JPH02299252A - 混成集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は集積回路基板に樹脂封止型の不揮発性メモリ、
例えばＥＦＲＯＭ（紫外線消去形プログラマブル・リー
ド・オンリ・メモリー）を実装してなるＥＦＲＯＭ内蔵
型の混成集積回路装置に関する。

（ロ）従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するＥＰ
ＲＯＭ素子は、各種電子機器に好んで用いられている。

このＥＰＲＯＭ素子は、制御用或は駆動用集積回路と共
に現在、その殆んどがプリント配線板に実装されており
、一旦書込んだ情報をその後書き直すために通常、着脱
容易なプリント配線板に実装されている。各種電子機器
で小型軽量化が要求される機器は、チップ・オン・ボー
ドと称される技法によってプリント配線板に半導体集積
回路（ＩＣ）チップが直接搭載され、所要の配線が施さ
れた後この配線部分を含んで前記ＩＣチップが合成樹脂
によって被覆され、極めて小形軽量化が達成されている
。

一方紫外線照射窓を必要とするＥＰＲＯＭチップは、こ
の照射窓がネックとなり未だサーディツプ型パッケージ
に組込まれて製造され、プリント配線板に実装されてい
るため小型軽量化が図れない。

かかる従来のＥＰＲＯＭ素子の実装構造を第１２図に従
って説明すると、第１２図は従来のＥＰＲＯＭ素子の一
部断面を有する斜視図であって、主表面上に導電性配線
パターン（４１）が形成されたガラス・エポキシ樹脂な
どから構成された絶縁性基板（４２）のスルーホール（
４３）にサーディツプ型パッケージに組込まれＥＰＲＯ
Ｍ素子（４４）が搭載されている。このＥＰＲＯＭ素子
（４４）はヘッダー（４５）およびキャップ（４６）を
有し、前記ヘッダー（４５）はセラミック基材（４７〉
に外部導出リード（４８）か低融点ガラス材で接着され
ている。又このヘッダー（４５〉はガラスに金粉が多量
に混入したいわゆる金ペーストを焼結した素子搭載部（
５０）が前記低融点ガラス材上或はセラミック基材（４
７）上に接着されており、この素子搭載部（５０）にＥ
ＰＲＯＭチップ（５１）が紫外線照射面を上にして装着
され、このチップ（５１）の電極と前記外部導出リード
（４８）とが金属細線（５２）によって接続されている
。前記キャップ（４６）は蓄部材であって、前記ＥＰＲ
ＯＭチップ（５１）の紫外線照射面と対向する部分に窓
（５３）を有するセラミック基材（５４）を含み、この
キャップ（４６）は低融点ガラスによってヘッダー（４
５）に配置されたＥＰＲＯＭチップ（５１）を密封して
いる。この様にＥＰＲＯＭチップ（５１）を密封したＥ
ＰＲＯＭ素子（４４）は、前記絶縁性基板（４２）のス
ルーホール（４３）に外部導出リード（４８）を挿通さ
せ半田によって固定される。このスルーホール（４３）
は導電性配線パターン（４１）によって所要の配線引回
しが施され、前記絶縁性基板の端部に設けられた雄型コ
ネクタ端子部（５５）から図示しない雌型コネクタへと
接続される。

きて、かかる従来のＥＰＲＯＭ素子の実装構造は、ＥＰ
ＲＯＭチップ（５１）に比ベパッケージ外形が極めて大
きく、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さ
もチップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利であ
る。更にスルーホール（４３）に外部導出リードを挿通
した後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆す
べき大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってＥＦ
ＲＯＭ素子を一旦パッケージに組立てることである。Ｅ
ＦＲＯＭ素子は紫外線照射用の窓を有するが故、そのパ
ッケージは、セラミックスを基材としたサーディツプ型
パッケージに組立てられるが、このパッケージは低融点
ガラスにより封止される為、高温（４００〜ＳＯＯ℃）
シールとなり、ＥＰＲＯＭチップの電極（アルミニウム
）と外部導出リードとを接続する金属細線を同種材料で
構成しないとアロイ化が起り配線抵抗の増加を来したり
、断線を生じたりする。この様な事態を回避する目的で
通常アルミニウム細線が用いられるが、このＥＰＲＯＭ
チップはサブストレートを接地電位にする必要上、ＥＰ
ＲＯＭチップの接地電極を金ペーストで形成されたチッ
プ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金ペースト中
の金属はおよび箔等の金属と前記アルミニウムとで二次
或は多元合金反応が進むことから、グランドダイスと呼
ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリコン小片を
ＥＰＲＯＭチップと別個に前記金ペーストより成るチッ
プ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部とＥＰＲ
ＯＭチップの接地電極とを接続するという極めて煩雑な
作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量、低価格
のいずれも不満足なものである。

斯る問題を解決するために第１３図に示したＥＰＲＯＭ
実装構造がある。

以下に第１３図に示したＥＰＲＯＭ実装構造について説
明する。

主表面（６０ａ）に導電性配線パターン（６０ｂ）が形
成されたガラス・エポキシ樹七板などの絶縁性基板（６
０）は、ＥＰＲＯＭチップ（６１）を載置するチップ搭
載エリヤ（６０ｃ）を有し、前記配線パターン（６０ｂ
）は、このエリヤ近傍から主表面（６０ａ）上を引回さ
れて図示しない雄型コネクタ端子部に接続されている。

