JPH0337811A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＶＴＲ等の磁気記録再生装置に使用する薄膜磁
気ヘッドに係り、膜応力によるワレ、カケ等の不良を解
消するためのヘッド構造、およびその製造方法に関する
。

〔従来の技術〕

従来は、特開昭６３−３０４４１３号公報に記載のよう
に。

薄膜磁気ヘッドにおいて、上下磁気コア間に形成される
信号コイル、および、絶＃層の総膜厚は、上下磁気コア
間に流れる漏洩磁束損失を小さくするために厚くする必
要がある。また、テープ溜動部は、良好なテープ当接を
得るために、機械加工によって、狭トラック加工を行な
っている。

この従来技術を図面を用いて説明する。

第８図（ａ）、（ｂ）は、狭トラック加工位置を示すヘ
ッド平面図、テープ摺動面側から見た側面図、第９図は
第８図（ａ）のｘ−ｘ　’分断線に沿った断面図である
。

１は非磁性基板、２は下部磁気コア、３は下部磁気コア
埋込み材、４はギャップデプス検知用マツプ材、８は上
部磁気コア、９は保護膜、Ｂ−Ｂ’ｃ−ｃ　’は狭トラ
ック加工位置である。このように狭トラック加工の際に
は、非磁性基板上、保護膜９、埋込み材３、および、コ
イル絶縁層５を切断するようになっていた。

また、記録媒体と磁気ヘッドが接触・摺動するシステム
では、ヘッドの構成材料は耐摩耗性の良い材料が必要で
ある。例えば、コア材にはＦｅ−ＡＱ−８ｉやＣｏ　−
Ｎ　ｂ　−Ｚ　ｒ系等の磁性薄膜が使われ、これらのコ
ア材は所望の磁気特性を得るために４００℃以上の熱処
理が必要なため、上記埋込材３やコイルｉｆ！ｌ縁材５
等はＳｉＯ２等の無機材が使われている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来技術は、上下磁気コア間、およ
び信号コイル部位外のコイル絶ａ層の膜厚が厚くなって
いる。また、上述のような埋込み材やコイル絶縁層は、
一般にスパッタリング法で形成されることや磁性膜の熱
膨張係数に近い基板埜りそれとは、かなりのミスマツチ
があること等により、ｌｏ’ｄｙｎ／ａＪオーダーの大
きな膜応力を有する。そのため、膜や基板内に過大な応
力が生じ、狭トラック加工の際に外部からの切削ストレ
スによって、基板や膜にワレ、カケ等を生じるという問
題があった。

本発明は、ヘッド性能を犠牲にすることなしに絶縁層の
応力を低減し、ワレ、カケ等による不良をなくすことに
よって、ヘッド形成の歩留りを向上することを目的とす
る。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、上下磁気コア間および、信
号コイル部以外の絶縁層の膜厚を薄くする、あるいは、
上下磁気コア間および信号コイル部のみ、つまり、狭ト
ラック加工位置より内側にのみ絶縁層を形成する、ある
いは、上記２つの方法を同時に行なうものである。

〔作用〕

絶縁層は、膜厚が薄くなる、あるいは、膜厚の厚い領域
が小さくなることによって、膜の内部応の不良がなくな
る。

〔実施例） 以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１図（ａ）は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の
実施例を示す平面図、第１図（ｂ）はテープ摺動面から
見た正面図、第２図は第１図の分断線Ａ−Ａ　’に沿う
断面図、第３図はテープ摺動面のおよび第１図の分断線
Ａ−Ａ　’に沿う断面図によって示した、第１の実施例
の薄膜磁気ヘッドの製造方法である。

１は非磁性基板、２は下部磁気コア、３は非磁性絶縁材
から成る下部磁気コア埋込み材、４はギャップデプス検
知用マーカー、５はＳ　ｉ　Ｏ，などの無機材料からな
るコイル絶縁層、６は信号コイル、７はギャップ、８は
上部磁気コア、９は保護膜である。

