JPH0351679B2 - - Google Patents
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- JPH0351679B2 JPH0351679B2 JP61305123A JP30512386A JPH0351679B2 JP H0351679 B2 JPH0351679 B2 JP H0351679B2 JP 61305123 A JP61305123 A JP 61305123A JP 30512386 A JP30512386 A JP 30512386A JP H0351679 B2 JPH0351679 B2 JP H0351679B2
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- JP
- Japan
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- silicon carbide
- carbide whiskers
- carbon
- raw material
- reaction
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、炭化ケイ素ウイスカーの製造方法に
関し、詳しくは、高純度であつて、且つ、直線性
にすぐれる針状単結晶炭化ケイ素ウイスカーを高
収率にて製造する方法に関する。
関し、詳しくは、高純度であつて、且つ、直線性
にすぐれる針状単結晶炭化ケイ素ウイスカーを高
収率にて製造する方法に関する。
従来の技術
炭化ケイ素ウイスカーは、軽量、高強度、高弾
性を有し、近年、複合材料の強化材として、種々
の用途が期待されている。
性を有し、近年、複合材料の強化材として、種々
の用途が期待されている。
このような炭化ケイ素ウイスカーの製造方法と
しては、従来より、気相合成法固相合成法とが代
表的に知られている。気相合成法としては、ハロ
ゲン化ケイ素と炭化水素との混合ガス、又は炭素
及びハロゲンを含む有機ケイ素化合物ガスを水素
気流中で熱分解する方法や、ケイ素化合物を仕込
んだ反応炉内に炭化水素や塩化水素等のガスを流
通させることによつて反応炉内に炭化ケイ素ウイ
スカーを生成させる方法（特公昭52−28757号公
報）、二酸化ケイ素、炭素粉末、フツ化ナトリウ
ム等を充填したるつぼを不活性雰囲気中で加熱
し、気化した一酸化ケイ素や一酸化炭素を低温域
で反応させて、炭化ケイ素ウイスカーを析出成長
させる方法（特公昭54−15555号公報、特開昭56
−100125号公報）等が知られている。しかし、こ
れらの方法はいずれも、バツチ方式によらざるを
得ず、炭化ケイ素ウイスカーを連続方式にて得る
ことができないので、炭化ケイ素ウイスカーを量
産するには不適当である。
しては、従来より、気相合成法固相合成法とが代
表的に知られている。気相合成法としては、ハロ
ゲン化ケイ素と炭化水素との混合ガス、又は炭素
及びハロゲンを含む有機ケイ素化合物ガスを水素
気流中で熱分解する方法や、ケイ素化合物を仕込
んだ反応炉内に炭化水素や塩化水素等のガスを流
通させることによつて反応炉内に炭化ケイ素ウイ
スカーを生成させる方法（特公昭52−28757号公
報）、二酸化ケイ素、炭素粉末、フツ化ナトリウ
ム等を充填したるつぼを不活性雰囲気中で加熱
し、気化した一酸化ケイ素や一酸化炭素を低温域
で反応させて、炭化ケイ素ウイスカーを析出成長
させる方法（特公昭54−15555号公報、特開昭56
−100125号公報）等が知られている。しかし、こ
れらの方法はいずれも、バツチ方式によらざるを
得ず、炭化ケイ素ウイスカーを連続方式にて得る
ことができないので、炭化ケイ素ウイスカーを量
産するには不適当である。
一方、固相合成法としては、粉末状ケイ素含有
原料と粉末状炭素含有原料とを均一に混合し、こ
れをアチソン型加熱炉において加熱し、炭化ケイ
素ウイスカーを生成させる方法（特開昭58−
145700号公報）粉末状ケイ素含有原料と炭素含有
塩料を混合して、成形し、この成形体を匣鉢に入
れてトレープツシヤー式加熱炉にて加熱する方法
（特開昭58−20799号公報、特開昭58−91010号公
報、特公昭50−25907号公報）等が知られている。
このようなな固相合成法のうち、前者の方法は、
バツチ方式であるために量産には適さない。従つ
