいたＥＦＲＯＭチツプ（４）のプログラム・デー
タがスイッチ（１７〉を介してマイクロコンピュータ（
５）に供給され、通信を行う夫々のモデムの通信規格（
ＢＥＬＬ／ＣＣＩＴＴ規格）、通信速度（　３　０　０
　／　１　２　０　０　ｂ　ｐ　Ｓ　）、データファー
マットの一致、デップスイッチモードの切替等の各種の
モードが一致しているかが確認される。

各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー人力する。

その電話番号はパソコンとのインターフェース用のＤＴ
Ｅインターフェース（２１）に入力され、電話番号を解
読する為にマイクロコンピュータ（５）に転送される。

その解読した結果をＤＴＭＦ発生器（２４）に送信し、
ＤＴＭＦ発生器ク２４）からＤＴＭＦ信号が発信されそ
の信号は送信Ａ　Ｍ　Ｐ　（２９ａ）、ライントランス
（２９ｃ）を介して一般電話回線へ転送される。

転送されたＤＴＭＦ信号は応答側のモデムに対して呼出
し信号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信し
て自動着信する。すると応答側のモデムは接続手順の為
のアンサートーン起呼側のモデムに対して送出する。

起呼側のモデムではライントランス（２９ｃ）、受信ア
ンプ（２９ｂ）を通り低速変復調回路（２２）でそのア
ンサートーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサー
トーンであるか否かを検出する。所定のアンサートーン
であれば通信状態に入る。

通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー人力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルデータをＤＴＥインターフェース（２１）に入力し、
そのデータをマイクロコンピュータ（５〉に転送する。

ここでパラレルデータをシリアルデータに変換する。シ
リアルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調回
路（２２）に送信される。ここでデジタル信号はアナロ
グ信号に変換され、それに対応した通信規格に基づいて
周波数変調ＦＳＸされ、送信ＡＭＰ（２９）、ライント
ランス（３２）を介して応答側のモデムに送信される。

一方、応答側のパソコンのキー人力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス（２９ｃ）、受信Ａ　Ｍ　Ｐ　（２
９ｂ）を介して低速変復調回路（２２）に入力される。

ここでアナログ信号はデジタル信号に変換されＤＴＥイ
ンターフェース（２１）に入力され、シリアルデジタル
信号からパラレルデジタル信号に変換されて起呼側のパ
ソコンに入力される。その結果起呼側ヘパソコンと応答
側のパソコンは全二重通信ができる様になりパソコン通
信が実現する。

第１１図は第８図で示したモデム回路を木実施例で用い
た基板（２）上に実装した場合の平面図であり、実装さ
れる回路素子の図番号は同一番号とする。ＥＰＲＯＭチ
ップ（４）とマイクロコンピュータ（５〉との接続はバ
スラインで示す。尚、複数の回路素子を接続する導電銘
は煩雑のため省略する。

第１１図に示す如く、基板（２）の対向する周端部には
外部リード端子（１２）が固着される複数の固４３ 着用パッド（３ａ）が設けられている。固着パッド（３
８）から延在される導電路（３〉上所定位置には複数の
回路素子およびＥＰＲＯＭチップ（４）が固着される。

上述した如き、斯る基板（２）上にはＥＰＲＯＭチップ
〈４）およびマイクロコンピュータ〈５〉を含む複数の
回路素子と読出し・書込みの各専用モードを変換するス
イッチ（１７）が固着されており、（２１）はＤＴＥイ
ンターフェース、（２２）（２３）は第１および第２の
変復調回路、（２４）はＤＴＭＦ発生回路、（１７）は
スイッチ、（１７ｃ）は電圧変換素子、（１０１）は書
込み時に用いる並列・直列変換回路、（５）はマイクロ
コンピュータ、（　６　）　ｉｔコンデンザー等のチッ
プ部品である。

