JPH03278414A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH03278414A JPH03278414A JP2076764A JP7676490A JPH03278414A JP H03278414 A JPH03278414 A JP H03278414A JP 2076764 A JP2076764 A JP 2076764A JP 7676490 A JP7676490 A JP 7676490A JP H03278414 A JPH03278414 A JP H03278414A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、誘電体磁器層を少なくとも2以上の内部電極
で挟持してなる単層または積層構造のIia器コンデン
サ及びその製造方法に関するものである。
で挟持してなる単層または積層構造のIia器コンデン
サ及びその製造方法に関するものである。
し従来の技術]
従来、積層磁器コンデンサを製造する際には。
誘電体磁器原料粉末から成る未焼結磁器シート(グリー
ンシート)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペ
ーストを所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ね
て圧着し、酸化性雰囲気中において1300℃〜160
0℃で焼成させた。
ンシート)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペ
ーストを所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ね
て圧着し、酸化性雰囲気中において1300℃〜160
0℃で焼成させた。
この焼成により、誘電体磁器原料粉末から成る未焼結磁
器シートは誘電体磁器層となり、白金又はパラジウム等
の貴金属の導電性ペーストは内部電極となる。
器シートは誘電体磁器層となり、白金又はパラジウム等
の貴金属の導電性ペーストは内部電極となる。
上述のように、導電性ペーストとして白金又はパラジウ
ム等の貴金属を主成分とするものを使用すれば、酸化性
雰囲気中において1300℃〜1600℃という高温で
焼成させても、目的とする内部電極を得ることができる
。
ム等の貴金属を主成分とするものを使用すれば、酸化性
雰囲気中において1300℃〜1600℃という高温で
焼成させても、目的とする内部電極を得ることができる
。
しかし、白金5パラジウム等の貴金属は高価であるため
、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になっていた
。
、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になっていた
。
上述の問題を解決することができるものとして、本件出
願人に係わる特公昭61.−14607号公報には、(
B a *−m M 1110 kT I Ox(但し
、MはMg及び/又はZn)から成る基本成分と、L
i z O及びS i O*から成る添加成分とを含む
誘電体磁器組成物が開示されている。
願人に係わる特公昭61.−14607号公報には、(
B a *−m M 1110 kT I Ox(但し
、MはMg及び/又はZn)から成る基本成分と、L
i z O及びS i O*から成る添加成分とを含む
誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特公昭61−14608号公報には、上記の特公
昭61−14607号公報記載の誘電体磁器組成物のL
1 z O及びS i Oxの代りに。
昭61−14607号公報記載の誘電体磁器組成物のL
1 z O及びS i Oxの代りに。
LL2O3Sin、及びMO(但し、MOはBad、C
aO及びSrOから選択された1種または2種以上の金
属酸化物)から成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が
開示されている。
aO及びSrOから選択された1種または2種以上の金
属酸化物)から成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が
開示されている。
また、特公昭61−14609号公報には、(B am
−++−y M、r−ylob T i Ox (但
し、MはMg及び/又はZn、LはSr及び/又はCa
)から成る基本成分と、L i t O及び5in2か
ら成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
−++−y M、r−ylob T i Ox (但
し、MはMg及び/又はZn、LはSr及び/又はCa
)から成る基本成分と、L i t O及び5in2か
ら成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
また、特公昭61−14610号公報には、上記の特公
昭61−14609号公報記載の誘電体磁器組成物にお
けるL i 20及びSin、の代りに、Liz O,
B2O3及びMO(但し、MOはBad、CaO及びS
rOから選択された1種または2種以上の金属酸化物)
から成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
昭61−14609号公報記載の誘電体磁器組成物にお
けるL i 20及びSin、の代りに、Liz O,
B2O3及びMO(但し、MOはBad、CaO及びS
rOから選択された1種または2種以上の金属酸化物)
から成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
また、特公昭61−14611号公報には、(B am
−x M、lO,T t Ox (但し、MはMg。
−x M、lO,T t Ox (但し、MはMg。
Zn、Sr及びCaから選択された1種または2種以上
の金属元素)から成る基本成分と、E2O3及びS i
Ozから成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
の金属元素)から成る基本成分と、E2O3及びS i
Ozから成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
また、特公昭62−1595号公報には、(B ak−
x MIIIOII T x Ox (但し、M 4
f M g 。
x MIIIOII T x Ox (但し、M 4
f M g 。
Z n + S r及びCaから選択された1種または
2種以上の金属元素)から成る基本成分と、B2O3及
びMO(但し、MOはB ao。
2種以上の金属元素)から成る基本成分と、B2O3及
びMO(但し、MOはB ao。
MgO,ZnO,SrO及びCaOから選択された1種
または2種以上の金属酸化物)から成る添加成分とを含
む誘電体磁器組成物が開示されている。
または2種以上の金属酸化物)から成る添加成分とを含
む誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特公昭62−1596号公報には、上記の特公昭
62−1595号公報記載の誘電体磁器組成物の820
8及びMOの代りに、B2O−。
62−1595号公報記載の誘電体磁器組成物の820
8及びMOの代りに、B2O−。
S i O、x及びMO(但し、MOはB ao。
MgO,ZnO,SrO及びCaOから選択された1種
または2種以上の金属酸化物)から成る添加成分とを含
む誘電体磁器組成物が開示されている。
または2種以上の金属酸化物)から成る添加成分とを含
む誘電体磁器組成物が開示されている。
これらに開示されている誘電体磁器組成物を誘電体層と
して使用すれば、還元性雰囲気中において、1200℃
以下の温度の焼成で磁器コンデンサを得ることができ、
しかも、その誘電体磁器組成物の比誘電率を2000以
上、比誘電率の温度変化率を一25℃〜+85℃で−l
O%〜+lO%の範囲にすることができるものである。
して使用すれば、還元性雰囲気中において、1200℃
以下の温度の焼成で磁器コンデンサを得ることができ、
しかも、その誘電体磁器組成物の比誘電率を2000以