前記エリヤ（６０ｃ）には、ＥＰＲＯＭチップ（６１）
が搭載され、このチップ（６１）の表面電極と前記配線
パターン（６０ｂ）とが金属細線（６２）により接続さ
れている。勿論金属細線〈６２）の１本は前記チップ（
６１）のサブストレートと接続する為に、このチップ＜
６１〉が搭載された配線パターン（６０ｂ）とワイヤリ
ングされている。前記ＥＰＲＯＭチップ（６１）の紫外
線照射面（６１ａ）上には紫外線透過性樹上（６３）　
（例えば東し社製、型名ＴＸ−９７８）を介して、紫外
線透過性窓材（６４）が固着されている。この窓材（６
４）は、石英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性材
料である。そして、前記窓材（６４）の頂部面（６４ａ
）は、ＥＰＲＯＭチップ（６１）の紫外線照射面に光を
導入する面であるから、この頂部面（６４ａ）を除いた
残余の窓材（６４）部分と、金属細線り６２）と、この
金属細線（６２）と前記配線パターン（６０ｂ）との接
続部分とが合成樹脂（６５）（例えば日東電工社製、型
名ＭＰ−１０）で被覆されている。もし、絶縁性基板（
６０）と、ＥＰＲＯＭチップ（６１）と窓材（６４）と
を加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれば、前
記基板（６０）のチップ搭載エリヤ（６０ｃ）をザグリ
穴としてこの基板（６ｏ）の厚さの半分程度握れば良い
。又この様なザグリ穴としておけば、合成樹脂（６５）
の流れ止めダムが形成され湿気などの浸入に対して有効
に作用する。

第１２図および第１３図で示したＥＰＲＯＭ実装構造は
特開昭６０−８３３９３号公報（ＨＯ５に１／１８）に
記載されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題 第１４図で示したＥＰＲＯＭ実装構造ではＥＦＲＯＭの
チップをプリント基板上にダイボンディングしているた
め、小型化となることはいうまでもない、しかしながら
、ここでいう小型化はあくまでＥＰＲＯＭ自体の小型化
である。即ち、第１４図からは明らかにされていないが
ＥＦＲＯＭの周辺に固着されているマイクロコンピュー
タおよびその周辺回路素子はディスクリート等の電子部
品で構成されているために、ＥＰＲＯＭを搭載したプリ
ント基板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合
なんら小型化とはならず従来通りプリント基板の大型化
、即ちシステム全体が大型化になる問題がある。更に第
１４図に示したＥＦＲＯＭ構造ではＥＰＲＯＭのプログ
ラムデータを消去する場合、プリント基板上に紫外線を
照射し消去した後、ＥＦＲＯＭから延在された引回し線
の導電パターン上にプローブ等の書込み用の端子を当接
して再書込みを行わなければならず、従来の一般的なＲ
ＯＭライターを使用することができずＥＦＲＯＭの再書
込みという点で煩雑となる問題がある。

また、第１３図に示したＥＰＲＯＭ実装構造では消去後
の再書込みという点ではＥＦＲＯＭをプリント基板から
着脱することが可能であるために、一般的なＲＯＭライ
ターを用いての書込みが行えるために比較的容易に行え
る。しかしながら、第１２図に示した実装構造において
も第１４図と同様にＥＰＲＯＭの周辺の回路、即ち、マ
イクロコンピュータやその周辺ＬＳＩ、ＩＣ等の回路素
子がディスクリート等の電子部品で構成諮れているため
、プリント基板の大型化、即ちシステム全体が大型化と
なりユーザが要求される軽薄短小のＥＦＲＯＭ搭載の集
積回路を提供することができない大きな問題がある。

更に第１３図および第１４図で示したＥＰＲＯＭ実装構
造では、上述した様にシステム全体が大型化になると共
にＥＦＲＯＭおよびその周辺の回路素子を互いに接続す
る導電パターンが露出されているため信頼性が低下する
問題がある。

更に第１３図および第１４図で示したＥＰＲＯＭ実装構
造ではＥＦＲＯＭと、その周辺のマイクロコンピュータ
およびＩＣ，ＬＳＩ等の回路素子が露出されているため
、基板上面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低下す
る問題がある。

更に第１３図及び第１４図で示したＥＰＲＯＭ実装構造
では一枚のプリント基板上にＥＦＲＯＭとディスクリー
ト部品からなるマイクロコンピュータ及びその周辺の回
路素子の全ての素子が搭載されているため上述した様に
システム自体の小型化という点で大きな問題となる。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、二
枚の集積回路基板を固着一体化するケース材の一側面に
不揮発性メモリーを配置し且つ二枚の基板上に形成した
導電路と接続し、マイクロコンピュータ及びその周辺回
路素子を二枚の基板とケース材とで形成された封止空間
内に配置したことを特徴とする。

従ってＥＦＲＯＭを搭載した混成集積回路を小型化でし
かも二枚の基板上の全面に回路素子を実装することがで
き、高密度実装のＥＰＲＯＭ内蔵の混成集積回路装置を
提供することができる。

（孝）作用 この様に本発明に依れば、二枚の基板を固着一体化する
ケース材の一側面に不揮発性メモリーを配置し、夫々の
基板上の導電路と接続しているので、不揮発性メモリー
の載置位置を任意に設定でき、内蔵するマイクロコンピ
ュータとの電気的接続を考慮して、効率良＜ＥＦＲＯＭ
とマイクロコンピュータとを接続することができ、信号
線即ち導電路の引回し線を不要にすることができる。