第１１図に示す如く、マイクロコンピュータ（５〉の近
傍あるいは隣接する位置にＥＰＲＯＭチップ（４）が固
着される。マイクロコンピュータ（５）の近傍あるいは
隣接する位置にＥＰＲＯＭチップ（４）を固着すること
で、マイクロコンピュータ（５）とＥＦＲＯＭチップ（
４）とのバスライン、即ち導電路（３）の引回し線の距
離を最短でしかも−４４ 最小の距離で引回すことができ、他の実装パターンを有
効に使用できると共に高密度実装が行える。尚、一点鎖
線で囲まれた領域は接着シートでケース材（８〉が固着
される領域を示す。

更にＥＦＲＯＭチップ〈４）とマイクロコンピュータ（
５）間にスイッチ（１７）を設けることで読出し専用モ
ードと書込み専用モードの切替をスイッチ（１７〉で容
易に行えることができ、書込み時と読出し（通常動作時
）時夫々の専用のパターン（モード）が形成されること
になる。その結果、データ書込みが容易に行える。

更にスイッチ（１７〉と書込み専用端子間には並列・直
列変換回路（１０１）を備えたことにより、２木の書込
み端子でＥＦＲＯＭ（４）にデータの書込みが行えリー
ド端子数の少ないハイブリッドを提供することができる
。

第１２図は第１１図で示した基板（２）上にケース材（
８）を固着したときのモデム用の混成集積回路装置の完
成品の平面図であり、ケース材（８）の上面からはＥＰ
ＲＯＭチップ（４）上に被覆された第２の樹脂層（１５
ｂ）の上面のみが露出された状態となる。即ち，ＥＰＲ
ＯＭチップ（４）以外の他の素子は全てケース材（８）
と基板（２）とで形成された封止空間（１４）内に封止
される。

ケース材（８）より露出されている多数の外部リード（
１２）の一部はＥＰＲＯＭチップ（４）の通常動作時及
び書込み動作時の各専用モードにおいて兼用して用いら
れるリードであり、外部リード（１２Ｘ）は各モードを
変換させる入力信号を印加する専用の端子である。

以上に詳述したモデム用の混成集積回路装置のＥＦＲＯ
Ｍには製品仕様の多様化に備え、仕向地、ＯＥＭ、自社
販売等セットメーカ（ユーザ）が要望する仕様変更に対
して容易に対応することができる。即ち、ＥＰＲＯＭ以
外の回路構成はあらかじめ各種の仕様変更に対応ずる様
に設計されていたが、特定のユーザの仕様に基づいて混
成集積回路を設計すると、他のユーザ仕様と一致しない
ことがあった場合、従来では混或集積回路自体の設計を
見なおす必要があった。

しかし本発明の混成集積回路装置では、ＥＰＲＯＭチッ
プ（４）のデータを読出す場合に用いる通常動作モード
とＥＦＲＯＭチップ（４）にデータを書込む場合に書込
みモードとを切替える第１及び第２のスイッチ（１７ａ
）（１７ｂ）を備えており、ＥＦＲＯＭチップ（４）を
搭載したままの状態でＥＦＲＯＭチップ（４）に所定の
プログラム・データを書込むことができるため、設計変
更等の変更でＥＰＲＯＭチップ（４）内のプログラム・
データに変更が生じた場合でもＥＰＲＯＭチップ〈４）
に容易にプログラム・データを書込みすることができる
。

以上に詳述した実施例ではＥＰＲＯＭとマイクロコンピ
ュータとは夫々分離した個別のＩＣであるが、不揮発性
メモリーの中にはＥＰＲＯＭ内蔵のマイクロコンピュー
タも含まれる。ＥＦＲＯＭ内蔵マイクロコンピュータに
おいても上述した如き、同様の動作を行うことができる
。

第１３図はＥＦＲＯＭ内蔵マイクロコンピュータを用い
た場合のブロック図を示すものである。

第１３ｒｌ！Ｊから明らかな如く、第１のスイッチ（１
７４７ ＲＯＭ内蔵マイクロコンピュータと周辺回路（ｌ８〉に
接続されている。当然のことながら、第１３図に示した
ＥＦＲＯＭ内蔵マイクロコンピュータを基板上にハイブ
リット化した場合、ＥＰＲＯＭ内蔵マイクロコンピュー
タが搭載される真上のケース材には孔が設けられている
。従ってＥＦＲＯＭのデータの消去・書込みが上述した
同様の動作で行える。