上、比誘電率の温度変化率を一25℃〜+85℃で−l
O%〜+lO%の範囲にすることができるものである。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、近年における電子回路の高密度化に伴ない、
磁器コンデンサの小型イヒの要求は非常に強く、上記各
公報に開示されている誘電体磁器組成物よりも更に比誘
電率の大きな誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサ
の開発が望まれていた。
磁器コンデンサの小型イヒの要求は非常に強く、上記各
公報に開示されている誘電体磁器組成物よりも更に比誘
電率の大きな誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサ
の開発が望まれていた。
また、磁器コンデンサは各種の環境下において便用され
るため、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物
よりも更に広い温度範囲にわたって比誘電率の変化率が
小さい誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサの開発
が望まれていた。
るため、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物
よりも更に広い温度範囲にわたって比誘電率の変化率が
小さい誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサの開発
が望まれていた。
そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気中における1
200℃以下の焼成で得られるものであるにもかかわら
ず、比誘電率が3000以上、誘電体損失tanδが2
.5%以下、抵抗率ρがlX10’MΩ・cm以上であ
り、かつ比誘電率の温度変化率が一55℃〜125℃で
一15%〜+15%(25℃を基準)、−25℃〜85
℃で−10%〜+10%(20℃を基$)の範囲に収ま
る誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサ及びその製
造方法を提供することにある。
200℃以下の焼成で得られるものであるにもかかわら
ず、比誘電率が3000以上、誘電体損失tanδが2
.5%以下、抵抗率ρがlX10’MΩ・cm以上であ
り、かつ比誘電率の温度変化率が一55℃〜125℃で
一15%〜+15%(25℃を基準)、−25℃〜85
℃で−10%〜+10%(20℃を基$)の範囲に収ま
る誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサ及びその製
造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明に係る磁器コンデンサは、誘電体磁器組成物から
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも2以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器
組成物が100重量部の基本成分と、0.2〜5重量部
の添加成分とからなり、 前記基本成分が (B a 1l−x MIIIOm(T i +−x
Rzlo 2−Z/2(但し、MはMg及び/又はZn
、RはSc。
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも2以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器
組成物が100重量部の基本成分と、0.2〜5重量部
の添加成分とからなり、 前記基本成分が (B a 1l−x MIIIOm(T i +−x
Rzlo 2−Z/2(但し、MはMg及び/又はZn
、RはSc。
Y、Gd、Dy、Ha、Er及びYbから選択された1
種または2種以上の金属元素、k、x、zは 1 、00 ≦ k≦ 1 。 05 0 、01 ≦x ≦0 、10 0、 002 ≦ Z ≦0 、06を満足する数値
)で表わされる物質からなり、前記添加成分がB、03
とS i O2とMO(但し、MOはBad、SrO,
CaO,MgO及びZnOから選択された1種または2
種以上の金属酸化物)とからなり。
種または2種以上の金属元素、k、x、zは 1 、00 ≦ k≦ 1 。 05 0 、01 ≦x ≦0 、10 0、 002 ≦ Z ≦0 、06を満足する数値
)で表わされる物質からなり、前記添加成分がB、03
とS i O2とMO(但し、MOはBad、SrO,
CaO,MgO及びZnOから選択された1種または2
種以上の金属酸化物)とからなり。
前記B2O3と前記B2O3と前記MOとの組成範囲が
、これらの組成をモル%で示す三角図における、 前記B、0.が1モル%、前記SiO2が80モル%、
前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと、 前記B2O3が1モル%、前記B2O3が39モル%、
前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと、 前記B2O3が29モル%、前記Sin、が1モル%、
前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと、 前記B2O3が90モル%、前記Sin、が1モル%、
前記MOが9モル%の組成を示す第4の点りと、 前記B2O3が90モル%、前記SiOxが9モル%、
前記MOが1モル%の組成を示す第5の点Eと、 組成範囲が、これらの組成を9モル%、前記Sin、が
80モル%、前記MOが1モル%の組成を示す第6の点
Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであ
る。
、これらの組成をモル%で示す三角図における、 前記B、0.が1モル%、前記SiO2が80モル%、
前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと、 前記B2O3が1モル%、前記B2O3が39モル%、
前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと、 前記B2O3が29モル%、前記Sin、が1モル%、
前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと、 前記B2O3が90モル%、前記Sin、が1モル%、
前記MOが9モル%の組成を示す第4の点りと、 前記B2O3が90モル%、前記SiOxが9モル%、
前記MOが1モル%の組成を示す第5の点Eと、 組成範囲が、これらの組成を9モル%、前記Sin、が
80モル%、前記MOが1モル%の組成を示す第6の点
Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであ
る。
ここで、kの値は1.00≦k≦1.05の範囲が好ま
しい。kの値が1.00未満では、抵抗率ρが1. X
10 ’ MO・cmより小さくなり、静電容量の温
度変化率ΔC−5s、ΔC1□5が一15%〜+15%
から外れ、△C−0.ΔCasが一10%〜+10%か
ら外れ、またkの値が1,05を越えると緻密な焼結体
が得られな(なってしまうが、にの値が1.00≦k≦
1.05の範囲では所望の電気的特性を有する緻密な焼
結体が得られるからである。
しい。kの値が1.00未満では、抵抗率ρが1. X
10 ’ MO・cmより小さくなり、静電容量の温
度変化率ΔC−5s、ΔC1□5が一15%〜+15%
から外れ、△C−0.ΔCasが一10%〜+10%か
ら外れ、またkの値が1,05を越えると緻密な焼結体
が得られな(なってしまうが、にの値が1.00≦k≦
1.05の範囲では所望の電気的特性を有する緻密な焼
結体が得られるからである。
また、Xの値は0.01≦x≦0.10の範囲が好まし
い。Xの値が0.01未満では静電容量の温度変化率△
C−811が一15%〜+15%から外れ、Xの値が0
.10を越えると、静電容量の温度変化率ΔC115が
一10%〜+10%から外れてしまうが、Xの値が0.