更にＥＰＲＯＭの隣接する位置に最も関連の深いマイク
ロコンピュータを配置でき、ＥＦＲＯＭとマイクロコン
ピュータ間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距
離あるいは最小距離で実現でき、データ線の引回しによ
る実装密度のロスを最小限に抑制することになり、高密
度の実装が行える。

更に本発明では不揮発性メモリー以外の全ての回路素子
はチップ部品で二枚の基板とケース材とで形成された封
止空間内に配置され且つ不揮発性メモリーは夫々の基板
の周端部の導電路に接続され、実質的にケース材の側面
に搭載されることにより、夫々の基板全面を実装面積と
して利用できるため、小型化あるいは高密度実装の優れ
たＥＰＲＯＭ内蔵の混成集積回路装置を提供することが
できる。

（へ）実施例 以下に第１図乃至第１２図に示した実施例に基づいて本
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。

第１図および第２図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置（１）が示されている。この混成集積回路装置
（１）は独立した電子部品として用いられコンピュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。

この混成集積回路装置（１）は第１図および第２図に示
す様に、二枚の集積回路基板（２）（３）と、二枚の集
積回路基板（２）（３）上に形成された所望形状の導電
路（５）と、夫々の導電路（５）と接続された不揮発性
メモリー（６）と、そのメモリー（６）からデータを供
給され且つ不揮発性メモリー（６）が搭載された導電路
（５）と接続されたマイクロコンピュータ（７）と、二
枚の基板（２）（３）上の導電路（５）と接続された周
辺の回路素子（８）と、二枚の基板（２）（３）を離間
して一体化するケース材（９）とをから構成される。

二枚の集積回路基板（２）（３）はセラミックス、ガラ
スエポキシあるいは金属等の硬質基板が用いられ、本実
施例では放熱性および機械的強度に優れた金属基板を用
いるものとする。

金属基板としては例えば０．５〜１．０■厚のアルミニ
ウム基板を用いる。その二枚の基板（２）（３）の表面
には第４図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アル
ミニウム膜（９）（アルマイト層）が形成され、その−
主面側に１０〜７０μ厚のポリイミド等のフレキシブル
性を有した絶縁樹脂層（１０）が貼着される。更に絶縁
樹脂層（１ｏ）上には１０〜７０μ厚の銅箔（１１）が
絶縁樹脂層（１ｏ）と同時にローラーあるいはホットプ
レス等の手段により貼着されている。ところで、二枚の
基板（２）（３）はフレキシブル性を有する絶縁樹脂層
（１ｏ）によって所定の間隔離間きれて連結された状態
となっている。

二枚の基板（２バ３）の−主面上に設けられた鋼笛（１
１）表面上にはスクリーン印刷によって所望形状の導電
路を露出してレジストでマスクされ、貴金属（金、銀、
白金）メッキ層が銅箔（１１）表面にメッキされる。然
る後、レジストを除去して貴金属メッキ層をマスクとし
て銅箔（１１）のエツチングを行い所望の導電路（５）
が形成される。ここでスクリーン印刷による導電路（５
）の細さは０．５■が限界であるため、極細配線パター
ンを必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約２μ
までの極細導電路（５）の形成が可能となる。

夫々の基板（２）（３）上の導電路（５）には不揮発性
メモリー（６）とそのメモリー（６）からデータを供給
されるマイクロフンピユータ（７）が搭載され、一方の
基板（３）及び他方の基板（２）上の導電路（５）にそ
の周辺の回路素子（８）が搭載されている。また内基板
（２）（３）の−側辺あるいは対向する側辺周端部に導
電路（５）が延在され外部リード端子（１２）（１３）
を固着するための複数のパッドが形成されている。この
パッドには外部リード端子（１２）（１３）が半田によ
って固着され、水平に導出されてその中央部分で略直角
に折曲られている。また内基板（２）（３）上に形成さ
れている導電路（５）はフレキシブル樹脂層（１０）上
に形成されているので二枚の基板（２）（３）を股がる
様にバターニングされ内基板（２）（３〉の接続が所定
の位置でしかも任意に行えることができる。

不揮発性メモリー（６）としてＥ　Ｐ　ＲＯＭ　（Ｅｒ
ａｓ−ａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　
０ｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）が用いられる（以下不揮発性
メモリー（６）をＥＦＲＯＭという）、このＥＦＲＯＭ
（６）は周知の如く、ＨＦＲＯＭ（６）のベレットに形
成されているフローティングゲートに蓄積されている電
子（プログラム・データ）を光を照射して励起させて未
記憶状態のベレットに戻し再書込みして利用できる素子
である。

一般的なＥＦＲＯＭ（６）の構造は第５図および第６図
に示す様にＤＩＰ（デュアル・イン・ライン）型であり
、大別すると樹脂モールド型パッケージタイプとセラミ
ックス型パッケージタイプとがある。樹脂モールド型あ
るいはセラミックス型のいずれのタイプにおいてもベレ
ット（１４）のメモリーを消去するために光を照射する
必要があるため、ベレット（１４）の上面にあたる部分
はエネルギーの高い光（紫外線）を透過する透過部材（
１５）が配置きれている０本実施例ではＤＩＰ型のＥＰ
ＲＯＭ（６）であれば樹脂モールド型あるいはセラミッ
クス型のどちらのタイプのパッケージを用いてもよい。