第３図により、前記第１の実施例の薄膜磁気ヘッドの製
造方法をテープｍ動面から見た側面図と第王図Ａ−Ａ’
断面図により説明する。

（°ヤ）（ｂ）非磁性基板１′°下部磁気″″′込み用
溝をダイシングソーギイオンミリング等で形成する。

（ｃ）、（ｄ）該溝に下部磁性膜２をスパッタリング等
により成膜し、イオンミリング等で下部磁気コアを形成
する。

（ｅ）、（ｆ）下部磁気コア埋込み材３をスパッタリン
グ等により成膜し、平坦化研磨する。

（ｇ）、（ｈ）ギャップデプス検知用マーカー４をスパ
ッタリング等で成膜し、イオンミリングでバターニング
を行なう。

絶縁層５をスパッタリング等により成膜し、信号コイル
６は蒸着等により成膜後、イオンエツチング等によりバ
ターニングを行なう、信号コイル上層の絶縁層を形成後
、ギャップ形成部、および上下磁気コア接続用溝をイオ
ンエツチング等により形成する。

（ｉ）、（ｊ）ギャップ形成部にギャップ材７をスパッ
タリング等により形成し、この上層に、上部磁性膜をス
パッタリング等により成膜後、イオン （ｋ）、（Ｑ）上部磁気コア８周辺の絶縁層５を下層の
ギャップデプスマーカー４が消失しない程度まで、イオ
ンエツチング等により除去し、保護膜９をスパッタリン
グ等により成膜する。

さらに、ダイシングソー等によりウェハーを短冊状に切
断し、テープ当接面のＲ加工を行なった後、ダイシング
ソー等により狭トラック加工を行ない、チップ形状にす
る。

第４図は、本発明の第２の実施例を示す、薄膜磁気へラ
ドテープ摺動面の図、第５図は製造方法であり第３図と
同一部分は同一番号で示した。本実施例では、上部コア
に接する部分のコイル絶縁層の膜厚も薄くすることがで
きる。第５図において工程（ａ）〜（ｆ）は第３図（ａ
）〜（ｆ）と同一であるため省略し、その後の工程のみ
説明をする。

（ｇ）、（ｈ）ギャップデプス検知用マーカー４をスパ
ッタリング等により成膜し、イオンミリング等でバター
ニングを行ない、第１層目のコイル（ｉ）、（ｊ）第↓
層目の信号コイル６を蒸着等により成膜後、イオンエツ
チング等によりバターニングを行ない、第２層目のコイ
ル絶縁層を形成する。この時、コイルミｍ層５は、信号
コイル部領域のみ形成し、デプスマーカー４やコア上部
には形成しない。

（ｋ）、ＣＱ）第２層自信号コイル６を形成後、第３Ｎ
目コイル絶縁層を第２層目コイル絶縁層と同様な領域に
形成し、ギャップ形成部、および上下磁気コア接続用溝
をイオンエツチング等により形成する。

ここで１、（ｉ）〜（Ｑ）の工程は、コイル絶縁層をす
べて第１Ｎ目コイル絶縁層と同様に形成後、イオンエツ
チング等により、デプスマーカー４およびコア上部を除
去する方法にも置き換えることができる６ （ｍ）、（ｎ、）ギャップ形成部にギャップ材７をスパ
ッタリング等により形成し、この上層に、上部磁性膜を
スパッタリング等により成膜後、イオンエツチング等に
より上部磁気コア８を形成する。

（ｏ）、（ｐ）保護膜９をスパッタリング等により成膜
する。

さらに、ダイシングソー等によりウェハーを短冊状に切
断し、テープ当接面のＲ加工を行なった後、ダイシング
ソー等により狭トラック加工を行ない、チップ形状にす
る。

第２の実施例では、信号コイル上の絶縁層のバターニン
グ工程の際に、絶縁層膜厚が厚くならない様な形状にな
っているため、第１の実施例の様に上部コア形成後、絶
縁層を除去する必要がなく、工程が短縮される。

第１．第２の実施例によれば、絶縁層の膜厚が薄くなる
ため、応力を低減することができる。

第６図（ａ）は、本発明の第３の実施例を示す、薄膜磁
気ヘッドの平面図であり、第６図（ｂ）は狭トラック加
工後のテープ摺動面側から見た正面図である。第７図は
、第６図（ａ）のコイル絶縁層形成領域をさらに狭くし
たものである。