て、現在、工業的規模での炭化ケイ素ウイスカー
の製造には、殆どの場合、後者による連続製造方
法が採用されている。
原料と粉末状炭素含有原料とを均一に混合し、こ
れをアチソン型加熱炉において加熱し、炭化ケイ
素ウイスカーを生成させる方法（特開昭58−
145700号公報）粉末状ケイ素含有原料と炭素含有
塩料を混合して、成形し、この成形体を匣鉢に入
れてトレープツシヤー式加熱炉にて加熱する方法
（特開昭58−20799号公報、特開昭58−91010号公
報、特公昭50−25907号公報）等が知られている。
このようなな固相合成法のうち、前者の方法は、
バツチ方式であるために量産には適さない。従つ
て、現在、工業的規模での炭化ケイ素ウイスカー
の製造には、殆どの場合、後者による連続製造方
法が採用されている。
しかし、一般に、固相合成法によるときは、粉
状乃至屈曲状の炭化ケイ素を多く生成し、直線性
にすぐれる炭化ケイ素ウイスカーを得ることが困
難であるほか、得られた炭化ケイ素ウイスカーか
ら上記のような粉状乃至屈曲状の炭化ケイ素を分
離除去することも容易ではない。
状乃至屈曲状の炭化ケイ素を多く生成し、直線性
にすぐれる炭化ケイ素ウイスカーを得ることが困
難であるほか、得られた炭化ケイ素ウイスカーか
ら上記のような粉状乃至屈曲状の炭化ケイ素を分
離除去することも容易ではない。
発明が解決しようとする問題点
本発明者らは、従来の炭化ケイ素ウイスカーの
製造における上記した問題を解決するために鋭意
研究した結果、二酸化ケイ素を含むケイ素原料を
予め成形し、これを限られた反応空間内において
炭素含有原料粉末と共に所定量の水素を含む雰囲
気下に所定の温度に加熱することによつて、直線
性にすぐれた針状短結晶炭化ケイ素ウイスカーを
高収率にて得ることができることを見出して本発
明に至つたものである。
製造における上記した問題を解決するために鋭意
研究した結果、二酸化ケイ素を含むケイ素原料を
予め成形し、これを限られた反応空間内において
炭素含有原料粉末と共に所定量の水素を含む雰囲
気下に所定の温度に加熱することによつて、直線
性にすぐれた針状短結晶炭化ケイ素ウイスカーを
高収率にて得ることができることを見出して本発
明に至つたものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、限られた反応空間内で水素ガス及び
触媒の存在下に固体ケイ素含有原料と固体炭素含
有原料とを加熱して、炭化ケイ素ウイスカーを製
造する方法において、水素濃度70％以上の雰囲気
下で二酸化ケイ素を含有する成形体と炭素含有原
料粉末とを1300〜1700℃の温度に加熱することを
特徴とする。
触媒の存在下に固体ケイ素含有原料と固体炭素含
有原料とを加熱して、炭化ケイ素ウイスカーを製
造する方法において、水素濃度70％以上の雰囲気
下で二酸化ケイ素を含有する成形体と炭素含有原
料粉末とを1300〜1700℃の温度に加熱することを
特徴とする。
本発明の方法において、二酸化ケイ素を含有す
る成形体とは、例えば、ケイ石粉、粉状シリカゲ
ル、各種の非晶質シリカ、沈降性シリカ、粘土等
の二酸化ケイ素を含む原料を適宜の手段、例え
ば、押出成形、プレス成形、造粒等の手段によつ
て成形し、板、棒、管、粒乃至球、容器や箱、線
状又はこれらの組み合わせとしての形状を与えた
立体的な固体をいう。この成形体が例えば管状や
箱型の容器等のような成形体であるとき、固体炭
素含有原料を充填するための容器を兼ねさせるこ
とができる。
る成形体とは、例えば、ケイ石粉、粉状シリカゲ
ル、各種の非晶質シリカ、沈降性シリカ、粘土等
の二酸化ケイ素を含む原料を適宜の手段、例え
ば、押出成形、プレス成形、造粒等の手段によつ
て成形し、板、棒、管、粒乃至球、容器や箱、線
状又はこれらの組み合わせとしての形状を与えた
立体的な固体をいう。この成形体が例えば管状や
箱型の容器等のような成形体であるとき、固体炭
素含有原料を充填するための容器を兼ねさせるこ
とができる。
本発明において、上記二酸化ケイ素含有成形体
は、高い収率にて炭化ケイ素ウイスカーを得るた
めには、二酸化ケイ素を30重量％以上含有するこ
とが好ましく、特に、40重量％以上含有すること
が好ましい、 また、固体炭素含有原料とは、カーボンブラツ
クや粉末活性炭、或いはタールやピツチの熱処理