01≦x≦0.10の範囲では所望の電気的特性を有す
るものが得られるからである。
い。Xの値が0.01未満では静電容量の温度変化率△
C−811が一15%〜+15%から外れ、Xの値が0
.10を越えると、静電容量の温度変化率ΔC115が
一10%〜+10%から外れてしまうが、Xの値が0.
01≦x≦0.10の範囲では所望の電気的特性を有す
るものが得られるからである。
なお、M成分であるMgとZnははf同様に働き、0.
01≦x≦0.10を満足する範囲でMgとZnのうち
の一方または両方を使用することによって所望の電気的
特性を得ることができる。
01≦x≦0.10を満足する範囲でMgとZnのうち
の一方または両方を使用することによって所望の電気的
特性を得ることができる。
また、Zの値は、0.002≦z≦0.06の範囲が好
ましい、Zの値が0.002未満では静電容量の温度変
化率ΔC−5sが一15%〜+15%から外れ、ΔC−
2,が一10%〜+10%から外れてしまい、Zの値が
0.06を越えると緻密な焼結体が得られな(なってし
まうカー0.002≦z≦0.06の範囲では、所望の
電気的特性を有する緻密な焼結体が得られるからである
。
ましい、Zの値が0.002未満では静電容量の温度変
化率ΔC−5sが一15%〜+15%から外れ、ΔC−
2,が一10%〜+10%から外れてしまい、Zの値が
0.06を越えると緻密な焼結体が得られな(なってし
まうカー0.002≦z≦0.06の範囲では、所望の
電気的特性を有する緻密な焼結体が得られるからである
。
また、R成分は、静電容量の温度特性の改善に寄与する
ものである。すなわち、R成分の添加によって一55℃
〜125℃の範囲での静電容量の温度変化率ΔC−6,
〜ΔC1□5を一15%〜+15%の範囲に容易に収め
ることが可能になると共に一25℃〜85℃の範囲での
静電容量の温度変化率ΔC−25〜ΔCasを一10%
〜+10%の範囲に容易に収めることが可能になり、か
つ各温度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を
小さくすることができるものである。
ものである。すなわち、R成分の添加によって一55℃
〜125℃の範囲での静電容量の温度変化率ΔC−6,
〜ΔC1□5を一15%〜+15%の範囲に容易に収め
ることが可能になると共に一25℃〜85℃の範囲での
静電容量の温度変化率ΔC−25〜ΔCasを一10%
〜+10%の範囲に容易に収めることが可能になり、か
つ各温度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を
小さくすることができるものである。
また、R成分は抵抗率ρを大きくする作用及び焼結性を
高める作用を有するものである。
高める作用を有するものである。
なお、R成分のSc、Y、Gd、Dy、Ha。
Er及びYbははズ同様に働き、これらから選択された
1つを使用しても、または複数を組み合わせて使用して
も同様な効果が得られるものである。
1つを使用しても、または複数を組み合わせて使用して
も同様な効果が得られるものである。
ただし、2の値は、R成分が1種または複数種のいずれ
の場合においても0.002≦z≦0.06の範囲にす
ることが望ましい。
の場合においても0.002≦z≦0.06の範囲にす
ることが望ましい。
なお、前記基本成分を示す組成式中において、x、z、
にはもちろんそれぞれの元素の原子数を示している。
にはもちろんそれぞれの元素の原子数を示している。
また、前記基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲で微量のM n O□ (好ましくは0.05〜0
.1重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい。また、その他の物質を必要に応じて添加しても
よい。
範囲で微量のM n O□ (好ましくは0.05〜0
.1重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させて
もよい。また、その他の物質を必要に応じて添加しても
よい。
また、基本成分を得るための出発原料を、実施例で示し
たもの以外の例えばBad、SrO。
たもの以外の例えばBad、SrO。
CaO等の酸化物または水酸化物またはその他の化合物
としてもよい。
としてもよい。
次に、添加成分の添加量は、100重量部の基本成分に
対し、0.2〜5重量部の範囲が好ましい。
対し、0.2〜5重量部の範囲が好ましい。
添加成分の添加量が0.2重1部未満の場合には、焼成
温度が1250℃であっても緻密な焼結体が得られず、
また、添加成分の添加量が5重量部を越えると、比誘電
率ε、が3000未満となり、しかも静電容量の温度変
化率ΔC−5sが一15%〜+15%から外れるが、添
加成分が0.2〜5重量部の範囲にある場合は、所望の
電気的特性のものが得られるからである。
温度が1250℃であっても緻密な焼結体が得られず、
また、添加成分の添加量が5重量部を越えると、比誘電
率ε、が3000未満となり、しかも静電容量の温度変
化率ΔC−5sが一15%〜+15%から外れるが、添
加成分が0.2〜5重量部の範囲にある場合は、所望の
電気的特性のものが得られるからである。
添加成分の組成は、B20−−5iO□−MOの組成比
をモル%で示す三角図の第1〜5の声、A〜Fを順に結
ぶ6本の直線で囲まれた領域内が好ましい。
をモル%で示す三角図の第1〜5の声、A〜Fを順に結
ぶ6本の直線で囲まれた領域内が好ましい。
添加成分の組成をこの領域外とすれば、緻密な焼結体を
得ることができないが、この領域内の組成とすれば、所
望の電気的特性の焼結体を得ることができるからである
。
得ることができないが、この領域内の組成とすれば、所
望の電気的特性の焼結体を得ることができるからである
。
なお、添加成分の出発原料は酸化物、水酸化物等の他の
化合物としてもよい。
化合物としてもよい。
次に、本発明に係る磁器コンデンサの製造方法は、上記
の基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁器粉末の混
合物を調製する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器
シートを形成する工程と、前記未焼結磁器シートを少な
くとも2以上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を
形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中におい
て焼成する工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰
囲気中において熱処理する工程とを備えたものである。
の基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁器粉末の混