この様なＥＰＲＯＭ装置は特開昭５３−７４３５８号公
報および特開昭６２−２９０１６０号公報に開示されて
いる。

本実施例ではＥＦＲＯＭ（６）にはＤＩＰ型のＥＰＲＯ
Ｍ装置を用いたが、Ｅ　Ｐ　ＲＯＭ（６）の型は基本的
には任意であり、例えばセラミック型あるいは樹脂モー
ルド型のＬＣＣ，ＰＬＣＣ等（７）パッケージでも用い
ることが可能である。ＬＣＣおよびＰＬＣＣ夫々のタイ
プのＥＰＲＯＭ装置はその底面の四側辺に接続用の電極
が設けられた構造である。ＬＣＣおよびＰＬＣＣ型のＥ
ＦＲＯＭはＤＩＰ型のＥＦＲＯＭに比べて小型化になる
が本実施例では最っとも普及率の高いＤＩＰ型のＥＰＲ
ＯＭ装置を用いて説明するが、より小型化のシステムを
要求する場合にはＬＣＣ、ＰＬＣＣ型のＥＰＲＯＭ装置
を用いればその効果は大である。また、ＬＣＣ，ＰＬＣ
Ｃ型のＥＦＲＯＭはＤＩＰ型と同様にソケットを介して
基板上に搭載される。

一方、ＥＦＲＯＭ（６）のプログラム・データを選択し
て供給されるマイクロコンピュータ（７）およびその周
辺の回路素子（８）のＩＣ，トランジスタ、チップ抵抗
およびチップコンデンサー等はチップ部品で所望の導電
路（５〉上に半田付けあるいはＡｇペースト等のろう材
によって付着され、マイクロコンピュータ（７）および
回路素子（８）は近傍の導電路（５）にボンディング接
続されている。

更に導電路（５）間にはスクリーン印刷によるカーボン
抵抗体あるいはニッケルメッキによるニッケルメッキ抵
抗体が抵抗素子として形成されている。

上述した二枚の基板（２）（３）はケース材（９）を挾
持する様に固着一体化され、そのケース材（９）の−辺
の側面にＥＦＲＯＭ（６）が配置される。即ち、ＥＦＲ
ＯＭ（６）は夫々の基板（２）（３）の導電路（５）と
接続され、二枚の基板（２）（３）上に搭載されること
になる。更に詳述すればＥＦＲＯＭ（６）は夫々の基板
（２）（３）の周端部の導電路（５）上に固着された一
対のソケット（１６）を介して導電路（５）と接続され
ることになる。

ケース材（９）は絶縁部材の熱可星性樹脂から形成され
、第３図に示す如く、二枚の基板＜２）（３）を所定間
隔離間して封止空間（２１）を形成するために一定の厚
みを有し枠状に形成されている。ケース材（９）の−側
面にはソケット（１６）、即ち、ＥＰＲＯＭ（６）を収
納するための孔（４）が設けられている。その孔（４）
はＥ　Ｆ　ＲＯＭ（６）ト’／　’ｙ　ｙ　ト（１６）
荷収納でき且つ、Ｅ　Ｐ　ＲＯＭ（６）の外形と実質的
に同形状で形成されている。またＥＰＲＯＭ（６）の挿
脱を容易に行うためにＥＰＲＯＭ（６）より若干大きめ
に形成されている。更に孔（４）が設けられたケース材
（９）の他の一側辺には周基板（２）（３）を配置した
ときに樹脂層（１０）が容易に折曲される様に円弧状に
形成されている。

ケース材（９）と二枚の基板（２）（３）との固着は接
着シートによって行われ、フィルム樹脂層（１０）によ
って連結された周基板（２）（３）でケース材（９）を
挾む様に且つ搭載された回路素子を対向させる様にして
固着される。このとき、周基板（２）（３）を連結する
フィルム樹脂層（１０）は上述したケース材（９）に設
けられた円弧状部と当接されて折曲げされるため折曲げ
部分の導電路（５）が折曲時に切断する恐れはない、ケ
ース材（９）と周基板（２）（３）とを一体化したのち
、連結部の樹脂層（１０）が露出されるため、本実施例
では蓋体（２０）で露出した連結部分を完全に封止する
ものとする。尚、蓋体（２０）はケース材（９）と同一
材料で形成され、その接着は上述した接着シート等の所
定の手段によって行われている。

ケース材（９）と二枚の基板（２）（３）を固着一体化
すると、ケース材（９）の−側辺に設けた孔（４）と基
板（２）（３）間にＥＰＲＯＭ（６）が配置される。即
ち、孔（４）が固着される基板（２）　（３）上の周端
部にはＥ　Ｐ　ＲＯＭ（６）と接続される複数の導電路
（５）が形成され、その夫々の導電路（５）上にＥＦＲ
ＯＭ（６）を接続するためのソケット（１６）が半田固
着されている。ソケット（１６）は、第２図に示す如く
、一対で形成されＤＩＰ型ＥＦＲＯＭ（６）の一方のリ
ードが一方のソケット（１６）に挿入され、他方のリー
ドが他方のソケット（１６）に挿入されて接続されるこ
とになる。即ち、ＥＦＲＯＭ（６）は一対のソケット（
１６）を介して両基板（２）（３）にまたがって搭載さ
れることになる。一対のソケット（１６）が固着された
一方の導電路（５）の他端はマイクロコンピュータ（７
）の近傍に延在されチップ状のマイクロコンピュータ（
７）とボンディングワイヤで電気的に接続される。即ち
、Ｅ　Ｐ　ＲＯＭ（６）と接続されるマイクロコンピュ
ータ（７）はいずれか一方の基板上に設けたソケット（
１６）の近傍に配置される。