によつて得られる炭素等を用いることができる。
は、高い収率にて炭化ケイ素ウイスカーを得るた
めには、二酸化ケイ素を30重量％以上含有するこ
とが好ましく、特に、40重量％以上含有すること
が好ましい、 また、固体炭素含有原料とは、カーボンブラツ
クや粉末活性炭、或いはタールやピツチの熱処理
によつて得られる炭素等を用いることができる。
本発明の方法においては、上記二酸化ケイ素含
有成形体と固体炭素含有原料を水素ガス雰囲気下
において、例えば、電気炉のような限られた空間
内で所定温度に加熱して、炭化ケイ素ウイスカー
を得るものであり、ここに、水素ガス雰囲気とし
て水素ガス濃度を常に70％以上に保持することに
よつて、炭化ケイ素ウイスカーを著しく高い収率
にて得ることができる。尚、反応炉が、例えば、
二酸化ケイ素成形体と固体炭素含有原料とを加熱
反応させる反応帯域を含む複数の帯域からなる場
合は、本発明によれば、限られた空間とは、上記
反応帯域をいい、反応炉の少なくともこの帯域を
雰囲気を水素濃度70％以上の雰囲気に保持すれば
よい。
有成形体と固体炭素含有原料を水素ガス雰囲気下
において、例えば、電気炉のような限られた空間
内で所定温度に加熱して、炭化ケイ素ウイスカー
を得るものであり、ここに、水素ガス雰囲気とし
て水素ガス濃度を常に70％以上に保持することに
よつて、炭化ケイ素ウイスカーを著しく高い収率
にて得ることができる。尚、反応炉が、例えば、
二酸化ケイ素成形体と固体炭素含有原料とを加熱
反応させる反応帯域を含む複数の帯域からなる場
合は、本発明によれば、限られた空間とは、上記
反応帯域をいい、反応炉の少なくともこの帯域を
雰囲気を水素濃度70％以上の雰囲気に保持すれば
よい。
かかる本発明の方法においては、炭化ケイ素ウ
イスカーは、次のような反応によつて生成するも
のとみられる。但し、本発明は、反応機構によつ
て何ら制限されるものではない。
イスカーは、次のような反応によつて生成するも
のとみられる。但し、本発明は、反応機構によつ
て何ら制限されるものではない。
Ｃ＋2H2＋CH4 (1)
SiO2＋CH4→SiO＋CO＋2H2 (2)
SiO＋2CH4→SiC＋CO＋4H2 (3)
即ち、先ず、水素ガスと固体炭素原料とが反応
(1)によつてメタンガスを生成し、これが二酸化ケ
イ素含有成形体の表面において、反応(2)によつて
一酸化ケイ素ガスが生成する。次いで、この一酸
化ケイ素ガスとメタンガスとの反応(3)によつて、
炭化ケイ素が生成する。従つて、総括反応式は、 SiO2＋3C→SiC＋2CO (4) で表わされることとなる。
(1)によつてメタンガスを生成し、これが二酸化ケ
イ素含有成形体の表面において、反応(2)によつて
一酸化ケイ素ガスが生成する。次いで、この一酸
化ケイ素ガスとメタンガスとの反応(3)によつて、
炭化ケイ素が生成する。従つて、総括反応式は、 SiO2＋3C→SiC＋2CO (4) で表わされることとなる。
上記反応式(4)においては、水素は炭化ケイ素の
生成に関与していないが、水素は、反応(1)から(3)
にみられるように、反応過程に不可欠であり、更
に、水素ガスは、分子が小さいために、反応容器
内を容易に拡散して、二酸化ケイ素の一酸化ケイ
素への還元及び炭素のメタンガス化を容易になら
しめるので、炭化ケイ素ウイスカーの収量の増大
に寄与し、しかも、本発明の方法においては、最
終的には反応(4)に示したように、炭化ケイ素ウイ
スカーは、気体反応によつて生成するので、針状
性にすぐれるのであろう。
生成に関与していないが、水素は、反応(1)から(3)
にみられるように、反応過程に不可欠であり、更
に、水素ガスは、分子が小さいために、反応容器
内を容易に拡散して、二酸化ケイ素の一酸化ケイ
素への還元及び炭素のメタンガス化を容易になら
しめるので、炭化ケイ素ウイスカーの収量の増大
に寄与し、しかも、本発明の方法においては、最
終的には反応(4)に示したように、炭化ケイ素ウイ
スカーは、気体反応によつて生成するので、針状
性にすぐれるのであろう。
以上のように、上記の反応においては、水素ガ
スが炭化ケイ素ウイスカーの生成に重要な寄与を
なし、本発明によれば、反応域における雰囲気が
水素ガスを常に70％以上とすることによつて、炭
化ケイ素ウイスカーの収率を著しく高めると共
に、その針状性を著しく高めることができる。反