合物を調製する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器
シートを形成する工程と、前記未焼結磁器シートを少な
くとも2以上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を
形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中におい
て焼成する工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰
囲気中において熱処理する工程とを備えたものである。
ここで、非酸化性雰囲気中の焼成温度は、電極材料を考
慮して種々変えることができる。
慮して種々変えることができる。
ニッケルを内部電極とする場合には、1050℃〜12
00℃の範囲でニッケル粒子の凝集がほとんど生じない
。
00℃の範囲でニッケル粒子の凝集がほとんど生じない
。
また、非酸化性雰囲気はN2やCOなとの還元性雰囲気
のみならず、N2やArなどの中性雰囲気であってもよ
い。
のみならず、N2やArなどの中性雰囲気であってもよ
い。
また、酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、ニッケ
ル等の電極材料と磁器の酸化とを考慮して種々変更する
ことが可能である。
ル等の電極材料と磁器の酸化とを考慮して種々変更する
ことが可能である。
この熱処理の温度は実施例では600℃としたが、これ
に限定されるものではなく、焼結温度よりも低い温度で
あればよく、好ましくは500℃〜1000℃の範囲が
よい。
に限定されるものではなく、焼結温度よりも低い温度で
あればよく、好ましくは500℃〜1000℃の範囲が
よい。
なお1本発明は積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
[実施例]
まず、第1表のNo、lの試料の調製方法とその電気的
特性について説明する。
特性について説明する。
1艶支立且11
配合1の化合物を各々秤量し、これらを15時時間式混
合して原料混合物を得た。
合して原料混合物を得た。
ここで、配合1の化合物の重量(g)とモル部は、基本
成分の一般式 %式%) となるように計算して求めた値である。
成分の一般式 %式%) となるように計算して求めた値である。
次に、この原料混合物を150℃で4時間乾燥後、粉砕
し、大気中において約1200℃の温度で2時間仮焼し
、基本成分の粉末を得た。
し、大気中において約1200℃の温度で2時間仮焼し
、基本成分の粉末を得た。
L鳳隨立豊11
また、配合2の化合物を各々秤量して混合し。
この混合物にアルコールを300cc加え、ポリエチレ
ンポットにてアルミナボールを用いて10時間撹拌した
後、大気中において1000℃の温度で2時間仮焼成し
た。
ンポットにてアルミナボールを用いて10時間撹拌した
後、大気中において1000℃の温度で2時間仮焼成し
た。
ここで、配合2の化合物の重量(g)とモル部は、B雪
03が1モル%、S i O2が80モル%、MOが1
9モル%(BaO(3,8モル%)+CaO(3,8モ
ル%)+SrO(3,8モル%)+Mg0(3,8モル
%)+ZnO(3,8モル%))の組成になるように計
算して求めた値である。
03が1モル%、S i O2が80モル%、MOが1
9モル%(BaO(3,8モル%)+CaO(3,8モ
ル%)+SrO(3,8モル%)+Mg0(3,8モル
%)+ZnO(3,8モル%))の組成になるように計
算して求めた値である。
次に、この仮焼によって得られたものを300ccの水
とともにアルミナポットに入れ、アルミナボールで15
時間粉砕し、しかる後に150℃で4時間乾燥させて、
添加成分の粉末を得た。
とともにアルミナポットに入れ、アルミナボールで15
時間粉砕し、しかる後に150℃で4時間乾燥させて、
添加成分の粉末を得た。
尚、MOの内容であるBad、Cab。
SrO,MgO及びZnOの割合は、第1表に示すよう
に、いずれも20モル%となる。
に、いずれも20モル%となる。
ムに二ff1
次に、100重量部(1000g)の前記基本成分に対
し、2重量部(20g)の前記添加成分を添加し、更に
、アクリル酸エステルポリマーグリセリン、縮合リン酸
塩の水溶液からなる有機バインダーを、基本成分と添加
成分との合計重量に対して15重量%添加し、更に、5
0重量%の水を加え、これらをボールミルに入れて、粉
砕及び混合して磁器原料のスラリーを調製した。
し、2重量部(20g)の前記添加成分を添加し、更に
、アクリル酸エステルポリマーグリセリン、縮合リン酸
塩の水溶液からなる有機バインダーを、基本成分と添加
成分との合計重量に対して15重量%添加し、更に、5
0重量%の水を加え、これらをボールミルに入れて、粉
砕及び混合して磁器原料のスラリーを調製した。
−士磁“シートの升ン成
次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡し、この
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100℃に
加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シート
を得た。
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100℃に
加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シート
を得た。
このシートは長尺なものであるが、これを]、 Oc
m角の正方形に裁断して使用する。
m角の正方形に裁断して使用する。
導電 ペーストの調 び 刷
一方、内部電極用の導電性ペーストは、粒径平均1.5
μmのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0.9
gをブチルカルピトール9.1gに忍解させたものとを
撹拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。そし
て、この導電性ペーストを長さ14mm、幅7mmのパ
ターンを50個有するスクリーンを介して上記未焼結磁
器シートの片側に印刷した後、これを乾燥させた。
μmのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0.9
gをブチルカルピトール9.1gに忍解させたものとを
撹拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。そし
て、この導電性ペーストを長さ14mm、幅7mmのパ
ターンを50個有するスクリーンを介して上記未焼結磁
器シートの片側に印刷した後、これを乾燥させた。
磁0シートの
次に、上記印刷面を上にして未焼結磁器シートを2枚積