ここでＥＦＲＯＭ（６）とマイクロコンピュータ（７）
との位置関係について述べる。第７図はＥＦＲＯＭ（６
）が挿入される一対の一方のソケット（１６）とマイク
ロコンピュータ（７）とを一方の基板（３）上に配置し
たときの要部拡大図であり、ＥＰＲＯＭ（６）とチップ
状のマイクロコンピュータ（７）とは第７図に示す如く
、多数本の導電路（５）を介して接続されるため、その
導電路（５）の引回しを短くするためにＥＰＲＯＭ（６
）が挿入される一方のソケット（１６）とマイクロコン
ピュータ（７）は夫々、隣接する位置かあるいはできる
だけ近傍に位置する様に配置される。従ってＥＦＲＯＭ
（６）が挿入されるソケット（１６）とマイクロコンピ
ュータ（７）との導電路（５）の引回しは最短距離で形
成でき基板上の実装面積を有効に使用することができる
。

Ｅ　Ｆ　ＲＯＭ（６）が挿入されるソケット（１６）と
その近傍あるいは隣接した位置に配置されたチップ状の
マイクロコンピュータ（７）は第７図の如く、マイクロ
コンピュータ（７）の近傍に延在された導電路（５）の
先端部とワイヤ線によってポンディング接続されソケッ
ト（１６）にＥＦＲＯＭ（６）を挿入することにより電
気的に接続される。

ところで、ＥＦＲＯＭ（６）はケース材（９）に設けた
孔（４）内に収納されて夫々の基板（２）（３）と接続
された構造となりＥＦＲＯＭ（６）の上面のみが外部に
露出することになる。このとき、ＥＰＲＯＭ（６）の上
面とケース材（９）の上面とが略一致する様に孔（４）
内にＥＦＲＯＭ（６）を収納する際に設定する。この結
果、ＥＦＲＯＭ（６）だけが孔（４）によって露出し、
他のマイクロコンピュータ（７）およびその周辺回路素
子（８）は両基板（２）（３）とケース材（９）とで形
成された封止空間（２１）内に配置されることになる。

ト述の如＜、ＥＰＲＯＭ（６）と接続されるマイクロコ
ンピュータ（７〉およびその周辺の回路素子（８）は二
枚の基板（２）（３）とケース材（９）で形成された封
止空間部（２１）に配置する様に設定されている。

即ち、チップ状の電子部品および印刷抵抗、メッキ抵抗
等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部（２１）内に設
けられている。

ところで、ＥＦＲＯＭ（６）が露出されたケース材（９
）の−側面に設けられた孔（４）上には遮光用のシール
材（２２）が接着され、光を完全に遮光すると共にＥ　
Ｐ　ＲＯＭ（６）の完全密封が行われる。

本実施例でＥＰＲＯＭ（６）のデータ消去を行う場合は
シール材（２２）を剥して紫外線を照射するかあるいは
ソケット（１６）からＥＦＲＯＭ（６）を離脱して紫外
線を照射するケースがある。また、再書込みの場合はＥ
ＦＲＯＭ（６）をソケットから離脱して一般的なＲＯＭ
ライターを使用して電気的に書込みを行い、書込み後、
ソケット（１６）に挿入すればよい。

以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。

先ず、モデム（ＭＯＤＥＭ）とはパーソナルコンビ二一
夕などのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電
話回線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行
うデータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能
はデジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波
数を使って、データによる変調を行いアナログ信号にし
て電話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデ
ータで変調されるアナログ信号を復調してデジタル化し
たデータに戻す機能を持つ。

第８図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。

第８図は集積回路基板（２）上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。

モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するＤＴＥインター
フェース（３１）と、ＤＴＥインターフェース（３１）
より出力されたデータに基づいて所定の出力信号を出力
するマイクロコンピュータ（７）と、マイクロコンピュ
ータ（７）からアドレスされるデータを内蔵したＥＦＲ
ＯＭ（６）と、マイクロコンピュータ（７）からの出力
信号を変復調しＮＣＵ（ＮＥＴＷＯＲＫ　　Ｃ０ＮＴＲ
０Ｌ　　ＵＮＩＴ）に出力する第１および第２の変復調
回路（３２）（３３）ト、マイクロコンピュータ（７）
からの出力信号に応じて所望のＤＴＭＦ信号（トーン信
号）を発生するＤＴＭＦ発生器（３４）とをから構成さ
れている。

ＤＴＥインターフェース（３１）は例えば５ＴＣ９６１
０（セイコーエプソン）等のＩＣより成り、第９図の如
く、パソコンの出力信号を供給し、その出力信号を内蔵
メモリー内に蓄積してマイクロフンピユータ（７）へ出
力する送信メモリ一部（３５）と、マイクロコンピュー
タ（７）からの出力信号が供給される信号を内蔵メモリ
ー内に蓄積してパソコン（３８）へ出力する受信メモリ
一部（３６）と、送信メモリ一部（３５）および受信メ
モリ一部（３６）を介して入出力される夫々の信号を切
替える制御部（３７〉とからなり、パソコン（３８）と
マイクロコンピュータ（７）とを接続するための所定の
機能を有するものである。

マイクロコンピュータ（７）は例えば５ＴＣ９６２０（
セイコーエプソン）等のＩＣより成り、第１０図の如く
、ＤＴＥインターフェース（３１）から出力される出力
信号を認識するコマンド認識部と、コマンド認識部によ
って認識された出力信号を解読するコマンド解読部と、
コマンド解読部で解読された信号に基づいてメモリ一部
のデータと比較し変復調回路へデータを供給するコマン
ド実行部と、コマンド解読部のデータとメモリ一部内の
データとの比較結果、誤ったデータがコマンド実行部に
供給された際にＤＴＥインターフェース（３１）に出力
信号を出力する応答コード生成部とからなる。