応域における雰囲気を常に70％以上の水素ガスを
含むようにするには、具体的には、例えば、反応
炉中に大量の水素を通流させ、上記したように、
副生する一酸化炭素の生成に伴う水素濃度の低減
を防止する。水素ガス濃度が70％よりも少ないと
きは、炭化ケイ素ウイスカーの収量が著しく低減
するのみならず、その長さも短く、また、粉状や
屈曲状の炭化ケイ素ウイスカーの生成量が増大す
る。
スが炭化ケイ素ウイスカーの生成に重要な寄与を
なし、本発明によれば、反応域における雰囲気が
水素ガスを常に70％以上とすることによつて、炭
化ケイ素ウイスカーの収率を著しく高めると共
に、その針状性を著しく高めることができる。反
応域における雰囲気を常に70％以上の水素ガスを
含むようにするには、具体的には、例えば、反応
炉中に大量の水素を通流させ、上記したように、
副生する一酸化炭素の生成に伴う水素濃度の低減
を防止する。水素ガス濃度が70％よりも少ないと
きは、炭化ケイ素ウイスカーの収量が著しく低減
するのみならず、その長さも短く、また、粉状や
屈曲状の炭化ケイ素ウイスカーの生成量が増大す
る。
本発明の方法による炭化ケイ素ウイスカーの製
造においては、好ましくは反応触媒が用いられ
る。反応触媒としては、鉄、ニツケル、コバルト
又はこれらの化合物、例えば、酸化物、硝酸塩、
炭酸塩、硫酸塩等が用いられる。これら化合物
は、粉末、水溶液その他適宜の形態で炭素含有原
料粉末に加え、混在せしめられる。これら触媒
は、特に、前記反応(3)を促進して、直線状で高純
度の炭化ケイ素ウイスカーの生成速度を早めると
共に、その結果として、併発的に生じる望ましく
ない反応を抑制する作用がある。
造においては、好ましくは反応触媒が用いられ
る。反応触媒としては、鉄、ニツケル、コバルト
又はこれらの化合物、例えば、酸化物、硝酸塩、
炭酸塩、硫酸塩等が用いられる。これら化合物
は、粉末、水溶液その他適宜の形態で炭素含有原
料粉末に加え、混在せしめられる。これら触媒
は、特に、前記反応(3)を促進して、直線状で高純
度の炭化ケイ素ウイスカーの生成速度を早めると
共に、その結果として、併発的に生じる望ましく
ない反応を抑制する作用がある。
本発明の方法において、二酸化ケイ素含有成形
体と固体炭素原料とを水素を含む雰囲気下で加熱
する温度は、1300℃以上が好適であり、特に、
1400℃以上が好ましい。1300℃よりも低い温度で
は、炭化ケイ素ウイスカーの生成が極めて遅く、
実用上好ましくないからである。一方、余りに高
温であるときは、反応条件が過激にすぎて、ウイ
スカー径が肥大化し、また、ウイスカーの分岐や
折れ曲がり等の乱れが発生するようになる。従つ
て、反応温度は、通常、1700℃以下がよい。ま
た、加熱時間は、特に制限されるものではない
が、通常、0.5〜30時間が適当である。反応時間
が余りに短いときは、未反応原料が多量に残留
し、一方、余りに長時間反応させても、炭化ケイ
素ウイスカーの収量の増加が僅かであるので、生
産性及び熱エネルギー費用の観点からみて、何ら
利点がないからである。
体と固体炭素原料とを水素を含む雰囲気下で加熱
する温度は、1300℃以上が好適であり、特に、
1400℃以上が好ましい。1300℃よりも低い温度で
は、炭化ケイ素ウイスカーの生成が極めて遅く、
実用上好ましくないからである。一方、余りに高
温であるときは、反応条件が過激にすぎて、ウイ
スカー径が肥大化し、また、ウイスカーの分岐や
折れ曲がり等の乱れが発生するようになる。従つ
て、反応温度は、通常、1700℃以下がよい。ま
た、加熱時間は、特に制限されるものではない
が、通常、0.5〜30時間が適当である。反応時間
が余りに短いときは、未反応原料が多量に残留
し、一方、余りに長時間反応させても、炭化ケイ
素ウイスカーの収量の増加が僅かであるので、生
産性及び熱エネルギー費用の観点からみて、何ら
利点がないからである。
上記のように、二酸化ケイ素含有成形体と固体
炭素含有原料とを所定の水素雰囲気下に所定の温
度に加熱した後、これを徐冷若しくは放冷し、好
ましくは、反応生成物に含まれる余剰の炭素を酸
化焼却することによつて、通常、線状の炭化ケイ
素ウイスカーを得ることができる。
炭素含有原料とを所定の水素雰囲気下に所定の温
度に加熱した後、これを徐冷若しくは放冷し、好
ましくは、反応生成物に含まれる余剰の炭素を酸
