JPH0345058B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0345058B2 JPH0345058B2 JP57205437A JP20543782A JPH0345058B2 JP H0345058 B2 JPH0345058 B2 JP H0345058B2 JP 57205437 A JP57205437 A JP 57205437A JP 20543782 A JP20543782 A JP 20543782A JP H0345058 B2 JPH0345058 B2 JP H0345058B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- general formula
- alkyl group
- lower alkyl
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
技術分野
本発明は新規なスチルベン誘導体及びその製造
法に関し、電子写真用の有機光導電性素材及び螢
光増白剤として使用することができ、特に電子写
真用の有機光導電性材料として有用な材料を提供
するものである。 従来技術 従来、電子写真方式において使用される感光体
の有機光導電性素材としてポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾールをはじめ数多くの材料が提案されてい
る。 ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電
性の感光体を、まず暗所で例えばコロナ放電など
により帯電せしめ、ついで露光部のみの電荷を選
択的に放電させることにより静電潜像を得て、こ
の潜像部をトナーなどを用いた現像手段で可視化
して画像を形成するようにした画像形成法の一つ
である。このような電子写真方式における感光体
に要求される基本的な特性としては、１）暗所に
おいて適当な電位に帯電されること、２）暗所に
おける電荷の放電が少ないこと、３）光照射によ
り速やかに電荷を放電すること、などが挙げられ
る。しかし、従来の光導電性有機材料はこれらの
要求をかならずしも満足していないのが実状であ
る。 一方、セレンや酸化亜鉛は光導電性無機材料と
して知られており、中でもセレンは広く実用に供
されている。しかし、最近電子写真のプロセスの
点から、感光体に対する種々の要求、即わち一例
として前述の基本的特性に加えて、例えばその形
状についても可撓性のあるベルト状の感光体など
が要求されるようになつてきている。しかし、セ
レンの場合は一般にこのような形状のものに作成
することは困難である。 目 的 本発明の目的は上記のような感光体における光
導電性素材の持つ欠点を除去した、特に光導電性
素材として有用な新規なスチルベン誘導体及びそ
の製造法を提供することである。 構 成 第１の発明は、一般式（） （式中、R1及びR2は水素原子、低級アルキル
基、又は低級アルコキシ基を表わし、R1とR2と
が同時に水素である場合を除く。） で示されるスチルベン誘導体である。 第２の発明は、一般式（） （式中Ｒは低級アルキル基を示す） で表わされるホスホン酸エステルと、下記一般式
（） （式中、R1及びR2は水素原子、低級アルキル
基、又は低級アルコキシ基を表わし、R1とR2と
が同時に水素である場合を除く） で表わされるアルデヒド化合物とを反応させるこ
とを特徴とする下記一般式（） （式中、R1及びR2は上記一般式（）の定義
と同じ。） で表わされるスチルベン誘導体の製造法である。 本発明で用いる一般式（）で表わされるホス
ホン酸エステルはハロメチル化合物と亜リン酸ト
リアルキルとを直接あるいはトルエン、テトラハ
イドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドな
どの溶媒中で加熱することにより容易に製造され
る。ここで亜リン酸トリアルキルとしては炭素数
１〜４のアルキル基特にメチル基、エチル基が好
ましい。 こうして得られた一般式（）で表わされるホ
スホン酸エステルと一般式（）で表わされるア
ルデヒド化合物とを塩基性触媒の存在下、室温か
ら100℃程度の温度において反応させる。 塩基性触媒としては苛性ソーダ、苛性カリ、ナ
トリウムアミド水素化ナトリウム及びナトリウム
メチラート、カリウム−ｔ−ブトキサイドなどの
アルコラートを挙げることができる。また、反応
溶媒としてはメタノール、エタノール、イソプロ
パノール、ブタノール、２−メトキシエタノー
ル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メト
キシエチル）エーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホ
キシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダ
ゾリジノンなどを挙げることができる。中でも極
性溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及
びジメチルスルホキシドが好適である。 反応温度は１）使用する溶媒の塩基性触媒に対
する安定性、２）縮合成分（一般式（）及び
（）の化合物）の反応性、３）前記塩基性触媒
中における縮合剤としての反応性によつて広範囲
に選択することができる。例えば極性溶媒を用い
るときは実際には室温から100℃好しくは室温か
ら80℃である。しかし反応時間の短縮又は活性の
低い縮合剤を使用するときはさらに高い温度でも
よい。このようにして得られる本発明にかかわる
新規なスチルベン誘導体を例示すれば次の通りで
ある。 本発明にかかわる新規なスチルベン誘導体は、
電子写真用感光体に於ける光導電性素材として極
めて有用であり、染料やルイス酸などの増感剤に
よつて光学的あるいは化学的に増感される。また
有機顔料あるいは無機顔料を電荷発生物質とする
いわゆる機能分離型感光体に於ける電荷移動物質
としてとりわけ有用である。 上記増感剤として例えばメチルバイオレツト、
クリスタルバイオレツト等のトリアリルメタン染
料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
Ｂ等のサンテン染料、メチレンブルー等のアジン
染料、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４−ジニトロ−９−フルオレノン等が挙
げられる。 また有機顔料としてはシーアイピグメントブル
ー25（CI No.21180）、シーアイピグメントレツド
41（CI No.21200）、シーアイベーシツクレツド３
（CI No.45210）等のアゾ系顔料、シーアイピグ
メントブルー16（CI No.74100）等のフタロシア
ニン系顔料、シーアイバツトブラウン５（CI No.
73410）、シーアイバイオレツトダイ（CI No.
73030）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレツ
トＢインタンスレンスカーレツトＲ等のペリレン
系顔料が挙げられる。又、セレン、セレン−テル
ル、硫化カドミウム、α−シリコン等の無機材料
も使用できる。 次に実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 １ ３−フエノキシベンジルホスホン酸ジエチル
3.52ｇ（0.01モル）と、４−ホルミル−4′−メチ
ルトリフエニルアミンをＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド20mlに溶解し、これにカリウムtert−ブト
キシド1.95ｇ（0.017モル）を21〜30℃にて加え
た。添加後、室温で５時間かきまぜを行なつた後
反応混合物をメタノール40mlで希釈した。結晶を
濾取、水洗、乾燥した。 ジオキサン−エタノールの混合溶媒から再結晶
して淡黄色針状結晶の３−フエノキシ−4′−（Ｎ
−フエニル−Ｎ−ｐ−トリル）アミノスチルベン
の結晶3.47ｇを得た。融点は141.5〜142.5℃であ
つた。 元素分析値 Ｃ％ Ｈ％ Ｎ％ 実測値 87.35 6.16 3.18 C33H27NOとしての 計算値 87.37 6.01 3.09 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法）を第１
図に示したが965cm-1にトランスのCH＝面外変角
振動に基づく吸収が認められた。 実施例 ２ 実施例１において４−ホルミル−4′−メチルト
リフエニルアミンの代りに４−ホルミル−4′−メ
トキシトリフエニルアミンを用いる他は実施例１
と同様に操作して淡黄色針状結晶の３−フエノキ
シ−4′−（Ｎ−フエニル−Ｎ−ｐ−メトキシシエ
ニル）アミノスチルベンを得た。融点は124.0〜
126.0℃であり、元素分析値は次のとおりであつ
た。 元素分析値 Ｃ％ Ｈ％ Ｎ％ 実測値 84.30 5.79 3.00 C33H27NO2としての 計算値 84.40 5.81 2.98 応用例並びに参考例 電荷発生物質として、下記ビスアゾ化合物7.5
部 及びポリエステル樹脂［(株)東洋紡績製バイロン
200］の0.5％テトラヒドロフラン溶液500部をボ
ールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアル
ミニウム蒸着ポリエステルフイルム上にドクター
ブレードで塗布し、自然乾燥して約1μm厚の電荷
発生層を形成した。次にポリカーボネート樹脂
［(株)帝人製パンライトＫ−1300］１部とテトラヒ
ドロフラン14部の樹脂溶液に、電荷輸送物質とし
て表１の化合物各１部を溶解し、この溶液を前記
電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、80℃
で２分間、次いで120℃で５分間乾燥して厚さ約