変復調回路（３８）はマイクロコンピュータ（７）から
送信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してＮＣ
Ｕ部に送信する。また反対にＮＣＵ部から送信されたア
ナログ信号をデジタル信号に変換してマイクロコンピュ
ータ（７〉へ送信するものであり、低速および中速夫々
のタイプの回路を備えている。第１の変復調回路（３２
〉は３００ｂｐａの低速変復調回路であり、第２の変復
調回路（３３）は１２００ｂｐｓの中速変復調回路であ
る。夫々の第１および第２の変復調回路＜３２）（３３
）はマイクロコンピュータ（７）により、いずれか一方
の変復調回路が選択される。

ＤＴＭＦ発生器（３４）はマイクロコンピュータ（７）
のコマンド実行部より出力されたデータをＣＯＬ、ＲＯ
Ｗ夫々の入力端子に入力することで所定のＤＴＭＦ信号
を発生し送信Ａ　Ｍ　Ｐ　（３９）に出力して電話回線
へ信号を供給する。

ＥＦＲＯＭ（６）内にはモデムの各種のモードを設定す
るためのプログラムデータがメモリーされており、マイ
クロコンピュータ（７）のアドレスに基づいてマイクロ
コンピュータ（７）に供給される。

次にモデムの動作について簡単に説明する。

先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ（３８）からの読出し信号に基づいて制御スイッ
チ（４０）が動作し、所定のアドレスデータがＥＰＲＯ
Ｍ（７）に供給され、そのアドレスに基づいたＥＦＲＯ
Ｍ（６）のプログラム・データがマイクロコンピュータ
（７）に供給され、通信を行う夫々のモデムの通信規格
（ＢＥＬＬ／ＣＣＩＴＴ規格）、通信速度（３０Ｇ／１
２００ｂｐ８）、データファーマットの一致、デツプス
イッチモードの切替等の各種のモードが一致しているか
が確認される。

各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー人力する。

その電話番号はパソコンとのインターフェース用のＤＴ
Ｅインターフェース（３１）に入力され、電話番号を解
読する為にマイクロコンピュータ（７）に転送される。

その解読した結果をＤＴＭＦ発生器（３４）に送信し、
ＤＴＭＦ発生器（３４）からＤＴＭＦ信号が発信されそ
の信号は送信ＡＭＰ（３９）、ライントランス（４１）
を介して一般電話回線へ転送される。

転送されたＤＴＭＦ信号は応答側のモデムに対して呼出
し信号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信し
て自動着信する。すると応答側のモデムは接続手順の為
のアンサ−トーンを起呼側のモデムに対して送出する。

起呼側のモデムではライントランス（４１）、ｆ！アン
プ（４２）を通り低速変復調回路（３２）でそのアンサ
−トーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサ−トー
ンであるか否かを検出する。所定のアンサ−トーンであ
れば通信状態に入る。

通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー人力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルデータをＤＴＥインターフェース（３１）に入力し、
そのデータをマイクロコンピュータ（７）に転送する。

ここでパラレルデータをシリアルデータに変換する。シ
リアルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調回
路（３２）に送信される。ここでデジタル信号はアナロ
グ信号に変換され、それに対応した通信規格に基づいて
周波数変調ＦＳＸされ、送信Ａ　Ｍ　Ｐ　（３９）、ラ
イントランス（４１）を介して応答側のモデムに送信さ
れる。

一方、応答側のパソコンのキー人力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス（４１）、受信ＡＭ　Ｐ　（４２）
を介して低速変復調回路（３２）に入力される。ここで
アナログ信号はデジタル信号に変換されＤＴＥインター
フェース〈３１）に入力され、シリアルデジタル信号か
らパラレルデジタル信号に変換されて起呼側のパソコン
に入力される。その結果起呼側ヘパソコンと応答側のパ
ソコンは全二重通信ができる様になりパソコン通信が実
現する。

第１１図は第８図で示したモデム回路を本実施例で用い
た一方の基板（３）上に実装した場合の平面図であり、
実装される回路素子の図番量は同一番号とする。ＥＦＲ
ＯＭ（６）とマイクロコンピュータ（７）との接続はパ
スラインで示す、尚、複数の回路素子を接続する導電路
は煩雑のため省略する。

第１１図に示す如く、一方の基板（３）の対向する周端
部には外部リード端子＜１３）が固着される複数の固着
用パッド（５ａ）が設けられている。固着バッド（５ａ
）から延在される導電路（５）上所定位置には複数の回
路素子（８）およびＥＦＲＯＭ（６）を搭載する一対の
ソケッ）−（１６）の一方のソケット〈１６）が固着さ
れる。断る基板（３〉上にはＥＰＲＯＭ（６）−以外の
マイクロコンピュータ（７）を含む複数の回路素子（８
）が固着されており、（３１）はＤＴＥインターフェー
ス、（３２）（（３３）第１および第２の変復調回路、
（３４）はＤＴＭＦ発生回路、（４０）はＥＰＲＯＭ（
６）を制御する制御スイッチ、（７）はマイクロコンピ
ュータ、（８）はコンデンサー等のチップ部品である。

なお、基板（２）には、フレキシブル性の樹ｙ指層（１
０）を介して基板（３）より複数の導電路（５）が延在
されており、基板（２）上にはオプション用回路あるい
はモデムに必要な一部の回路が配置されている。