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長平方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した。
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長平方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した。
物の圧−と断
次いで、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に約4
0トンの荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層
物を格子状に裁断し、50個の積層体チップを得た。
0トンの荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層
物を格子状に裁断し、50個の積層体チップを得た。
層 チップの 成
次に、この積層体チップを雰囲気焼成が可能な炉に入れ
、大気雰囲気中において100℃/hの速度で600℃
まで昇温して、有機バインダを燃焼させた。
、大気雰囲気中において100℃/hの速度で600℃
まで昇温して、有機バインダを燃焼させた。
しかる後、炉の雰囲気を大気からH2(2体積%)+N
、(98体積%)の還元性雰囲気に変えた。そして、炉
をこの還元性雰囲気とした状態を保って、積層体チップ
の加熱温度を600℃から焼結温度の1150℃まで、
100℃/hの速度で昇温して1150℃(最高温度)
を3時間保持した後、100℃/hの速度で600℃ま
で降温し、雰囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)におき
かえて、600℃を30分間保持して酸化処理を行い、
その後、室温まで冷却して積層焼結体チップを得た。
、(98体積%)の還元性雰囲気に変えた。そして、炉
をこの還元性雰囲気とした状態を保って、積層体チップ
の加熱温度を600℃から焼結温度の1150℃まで、
100℃/hの速度で昇温して1150℃(最高温度)
を3時間保持した後、100℃/hの速度で600℃ま
で降温し、雰囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)におき
かえて、600℃を30分間保持して酸化処理を行い、
その後、室温まで冷却して積層焼結体チップを得た。
外13L極jυΔ或
次に、電極が露出する積層焼結体チップの側面に亜鉛と
ガラスフリット(glass frit)とビヒクル(
vehicle )とからなる導電性ペーストを塗布し
て乾燥し、これを大気中で550℃の温度で15分間焼
付け、亜鉛電極層を形成し、更にこの上に無電解メツキ
法で銅層を形成し、更にこの上に電気メツキ法でPb−
5n半田層を設けて、一対の外部電極を形成した。
ガラスフリット(glass frit)とビヒクル(
vehicle )とからなる導電性ペーストを塗布し
て乾燥し、これを大気中で550℃の温度で15分間焼
付け、亜鉛電極層を形成し、更にこの上に無電解メツキ
法で銅層を形成し、更にこの上に電気メツキ法でPb−
5n半田層を設けて、一対の外部電極を形成した。
これにより、第1図に示すように、3層の誘電体磁器層
12と2層の内部電極14とから成る積層焼結体チップ
15に一対の外部電極16を形成した積層磁器コンデン
サ10が得られた。
12と2層の内部電極14とから成る積層焼結体チップ
15に一対の外部電極16を形成した積層磁器コンデン
サ10が得られた。
ここで、外部電極16は、亜鉛電極層18と、この亜鉛
電極層18の上に形成された銅層20と、この銅層20
の上に形成されたPb−3n半田層22とからなる。
電極層18の上に形成された銅層20と、この銅層20
の上に形成されたPb−3n半田層22とからなる。
なお、この積層磁器コンデンサ10の誘電体磁器層12
の厚さは0.02mm、一対の内部電極14の対向面積
は5mmX5mm=25mm”である。また、焼結後の
誘電体磁器層12の組成は、焼結前の基本成分及び添加
成分の混合組成と実質的に同じである。
の厚さは0.02mm、一対の内部電極14の対向面積
は5mmX5mm=25mm”である。また、焼結後の
誘電体磁器層12の組成は、焼結前の基本成分及び添加
成分の混合組成と実質的に同じである。
電気的 の゛り定
次に、積層磁器コンデンサ10の電気的特性を測定し、
その平均値を求めたところ、第2表に示すように、比誘
電率ε、が3510、tanδが1.2%、抵抗率ρが
4.7X10’MΩ・cll、25℃の静電容量を基準
にした一55℃及び+125℃の静電容量の変化率ΔC
−ss△C+2gが−11,5%、+6.5%、20℃
の静電容量を基準にした一25℃、+85℃の静電容量
の変化率ΔC46,ΔCasが−6,5%。
その平均値を求めたところ、第2表に示すように、比誘
電率ε、が3510、tanδが1.2%、抵抗率ρが
4.7X10’MΩ・cll、25℃の静電容量を基準
にした一55℃及び+125℃の静電容量の変化率ΔC
−ss△C+2gが−11,5%、+6.5%、20℃
の静電容量を基準にした一25℃、+85℃の静電容量
の変化率ΔC46,ΔCasが−6,5%。
−5,2%であった。
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
fA)比誘電率ε、は、温度20℃、周波数1、 k
Hz 、電圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を測
定し、この測定値と、一対の内部電極14の対向面積2
5 m m ”と、一対の内部電極14間の誘電体磁器
層12の厚さ0.02mmから計算で求めた。
Hz 、電圧(実効値)1.OVの条件で静電容量を測
定し、この測定値と、一対の内部電極14の対向面積2
5 m m ”と、一対の内部電極14間の誘電体磁器
層12の厚さ0.02mmから計算で求めた。
fi+誘電体損失tanδ(%)は上記比誘電率の測定
と同一条件で測定した。
と同一条件で測定した。
C)抵抗率p (MΩ−cm)は、温度20”Cにおい
てDClooVを1分間印加した後に一対の外部電極1
6間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて
計算で求めた。
てDClooVを1分間印加した後に一対の外部電極1
6間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて
計算で求めた。
fD)静電容量の温度特性は、恒温槽の中に試料を入れ
、−55℃、−25℃、O’C,+20’C。
、−55℃、−25℃、O’C,+20’C。
+25℃、+40℃、+60’C,+85℃。
+105℃、+125℃の各温度において、周波数1.