化焼却することによつて、通常、線状の炭化ケイ
素ウイスカーを得ることができる。
発明の効果
以上のように、本発明の方法によれば、二酸化
ケイ素含有成形体と固体炭素含有原料とを所定濃
度以上の高濃度の水素ガスを含む雰囲気下で加熱
することによつて、針状性にすぐれた高純度炭化
ケイ素ウイスカーを高収率にて得ることができ
る。
ケイ素含有成形体と固体炭素含有原料とを所定濃
度以上の高濃度の水素ガスを含む雰囲気下で加熱
することによつて、針状性にすぐれた高純度炭化
ケイ素ウイスカーを高収率にて得ることができ
る。
実施例
以上に実施例を挙げて本発明を説明するが、本
発明はこれら実施例によつて何ら限定されるもの
ではない。
発明はこれら実施例によつて何ら限定されるもの
ではない。
実施例 １
外径25mm、内径20mm、長さ120mmの一端を閉じ
たほぼ円筒状のムライト（シリカ（50％及びアル
ミナ50％）製であつて、水素の供給口と排ガス出
口とを備えた反応容器を二酸化ケイ素含有成形体
として用い、この反応容器内に酸化第二鉄0.5重
量％を添加したカーボンブラツク2.5ｇを充填し、
管状電気炉に挿入した。この電気炉内に水素ガス
を100ml／分の割合で通気させながら、昇温し、
1500℃の温度で４時間保持した後、降温した。こ
の間、電気炉の排ガス出口からのガスの水素濃度
は92％であつた。
たほぼ円筒状のムライト（シリカ（50％及びアル
ミナ50％）製であつて、水素の供給口と排ガス出
口とを備えた反応容器を二酸化ケイ素含有成形体
として用い、この反応容器内に酸化第二鉄0.5重
量％を添加したカーボンブラツク2.5ｇを充填し、
管状電気炉に挿入した。この電気炉内に水素ガス
を100ml／分の割合で通気させながら、昇温し、
1500℃の温度で４時間保持した後、降温した。こ
の間、電気炉の排ガス出口からのガスの水素濃度
は92％であつた。
次いで、電気炉内から上記反応容器を取り出
し、反応容器内に析出している炭化ケイ素ウイス
カーを取り出し、未反応のカーボンブラツクを焼
却除去して、屈曲のない直線状の炭化ケイ素ウイ
スカー2.5ｇを得た。
し、反応容器内に析出している炭化ケイ素ウイス
カーを取り出し、未反応のカーボンブラツクを焼
却除去して、屈曲のない直線状の炭化ケイ素ウイ
スカー2.5ｇを得た。
実施例 ２
電気炉内に水素80％とアルゴン20％とからなる
混合ガスを供給した以外は、実施例１と同じ方法
にて二酸化ケイ素含有成形体とカーボンブラツク
とを加熱反応させた。この反応の間、電気炉の排
ガス出口からのガスの水素濃度は75％であつた。
この方法によつて、屈曲のない直線状の炭化ケイ
素ウイスカー2.0ｇを得た。しかし、その長さは、
実施例１において得られた炭化ケイ素ウイスカー
に比べれば、幾分短いものであつた。
混合ガスを供給した以外は、実施例１と同じ方法
にて二酸化ケイ素含有成形体とカーボンブラツク
とを加熱反応させた。この反応の間、電気炉の排
ガス出口からのガスの水素濃度は75％であつた。
この方法によつて、屈曲のない直線状の炭化ケイ
素ウイスカー2.0ｇを得た。しかし、その長さは、
実施例１において得られた炭化ケイ素ウイスカー
に比べれば、幾分短いものであつた。
比較例 １
電気炉内に水素60％とアルゴン40％とからなる
混合ガスを供給した以外は、実施例１と同じ方法
にて二酸化ケイ素含有成形体とカーボンブラツク
とを加熱反応させた。この反応の間、電気炉の排
ガス出口からのガスの水素濃度は58％であつた。
この方法によれば、粉状物を含み、しかも、細
く、また、長さも実施例１の場合約1/10程度の短
い炭化ケイ素ウイスカー0.2ｇを得たにとどまつ
た。
混合ガスを供給した以外は、実施例１と同じ方法
にて二酸化ケイ素含有成形体とカーボンブラツク
とを加熱反応させた。この反応の間、電気炉の排
ガス出口からのガスの水素濃度は58％であつた。
この方法によれば、粉状物を含み、しかも、細
く、また、長さも実施例１の場合約1/10程度の短
い炭化ケイ素ウイスカー0.2ｇを得たにとどまつ
た。
比較例 ２
電気炉内にアルゴンを供給した以外は、実施例
１と同じ方法にて二酸化ケイ素含有成形体とカー
ボンブラツクとを加熱反応させた。この方法によ
るときは、反応容器と接触しているカーボンブラ
ツクのみが反応に関与するために、炭化ケイ素ウ
イスカー0.1ｇを得たにとどまつた。また、この