第１１図に示す如く、マイクロコンピュータ（７）の近
傍あるいは隣接する位置にＥＦＲＯＭ（６）が搭載され
る一対のソケット（１６）の一方のソケット（１６）が
固着される。マイクロコンピュータ（７）の近傍あるい
は隣接する位置にソケット（１６）を固着することで、
マイクロコンピュータ（７）とＥＰＲＯＭ（６）とのパ
スライン、即ち導電路〈５）の引回し線の距離を最短で
しかも最小の距離で引回すことができ、他の実装パター
ンを有効に使用できると共に高密度実装が行える。尚、
一点鎖線で囲まれた領域は接着シートでケース材（９）
が固着される領域を示す。

第１２図は第１１図で示した基板（３）上にケース材（
９）を介して他方の基板（２）を固着したときのモデム
用の混成集積回路装置の完成品の平面図であり、他方の
基板（２）上面からはＥＰＲＯＭ（６）の上面のみが露
出された状態となる。即ち、ＥＰＲＯＭ（６）以外の他
の素子は全てケース材（９）と二枚の基板（２）（３）
とで形成された封止空間（２１）内に封止され且つＥＰ
ＲＯＭ（６）の上面のみがケース材（９）の孔（４）か
ら露出されるのでＥ　Ｐ　ＲＯＭ（６）の挿脱が必要に
応じて自由自在に行うことができる。

以上したモデム用の混成集積回路装置のＥＰＲＯＭ（６
）には製品仕様の多様化に備え、仕向地、ＯＥＭ、自社
販売等セットメーカ（ユーザ）が要望する仕様変更に対
して容易に対応することができる。即ち、ＥＰＲＯＭ＜
６）以外の回路構成はあらかじめ各種の仕様変更に対応
する様に設計されていたが、特定のユーザの仕様に基づ
いて混成集積回路を設計すると、他のユーザ仕様と一致
しないことがあった場合、従来では混成集積回路自体の
設計を見なおす必要があった。

しかし本発明の混成集積回路装置ではＥＦＲＯＭ〈６）
が夫々の基板（２）（３）上に設けられた一対のソケッ
ト（９）を介して夫々の基板（２）（３）上に搭載され
且つその表面がケース材（９）の孔（４）から露出され
た状態であるため、ＥＦＲＯＭ（６）の離脱が行えるの
でユーザ側でＥＦＲＯＭを選択して実装するだけで１つ
の混成集積回路装置で多機種の混成集積回路装置の実現
が行える。

斯る本発明に依れば、ケース材（９）の側面に孔（４）
を設け、その孔（４）で露出した夫々の基板（２）（３
）上の導電路＜５）に一対のソケット（１６）を介して
ＥＦＲＯＭ（６）を接続し、両法板（２）（３）とケー
ス材（９）とで形成された封止空間（２１）にマイクロ
コンピュータ（７）および他の回路素子（８）を固着す
ることにより、混成集積回路とＥＦＲＯＭとの一体化し
た装置ができ且つ必要性に応じて容易にＥＦＲＯＭの挿
脱が行える大きな特徴を有する。

（ト）発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第１にケース材
（９）の−側面に孔（４）を設け、その孔（４）で露出
した夫々の基板（２）（３）上の導電路（５）にＥＰＲ
ＯＭを接続しているので、ＥＦＲＯＭ（６）の載置位置
を任意に選定できる利点を有する。このため内蔵するマ
イクロコンピュータ（７）との電気的接続を考慮して、
効率良＜ＥＦＲＯＭ（６）とマイクロコンピュータ（７
）とを接続でき信号線の引回しを不要にできる。更に詳
述すると、ＥＦＲＯＭ（６）の隣接する位置に最も関連
の深いマイクロコンピュータ（７）を配置でき、その結
果ＥＰＲＯＭ（６）とマイクロコンピュータ（７）間の
データのやりとりを行うデータ線を最短距離あるいは最
も設計容易なレイアウトで実現でき、データ線の引回し
による実装密度のロスを最小限に抑制できる。

更に二枚の基板（２）（３）より形成されているため高
密度で且つ小型化の混成集積回路装置を提供することが
できる。

第２にケース材（９）の−側面に設けた孔（４）にＥＰ
ＲＯＭ（６）を配置しているので、市販のモールド型の
ＥＦＲＯＭ（６）を用いているにも拘らず一体化した小
型の混成集積回路装置として取り扱える利点を有する。

更に二枚の集積回路基板（２）（３）上ノ組込むマイク
ロコンピュータおよびその周辺回路素子の実装密度を向
上することにより、従来必要とされたプリント基板を廃
止でき、１つの小型化されたＥＦＲＯＭ（６）を着脱自
在に内蔵する混成集積回路装置を実現できる。

第３に集積回路基板（２）（３）として金属基板を用い
ることにより、その放熱効果をプリント基板に比べて大
幅に向上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また
導電路（５）として銅箔（１１）を用いることにより、
導電路（３）の抵抗値を導１ペーストより大幅に低減で
き、実装される回路をプリント基板と同等以上に拡張で
きる。

第４にＥＰＲＯＭ（６）として市販されているデュアル
インライン型あるいはＬＣＣ型を用いることができるの
で、混成集積回路装置へのＥＦＲＯＭ　（６）の実装が
極めて容易に実現できる利点を有する。更にケース材（
９）の孔（４）とＥＦＲＯＭ（６）の外形を同形状にす
ることによりケース材（９）内にぴったり埋設でき、極
めてすっきりした形状のＥＦＲＯＭ内蔵型の混成集積回
路装置を実現できる。