斯る本発明に依れば、ケース材（８）のＦｆ？望位置に
孔（７）を設け、その孔（７〉で露出した基板（２）上
の導電銘（３）にＥＰＲＯＭチップ（４）を接続し隣接
する導電路ク３〉とワイヤ線で接続し、基板（２）とケ
ース材（８）とで形成された封止空間（１４）にマイク
ロコンピュータ（５〉および他の回路素子（６）を固着
することにより、混成集積回路とＥＰＲＯＭチップ（４
）との一体化した装置が極めて小型化に行える大きな特
徴を有する。

更に本発明では通常モード専用の導電路と書込みモード
専用の導電路とを夫々独立させ夫々のモードを選択する
スイッチ（１７）を設けることによ４８− り、ＥＦＲＯＭチップ（４）を搭載した状態のままでＥ
ＰＲＯＭチップ（４）に所定のプログラム・データを書
込むことができる。更に本発明では並列・直列変換回路
（１０１）を備えていることにより、２本の書込みリー
ドで書込みが行え集積回路の小型化を図れる利点を有す
る。

（ト）発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第１にケース材
（８）の所望位置に孔（７）を設け、孔（７）で露出し
た基板（２）上の導電路（３）にＥＰＲＯＭチツプ（４
）を接続しているので、ＥＦＲＯＭチップ（４）の載置
位置を任意に選定できる利点を有する。このため内蔵す
るマイクロコンピュータとの電気的接続を考慮して、効
率良＜ＥＰＲＯＭチツプ（４）とマイクロコンピュータ
（５〉とを接続でき信号線の引回しを不要にできる。更
に詳述すると、ＥＰＲＯＭチップ（４）の隣接する位置
に最も関連の深いマイクロコンピュータ（５）を配置で
き、その結果ＥＦＲＯＭチップ（４）とマイクロコンピ
ュータ（５）間のデータのやりとりを行うデータ線を最
短−５０ 距離あるいは最も設計容易なレイアウトで実現でき、デ
ータ線の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制で
きる。

第２にケース材（８〉の所望位置の孔（７）にＥＰＲＯ
Ｍチップ（４）を配置していると共に、集積回路基板（
２）上の組込むマイクロコンピュータおよびその周辺回
路素子の実装密度を向上することにより、従来必要とさ
れたプリント基板を廃止でき、極めて小型化のＥＰＲＯ
Ｍチップ（４）を内蔵する混成集積回路装置を実現でき
る。

第３に通常動作専用の導電路及び書込み動作専用の導電
路の各専用モードを備えスイッチ（１７〉によって切替
えられることにより、ＥＦＲＯＭチップ（４）のデータ
を消去した後にＥＰＲＯＭチップ（４）を搭載したまま
の状態でＥＰＲＯＭチップ（４）内に所定のプログラム
・データを書込むことができる。その結果、ＥＦＲＯＭ
ヂップ（４）を内蔵した混成集積回路装置をユーザに納
入ずる直前にＥＰＲＯＭチップ（４）のデータの仕様の
変更が発生したとしても極めて容易に対応することがで
きる大きなメリットを有する。

第４に並列・直列変換回路を設けることにより、ＥＰＲ
ＯＭへのデータの書込みをシリアル信号での書込みが可
能となり、その結果、書込み専用のリードを最小（２本
）にすることができ、ＥＰＲＯＭチップ内蔵でしかも消
去・書込みが行える混成集積回路を極めて小型化に実現
することができる。

第５に集積回路基板（２）として金属基板を用いること
により、その放．熱効果をプリント基板に比べて大幅に
向上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電
路（３）として銅箔（１１）を用いることにより、導電
路（３）の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき、
実装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる
。

第６にＥＰＲＯＭチップ（４）と接続されるマイクロコ
ンピュータ（５）およびその周辺回路素子（６）はケー
ス材（８〉と集積回路基板（２）とで形成される封止空
間（１４）にダイ形状あるいはチップ形状で組み込まれ
るので、従来のプリント基板の様に樹脂５ｌ モールドしたものに比較して極めて占有面積が小さくな
り、実装密度の大幅に向上できる利点を有する。