20μmの電荷輸送層を形成して感光体を作成した。 次に、こうして得られた積層型電子写真感光体
の可視域での感度を調べるため、これらの感光体
に静電複写紙試験装置［(株)川口電機製作所製
SP428型］を用いて暗所で−6KVのコロナ放電を
20秒間おこなつて帯電させた後、20秒間暗所に放
置し、表面電位Vo（Ｖ）を測定した。次いで、タ
ングステンランプ光を感光体表面での照度が
4.51uxになるように照射して、Voが1/2になるま
での露光量Ｅ1/2（1ux・sec）を求めた。結果を
表１に示す。
法に関し、電子写真用の有機光導電性素材及び螢
光増白剤として使用することができ、特に電子写
真用の有機光導電性材料として有用な材料を提供
するものである。 従来技術 従来、電子写真方式において使用される感光体
の有機光導電性素材としてポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾールをはじめ数多くの材料が提案されてい
る。 ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電
性の感光体を、まず暗所で例えばコロナ放電など
により帯電せしめ、ついで露光部のみの電荷を選
択的に放電させることにより静電潜像を得て、こ
の潜像部をトナーなどを用いた現像手段で可視化
して画像を形成するようにした画像形成法の一つ
である。このような電子写真方式における感光体
に要求される基本的な特性としては、１）暗所に
おいて適当な電位に帯電されること、２）暗所に
おける電荷の放電が少ないこと、３）光照射によ
り速やかに電荷を放電すること、などが挙げられ
る。しかし、従来の光導電性有機材料はこれらの
要求をかならずしも満足していないのが実状であ
る。 一方、セレンや酸化亜鉛は光導電性無機材料と
して知られており、中でもセレンは広く実用に供
されている。しかし、最近電子写真のプロセスの
点から、感光体に対する種々の要求、即わち一例
として前述の基本的特性に加えて、例えばその形
状についても可撓性のあるベルト状の感光体など
が要求されるようになつてきている。しかし、セ
レンの場合は一般にこのような形状のものに作成
することは困難である。 目 的 本発明の目的は上記のような感光体における光
導電性素材の持つ欠点を除去した、特に光導電性
素材として有用な新規なスチルベン誘導体及びそ
の製造法を提供することである。 構 成 第１の発明は、一般式（） （式中、R1及びR2は水素原子、低級アルキル
基、又は低級アルコキシ基を表わし、R1とR2と
が同時に水素である場合を除く。） で示されるスチルベン誘導体である。 第２の発明は、一般式（） （式中Ｒは低級アルキル基を示す） で表わされるホスホン酸エステルと、下記一般式
（） （式中、R1及びR2は水素原子、低級アルキル
基、又は低級アルコキシ基を表わし、R1とR2と
が同時に水素である場合を除く） で表わされるアルデヒド化合物とを反応させるこ
とを特徴とする下記一般式（） （式中、R1及びR2は上記一般式（）の定義
と同じ。） で表わされるスチルベン誘導体の製造法である。 本発明で用いる一般式（）で表わされるホス
ホン酸エステルはハロメチル化合物と亜リン酸ト
リアルキルとを直接あるいはトルエン、テトラハ
イドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドな
どの溶媒中で加熱することにより容易に製造され
る。ここで亜リン酸トリアルキルとしては炭素数
１〜４のアルキル基特にメチル基、エチル基が好
ましい。 こうして得られた一般式（）で表わされるホ
スホン酸エステルと一般式（）で表わされるア
ルデヒド化合物とを塩基性触媒の存在下、室温か
ら100℃程度の温度において反応させる。 塩基性触媒としては苛性ソーダ、苛性カリ、ナ
トリウムアミド水素化ナトリウム及びナトリウム
メチラート、カリウム−ｔ−ブトキサイドなどの
アルコラートを挙げることができる。また、反応
溶媒としてはメタノール、エタノール、イソプロ
パノール、ブタノール、２−メトキシエタノー
ル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メト
キシエチル）エーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホ
キシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダ
ゾリジノンなどを挙げることができる。中でも極
性溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及
びジメチルスルホキシドが好適である。 反応温度は１）使用する溶媒の塩基性触媒に対
する安定性、２）縮合成分（一般式（）及び
（）の化合物）の反応性、３）前記塩基性触媒
中における縮合剤としての反応性によつて広範囲
に選択することができる。例えば極性溶媒を用い
るときは実際には室温から100℃好しくは室温か