第５にＥＰＲＯＭ（６）と接続されるマイクロコンピュ
ータ（７）およびその周辺回路素子（８）はケース材（
９）と二枚の集積回路基板（２）（３）とで形成される
封止空間（２１）にダイ形状あるいはチップ形状で組み
込まれるので、従来のプリント基板の様に樹脂モールド
したものに比較して極めて占有面積が小さくなり、実装
密度の大幅に向上できる利点を有する。

第６にケース材（９）と二枚の集積回路基板（２）（３
）の周端を実質的に一致させることにより、集積回路基
板（２）（３）のほぼ全面を封止空間（２１〉として利
用でき、実装密度の向上と相まって極めてコンパクトな
混成集積回路装置を実現できる。

第７にケース材（９）の孔（４）に対応する夫々の集積
回路基板（３）上に一対のソケット（１６）を設けるこ
とにより、ＥＦＲＯＭ（６）の着脱を自在に行え、ＥＦ
ＲＯＭ（６）の交換や消去および再書込みを自由に行え
る利点を有する。

第８にケース材（９）の側面とＥＦＲＯＭ（６）の上面
を一致させることにより、平坦な上面を有する混成集積
回路装置を実現できる利点を有する。更にシール材＜２
２）を設けることによりＥＦＲＯＭ（６）への遮光がで
き且つＥＰＲＯＭ（６）とケース材り９〉のすき間も封
止できる利点を有する。

第９に二枚の集積回路基板（２）（３）の−辺あるいは
相対向する辺から外部リード（１２）（１３）を導出で
き、極めて多ビンの混成集積回路装置を実現できる利点
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例を示す斜視図、第２図は第１図のＩ−
１断面図、第３図は本実施例で用いたケース材を示す斜
視図、第４図は本実施例で用いる基板の断面図、第５図
は本実施例で用いるＥＦＲＯＭ、第６図は第５図の断面
図、第７図は基板上のＥＦＲＯＭ周辺を示す要部拡大斜
視図、第８図は本実施例で用いたモデムを示すブロック
図、第９図は第８図で示したモデムのＤＴＥインターフ
ェースを示すブロック図、第１０図は第８図で示したモ
デムのマイクロコンピュータを示すブロック図、第１１
図は第８図で示したブロック図を基板上に実装したとき
の平面図、第１２図は第１１図に示した基板上にケース
材を固着したときの平面図、第１３図および第１４図は
従来のＥＰＲＯＭ実装構造を示す断面図である。 （１）・・・混成集積回路装置、　（２）（３）・・・
集積回路基板、　（５）・・・導電路、　（６）・・・
ＥＰＲＯＭ、（７）・・・マイクロコンピュータ、　（
８）・・・回路素子、（４）・・・孔、　　り９）・・
・ケース材、　　（１６）・・・ソケット、（２２）・
・・シール材。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）二枚の相対向して配置された集積回路基板と、 前記基板の対向する主面に形成された所望パターンを有
   する導電路と、 前記導電路に接続された樹脂モールドされた不揮発性メ
   モリーと、 前記メモリーからデータを供給され且つ前記基板上の導
   電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその周辺
   回路素子と、 前記基板間に一体化されたケース材とを具備し、前記不
   揮発性メモリーを前記ケース材の一辺に配置し且つ前記
   導電路と接続し、前記両基板と前記ケース材で形成され
   た封止空間に前記マイクロコンピュータおよびその周辺
   回路素子を配置したことを特徴とする混成集積回路装置
   。
2. （２）前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
   を用いたことを特徴とする請求項１記載の混成集積回路
   装置。
3. （３）前記両基板の形状を実質的に同一形状とすること
   を特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置。
4. （４）前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
   請求項１記載の混成集積回路装置。
5. （５）前記マイクロコンピュータは前記導電路上にダイ
   形状で組み込まれることを特徴とする請求項１記載の混
   成集積回路装置。
6. （６）前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チップコン
   デンサーを用いることを特徴とする請求項１記載の混成
   集積回路装置。
7. （７）前記ケース材を前記両基板の周端部とほぼ一致さ
   せた一定の厚みを有する枠体とすることを特徴とする請
   求項１記載の混成集積回路装置。
8. （８）前記不揮発性メモリーを前記枠体に設けた孔に埋
   め込んで配置したことを特徴とする請求項１記載の混成
   集積回路装置。
9. （９）前記不揮発性メモリーの大きさと前記枠体の厚み
   をほぼ等しくしたことを特徴とする請求項７記載の混成
   集積回路装置。
10. （１０）前記不揮発性メモリーとしてデュアルインライ
    ン型あるいはＬＣＣ型の構造を用いることを特徴とする
    請求項７記載の混成集積回路装置。
11. （１１）前記枠体に前記導電路と接続されたソケットを
    設け、前記ソケットに前記不揮発性メモリーを挿入する
    ことを特徴とする請求項７記載の混成集積回路装置。
12. （１２）前記不揮発性メモリーの上面と前記ケース材の
    上面とを実質的に一致させたことを特徴とする請求項８
    記載の混成集積回路装置。
13. （１３）前記不揮発性メモリーの上面にその周囲のケー
    ス材にまたがって遮光用のシール材を設けたことを特徴
    とする請求項１２記載の混成集積回路装置。
14. （１４）前記両基板の接続体を前記不揮発性メモリーを
    設けた辺と異なる辺に設けたことを特徴とする請求項１
    記載の混成集積回路装置。