kHz、1に圧(実効値)1.0V(7)条件で静電容
量を測定し、20℃及び25℃の時の静電容量に対する
各温度における変化率を求めることによって得た。
kHz、1に圧(実効値)1.0V(7)条件で静電容
量を測定し、20℃及び25℃の時の静電容量に対する
各温度における変化率を求めることによって得た。
以上、No、lの試料の作成方法及びその特性について
述べたが、試料No、2〜81についても、基本成分及
び添加成分の組成、これ等の割合、及び還元性雰囲気中
における焼成温度を第1表及び第2表に示すように変化
させた他は、No、1の試料と全く同一の方法で積層磁
器コンデンサを作成し、同一の方法で電気的特性を測定
した。
述べたが、試料No、2〜81についても、基本成分及
び添加成分の組成、これ等の割合、及び還元性雰囲気中
における焼成温度を第1表及び第2表に示すように変化
させた他は、No、1の試料と全く同一の方法で積層磁
器コンデンサを作成し、同一の方法で電気的特性を測定
した。
第1表は、各々の試料の基本成分と添加成分の組成を示
し、第2表は各々の試料の焼成温度及び電気的特性を示
す。
し、第2表は各々の試料の焼成温度及び電気的特性を示
す。
なお、第1表の基本成分の欄のx、z、には、前述した
基本成分の組成式(1)の各元素の原子数、すなわち(
Ti+R)の原子数を1とした場合の各元素の原子数の
割合を示す。
基本成分の組成式(1)の各元素の原子数、すなわち(
Ti+R)の原子数を1とした場合の各元素の原子数の
割合を示す。
また、Xの欄のMg * Z nは、前述した基本成分
の組成式(1)のMの内容を示し、Zの欄のSc、Y、
Gd、Dy、Ho、Er及びYbは、前述した基本成分
の組成式(1)のRの内容を示している。
の組成式(1)のMの内容を示し、Zの欄のSc、Y、
Gd、Dy、Ho、Er及びYbは、前述した基本成分
の組成式(1)のRの内容を示している。
これらの欄にはこれらの原子数が示され、また合計の欄
にはMg、Znの合計値が示されている。
にはMg、Znの合計値が示されている。
添加成分の添加量は基本成分100重量部に対する重量
部で示されている。添加成分のMOの内容の欄にはBa
d、MgO,ZnO,SrO及びCaOの割合がモル%
で示されている。
部で示されている。添加成分のMOの内容の欄にはBa
d、MgO,ZnO,SrO及びCaOの割合がモル%
で示されている。
第2表において、静電容量の温度特性は、25℃の静電
容量を基準にした一55℃及び+125℃の静電容量変
化率をΔC−5S(%)及びΔC,,,(%)で、20
℃の静電容量を基準にした一25℃及び+85℃の静電
容量変化率をΔC,,,(%)及びΔC8,(%)で示
されている。
容量を基準にした一55℃及び+125℃の静電容量変
化率をΔC−5S(%)及びΔC,,,(%)で、20
℃の静電容量を基準にした一25℃及び+85℃の静電
容量変化率をΔC,,,(%)及びΔC8,(%)で示
されている。
第2表(1)
※印が付された試料Nお七咬例
第2表(2)
※印が付されr対
第2表(3)
※磁力吋された二は七よけオ吃阿
第2表(4)
※印が付されたνり梳址d交例
第1表及び第2表から明らかなように、本発明に従う試
料では、非酸化性雰囲気中において、1200℃以下の
焼成で、比誘電率ε1が3000以上、tanδが2.
5%以下、抵抗率ρがlXl0’MΩ・cm以上、静電
容量の温度変化率ΔC−5,及び八C1□5が一15%
〜+15%、ΔC−25及びΔCssが一10%〜+1
0%の範囲となり、所望特性の磁器コンデンサを得るこ
とが出来るものである。
料では、非酸化性雰囲気中において、1200℃以下の
焼成で、比誘電率ε1が3000以上、tanδが2.
5%以下、抵抗率ρがlXl0’MΩ・cm以上、静電
容量の温度変化率ΔC−5,及び八C1□5が一15%
〜+15%、ΔC−25及びΔCssが一10%〜+1
0%の範囲となり、所望特性の磁器コンデンサを得るこ
とが出来るものである。
一方、試料No、 11〜13,26.31゜32.
40〜45.49.50,55,56゜62.63,6
9,80.81では本発明の目的を達成することができ
ない。従って、これ等は本発明の範囲外のものである。
40〜45.49.50,55,56゜62.63,6
9,80.81では本発明の目的を達成することができ
ない。従って、これ等は本発明の範囲外のものである。
第2表には静電容量の温度変化率ΔC−151!+八C
l2Sl ΔC−ts+ ΔCssのみが示されている
が、本発明の範囲に属する試料の一25℃〜+85℃の
範囲の種々の静電容量の温度変化率ΔCは、−10%〜
+10%の範囲に収まり、また、−55℃〜+125℃
の範囲の種々の静電容量の変化率ΔCは、−15%〜+
15%の範囲に収まっている。
l2Sl ΔC−ts+ ΔCssのみが示されている
が、本発明の範囲に属する試料の一25℃〜+85℃の
範囲の種々の静電容量の温度変化率ΔCは、−10%〜
+10%の範囲に収まり、また、−55℃〜+125℃
の範囲の種々の静電容量の変化率ΔCは、−15%〜+
15%の範囲に収まっている。
次に、本発明の誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由
について述べる。
について述べる。
まず、Xの値が、試料No、32に示すように、零の場
合には、静電容量の温度変化率ΔC−55が一15%〜
+15%の範囲外となるが、試料No、33.34に示
すように、Xの値が0.01の場合には、所望の電気的
特性が得られる。従って、Xの下限は0.01である。
合には、静電容量の温度変化率ΔC−55が一15%〜
+15%の範囲外となるが、試料No、33.34に示
すように、Xの値が0.01の場合には、所望の電気的
特性が得られる。従って、Xの下限は0.01である。
一方、試料No、40〜44に示すように、Xの値が0
.12の場合には、静電容量の温度変化率ΔC85が一
10%〜+10%の範囲外となるが、試料No、38.
39に示すように、Xの値が0.10の場合には、所望
の電気的特性を得ることができる。従って、Xの上限は
0−10である。
.12の場合には、静電容量の温度変化率ΔC85が一
10%〜+10%の範囲外となるが、試料No、38.
39に示すように、Xの値が0.10の場合には、所望
の電気的特性を得ることができる。従って、Xの上限は
0−10である。
なお、M成分であるMgとZnははf同様に働き、0.