ら80℃である。しかし反応時間の短縮又は活性の
低い縮合剤を使用するときはさらに高い温度でも
よい。このようにして得られる本発明にかかわる
新規なスチルベン誘導体を例示すれば次の通りで
ある。 本発明にかかわる新規なスチルベン誘導体は、
電子写真用感光体に於ける光導電性素材として極
めて有用であり、染料やルイス酸などの増感剤に
よつて光学的あるいは化学的に増感される。また
有機顔料あるいは無機顔料を電荷発生物質とする
いわゆる機能分離型感光体に於ける電荷移動物質
としてとりわけ有用である。 上記増感剤として例えばメチルバイオレツト、
クリスタルバイオレツト等のトリアリルメタン染
料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
Ｂ等のサンテン染料、メチレンブルー等のアジン
染料、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノ
ン、２，４−ジニトロ−９−フルオレノン等が挙
げられる。 また有機顔料としてはシーアイピグメントブル
ー25（CI No.21180）、シーアイピグメントレツド
41（CI No.21200）、シーアイベーシツクレツド３
（CI No.45210）等のアゾ系顔料、シーアイピグ
メントブルー16（CI No.74100）等のフタロシア
ニン系顔料、シーアイバツトブラウン５（CI No.
73410）、シーアイバイオレツトダイ（CI No.
73030）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレツ
トＢインタンスレンスカーレツトＲ等のペリレン
系顔料が挙げられる。又、セレン、セレン−テル
ル、硫化カドミウム、α−シリコン等の無機材料
も使用できる。 次に実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 １ ３−フエノキシベンジルホスホン酸ジエチル
3.52ｇ（0.01モル）と、４−ホルミル−4′−メチ
ルトリフエニルアミンをＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド20mlに溶解し、これにカリウムtert−ブト
キシド1.95ｇ（0.017モル）を21〜30℃にて加え
た。添加後、室温で５時間かきまぜを行なつた後
反応混合物をメタノール40mlで希釈した。結晶を
濾取、水洗、乾燥した。 ジオキサン−エタノールの混合溶媒から再結晶
して淡黄色針状結晶の３−フエノキシ−4′−（Ｎ
−フエニル−Ｎ−ｐ−トリル）アミノスチルベン
の結晶3.47ｇを得た。融点は141.5〜142.5℃であ
つた。 元素分析値 Ｃ％ Ｈ％ Ｎ％ 実測値 87.35 6.16 3.18 C33H27NOとしての 計算値 87.37 6.01 3.09 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法）を第１
図に示したが965cm-1にトランスのCH＝面外変角
振動に基づく吸収が認められた。 実施例 ２ 実施例１において４−ホルミル−4′−メチルト
リフエニルアミンの代りに４−ホルミル−4′−メ
トキシトリフエニルアミンを用いる他は実施例１
と同様に操作して淡黄色針状結晶の３−フエノキ
シ−4′−（Ｎ−フエニル−Ｎ−ｐ−メトキシシエ
ニル）アミノスチルベンを得た。融点は124.0〜
126.0℃であり、元素分析値は次のとおりであつ
た。 元素分析値 Ｃ％ Ｈ％ Ｎ％ 実測値 84.30 5.79 3.00 C33H27NO2としての 計算値 84.40 5.81 2.98 応用例並びに参考例 電荷発生物質として、下記ビスアゾ化合物7.5
部 及びポリエステル樹脂［(株)東洋紡績製バイロン
200］の0.5％テトラヒドロフラン溶液500部をボ
ールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアル
ミニウム蒸着ポリエステルフイルム上にドクター
ブレードで塗布し、自然乾燥して約1μm厚の電荷
発生層を形成した。次にポリカーボネート樹脂
［(株)帝人製パンライトＫ−1300］１部とテトラヒ
ドロフラン14部の樹脂溶液に、電荷輸送物質とし
て表１の化合物各１部を溶解し、この溶液を前記
電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、80℃
で２分間、次いで120℃で５分間乾燥して厚さ約
20μmの電荷輸送層を形成して感光体を作成した。 次に、こうして得られた積層型電子写真感光体
の可視域での感度を調べるため、これらの感光体
に静電複写紙試験装置［(株)川口電機製作所製
SP428型］を用いて暗所で−6KVのコロナ放電を
20秒間おこなつて帯電させた後、20秒間暗所に放
置し、表面電位Vo（Ｖ）を測定した。次いで、タ
ングステンランプ光を感光体表面での照度が
4.51uxになるように照射して、Voが1/2になるま
での露光量Ｅ1/2（1ux・sec）を求めた。結果を