第７にケース材（８〉と集積回路基板（２）の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板（２）のほ
ぼ全面を封止空間（１４）として利用でき、実装密度の
向上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を
実現できる。

第８にＥＰＲＯＭチップ（４）上には遮光用の樹脂層（
１５ｂ）が設けられているため、ＥＰＲＯＭチップ（４
）を保護することができると共に遮光ができ且つＥＰＲ
ＯＭチップ（４）と孔（７）のすき間も封止できる利点
を有する。

第９に集積回路基板（２）の一辺あるいは相対向する辺
から外部リード（１２）を導出でき、極めて多ピンの混
成集積回路装置を実現できる利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例を示す斜視図、第２図は第１図のＩ−
Ｉ断面図、第３図は実施例で用いる基板の断面図、第４
図は他の実施例を示す断面図、第５図は本実施例を示す
ブロック図、第６図は本実施例で用いられるスイッチ素
子を示すブロック図、第７図は混成集積回路装置のＥＰ
ＲＯＭにデータを書込みする場合を示す斜視図、第８図
は木実施例で用いたモデムを示すブロック図、第９図は
第８図で示したモデｌ１のＤＴＥインターフェースを示
すブロック図、第１０図は第８図で示したモデムのマイ
クロコンピュータを示すブロック図、第１１図は第８図
で示したブロック図を基板上に実装したときの平面図、
第１２図は第１１図に示した基板上にケース材を固着し
たときの平面図、第１３図は他実施例を示すブロック図
、第１４図および第１５図は従来のＥＰＲＯＭ実装構造
を示す断面図である。 （１）・・・混成集積回路装置、　（２）・・・集積回
路基板、　　（３〉・・・導電路、　（４）・・・ＥＦ
ＲＯＭチップ、（５）・・・マイクロコンピュータ、　
（６）・・・回路素子、（７〉・・・孔、　（７ａ〉・
・・壁体、　（８〉・・・ケース材、　（１５ａ）・・
・紫外線透過性樹脂、　（１５ｂ）・・・紫外線不透過
性樹脂、 （１７〉・・・スイッチ、 （１０１）・・・並列・直 列変換回路。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）集積回路基板と、 前記基板上に形成された所望のパターンを有する導電路
   と、 前記導電路に接続された不揮発性メモリーチップと、 前記メモリーチップからデータを読出し且つ前記基板上
   の導電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその
   周辺回路素子と、 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、前記不揮
   発性メモリーチップの電極と所望の前記導電路をボンデ
   ィングワイヤで接続し、前記基板と前記ケース材で形成
   された封止空間に少なくとも前記マイクロコンピュータ
   およびその周辺回路素子を配置し、 前記メモリーチップに所定のプログラム・データを書込
   み読出しする書込み動作時に用いる書込み専用モードと
   前記メモリーチップからデータの読出しのみを行う通常
   動作時に用いる通常専用モードとを任意に変換する複数
   のスイッチ素子を前記基板上の導電路に接続し、 前記スイッチ素子にその一端が接続され書込み専用モー
   ド時のみに用いられる複数の導電路を有し、 前記導電路に並列・直列変換回路が接続されていること
   を特徴とする混成集積回路装置。
2. （２）前記変換回路にその一端が接続され前記基板の一
   辺に延在された導電路の他端にシリアル信号を入力する
   シリアル信号入力専用の外部リードが接続されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置。
3. （３）前記メモリーチップと前記スイッチ素子及び前記
   変換回路にその一端が接続され書込みあるいは読出しモ
   ードの変換時に用いられる変換専用の導電路を有し、前
   記導電路が延在される他端に変換専用の外部リードを接
   続していることを特徴とする請求項１記載の混成集積回
   路装置。
4. （４）前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
   を用いたことを特徴とする請求項１記載の混成集積回路
   装置。
5. （５）前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
   請求項１記載の混成集積回路装置。
6. （６）前記マイクロコンピュータは前記導電路上にダイ
   形状で組み込まれることを特徴とする請求項１記載の混
   成集積回路装置。
7. （７）前記ケース材の周端部を前記基板の周端部と実質
   的に一致させたことを特徴とする請求項１記載の混成集
   積回路装置。