炭化ケイ素ウイスカーは粉状又は塊状であつて、
針状のものは殆どなかつた。
１と同じ方法にて二酸化ケイ素含有成形体とカー
ボンブラツクとを加熱反応させた。この方法によ
るときは、反応容器と接触しているカーボンブラ
ツクのみが反応に関与するために、炭化ケイ素ウ
イスカー0.1ｇを得たにとどまつた。また、この
炭化ケイ素ウイスカーは粉状又は塊状であつて、
針状のものは殆どなかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 限られた反応空間内で水素ガス及び触媒の存
在下に固体ケイ素含有原料と固体炭素含有原料と
を加熱して、炭化ケイ素ウイスカーを製造する方
法において、水素濃度70％以上の雰囲気下で二酸
化ケイ素を含有する成形体と炭素含有原料粉末と
を1300〜1700℃の温度に加熱することを特徴とす
る炭化ケイ素ウイスカーの製造方法。 ２ 炭素含有原料粉末に触媒を混在させることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の炭化ケイ
素ウイスカーの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61305123A JPS63159299A (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法 |
| US07/096,743 US4873070A (en) | 1986-12-17 | 1987-09-15 | Process for producing silicon carbide whiskers |
| DE8787308276T DE3777577D1 (de) | 1986-12-17 | 1987-09-18 | Verfahren zur herstellung von siliziumcarbid-whiskern. |
| EP87308276A EP0272773B1 (en) | 1986-12-17 | 1987-09-18 | Process for production silicon carbide whiskers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61305123A JPS63159299A (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63159299A JPS63159299A (ja) | 1988-07-02 |
| JPH0351679B2 true JPH0351679B2 (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=17941375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61305123A Granted JPS63159299A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-20 | 炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63159299A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57101000A (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of ceramic whisker |
| JPS58120599A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-18 | Onoda Cement Co Ltd | β−炭化珪素ウイスカ−の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-20 JP JP61305123A patent/JPS63159299A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63159299A (ja) | 1988-07-02 |
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