第６図（ａ）、（ｂ）、第７図において、第３図と同一
部分は同一番号で示した。

本実施例では、絶縁層５を信号コイル６、ギャップ形成
部７、および、ギャップデプスマーカー４の上層のみ形
成し、絶縁層膜厚の厚い部分の形成範囲を狭トラック加
工位置より内側へ狭くした。

これによって、Ｍ縁層の応力を低減でき、さらに、絶ｍ
Ｎは狭トラック加工による加ニストレスの影響を直接受
けることがない。

また、第工、または、第２の実施例と第３の実施例を同
じに行なうことによって、さらに、絶縁層の内部応力は
低減でき、加ニストレスによる影響がなくなる。

第１、第２、第３の実施例では、ギャップデプスマーカ
ー４は、下部磁気コア埋込み材３を形威し平５遮、形成
し、その上層に絶縁層を形成していたが、ギャップデプ
スマーカー４の上層に選択エツチング性の良い層を形成
する。あるいは、ギャップデプスマーカー４を下部磁気
コア埋込み材３内に埋込むことにより、フロント周辺の
コイル絶縁層は、消失しても良くなるため、絶縁層によ
る応力の影響はなくなる。

るいは、絶縁層を切断しないようなパターン形状にする
ことによって、機械加工時の加ニストレスを低減でき、
基板や膜のワレ、カケ等のない信頼性の高い薄膜磁気ヘ
ッドを歩留りよく作ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の第１の実施例の説明図であり
、第１図（ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの平面図、第
１図（ｂ）はテープ摺動面図、第２図は第１図Ａ−Ａ　
’線断面図、第３図は第１の実施例の薄膜磁気ヘッドの
製造方法を示す工程図。 第４図および第５図は本発明の第２の実施例による薄膜
磁気ヘッドの説明図であり、第４図はテープ摺動面図、
第５図は製造方法、第６図〜第７図は本発明の第３の実
施例の説明図であり、第６図（ａ）および第７図は本発
明の薄膜磁気ヘッドの平面図、第６図（ｂ）はテープ摺
動面側から見た側面図、第８図、および、第９図は、従
来の実施例の説明図であり、第８図（ａ）は薄膜磁気ヘ
ッド平面図、第８図（ｂ）はテープ摺動面側から見た側
面図、第９図は第７図（ａ）のｘ−ｘ’断面図である。 １・・・非磁性基板、２・・・下部磁気コア、３・・・
下部磁気コア埋込み材、４・・・ギャップデプスマーカ
ー５・・・絶縁層。 第　１　瞥 （０−） 筋 ２ 躬 悶 第 ２ 塙 圀

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板、下部磁気コア、コイル、およびその周
   辺に成膜した絶縁層と、上記下部磁気コアとリアコア接
   続部で接し、ギャップ材を介して磁気回路を形成する上
   部磁気コアを積層して成る薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記コイル、および、上部磁気コアのフロント以外の領
   域のコイル絶縁層の膜厚が、少なくとも狭トラック加工
   位置から外側の領域では、上下磁気コア間距離より小さ
   くされたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、非磁性基板、下部磁気コア、コイル、およびその周
   辺に成膜した絶縁層と、上記下部磁気コアとリアコア接
   続部で接し、ギャップ材を介して磁気回路を形成する上
   部磁気コアを積層して成る薄膜磁気ヘッドにおいて、 上下磁気コアフロント部周辺のコイル絶縁層のパターン
   幅が、狭トラック加工位置より狭くされたことを特徴と
   する薄膜磁気ヘッド。 ３、請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、上下磁
   気コアフロント部周辺のコイル絶縁層の膜厚が、上下磁
   気コア間距離より小さくされた薄膜磁気ヘッド。 ４、非磁性基板に下部磁気コア、コイル絶縁層、および
   、コイル導体を積層し、パターニングを行い、 ギャップ材を介して磁気回路を形成する様に磁性材を成
   膜し上部磁気コアを形成し、 コイルおよび上下磁気コアのフロント部に接する一定の
   領域以外のコイル絶縁層を、上下磁気コア間距離より薄
   くし、 その上層に保護膜を形成し、 チップ加工することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
   方法。