O1≦x≦o、ioを満足する範囲でMgとZnのうち
の一方または両方を使用することによって所望の電気的
特性を得ることができる。
O1≦x≦o、ioを満足する範囲でMgとZnのうち
の一方または両方を使用することによって所望の電気的
特性を得ることができる。
kの値が、試料No、45に示すように、0.98の場
合には、ρがlX106Mo・0111未満と大幅に低
くなり、静電容量の温度変化率△C−6,ΔC−1s
ΔCalもそれぞれ一15%、−io%より大幅に悪
化してしまうが、試料No、46に示すように、kの値
が1.00の場合には、所望の電気的特性が得られる。
合には、ρがlX106Mo・0111未満と大幅に低
くなり、静電容量の温度変化率△C−6,ΔC−1s
ΔCalもそれぞれ一15%、−io%より大幅に悪
化してしまうが、試料No、46に示すように、kの値
が1.00の場合には、所望の電気的特性が得られる。
従って、kの値の下限は1.OOである。
一方、kの値が、試料No、49に示すように、1.0
7の場合には緻密な焼結体が得られないが、試料No、
48に示すように、kの値が1.05の場合には、所望
の電気的特性が得られる。従ってkの値の上限は1.0
5である。
7の場合には緻密な焼結体が得られないが、試料No、
48に示すように、kの値が1.05の場合には、所望
の電気的特性が得られる。従ってkの値の上限は1.0
5である。
Zの値が、試料No、50.56.63に示すように、
Oの場合には静電容量の温度変化率△C−6@ Δし
28がそれぞれ一15%。
Oの場合には静電容量の温度変化率△C−6@ Δし
28がそれぞれ一15%。
10%以内を満たしていないが、試料
No、51.57.64に示すようにZの値が0.00
2の場合には、所望の電気的特性が得られる。従って2
の下限は0.002である。
2の場合には、所望の電気的特性が得られる。従って2
の下限は0.002である。
一方、Zの値が試料No−55,62,69゜80.8
1に示すように、0.07の場合には1250℃で焼成
しても緻密な焼結体が得られないが、試料No、54.
61.68,78.79に示すように0.06の場合に
は所望の電気的特性を得ることができる。従って、Zの
値の上限は0.06である。
1に示すように、0.07の場合には1250℃で焼成
しても緻密な焼結体が得られないが、試料No、54.
61.68,78.79に示すように0.06の場合に
は所望の電気的特性を得ることができる。従って、Zの
値の上限は0.06である。
尚、R成分のSc、Y、Gd、Dy、Ho。
Er及びYbははf同様に働き、これらから選択された
1つを使用しても、または複数を組み合わせて使用して
も同様な結果が得られる。
1つを使用しても、または複数を組み合わせて使用して
も同様な結果が得られる。
そして、R成分が1種または複数種のいずれの場合にお
いてもZの値を0.002〜0.06の範囲にすること
が望ましい。
いてもZの値を0.002〜0.06の範囲にすること
が望ましい。
尚、組成式でRで示される成分は、静電容量の温度特性
の改善に寄与するものである。すなわち、R成分の添加
によって一55℃〜125℃の範囲での静電容量の温度
変化率ΔC−55〜ΔC125を一15%〜+15%の
範囲に容易に収めることが可能になると共に一25℃〜
85℃の範囲での静電容量の温度変化率△C−2,〜Δ
CIlsを一10%〜+10%の範囲に容易に収めるこ
とが可能になり、かつ各温度範囲における静電容量の温
度変化率の変動幅を小さくすることができる。
の改善に寄与するものである。すなわち、R成分の添加
によって一55℃〜125℃の範囲での静電容量の温度
変化率ΔC−55〜ΔC125を一15%〜+15%の
範囲に容易に収めることが可能になると共に一25℃〜
85℃の範囲での静電容量の温度変化率△C−2,〜Δ
CIlsを一10%〜+10%の範囲に容易に収めるこ
とが可能になり、かつ各温度範囲における静電容量の温
度変化率の変動幅を小さくすることができる。
また、R成分は抵抗率ρを大きくする作用及び焼結性を
高める作用を有するものである。
高める作用を有するものである。
また、添加成分の添加量が零の場合には、試料No、2
6から明らかなように、焼成温度が1250℃であって
も緻密な焼結体が得られないが、試料No、27に示す
ように、添加量が100重量部の基本成分に対して0.
2重量部の場合には、1190℃の焼成で所望の電気的
特性が得られる。従って、添加成分の下限は0.2重量
部である。
6から明らかなように、焼成温度が1250℃であって
も緻密な焼結体が得られないが、試料No、27に示す
ように、添加量が100重量部の基本成分に対して0.
2重量部の場合には、1190℃の焼成で所望の電気的
特性が得られる。従って、添加成分の下限は0.2重量
部である。
一方、試料No、31に示すように、添加成分の添加量
が7.0重量部の場合には、比誘電率ε、が3000未
満となり、更に、静電容量の温度変化率ΔC−55が一
15%〜+15%の範囲外となるが、試料No、30に
示すように、添加量が5.0重量部の場合には、所望の
電気的特性を得ることができる。従って、添加量の上限
ば5.0重量部である。
が7.0重量部の場合には、比誘電率ε、が3000未
満となり、更に、静電容量の温度変化率ΔC−55が一
15%〜+15%の範囲外となるが、試料No、30に
示すように、添加量が5.0重量部の場合には、所望の
電気的特性を得ることができる。従って、添加量の上限
ば5.0重量部である。
添加成分の好ましい組成は、第2図のB20゜−510
2−Moの組成比を示す三角図に基づいて決定すること
ができる。
2−Moの組成比を示す三角図に基づいて決定すること
ができる。
二角図の第1の点Aは、試料No、1のB2O3が1モ
ル%、Sin、が80モル%、MOが19モル%の組成
を示し、第2の点Bは、試料No、2のB2O3が1モ
ル%、5in2が39モル%、MOが60モル%の組成
を示し、第3の点Cは、試料No、3のB2O3が29
モル%、B2O3が1モル%、MOが70モル%の組成
を示し、第4の点りは試料N o 、 、4の820、
が90モル%、B2O3が1モル%、MOが9モル%の
組成を示し、第5の点Eは、試料No、5のB2O3が
90モル%、SiO2が9モル%、MOが1モル%の組
成を示し、第6の点Fは、試料No、6のB、03が1
9モル%、Sin、が80モル%、MOが1モル%の組
成を示す。
ル%、Sin、が80モル%、MOが19モル%の組成
を示し、第2の点Bは、試料No、2のB2O3が1モ
ル%、5in2が39モル%、MOが60モル%の組成
を示し、第3の点Cは、試料No、3のB2O3が29
モル%、B2O3が1モル%、MOが70モル%の組成
を示し、第4の点りは試料N o 、 、4の820、
が90モル%、B2O3が1モル%、MOが9モル%の
組成を示し、第5の点Eは、試料No、5のB2O3が
90モル%、SiO2が9モル%、MOが1モル%の組
成を示し、第6の点Fは、試料No、6のB、03が1
9モル%、Sin、が80モル%、MOが1モル%の組
成を示す。
本発明の範囲に属する試料の添加成分の組成は三角図の
第1〜60点A−Fをこの順に結ぶ6本の直線で囲まれ
た領域内の組成になっている。この卸域内の組成とすれ
ば、所望の電気的特性を得ることができる。
第1〜60点A−Fをこの順に結ぶ6本の直線で囲まれ
た領域内の組成になっている。この卸域内の組成とすれ
ば、所望の電気的特性を得ることができる。
一方、試料No、11〜13のように、添加成分の組成
が本発明で特定した範囲外となれば、緻富な焼結体を得
ることができない。
が本発明で特定した範囲外となれば、緻富な焼結体を得
ることができない。
なお、MO酸成分例えば試料No、14〜18に示すよ
うに、B a O、M g O、Z n O。
うに、B a O、M g O、Z n O。
SrO,CaOのいずれか1つであってもよいし、また
は他の試料に示すように適当な比率としてもよい。
は他の試料に示すように適当な比率としてもよい。
[発明の効果]
不発明によれば、誘電体磁器組成物の組成を前述したよ
うにしたので、比誘電率が3000以上、誘電体損失t
anδが2.5%以下、抵抗率pがlX10’MΩ・c
m以上であり、且つ比誘電率の温度変化率が、−55℃
〜125℃で15%〜+15%(25℃を基aり、−2
5℃〜85℃で一10%〜+10%(20℃を基準)の
範囲に収まる誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサ
を提供することができる。