表１に示す。
【表】
【表】
効 果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
スチルベン誘導体は新規な化合物であつて、特に
電子写真用の有機光導電性材料として有効なもの
である。
スチルベン誘導体は新規な化合物であつて、特に
電子写真用の有機光導電性材料として有効なもの
である。
第１図は３−フエノキシ−4′−（Ｎ−フエニル
−Ｎ−ｐ−トリル）アミノスチルベンの赤外線吸
収スペクトル図である。
−Ｎ−ｐ−トリル）アミノスチルベンの赤外線吸
収スペクトル図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（） （式中、R1及びR2は水素原子、低級アルキル
基、又は低級アルコキシ基を表わし、R1とR2と
が同時に水素である場合を除く。） で示されるスチルベン誘導体。 ２ 一般式（） （式中Ｒは低級アルキル基を示す） で表わされるホスホン酸エステルと、下記一般式
（） （式中、R1及びR2は水素原子、低級アルキル
基、または低級アルコキシ基を表わし、R1とR2
とが同時に水素である場合を除く）で表わされる
アルデヒド化合物とを反応させることを特徴とす
る下記一般式（） （式中、R1及びR2は上記一般式（）の定義
と同じ。） で表わされるスチルベン誘導体の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205437A JPS5995245A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | スチルベン誘導体及びその製造法 |
| US06/554,422 US4572884A (en) | 1982-11-25 | 1983-11-22 | Stilbene derivatives and electrophotographic photoconductor comprising one stilbene derivative |
| DE3342724A DE3342724C2 (de) | 1982-11-25 | 1983-11-25 | Stilbenderivate und diese enthaltende elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien |
| GB08331486A GB2131023B (en) | 1982-11-25 | 1983-11-25 | Stilbene derivatives and electrophotographic photoconductors containing them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205437A JPS5995245A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | スチルベン誘導体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5995245A JPS5995245A (ja) | 1984-06-01 |
| JPH0345058B2 true JPH0345058B2 (ja) | 1991-07-09 |
Family
ID=16506851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57205437A Granted JPS5995245A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | スチルベン誘導体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5995245A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6026124B2 (ja) * | 1977-03-07 | 1985-06-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 光重合性組成物 |
| JPS5858551A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-07 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS58215655A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP57205437A patent/JPS5995245A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5995245A (ja) | 1984-06-01 |
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