うにしたので、比誘電率が3000以上、誘電体損失t
anδが2.5%以下、抵抗率pがlX10’MΩ・c
m以上であり、且つ比誘電率の温度変化率が、−55℃
〜125℃で15%〜+15%(25℃を基aり、−2
5℃〜85℃で一10%〜+10%(20℃を基準)の
範囲に収まる誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサ
を提供することができる。
また、本発明によれば、非酸化性雰囲気中において12
00℃以下の温度で焼成して得ることができるので、ニ
ッケル等の卑金属の導電性ペーストをグリーンシートに
塗布し、グリーンシートと導電性ペーストとを同時に焼
成する方法によって磁器コンデンサを製造することがで
きる。
00℃以下の温度で焼成して得ることができるので、ニ
ッケル等の卑金属の導電性ペーストをグリーンシートに
塗布し、グリーンシートと導電性ペーストとを同時に焼
成する方法によって磁器コンデンサを製造することがで
きる。
第1図は本発明の実施例に係わる積層型磁器コンデンサ
を示す断面図、第2図は添加成分の組成範囲を示す三角
図である。 12−・磁器層、14・・・内部電極、16−・・外部
電極。
を示す断面図、第2図は添加成分の組成範囲を示す三角
図である。 12−・磁器層、14・・・内部電極、16−・・外部
電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器層と、この誘
電体磁器層を挟持している少なくとも2以上の内部電極
とを備えた磁器コンデンサにおいて、 前記誘電体磁器組成物が、100重量部の基本成分と、
0.2〜5重量部の添加成分との混合物を焼成したもの
からなり、 前記基本成分が (Ba_k_−_xM_x)O_k(Ti_1_−_z
R_z)O_2_−_Z_/_2(但し、MはMg及び
/又はZn、RはSc,Y,Gd,Dy,Ho,Er及
びYbから選択された1種または2種以上の金属元素、
k,x,zは 1.00≦k≦1.05 0.01≦x≦0.10 0.002≦z≦0.06 を満足する数値)で表わされる物質からなり、前記添加
成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し、MOは
BaO,SrO,CaO,MgO及びZnOから選択さ
れた1種または2種以上の金属酸化物)とからなり、 前記B_2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示す三角図における、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと
、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が39モ
ル%、前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと
、 前記B_2O_3が29モル%、前記SiO_2が1モ
ル%、前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が1モ
ル%、前記MOが9モル%の組成を示す第4の点Dと、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が9モ
ル%、前記MOが1モル%の組成を示す第5の点Eと、 前記B_2O_3が19モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記MOが1モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサ。 2.未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程と
、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成する工程
と、前記未焼結磁器シートを少なくとも2以上の導電性
ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程と、前記
積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する工程と、前
記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱処理
する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、 100重量部の基本成分と、0.2〜5重量部の添加成
分とからなり、 前記基本成分が (Ba_k_−_xM_x)O_k(Ti_1_−_z
R_z)O_2_−_z_/_2(但し、MはMg及び
/又はZn、RはSc,Y,Gd,Dy,Ho,Er及
びYbから選択された1種または2種以上の金属元素、
k,x,zは 1.00≦k≦1.05 0.01≦x≦0.10 0.002≦z≦0.06 を満足する数値)で表わされる物質からなり、前記添加
成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し、MOは
BaO,SrO,CaO,MgO及びZnOから選択さ
れた1種または2種以上の金属酸化物)とからなり、 前記B_2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示す三角図における、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと
、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が39モ
ル%、前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと
、 前記B_2O_3が29モル%、前記SiO_2が1モ
ル%、前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が1モ
ル%、前記MOが9モル%の組成を示す第4の点Dと、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が9モ
ル%、前記MOが1モル%の組成を示す第5の点Eと、 前記B_2O_3が19モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記MOが1モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076764A JPH03278414A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076764A JPH03278414A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03278414A true JPH03278414A (ja) | 1991-12-10 |
| JPH0532896B2 JPH0532896B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=13614663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2076764A Granted JPH03278414A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03278414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008254988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体セラミックス及びその製造方法並びに積層セラミックコンデンサ |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2076764A patent/JPH03278414A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008254988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体セラミックス及びその製造方法並びに積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0532896B2 (ja) | 1993-05-18 |
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